Продукція > BSZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSInfineonMOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS POWER-MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ105N04NSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.80 грн
100+33.49 грн
500+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.011 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.78 грн
27+30.40 грн
100+29.02 грн
500+22.95 грн
1000+19.09 грн
5000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.10 грн
19+40.69 грн
25+39.88 грн
100+33.75 грн
250+31.07 грн
500+27.83 грн
1000+23.51 грн
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+40.69 грн
355+39.88 грн
405+35.00 грн
407+33.56 грн
500+28.99 грн
1000+23.51 грн
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 14891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+82.20 грн
181+78.52 грн
250+75.38 грн
500+70.06 грн
1000+62.75 грн
2500+58.47 грн
5000+56.89 грн
10000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 25952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.66 грн
225+63.06 грн
256+55.40 грн
267+51.14 грн
500+44.73 грн
1000+40.72 грн
5000+36.37 грн
10000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.47 грн
50+53.00 грн
250+45.52 грн
1000+32.38 грн
3000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 36441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.25 грн
100+44.96 грн
500+33.23 грн
1000+30.35 грн
2000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+22.32 грн
658+21.51 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.15 грн
10000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ110N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.84 грн
250+47.71 грн
1000+33.36 грн
3000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 51A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3E GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3EGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+72.01 грн
232+61.18 грн
273+51.86 грн
288+47.40 грн
500+37.88 грн
1000+31.52 грн
5000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1InfineonMOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
13+65.68 грн
100+43.08 грн
500+28.83 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.08 грн
500+28.83 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+52.99 грн
100+34.63 грн
500+25.09 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.16 грн
69+205.04 грн
100+198.08 грн
250+185.22 грн
500+166.83 грн
1000+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.82 грн
121+117.33 грн
250+112.62 грн
500+104.68 грн
1000+93.76 грн
2500+87.35 грн
5000+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.84 грн
500+50.12 грн
1000+39.36 грн
5000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 36285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+78.04 грн
100+52.54 грн
500+39.05 грн
1000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 630000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
10+88.60 грн
100+65.84 грн
500+50.12 грн
1000+39.36 грн
5000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GInfineon TechnologiesDescription: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.45 грн
134+105.90 грн
160+88.54 грн
250+79.67 грн
500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.90 грн
500+55.02 грн
1000+39.02 грн
5000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.65 грн
158+89.81 грн
187+75.67 грн
200+68.99 грн
500+63.67 грн
1000+55.26 грн
2000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ12DN20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 11.3 A, 0.108 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.18 грн
10+95.92 грн
100+69.90 грн
500+55.02 грн
1000+39.02 грн
5000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.49 грн
10+114.45 грн
25+105.90 грн
100+85.38 грн
250+73.77 грн
500+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.74 грн
100+57.92 грн
500+43.16 грн
1000+39.56 грн
2000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 25856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.83 грн
100+23.93 грн
500+17.24 грн
1000+15.56 грн
2000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.69 грн
10000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.96 грн
10000+12.43 грн
15000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.73 грн
10000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGInfineon technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.29 грн
35+21.55 грн
100+20.58 грн
250+18.86 грн
500+17.93 грн
1000+17.49 грн
3000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.41 грн
500+28.29 грн
561+25.22 грн
1000+23.41 грн
2000+21.58 грн
5000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.23 грн
23+36.74 грн
100+28.29 грн
500+22.27 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+21.55 грн
663+21.34 грн
670+21.12 грн
677+20.17 грн
1000+18.22 грн
3000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+41.89 грн
100+27.38 грн
500+19.83 грн
1000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5Infineon / IRMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0146 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
50+70.47 грн
250+59.74 грн
1000+42.57 грн
3000+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ146N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]