Продукція > RJK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK03M9DNS-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8HWSON
на замовлення 2570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03M9DNS-WS#J5Renesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N0DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N1
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N1DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N2DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N3DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N4DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N4DPA-02#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N5DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N6DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 2092071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N7DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03N8DNS-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 30A HWSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P1DPA-00#J5ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 960000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P3DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 816000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P5DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P6DPA-00#J5ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P6DPA-WS#J5ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P7DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Supplier Device Package: 8-WPAK
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 10W, 20W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P7DPA-WS#J5ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P8DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 792000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+100.45 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P9DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 8-WPAK
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 15W, 35W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+116.00 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03P9DPA-WS#J5ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03R1DPA-00#J5ARochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 1023000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03R4DPA-00#J5ARenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A/50A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK03T2DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0451DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0451DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 10 V
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.88 грн
100+81.40 грн
500+61.34 грн
1000+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0451DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 7mohm LFPAK56
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0452DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+142.28 грн
100+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0452DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0452DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs NOT AVALIBLE THROUGH MOUSER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0452DPB-00-J5RenesasRJK0452DPB-00-J5 RJK0452
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0453DPB-00#J5Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0453DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0453DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0453DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 55A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0454DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.74 грн
10+159.49 грн
100+110.97 грн
500+84.71 грн
1000+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0454DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0454DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0455DPB-00#J5RenesasLFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0455
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0455DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+152.69 грн
100+121.51 грн
500+96.49 грн
1000+81.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0455DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0455DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0456DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0456DPB-00#J5RenesasLFPAKN-CHANNEL, SINGLE, LFPAK, 40V, ID(DC)50A, RJK0456
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0456DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0456DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0601DPN-E0#T2RenesasDescription: RJK0601DPN - N-CHANNEL MOSFET 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220ABS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+253.66 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0601DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0602DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0602DPN-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0603DPN-A0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220ABA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220ABA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 125W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0603DPN-E0#T2Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0603DPN-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0629DPE-00#J3Renesas ElectronicsMOSFET MOSFET, 60V, LDPAK(S)-1, Pb Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0629DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
rjk0633
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5RenesasTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.41 грн
10+113.82 грн
100+77.95 грн
500+58.76 грн
1000+54.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5RenesasTrans MOSFET N-CH Si 60V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.05 грн
100+148.12 грн
250+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0651DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 60V 25A 14mohm LFPAK56
на замовлення 198026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0651DPB-00#J5RenesasLFPAK/Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching RJK0651
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J0
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.48 грн
500+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0652DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 7000 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.29 грн
10+152.00 грн
100+106.48 грн
500+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0652DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0653DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET JET Series MOSFET, 60V, LFPAK, Pb-F, HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0653DPB-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0653DPB-00#J5Renesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0653DPB-00-J0
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0654DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0654DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0654DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0654DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 6700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Power MOSFET
на замовлення 7831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0655DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 6700 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.11 грн
10+119.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0655DPB-00#J5Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0656DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0656DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.30 грн
10+104.86 грн
100+101.61 грн
500+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0656DPB-00#J5Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0656DPB-00#J5RENESASDescription: RENESAS - RJK0656DPB-00#J5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0045 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.61 грн
500+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0656DPB-00#J5Renesas ElectronicsMOSFETs Power MOSFET
на замовлення 13643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0657DPA-00#J5ARenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0658DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0658DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFET POWER MOSFET 60V 25A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0658DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 25A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0659DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFET POWER MOSFET 60V 30A WPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0659DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 30A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+155.86 грн
100+108.57 грн
500+82.87 грн
1000+76.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0659DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 30A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0660DPA-00#J5ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8WPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK0660DPA-00#J5ARenesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]