Продукція > PJA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJA3430-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
6000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3431_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3431_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 5585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3431_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3431_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 22244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4,5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.19 грн
9000+2.51 грн
15000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4,5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
на замовлення 16585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
35+8.83 грн
100+4.62 грн
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.94 грн
100+6.82 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 38236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+3.30 грн
9000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 38938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
на замовлення 9199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -4.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.97Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
49+8.72 грн
100+6.46 грн
500+5.79 грн
1000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
6000+3.43 грн
9000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R2_00001PanjitMOSFET A33/TR/13"/HF/12K/SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMP/NF30T-QI15/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
47+9.06 грн
100+5.30 грн
500+3.76 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001PanJit20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 7331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+5.99 грн
500+4.12 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
6000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R2_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.77 грн
6000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
28+10.87 грн
100+6.74 грн
500+4.65 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
33+13.00 грн
100+8.40 грн
500+6.30 грн
1000+5.58 грн
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
34+12.50 грн
100+7.75 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 198000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.36 грн
500+4.38 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 10 V
на замовлення 8507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
29+10.49 грн
100+6.53 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-50TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU-R2-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-50TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.08 грн
100+10.10 грн
500+7.06 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
28+15.26 грн
100+9.56 грн
500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R2_000A1PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-50TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 31626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.21 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
6000+2.72 грн
9000+2.55 грн
15000+2.22 грн
21000+2.12 грн
30000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438_R2_00001PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 8243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.09 грн
28+15.52 грн
100+9.38 грн
500+6.74 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.47 грн
100+7.17 грн
500+4.95 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /A39/TR/13"/HF/12K/SOT-23/MOS/SOT/NFET-60TMP/NF60T-QI03/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.31 грн
6000+2.85 грн
9000+2.68 грн
15000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 18473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+5.97 грн
500+4.10 грн
1000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
14+21.89 грн
100+11.03 грн
500+9.17 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440_R1_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 69963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
16+18.95 грн
100+9.56 грн
500+7.95 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
6000+5.77 грн
9000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440_R2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-40TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.59 грн
100+11.08 грн
500+7.75 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-40TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-R2-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-40TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
6000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001PANJITMOSFET P-CH 40V 3.1A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 192040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 20 V
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.49 грн
100+9.06 грн
500+6.30 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001PanJitPJA3441_R1_00001
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+19.90 грн
1429+9.90 грн
2000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R2_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3448-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3448_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 241 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3448_R1_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3448_R2_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3449-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
15+21.13 грн
100+12.69 грн
500+11.02 грн
1000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3449-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 11936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3449-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
6000+7.05 грн
9000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3449_R1_00001PANJITP-Channel 40 V 2.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3449_R1_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3449_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+21.96 грн
100+11.07 грн
500+8.48 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3449_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
6000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]