Продукція > IAU

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IAUCN04S7N020ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 72W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.49 грн
10+93.22 грн
100+64.69 грн
500+49.26 грн
1000+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.01 грн
10+114.61 грн
100+79.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-60
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.49mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 72W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.46mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2226pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 75W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.46mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2226pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 75W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+109.59 грн
25+99.96 грн
100+83.94 грн
250+79.23 грн
500+76.39 грн
1000+72.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N027GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N030ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N030ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N030ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 100°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+59.18 грн
100+39.20 грн
500+28.73 грн
1000+26.13 грн
2000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N037GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.54 грн
500+62.35 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 51W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-61
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.04mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 51W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N040DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.52 грн
10+126.80 грн
100+84.54 грн
500+62.35 грн
1000+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N040DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.43 грн
500+52.61 грн
1000+46.33 грн
5000+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N040DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 4040 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4040µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.14 грн
10+111.36 грн
100+75.43 грн
500+52.61 грн
1000+46.33 грн
5000+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.01mOhm @ 45A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.44 грн
10+88.16 грн
100+59.55 грн
500+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N040HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.01mOhm @ 45A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N047GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N054HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.41mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.50 грн
100+52.73 грн
500+39.11 грн
1000+35.78 грн
2000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N054HATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N054HATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.41mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-57
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.36 грн
11+76.41 грн
100+56.33 грн
500+45.21 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.33 грн
500+45.21 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
11+78.44 грн
100+53.81 грн
500+40.91 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.81 грн
500+40.91 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S5L160TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 131µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9554 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L013ATMA1InfineonMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L013ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 131µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9554 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
10+207.94 грн
100+147.35 грн
500+119.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L018ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L024ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 4403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L033ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7L110ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN08S7L110ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1056 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.89 грн
100+41.17 грн
500+30.30 грн
1000+27.62 грн
2000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.23 грн
10+183.41 грн
100+129.42 грн
500+110.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.13 грн
500+144.16 грн
1000+128.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 88A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N013ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.49 грн
10+187.77 грн
100+160.13 грн
500+144.16 грн
1000+128.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.47 грн
10+195.11 грн
100+138.37 грн
500+120.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7394 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.60 грн
10+251.98 грн
100+199.96 грн
500+165.30 грн
1000+144.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 169W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.02 грн
10+142.25 грн
100+116.24 грн
500+98.12 грн
1000+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 180W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.50 грн
10+195.90 грн
100+137.37 грн
500+107.93 грн
1000+97.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
на замовлення 5284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+166.51 грн
100+116.98 грн
500+98.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.37 грн
500+107.93 грн
1000+97.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.94mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 93.4µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6061 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N024ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.08 грн
10+152.00 грн
100+121.11 грн
500+93.59 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.77 грн
100+86.42 грн
500+65.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 157W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.23 грн
10+166.63 грн
100+119.49 грн
500+90.57 грн
1000+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 74.7µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4849 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.93 грн
10+148.24 грн
100+103.35 грн
500+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N024TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N024TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 165 A, 2440 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2440µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.49 грн
500+90.57 грн
1000+82.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.86 грн
500+77.74 грн
1000+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 3552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.16 грн
10+153.63 грн
100+104.86 грн
500+77.74 грн
1000+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.56 грн
100+70.79 грн
500+53.27 грн
1000+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N036TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N045TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.09 грн
10+143.06 грн
100+99.17 грн
500+74.95 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N045TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN08S7N045TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4540 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4540µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.17 грн
500+74.95 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.94 грн
10+120.30 грн
100+99.17 грн
500+79.25 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.17 грн
500+79.25 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L110TATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L040ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.69 грн
100+43.11 грн
500+31.78 грн
1000+28.99 грн
2000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7L180ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN10S7L180ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 868 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.01 грн
500+138.88 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.31 грн
10+180.54 грн
100+126.85 грн
500+99.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N021ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 2100 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+379.60 грн
10+249.54 грн
100+178.01 грн
500+138.88 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N021ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7153 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.36 грн
500+86.80 грн
1000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.72 грн
10+152.00 грн
100+111.36 грн
500+86.80 грн
1000+68.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.39 грн
10+112.99 грн
100+76.65 грн
500+56.68 грн
1000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.79 грн
10+89.97 грн
100+61.02 грн
500+45.64 грн
1000+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.65 грн
500+56.68 грн
1000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUCN10S7N074ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N005GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N005GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN04S7N005GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-4-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12674 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.17 грн
10+162.58 грн
25+149.15 грн
100+126.08 грн
250+119.47 грн
500+115.48 грн
1000+110.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]