Продукція > R60
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R6014YNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6014YNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6014YNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6014YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.26 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 54W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6014YNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V | на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015 | REED Instruments | Description: WOOD MOISTURE METER | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ANJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ANX Код товару: 105991
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| R6015ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs RECOMMENDED ALT 755-R6015KNX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ANZ | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ANZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ANZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ANZFU7C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENX | ROHM | Description: ROHM - R6015ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET | на замовлення 3431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015ENZM12C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015FNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015FNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET | на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 3937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015KNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015KNXC7 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET | на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6015KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015KNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6015KNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6018 | REED Instruments | Description: DUAL MOISTURE METER | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6018ANJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6018ANJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs NCH MOSFET T/R 10V DRIVE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6018ANJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 220W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| R6018JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 220W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6018JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.286 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.286ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 18A 3rd Gen, Fast Recover | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FM Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| R6018JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|