Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTA96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
50+320.45 грн
100+294.83 грн
500+234.59 грн
1000+225.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+556.13 грн
27+532.24 грн
50+511.96 грн
100+476.93 грн
250+428.20 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYSMOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.27 грн
10+342.17 грн
100+268.54 грн
500+258.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.36 грн
5+475.18 грн
10+389.81 грн
50+281.95 грн
100+238.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.68 грн
50+402.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.55 грн
50+419.67 грн
100+377.15 грн
500+335.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.28 грн
10+372.09 грн
50+328.60 грн
100+264.00 грн
250+238.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+249.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSMOSFETs TO263 P CHAN 85V 96A
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.73 грн
10+357.25 грн
100+236.79 грн
500+231.95 грн
800+221.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.44 грн
10+391.14 грн
25+377.72 грн
100+336.52 грн
250+303.50 грн
500+270.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+372.09 грн
50+328.60 грн
100+264.00 грн
250+238.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
10+400.18 грн
100+294.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.72 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA98N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA98N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB1909IXYSDescription: POWER MOSFET 500V 100AMP
на замовлення 19470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1809.56 грн
10+1607.47 грн
100+1372.64 грн
500+1169.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LIXYSMOSFETs 30 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB30N100LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 1µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB500N20X4IXYSMOSFETs 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSMOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4611.71 грн
10+4055.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3800.07 грн
25+2698.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTB62N50LТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC1088
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC1088/6E/2C
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC110N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC160N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: ISOPLUS220™
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH ISOPLUS-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC75N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTC75N10IXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.02 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD1R4N60P 11IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD2N60P-1JIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD3N50P-2JIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD3N60P-2JIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD4N80P-3JIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTD5N100AIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
Packaging: Tube
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: Die
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTE250N10IXYSMOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTE250N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: SOT-227B
Power Dissipation (Max): 730W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSMOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2985.61 грн
10+2686.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2888.30 грн
25+2320.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450
Код товару: 147768
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF02N450LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3124.14 грн
5+2863.19 грн
10+2602.24 грн
50+2367.75 грн
100+2141.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF03N400IXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250IXYSMOSFET 2500V 1A HV Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 2.5KV 1A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N400Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N400IXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450IXYSMOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6591.38 грн
10+5532.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6268.99 грн
25+4942.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450IXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF1R4N450IXYSMOSFETs ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6125.86 грн
10+5633.46 грн
25+4483.07 грн
250+4462.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10TIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 130A I4PAC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 140A I4PAC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 160A I4PAC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3IXYSDescription: MOSFET N-CH
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF2N300P3IXYSMOSFET DISC MSFT N-CH STD-POLAR3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3IXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTF6N200P3IXYSDescription: MOSFET N-CH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1732.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250IXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1105.81 грн
10+799.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1513.04 грн
20+1472.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1171.94 грн
30+771.50 грн
120+685.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1236.29 грн
5+1016.41 грн
10+795.73 грн
50+723.19 грн
100+653.75 грн
250+639.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1528.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVIXYSMOSFETs TO247 4.5KV .2A N-CH HIVOLT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1992.06 грн
30+1269.23 грн
120+1212.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH02N450HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N450HV. - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1957.12 грн
5+1801.67 грн
10+1647.84 грн
25+1386.55 грн
100+1147.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV .4A N-CH POLAR
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2137.53 грн
10+1423.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH04N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH05N250P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.5kV; 0.33A; Idm: 1A; 104W
Case: TO247HV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Reverse recovery time: 1.2µs
Drain current: 0.33A
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 104W
On-state resistance: 110Ω
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 2.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar3™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]