Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA030N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA030N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA030N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA030N10NF2SXKSA1 Код товару: 183514
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220FP Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 83 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 7300/103 Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA030N10NF2SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA030N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 83 A, 2600 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA030N10NF2SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA032N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3 | на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA032N06N3 G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA032N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 41W Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Case: TO220FP Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA034N08NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA034N08NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA037N08N3 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA037N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 75A TO220FP-3 OptiMOS 3 | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA037N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Kind of package: tube Case: TO220FP Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 41W Drain current: 75A Drain-source voltage: 80V | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA037N08N3GXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA037N08N3GXKSA1 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A, 80V, tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 92863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06N | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA040N06NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 0.0036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 36 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 36 Bauform - Transistor: TO-220FP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 Код товару: 183150
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 72A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 1273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 7816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 51A Power dissipation: 36W Case: TO220FP On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 288A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA040N06NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A Power dissipation: 36W Case: TO220FP On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 86 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA040N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 69 A, 4000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N08NM5SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA040N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 3400 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N08NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 109µA Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 38A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA040N08NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA045N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3 | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3G | Infineon technologies | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA045N10N3G | Infineon | N-Channel 100V 64A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 Код товару: 125685
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 100V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA045N10N3GXKSA1 TIPA045n10n3g кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 64 A, 3900 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 39W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA050N10NM5S | Infineon Technologies | Infineon TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 4700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 66A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA050N10NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA052N08NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 64A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA052N08NM5SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA052N08NM5SXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA052N08NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0046 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA057N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA057N06N3G | Infineon Technologies | Description: IPA057N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | на замовлення 31105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 312 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA057N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA057N06N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA057N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA057N06N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA057N06N3GXKSA1 TIPA057n06n3g кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA057N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 | на замовлення 7629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA057N08N3G | Infineon technologies | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA057N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA057N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA057N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0049 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 39 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 Verlustleistung: 39 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS 3 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

