Продукція > IPW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPW60R199CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.69 грн
10+304.79 грн
100+257.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R230P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R250CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R250CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R250CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R250CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+109.80 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 13920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
500+142.61 грн
1000+134.36 грн
10000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280E6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+210.97 грн
500+199.19 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280E6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280E6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+210.97 грн
500+199.19 грн
1000+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6
Код товару: 169317
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.47 грн
30+114.50 грн
120+93.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6Infineon TechnologiesDescription: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3
на замовлення 36480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65F6048AInfineon TechnologiesIPW65F6048A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+927.58 грн
100+881.61 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65F6048AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1406.29 грн
9120+1310.35 грн
13680+1237.66 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1514.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+1364.38 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1399.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1323.08 грн
30+794.96 грн
60+737.97 грн
120+647.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1399.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1533.82 грн
10+1521.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1461.50 грн
12+1178.62 грн
13+1103.19 грн
50+963.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CFD7XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPW65R018CM8XKSA1
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1149.07 грн
30+681.57 грн
60+631.05 грн
120+552.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 116A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R018CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 116 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 521W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R018CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 116A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2728.64 грн
10+2645.37 грн
20+2482.38 грн
50+2243.98 грн
100+2108.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7Infineon TechnologiesDescription: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1InfineonN-Channel MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1546.47 грн
30+941.90 грн
60+876.87 грн
120+771.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1266.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1405.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1778.25 грн
25+1191.01 грн
50+1178.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1266.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1130.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1333.85 грн
25+1331.37 грн
100+1122.98 грн
240+1081.78 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R022CFD7AXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R022CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.30 грн
30+790.31 грн
60+732.87 грн
120+642.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R022CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R022CFD7AXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R022CFD7AXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R022CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 446W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IPW65R025CM8XKSA1
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+911.58 грн
30+529.83 грн
60+488.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R025CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 431W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R025CM8XKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+611.47 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.93 грн
30+567.95 грн
60+524.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesThe 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesThe 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesThe 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+680.94 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesThe 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+680.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesThe 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesThe 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+845.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesThe 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+657.01 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R029CFD7XKSA1Infineon TechnologiesThe 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+753.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.