Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J15FU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 25743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 22168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
32+9.43 грн
100+5.86 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FVToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FVTOSHIBA
на замовлення 17200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 22930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
50+6.46 грн
100+5.27 грн
500+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 29854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2539+5.57 грн
2560+5.53 грн
4602+3.07 грн
4644+2.94 грн
6000+2.44 грн
15000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 2539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3FToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 29854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.46 грн
59+12.80 грн
135+5.43 грн
250+4.98 грн
500+4.74 грн
1000+2.63 грн
3000+2.61 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3FToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
на замовлення 16042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 19240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1478+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 1478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 26908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15TETOSHIBA
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15TE(TE85L)TOSHIBASOT416-DQ
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15TE(TE85L) SOT416-TOSHIBA
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15TE(TE85L)SOT416-DQ
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.12 грн
6000+6.24 грн
9000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
на замовлення 69019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
на замовлення 11696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.62 грн
100+12.47 грн
500+8.78 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 0.4A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF(BToshibaSSM3J168F,LF(B
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+19.51 грн
753+18.80 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LF(BToshibaSSM3J168F,LF(B
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.93 грн
100+15.28 грн
500+10.84 грн
1000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J168F,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id:
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT
на замовлення 7599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
на замовлення 9153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16CT,L3FToshibaMOSFETs X34 Pb-F CST3 S-MOS (LF) TRANSISTOR Pd 100mW F 1MHz
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FSToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R SSM3J16FS(TE85L,F) TSSM3j16fs
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
14+23.02 грн
100+12.20 грн
500+7.53 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1914+7.39 грн
1916+7.38 грн
2149+6.58 грн
2236+6.10 грн
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 1914 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FU(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FU(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FVTOSHIBA
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FV(TPL3,Z)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 7556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16FVTL3AP
на замовлення 944000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J16TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J302F
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304TTOSHIBA07+
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304T(T5L)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304T(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J304T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J306T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSM
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J307TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J307T(TE85L,F)ToshibaMOSFET Single P-ch 20V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J307T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J313T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J314T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J314T(T5L.F.T)Toshiba
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J314T(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 3.5A 3-Pin TSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J317T
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J317T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J321T(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LFToshibaMOSFETs P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
на замовлення 12605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: S-Mini
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.72 грн
100+9.22 грн
500+6.41 грн
1000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J325F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J325F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.55 грн
100+9.74 грн
500+6.78 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET
на замовлення 11879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.59 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0785ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+31.47 грн
475+29.82 грн
511+27.69 грн
1000+22.50 грн
2000+19.68 грн
3000+5.46 грн
6000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J327R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.9 A, 0.093 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
на замовлення 8635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.9A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,JFTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaMOSFETs P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
на замовлення 38950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 268490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.40 грн
50+14.02 грн
100+11.52 грн
500+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1308+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 1308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaSSM3J328R,LF Транзистори
на замовлення 220 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
85+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.16 грн
9000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
883+10.82 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 883 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+19.07 грн
770+18.38 грн
1000+17.77 грн
2500+16.64 грн
5000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
441+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TToshibaTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 29.8mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF; SSM3J328R; SSM3J328R,LF(T TSSM3j328r
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Gate charge: 12.8nC
On-state resistance: 88.4mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.83 грн
27+15.85 грн
34+12.58 грн
50+10.73 грн
100+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0298ohm
на замовлення 14445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J328RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]