Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7338TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 12V 6.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBFIOR
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7339D1IR06+ SOP-14;
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7339D1TRIR03+
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF734Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF734Vishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 450V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7340IOR01+ SOP
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341JSMicro SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341International RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341SLKORTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 13186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.82 грн
10+113.85 грн
100+77.99 грн
500+58.79 грн
1000+54.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.51 грн
5+137.00 грн
10+120.19 грн
50+85.73 грн
100+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.24 грн
250+82.28 грн
1000+59.76 грн
2000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineonТранзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 5,1А; SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+52.00 грн
8000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 23609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.07 грн
10+115.63 грн
100+71.92 грн
500+58.59 грн
1000+54.47 грн
4000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.78 грн
50+113.24 грн
250+82.28 грн
1000+59.76 грн
2000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341ITRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBF
Код товару: 26458
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QIRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QPBF
Код товару: 85128
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QTRPB
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRJGSEMITransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRUMWDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TR
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRUMWTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TR-HXY 4828.HXY MOSFETTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; HXY4828S (IRF7341TR) HXY MOSFET TIRF7341 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 39558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+64.53 грн
100+42.60 грн
500+31.13 грн
1000+28.28 грн
2000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 A, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.75 грн
162+87.65 грн
250+84.13 грн
500+78.20 грн
1000+70.05 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 38980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.04 грн
8000+24.19 грн
12000+23.25 грн
20000+20.83 грн
28000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF
Код товару: 25204
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 221 шт
  • 173 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+33.00 грн
10+29.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBF IRF7341TRInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.09 грн
13+65.82 грн
100+43.34 грн
500+31.47 грн
1000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.99 грн
194+73.25 грн
287+49.47 грн
290+47.23 грн
500+34.62 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 29899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+55.37 грн
100+36.52 грн
500+26.69 грн
1000+24.25 грн
2000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.50 грн
11+73.99 грн
25+73.25 грн
100+47.70 грн
250+43.73 грн
500+33.23 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.13 грн
10+53.88 грн
100+33.24 грн
500+26.60 грн
1000+24.16 грн
2000+22.07 грн
4000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1InfineonN-MOSFET;польовий;55В;4,7А;SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.34 грн
500+31.47 грн
1000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.65 грн
8000+20.26 грн
12000+19.47 грн
20000+17.44 грн
28000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
870+40.77 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.80 грн
10+50.94 грн
100+33.54 грн
500+26.22 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342International RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBFInternational RectifierMOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2PBF
Код товару: 28747
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342D2TRPBFIRSOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBF
Код товару: 29394
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+28.00 грн
10+25.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInternational RectifierHEXFETDUALP-CH/-55V/3,4A/0,105Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342QTRPBFIOR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342QTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRUMWDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TR
Код товару: 181463
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRInfineonTransistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.71 грн
8000+34.85 грн
12000+33.61 грн
20000+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineonMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF
Код товару: 31772
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
у наявності: 190 шт
  • 157 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
на замовлення 10907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.01 грн
10+77.33 грн
100+44.83 грн
500+35.40 грн
1000+32.40 грн
2000+31.14 грн
4000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.28 грн
500+44.18 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFIRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.47 грн
10+58.67 грн
25+52.03 грн
100+43.54 грн
250+38.75 грн
500+35.47 грн
1000+31.86 грн
2000+29.00 грн
4000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 74794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.69 грн
10+90.10 грн
100+60.43 грн
500+44.77 грн
1000+40.93 грн
2000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 690 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3,4 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 700 Од. в
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7342TRPBF - MOSFET, 2FACH P-KANAL -55V, -3.4A SOIC-8
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.75 грн
10+90.43 грн
100+60.28 грн
500+44.18 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]