Продукція > RS6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RS6332XMRunic TechnologyDescription: IC CMOS 2 CIRCUIT 8MSOP
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 55 mA
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Input Offset: 600 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 58µA (x2 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+36.91 грн
25+34.48 грн
100+25.90 грн
250+24.05 грн
500+20.35 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6332XMRunic TechnologyDescription: IC CMOS 2 CIRCUIT 8MSOP
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 55 mA
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Input Offset: 600 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 58µA (x2 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6334PXPRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 120 mA
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Input Offset: 600 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 85µA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+53.44 грн
25+50.18 грн
100+38.43 грн
250+35.70 грн
500+30.38 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6334PXPRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 120 mA
Number of Circuits: 4
Supplier Device Package: 14-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Input Offset: 600 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 85µA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6334XPRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 55 mA
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Input Offset: 600 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 58µA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+58.12 грн
25+54.56 грн
100+41.79 грн
250+38.82 грн
500+33.04 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6334XPRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 55 mA
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Supplier Device Package: 14-SOIC
Voltage - Input Offset: 600 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 58µA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6334XQRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14TSSOP
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 58µA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 55 mA
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Input Offset: 600 µV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6334XQRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14TSSOP
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Current - Output / Channel: 55 mA
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Input Offset: 600 µV
Current - Input Bias: 1 pA
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Slew Rate: 0.5V/µs
Current - Supply: 58µA (x4 Channels)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Amplifier Type: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Rail-to-Rail
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+60.76 грн
25+57.03 грн
100+43.69 грн
250+40.58 грн
500+34.54 грн
1000+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS63HEatonFuse Holder 63A 600VAC/690VDC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17815.06 грн
3+15113.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS63HEaton BussmannDescription: 63A FRONT CONNECTED BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS63HBussmann / EatonFuse Holder RED SPOT 63A FRONT CONNECTED BLACK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS63HFTGGE POWER CONTROLSDescription: GE POWER CONTROLS - RS63HFTG - Sicherungshalter, Frontanschluss, 660V, 63A, HRC, Schraubklemme, Red Spot, schwarz
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: NA
Anzahl der Sicherungen: 1Sicherung(en)
Sicherungsgröße: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
isCanonical: Y
Nennspannung V AC: 660V
Sicherungshalter: Halter für Feinsicherungen
Nennspannung, V DC: 460V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Sicherungsstrom: 63A
Produktpalette: REDSPOT
Halteranschlüsse: Schraubanschluss
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS63HWHEaton BussmannDescription: 63A FRONT CONNECTED WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS63LOCKBussmann / EatonFuse Holder Accessories RED SPOT-ACCESSORIES PADLOCKABLE INSERTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS63LOCKEaton BussmannDescription: ACCESSORIES PADLOCKABLE INSERTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS63PEaton BussmannDescription: 63A BACK STUD CONNECTED BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS63PHEaton BussmannDescription: 63A FRONT/BACK STUD CONNECT-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS63PHWHEaton BussmannDescription: 63A FRONT/BACK STUD CONNECTED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS63PWHEaton BussmannDescription: 63A BACK STUD CONNECTED WHITE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS63REDEaton BussmannDescription: ACCESSORIES RED WARNING CARRIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS63REDBussmann / EatonFuse Holder Accessories ED SPOT-ACCESSORIES RED WARNING CARRIER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6402-1
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS64021N/A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6513S
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6714-001
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS683
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS690T
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6A13LittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-SETON/OFFRECYC LING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 138W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V 270A HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.33 грн
10+154.20 грн
50+118.79 грн
100+100.77 грн
500+82.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 138W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.78 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6E122BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 155A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.38 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.48 грн
10000+58.91 грн
15000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+119.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 40V 100A N CHAN
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.20 грн
50+83.83 грн
100+70.68 грн
500+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G100BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.74 грн
10+198.43 грн
50+154.38 грн
100+131.57 грн
500+112.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.87 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A
на замовлення 7127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.70 грн
10000+88.37 грн
15000+82.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+249.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+376.22 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+167.26 грн
25+142.71 грн
100+107.90 грн
250+95.12 грн
500+87.26 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.27 грн
86+165.01 грн
95+149.69 грн
116+118.20 грн
200+102.40 грн
500+97.99 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.81 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 40V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.48 грн
50+103.87 грн
100+87.93 грн
500+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 300A, HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.26 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.37 грн
50+124.49 грн
100+105.70 грн
500+86.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.54 грн
100+143.81 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G120CHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G122CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1190 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6G122CHTB1Rohm SemiconductorRS6G122CHTB1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+150.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.41 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.63 грн
131+108.55 грн
250+104.20 грн
500+96.85 грн
1000+86.75 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.92 грн
10000+64.81 грн
15000+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 60V 90A
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
10+131.94 грн
50+101.08 грн
100+85.50 грн
500+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L090BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.10 грн
5000+95.18 грн
10000+93.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.31 грн
10+199.49 грн
50+155.24 грн
100+132.32 грн
500+113.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.61 грн
100+170.02 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.43 грн
15000+78.06 грн
22500+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+391.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 60V 120A
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+159.71 грн
50+123.21 грн
100+104.59 грн
500+85.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+341.80 грн
85+167.36 грн
94+152.04 грн
115+119.34 грн
200+103.66 грн
500+99.21 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.81 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 60V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS6L120CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 190A, HSOP8, Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.