Продукція > PJA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PJA3422-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.68 грн
35+12.08 грн
100+7.53 грн
500+5.58 грн
1000+4.96 грн
3000+4.15 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.96 грн
50+7.09 грн
100+5.79 грн
500+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3430_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
6000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3431_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 5585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3431_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3431_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3431_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 22244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4,5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.19 грн
9000+2.51 грн
15000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4,5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 15 V
на замовлення 16585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
35+8.83 грн
100+4.62 грн
500+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3432_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.82 грн
6000+3.30 грн
9000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 25881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.94 грн
100+6.82 грн
500+4.71 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
на замовлення 9199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.40 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
6000+3.43 грн
9000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.97Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -4.4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.87 грн
50+8.47 грн
63+6.71 грн
100+6.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 38938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R2_00001PanjitMOSFET A33/TR/13"/HF/12K/SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMP/NF30T-QI15/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
29+10.49 грн
50+7.46 грн
100+6.08 грн
500+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
47+9.06 грн
100+5.30 грн
500+3.76 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001PanJit20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R2_00001PanjitMOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1A
Gate charge: 1.4nC
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.48 грн
33+13.00 грн
100+8.40 грн
500+6.30 грн
1000+5.58 грн
3000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
28+10.79 грн
50+7.71 грн
100+6.30 грн
500+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 4587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.27 грн
100+6.36 грн
500+4.38 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
34+12.50 грн
100+7.75 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 198000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.64 грн
6000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 5599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 10 V
на замовлення 8507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
29+10.49 грн
100+6.53 грн
500+4.50 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-50TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU-R2-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-50TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
28+15.26 грн
100+9.56 грн
500+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.08 грн
100+10.10 грн
500+7.06 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R2_000A1PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-50TMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 31626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.21 грн
100+5.71 грн
500+3.92 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
6000+2.72 грн
9000+2.55 грн
15000+2.22 грн
21000+2.12 грн
30000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438_R2_00001PanjitMOSFET 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 8243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.47 грн
100+7.17 грн
500+4.95 грн
1000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1A
Gate charge: 1.1nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.09 грн
28+15.52 грн
100+9.38 грн
500+6.74 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /A39/TR/13"/HF/12K/SOT-23/MOS/SOT/NFET-60TMP/NF60T-QI03/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439_R1_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 30512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 8383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+10.04 грн
100+6.24 грн
500+4.29 грн
1000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.46 грн
6000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.96 грн
9000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+18.95 грн
50+13.66 грн
100+11.21 грн
500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
9000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440_R1_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 69963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
на замовлення 38974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.70 грн
50+11.31 грн
100+9.27 грн
500+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3440_R2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-40TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.59 грн
100+11.08 грн
500+7.75 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-40TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-R2-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-40TMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 20 V
на замовлення 60579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.79 грн
50+10.63 грн
100+8.69 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 166953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001PanJitPJA3441_R1_00001
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+19.90 грн
1429+9.90 грн
2000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 20 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.30 грн
9000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00001PANJITMOSFET P-CH 40V 3.1A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
2+390.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 108mΩ
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.00 грн
25+17.36 грн
100+13.25 грн
250+9.23 грн
500+8.64 грн
1000+7.97 грн
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00501PanjitMOSFETs 40V P-chanel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R2_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3448-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3448_R1_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.