Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J327R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.91 грн
71+11.46 грн
100+9.59 грн
500+7.18 грн
1500+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0785ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.59 грн
500+7.18 грн
1500+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+31.47 грн
475+29.82 грн
511+27.69 грн
1000+22.50 грн
2000+19.68 грн
3000+5.46 грн
6000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,JFTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 253640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+17.96 грн
100+11.33 грн
500+7.93 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaMOSFETs P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
на замовлення 38950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+10.82 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 253475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.15 грн
6000+5.36 грн
9000+5.08 грн
15000+4.46 грн
21000+4.29 грн
30000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1308+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 1308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaSSM3J328R,LF Транзистори
на замовлення 220 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
34+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+19.07 грн
770+18.38 грн
1000+17.77 грн
2500+16.64 грн
5000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.80 грн
50+75.03 грн
100+47.06 грн
500+31.78 грн
1500+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.01 грн
9000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TToshibaTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 29.8mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF; SSM3J328R; SSM3J328R,LF(T TSSM3j328r
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 88.4mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.83 грн
27+15.85 грн
34+12.58 грн
50+10.73 грн
100+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.75 грн
500+34.42 грн
1500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.47 грн
100+9.73 грн
500+6.78 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.24 грн
29+26.30 грн
100+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(BToshibaSSM3J331R,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+35.42 грн
417+33.99 грн
500+32.77 грн
1000+30.57 грн
2500+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+17.68 грн
806+17.57 грн
953+14.85 грн
1009+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J331R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.04 грн
50+67.30 грн
100+47.71 грн
500+32.76 грн
1500+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+11.88 грн
24000+11.78 грн
30000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.92 грн
24000+11.81 грн
30000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J331R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.17 грн
500+9.81 грн
1500+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331RLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
6000+3.68 грн
9000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+12.00 грн
100+7.51 грн
500+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R KFJ.ToshibaTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T; SSM3J332R TSSM3j332r
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshibaMOSFETs SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
на замовлення 104356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshibaP-канальний ПТ, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560 @ 15, Qg, нКл = 8,2 @ 4,5 В, Rds = 42 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 7892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
100+9.90 грн
500+6.90 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(BToshibaMOSFET Silicon P-Channel Mos
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1729+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 1729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(BToshibaMOSFET Silicon P-Channel Mos
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T
Код товару: 170575
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+12.64 грн
60+7.21 грн
100+6.46 грн
500+5.79 грн
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.27 грн
500+9.13 грн
1500+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TToshibaP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+62.40 грн
100+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 14475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.38 грн
56+14.71 грн
100+12.27 грн
500+9.13 грн
1500+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TToshibaMOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 72008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
100+9.90 грн
500+6.90 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF
на замовлення 45304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1721+8.22 грн
1864+7.59 грн
2033+6.96 грн
2236+6.10 грн
3000+5.08 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 1721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
6000+4.95 грн
9000+4.68 грн
15000+4.11 грн
21000+3.94 грн
30000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.31 грн
84+9.03 грн
86+8.86 грн
100+7.93 грн
250+6.78 грн
500+5.96 грн
1000+5.42 грн
3000+4.88 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.54 грн
1167+12.13 грн
2500+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.37 грн
50+48.77 грн
100+42.84 грн
500+34.34 грн
1500+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1733+8.17 грн
1786+7.92 грн
1788+7.91 грн
2000+7.42 грн
6000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 1733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.49 грн
500+10.04 грн
1500+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(TToshibaMOSFET P-Ch 30V 4A 1.8V Drive SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 74745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
14+22.57 грн
100+14.37 грн
500+10.14 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.50 грн
6000+7.45 грн
9000+7.07 грн
15000+6.24 грн
21000+6.00 грн
30000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF
Код товару: 127792
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
на замовлення 74775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF : SSM3J338R,LF(TToshibaMOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF SSM3J338RToshibaMOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.85 грн
872+16.24 грн
1000+15.71 грн
2500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.85 грн
872+16.24 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1339+10.57 грн
1565+9.04 грн
1652+8.56 грн
2000+7.66 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 1339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.12 грн
500+10.57 грн
1500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 60056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.69 грн
50+23.82 грн
100+15.12 грн
500+10.57 грн
1500+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.61 грн
100+10.42 грн
500+7.27 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshibaSilicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshibaMOSFET Sm Low ON Resistance SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
6000+5.23 грн
9000+4.94 грн
15000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]