Продукція > SIH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHB28N60EF-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB28N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB28N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB28N60EF-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB28N60EF-T5-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB28N60EF-T5-GE3 | Vishay | MOSFETs TO263 600V 28A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60AEL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage MSL: MSL 1 - unbegrenzt Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: EL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60AEL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60AEL-GE3 | Vishay | EL Series Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60AEL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: EL Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60AEL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHB30N60E-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB30N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 76A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Pulsed drain current: 76A Gate charge: 130nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB30N60ET1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60ET1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60ET5-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB30N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB30N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB30N60ET5-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 600V 29A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V | на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB33N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 278W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 278W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB33N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Channel 600V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB33N60ET5-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds E Series D2PAK TO-263 | на замовлення 747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 132nC Pulsed drain current: 80A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: EF productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60EF-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 250W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 134nC Pulsed drain current: 80A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60EF-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB35N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60EF-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60ET1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 600V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60ET5-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 600V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB35N60ET5-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB4N80E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB4N80E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB4N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB5N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V | на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB5N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.35 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB5N80AE-GE3 | Vishay | MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET | на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB6N65E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB6N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHB6N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB6N80AE-GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 800V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB6N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHB6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB6N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB8N50D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB8N50D-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHB8N50D-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-GE3 Код товару: 220649
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SIHD11N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET | на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHD11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V | на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHD11N80AE-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 800V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHD11N80AE-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 800V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHD11N80AE-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHD11N80AE-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.391ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 800V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHD11N80AE-T4-GE3 | Vishay | MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD11N80AE-T4-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 800V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) | на замовлення 4277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD12N50E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 114W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Drain current: 6.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Pulsed drain current: 21A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD12N50E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHD12N50E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD12N50E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 500V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD12N50E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD14N60E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 600V | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHD14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) | на замовлення 11317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHD14N60E-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 147W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 64nC | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| SiHD14N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V | на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHD14N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD14N60ET1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO252 600V 13A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHD14N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V | на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|