Продукція > RS6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RS63PEaton BussmannDescription: 63A BACK STUD CONNECTED BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS63PHEaton BussmannDescription: 63A FRONT/BACK STUD CONNECT-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS63PHWHEaton BussmannDescription: 63A FRONT/BACK STUD CONNECTED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS63PWHEaton BussmannDescription: 63A BACK STUD CONNECTED WHITE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS63REDEaton BussmannDescription: ACCESSORIES RED WARNING CARRIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS63REDBussmann / EatonFuse Holder Accessories ED SPOT-ACCESSORIES RED WARNING CARRIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6402-1
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS64021N/A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6513S
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6714-001
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS683
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS690T
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6A13LittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-SETON/OFFRECYC LING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
10+153.07 грн
100+106.61 грн
500+81.41 грн
1000+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 138W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.78 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V 270A HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 138W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.84 грн
10+142.25 грн
100+101.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E122BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 155A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.48 грн
10000+58.91 грн
15000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+109.37 грн
100+74.77 грн
500+56.27 грн
1000+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 40V 100A N CHAN
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+119.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.68 грн
10+87.79 грн
100+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.38 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.70 грн
10000+88.37 грн
15000+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+249.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.26 грн
10+195.11 грн
100+137.88 грн
500+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.22 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.87 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.89 грн
10+209.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.27 грн
86+165.01 грн
95+149.69 грн
116+118.20 грн
200+102.40 грн
500+97.99 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.81 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+167.26 грн
25+142.71 грн
100+107.90 грн
250+95.12 грн
500+87.26 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.10 грн
10+152.00 грн
100+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.54 грн
100+143.81 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.41 грн
10+179.64 грн
100+138.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G122CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1190 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.77 грн
10+130.06 грн
100+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G122CHTB1Rohm SemiconductorRS6G122CHTB1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.41 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.63 грн
131+108.55 грн
250+104.20 грн
500+96.85 грн
1000+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.92 грн
10000+64.81 грн
15000+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.79 грн
500+74.20 грн
1000+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.19 грн
10+122.74 грн
100+87.79 грн
500+74.20 грн
1000+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 60V 90A
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.06 грн
10+130.96 грн
100+90.45 грн
500+68.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.82 грн
10+203.21 грн
100+143.87 грн
500+113.22 грн
1000+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 60V 120A
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.96 грн
10+198.06 грн
100+139.97 грн
500+112.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.61 грн
100+170.02 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.43 грн
15000+78.06 грн
22500+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+391.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.87 грн
500+113.22 грн
1000+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.10 грн
5000+95.18 грн
10000+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+341.80 грн
85+167.36 грн
94+152.04 грн
115+119.34 грн
200+103.66 грн
500+99.21 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.81 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.60 грн
10+158.58 грн
100+110.64 грн
500+84.62 грн
1000+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 60V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 190A, HSOP8, Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.11 грн
10+185.33 грн
100+129.24 грн
500+105.67 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+303.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.79 грн
10+164.84 грн
100+115.20 грн
500+88.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.24 грн
500+105.67 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
на замовлення 7361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.94 грн
10+118.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+262.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HS0P8 100V 60A N CHAN
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.47 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.98 грн
10+133.45 грн
100+92.20 грн
500+69.99 грн
1000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.48 грн
10000+58.91 грн
15000+54.82 грн
20000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6P100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+141.97 грн
100+98.45 грн
500+74.93 грн
1000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]