Продукція > IXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTA80N10T | N-Ch, 100V, 80A, TO-263AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXTA80N10T | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N10T | IXYS | MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N10T | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N10T-TRL | IXYS | MOSFETs IXTA80N10T TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N10T-TRL | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; 230W; D2PAK,TO263; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 100ns Gate charge: 60nC Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N10T-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N10T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N12T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N12T2 | IXYS | MOSFETs TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA80N12T2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 80A Power dissipation: 325W Case: TO263 On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 90ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA86N20T | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA86N20T | IXYS | MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA86N20T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA86N20T-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA86N20T-TRL | IXYS | MOSFET IXTA86N20T TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA86N20X4 | Littelfuse | Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA86N20X4 | IXYS | Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 16622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA86N20X4 | IXYS | MOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS | на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA86N20X4-TRL | Littelfuse | Littelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA88N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA88N085T | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA88N085T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA8N50P Код товару: 99415
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXTA8N50P | N-CH 500V 8A 0.8Om TO-263 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXTA8N50P | IXYS | MOSFETs 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA8N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA8N65X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA8N65X2 | IXYS | MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA8N65X2 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Case: TO263 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.5Ω Power dissipation: 150W Technology: X2-Class Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Reverse recovery time: 200ns Mounting: SMD | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA8N70X2 | IXYS | MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA8N70X2 | IXYS | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA8PN50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N055T2 | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N055T2 | IXYS | MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N075T2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N075T2 | IXYS | MOSFETs 90 Amps 75V 0.01 Rds | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N075T2-TRL | IXYS | MOSFET IXTA90N075T2 TRL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N075T2-TRL | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 455W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N20X3 | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 390W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 124ns Pulsed drain current: 220A Polarisation: unipolar Kind of package: tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N20X3 | IXYS | MOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N20X3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N20X3-TRL | IXYS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; 200V; 90A; 390W; D2PAK-3; 124ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: X3-Class Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 390W Case: D2PAK-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 124ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA90N20X3-TRL | Littelfuse | MOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA94N20X4 | IXYS | Description: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA94N20X4 | IXYS | MOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS | на замовлення 667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA94N20X4-TRL | Littelfuse | MOSFETs Discrete MOSFET 94A 200V X4 TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T | IXYS | MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds | на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T | IXYS | Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V | на замовлення 3741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 298W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T | P-Channel 85 V 96A (Tc) 298W (Tc) Surface Mount TO-263AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T TRL | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V | на замовлення 6442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | IXYS | MOSFETs TO263 P CHAN 85V 96A | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | IXYS | Description: MOSFET P-CH 85V 96A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA96P085T-TRL | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 298W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-263AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA98N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTA98N075T7 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTB1909 | IXYS | Description: POWER MOSFET 500V 100AMP | на замовлення 19470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTB30N100L | IXYS | MOSFETs 30 Amps 1000V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTB30N100L | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 30A Power dissipation: 800W Case: PLUS264™ On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 545nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 1µs Features of semiconductor devices: linear power mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTB30N100L | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS264™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTB500N20X4 | IXYS | MOSFETs 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTB62N50L | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 62A Power dissipation: 800W Case: PLUS264™ On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 550nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 0.5µs | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTB62N50L | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXTB62N50L | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: PLUS264™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXTB62N50L | IXYS | MOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC102N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC102N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC1088 | на замовлення 2928 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC1088/6E/2C | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IXTC110N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC130N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC13N50 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC160N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC160N10T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC180N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC180N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC180N10T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC200N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC200N10T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC220N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC220N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC230N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC240N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXTC250N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |