Продукція > PMD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMD9002D,115 | NXP | Description: NXP - PMD9002D,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 54171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMD9002D,115 | NXP USA Inc. | Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 50V NPN, 45V NPN Package / Case: SC-74, SOT-457 Current Rating (Amps): 100mA NPN, 100mA NPN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Totem Pole) Applications: MOSFET Driver Supplier Device Package: SC-74 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMD9003D | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMD9003D,115 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMD9003D,115 | NXP USA Inc. | Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-74 Applications: MOSFET Driver Transistor Type: 2 NPN (Totem Pole) Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 100mA NPN, 100mA NPN Package / Case: SC-74, SOT-457 Voltage - Rated: 50V NPN, 45V NPN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMD9003D,115 | Nexperia | Digital Transistors MOSFET DRIVER TAPE 7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMD9003D,115 | NXP USA Inc. | Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-74 Applications: MOSFET Driver Transistor Type: 2 NPN (Totem Pole) Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 100mA NPN, 100mA NPN Package / Case: SC-74, SOT-457 Voltage - Rated: 50V NPN, 45V NPN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMD9010D | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMD9010D,115 | NXP USA Inc. | Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMD9010D,115 | NXP USA Inc. | Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMD9050D | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMD9050D,115 | NXP USA Inc. | Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP Supplier Device Package: SC-74 Applications: MOSFET Driver Transistor Type: 2 NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 100mA Package / Case: SC-74, SOT-457 Voltage - Rated: 45V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMD9P1B10M6RE | TE Connectivity ALCOSWITCH Switches | Description: SWITCH PUSH DPST-NO 0.4VA 20V Features: Process Sealed Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 0.4VA (AC/DC) Mounting Type: Through Hole, Right Angle Circuit: DPST-NO Type: Standard Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Termination Style: PC Pin Actuator Type: Round, Plunger, Dual Color - Actuator/Cap: Black Actuator Marking: No Marking Part Status: Last Time Buy Voltage Rating - AC: 20 V Voltage Rating - DC: 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMD9P1B10M6RE | TE Connectivity / AMP | Pushbutton Switches R/A PC TH Gold Off-Mom PB Switch | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDA-015 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psia, uncompensated, mV, thru-hole mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDAV476KN35 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMDB2710 | Holt Integrated Circuits | Telecom Transformer 1:2.12/1:1.5 1Ohm Prim. DCR 3.5Ohm Sec. DCR 8 Terminal PC Pin Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDB75T6 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PMDC | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories PM Depth Channels | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDD | NEC | O1 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDG-005 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 5 psig, uncompensated, 57.5 mV, thru-hole mount | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDG-005-001 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 5 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, chimney, gel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDG-005-100 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 5 psig, uncompensated, 57.5 mV, thru-hole mount | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDG-015 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psig, uncompensated, 57.5 mV, thru-hole mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDG-015-000 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, chimney, no gel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDG-015-100 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, barb, no gel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDG-015-101 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, barb, with gel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDG-050 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 50 psig, uncompensated, 57.5 mV, thru-hole mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDG-050-100 | Merit Sensor | Board Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 50 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, barb, no gel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB28UN,115 | NXP | Description: NXP - PMDPB28UN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 310680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB28UN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6HUSON Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Obsolete | на замовлення 310680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB30XN | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMDPB30XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 3000 шт: термін постачання 39-48 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB30XN/S711,X | NXP Semiconductors | PMDPB30XN/S711,X | на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB30XN/S711115 | Rochester Electronics, LLC | Description: PMDPB30XN SMALL SIGNAL FET | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 893 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XNAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XNAX | Nexperia | MOSFETs 20 V, dual N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XNAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB30XNZ | Nexperia | MOSFETs PMDPB30XN/SOT1118/HUSON6 | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB30XNZ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta), 8.33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XNZ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB30XNZ | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta), 8.33W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB30XNZ | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB38UNE,115 | NXP | Description: NXP - PMDPB38UNE,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 77975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB38UNE,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB42UN,115 | NXP | Description: NXP - PMDPB42UN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 159456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB42UN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) | на замовлення 159456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 490mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 490mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia | MOSFETs PMDPB55XP/SOT1118/HUSON6 | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB55XPAX | Nexperia | MOSFETs 20 V, dual P-channel Trench MOSFET | на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB55XPAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB56XN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 510mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB56XN,115 | NXP | Description: NXP - PMDPB56XN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB56XNEA | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 485mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | на замовлення 16558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB56XNEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB56XNEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB56XNEAX | Nexperia | MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 3000 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB56XNEAX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 485mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB56XNEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB56XNEAX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB58UPE,115 | Nexperia | MOSFETs PMDPB58UPE/SOT1118/HUSON6 | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB58UPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 515mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB58UPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 515mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB65UP | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 520mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB65UP,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 520mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB70EN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6HUSON Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 510mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) | на замовлення 39355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB70EN,115 | NXP | Description: NXP - PMDPB70EN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB70XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB70XP,115 | Nexperia | MOSFETs PMDPB70XP/SOT1118/HUSON6 | на замовлення 15581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB70XP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB70XP,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB70XPE | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PMDPB70XPE - SMALL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 415 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB70XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 515mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB70XPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB70XPE,115 | Nexperia | MOSFETs SOT1118 2PCH 20V 3A | на замовлення 11835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB70XPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB70XPE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 515mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PMDPB70XPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PMDPB70XPE,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

