Продукція > BSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSM250D17P2E004ROHMDescription: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+74723.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004ROHM SemiconductorMOSFET Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+97431.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM254F
Код товару: 32957
Додати до обраних Обраний товар
SiemensТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 35 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,17 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 18/
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM254FSIEMENS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GAL100DEUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GAL120DSIEMENS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GAL120DN2SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GB100DEUPECMODULE
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GB120DEUPECMODULE
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GB120DN2ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM25GB120DN2 - BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2690.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GB120DN2module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GB120DN2Infineon TechnologiesBSM25GB120DN2
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+3935.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GB120DN2Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+2595.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD100DEUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD100D
Код товару: 47247
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120EUPECMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120  EUPEC IGBT25A1200V6U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DEUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120D (IGBT модуль)
Код товару: 44621
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120D2SIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DLCEUPEC25A/1200V/IGBT/6U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DLCE3224Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DLCE3224EUPECMODULE
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN1EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN12EUPECMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2
Код товару: 37544
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2InfineonСилові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 25A FL BRIDGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 35A 200W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 17Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14037.83 грн
5+13552.56 грн
10+13067.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 200W 17-Pin ECONOPACK 2
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+17382.36 грн
25+16861.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2EEUPECMODULE
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224
Код товару: 163073
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224 (модуль)
Код товару: 51892
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 35A 200W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224BOSA1InfineonIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 35A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2E3224BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120N2EUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD60DLCSIEMENS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 25A PIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120Infineon(IGBT) 1200V 25A PIM Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120
Код товару: 36446
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120 B2
Код товару: 85021
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120-B2EUPECMODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120B2EUPECMODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120B2BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 45A 230W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120B2BPSA1Infineon TechnologiesBSM25GP120B2BPSA1
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+16658.69 грн
25+16158.95 грн
100+15659.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120B2BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT LP ECONO AG-ECONO2A-211
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120BOSA1Infineon TechnologiesHigh Reliability IGBT Modules IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120BOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM25GP120BOSA1 - LOW POWER ECONO
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7956.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 45A 230W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120BPSA1
Код товару: 186350
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER ECONO
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120BPSA1Infineon TechnologiesBSM25GP120BPSA1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+16659.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 45A AG-ECONO2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 230 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP120_B2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GP12Omodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM2733Global IndustrialDescription: 27-1/2X3-1/2X3-1/2" CORRUGATED M
Part Status: Active
Type: Corrugated Mailer
Size / Dimension: 27-1/2" x 3-1/2" x 3-1/2"
Color: White
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM284Fmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM294Fmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM2OOGA120DN2Smodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM3000GB120DLCEUPECMODULE
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201ROHM SemiconductorMOSFET Modules 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55032.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E201ROHMDescription: ROHM - BSM300C12P3E201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 1.36kW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37173.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E301ROHMDescription: ROHM - BSM300C12P3E301 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58642.69 грн
2+51312.46 грн
5+42515.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300C12P3E301ROHM SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules SIC Pwr Module Chopper
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300D12P2E001ROHM SemiconductorMOSFET Modules 300A SiC Power Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300D12P2E001Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 68mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1875W
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51364.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300D12P3E005ROHMDescription: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107864.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300D12P3E005Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 91mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1260W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+99153.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300D12P3E005ROHM SemiconductorMOSFET Modules SIC Pwr Module Half Bridge
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300D12P4G101ROHM SemiconductorMOSFET Modules BSM300D12P4G101 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300D12P4G101ROHMDescription: ROHM - BSM300D12P4G101 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 291 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 291A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38036.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300D12P4G101Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 145.6mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 291A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 925W (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300DY-24HEUPECMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA100DEUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120EUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DSIEMENS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120D-N11
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 300A SINGLE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 570A 2250W MOD
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 570 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17843.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCHOSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM300GA120DLCHOSA1 - BSM300GA120 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+19925.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 570A 2250W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 570 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCSInfineon TechnologiesIGBT Modules 1200V 300A SINGLE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCSEUPEC09+ SOP8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCSHDLA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 570 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesInfineon MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GA120DLCSHOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 570A 2250W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 22 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 570 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+18613.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]