Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT3020LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.01 грн
20000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.83 грн
100+23.94 грн
500+17.25 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 6.7A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.013 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.60 грн
500+16.15 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.40 грн
100+14.94 грн
500+10.58 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LFDFQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.013 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.11 грн
24+34.55 грн
100+22.60 грн
500+16.15 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFW-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFWQ-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFWQ-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type UXG)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVWDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 38A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.59 грн
4000+11.94 грн
6000+11.36 грн
10000+10.04 грн
14000+9.68 грн
20000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFVW-7Diodes Zetex30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SO T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.27 грн
100+24.85 грн
500+17.89 грн
1000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.35 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.59 грн
100+24.42 грн
500+17.61 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.39 грн
40+19.08 грн
41+18.79 грн
100+17.83 грн
250+16.24 грн
500+15.34 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.60 грн
34+24.47 грн
100+19.35 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
753+18.79 грн
765+18.49 грн
778+18.19 грн
791+17.26 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 753 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13DiodesТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 860mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 860mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.76 грн
6000+12.16 грн
9000+11.60 грн
15000+10.29 грн
21000+9.95 грн
30000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3022UEV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 903pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160.5nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+159.03 грн
100+110.97 грн
500+84.85 грн
1000+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M1LPSW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M1LPSWQ-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 497500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 499945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+72.99 грн
100+51.35 грн
500+39.11 грн
1000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M7LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M8LFVWQ-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M9LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M9LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.61 грн
20+42.51 грн
100+35.28 грн
500+29.44 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.28 грн
500+29.44 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.16 грн
500+55.93 грн
1000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M4LPSW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.99 грн
10+152.00 грн
100+86.16 грн
500+55.93 грн
1000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 833856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+63.85 грн
100+49.67 грн
500+39.51 грн
1000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 831000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.53 грн
6000+30.75 грн
9000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.53 грн
6000+30.75 грн
10000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.45 грн
10+108.11 грн
100+67.06 грн
500+47.70 грн
1000+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+63.85 грн
100+49.67 грн
500+39.51 грн
1000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.06 грн
500+47.70 грн
1000+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.52 грн
5000+19.40 грн
7500+19.06 грн
12500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.48 грн
500+23.47 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 71806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+45.89 грн
100+31.88 грн
500+25.67 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.20 грн
19+44.95 грн
100+30.48 грн
500+23.47 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4389 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2W; PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.25 грн
6000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]