Продукція > SiH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHB17N80E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs E Series Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB17N80E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB17N80E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB180N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB180N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB180N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB180N60E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 156W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB186N60EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB186N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V | на замовлення 2659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB18N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB18N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB190N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB190N65E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 179W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB190N65E-GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 650V | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB190N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V | на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB20N50E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB20N50E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 19A; 179W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 500V Drain current: 19A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Gate charge: 92nC | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB20N50E-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB20N50E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 500V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N60EF-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 176mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 53A Gate charge: 84nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB21N65EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 208W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N65EF-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 208W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N65EF-T5-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.235 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET | на замовлення 9550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB21N80AE-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 800V | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB21N80AE-T5-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 800V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60AE-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Pulsed drain current: 268A Power dissipation: 520W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 443nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60AEL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHB22N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHB22N60E-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | SIHB22N60E-GE3 SIHB22N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 56A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB22N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60E-GE3-X | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode | на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60EF-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 182mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60EL-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 45A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 197mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60EL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60ET1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60ET5-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60ET5-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60S-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60S-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N60S-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N65E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB22N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N65E-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB22N65ET1-GE3 | Vishay | MOSFETs TO263 650V 21A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V | на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB23N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB23N60E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 227W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 63A Power dissipation: 227W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 158mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB240N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB240N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 16 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB240N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB240N65E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 650V | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB240N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SiHB24N65E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHB24N65E-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHB24N65E-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V | на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 3215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm | на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65E-GE3-X | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB24N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EF-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; Idm: 65A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 156mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EFT1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 65A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 156mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EFT1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB24N65EFT1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 650V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB24N65EFT1-GE3 | Vishay | E Series Power MOSFET with Fast Body Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |