Продукція > NTB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTBG020N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 20MOHM 900V
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1635.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2925.15 грн
10+2507.74 грн
100+2482.99 грн
500+2298.87 грн
800+1944.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3411.45 грн
10+2743.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2652.20 грн
10+1931.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3411.45 грн
10+2743.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+2258.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+2359.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3497.44 грн
10+3470.98 грн
25+3445.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3497.44 грн
10+3470.98 грн
25+3445.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+2362.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+733.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1945.63 грн
11+1389.95 грн
100+1244.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1945.63 грн
10+1389.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SONN
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1404.15 грн
10+966.10 грн
100+864.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+1339.54 грн
100+1272.21 грн
500+1206.06 грн
1000+1098.06 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 297A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 142nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG022N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG023N065M3SON SemiconductorSiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG023N065M3SONN
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+373.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.55 грн
10+555.82 грн
100+439.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1496.57 грн
10+1033.78 грн
100+938.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.84 грн
10+518.52 грн
25+510.11 грн
100+483.78 грн
250+440.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+796.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+526.84 грн
28+510.11 грн
100+483.78 грн
250+440.44 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 106A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 106 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 53A; Idm: 195A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 195A
Power dissipation: 214W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 222nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 71A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG028N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG028N170M1onsemiSiC MOSFETs SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
на замовлення 6139 шт:
термін постачання 231-240 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.70 грн
10+590.22 грн
100+473.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG030N120M3S - SIC MOSFET, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1220.38 грн
17+849.18 грн
100+681.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 207A
Power dissipation: 174W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.38 грн
10+849.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+401.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG030N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+376.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+269.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, D2PAK-7L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.27 грн
10+427.71 грн
100+317.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3SONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120M3S - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+480.25 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SONN
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.98 грн
10+508.55 грн
100+394.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1774.94 грн
10+1454.28 грн
100+1443.90 грн
500+1259.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1774.94 грн
10+1454.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1229.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.31 грн
10+1268.82 грн
100+1248.06 грн
500+1145.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1615.40 грн
10+1121.21 грн
100+1035.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1108.58 грн
17+839.07 грн
100+715.65 грн
800+613.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.76 грн
10+668.97 грн
100+552.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1108.58 грн
10+839.07 грн
100+715.65 грн
800+613.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]