Продукція > PMD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMD9010D,115NXP USA Inc.Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMD9010D,115NXP USA Inc.Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMD9050D
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMD9050D,115NXP USA Inc.Description: IC MOSFET DRIVER 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 45V
Package / Case: SC-74, SOT-457
Current Rating (Amps): 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN, PNP
Applications: MOSFET Driver
Supplier Device Package: SC-74
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMD9P1B10M6RETE Connectivity ALCOSWITCH SwitchesDescription: SWITCH PUSH DPST-NO 0.4VA 20V
Features: Process Sealed
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 0.4VA (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Circuit: DPST-NO
Type: Standard
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round, Plunger, Dual
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Last Time Buy
Voltage Rating - AC: 20 V
Voltage Rating - DC: 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMD9P1B10M6RETE Connectivity / AMPPushbutton Switches - Board Mount R/A PC TH Gold Off-Mom PB Switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDA-015Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psia, uncompensated, mV, thru-hole mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDAV476KN35
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDB2710Holt Integrated CircuitsTelecom Transformer 1:2.12/1:1.5 1Ohm Prim. DCR 3.5Ohm Sec. DCR 8 Terminal PC Pin Thru-Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDB75T6NIEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDCHammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories PM Depth Channels
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDDNECO1
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-005Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 5 psig, uncompensated, 57.5 mV, thru-hole mount
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-005-001Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 5 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, chimney, gel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-005-100Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 5 psig, uncompensated, 57.5 mV, thru-hole mount
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-005-101Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 5 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, barb, with gel
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-015Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psig, uncompensated, 57.5 mV, thru-hole mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-015-000Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, chimney, no gel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-015-100Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, barb, no gel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-015-101Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 15 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, barb, with gel
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-050Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 50 psig, uncompensated, 57.5 mV, thru-hole mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDG-050-100Merit SensorBoard Mount Pressure Sensors Pressure sensor, 50 psig, uncompensated, mV, thru-hole mount, barb, no gel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB28UN,115NXPDescription: NXP - PMDPB28UN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 310680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB28UN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Obsolete
на замовлення 310680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 39-48 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDPB30XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN/S711,XNXP SemiconductorsPMDPB30XN/S711,X
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 1589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XN/S711115Rochester Electronics, LLCDescription: PMDPB30XN SMALL SIGNAL FET
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 893 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNAXNexperiaMOSFETs PMDPB30XNA/SOT1118/HUSON6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW (Ta), 11W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.57 грн
50+25.22 грн
100+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta), 8.33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZNexperiaMOSFETs PMDPB30XN/SOT1118/HUSON6
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta), 8.33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB30XNZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB38UNE,115NXPDescription: NXP - PMDPB38UNE,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 77975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4006 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB38UNE,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB42UN,115NXPDescription: NXP - PMDPB42UN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 159456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB42UN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
на замовлення 159456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1041+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 1041 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.46 грн
50+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NexperiaMOSFETs PMDPB55XP/SOT1118/HUSON6
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+13.60 грн
1000+13.37 грн
3000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDPB55XP,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 490mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 490mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.98 грн
50+27.08 грн
100+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), 9.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB55XPAXNexperiaMOSFETs 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1092+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 1092 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XN,115NXPDescription: NXP - PMDPB56XN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1602 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEANexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.19 грн
6000+12.06 грн
9000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 485mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 16558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+31.93 грн
100+20.53 грн
500+14.65 грн
1000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
6000+11.18 грн
9000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 485mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020D-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
6000+10.99 грн
9000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB56XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB58UPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB58UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 515mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB58UPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB58UPE,115NexperiaMOSFETs PMDPB58UPE/SOT1118/HUSON6
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB58UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 515mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB65UP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB65UP,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 520mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB65UP,115NXP USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 520mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6HUSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
на замовлення 39355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70EN,115NXPDescription: NXP - PMDPB70EN,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XP,115NexperiaMOSFETs PMDPB70XP/SOT1118/HUSON6
на замовлення 15581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XPENXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMDPB70XPE - SMALL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 515mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+31.93 грн
50+23.23 грн
100+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.43 грн
6000+11.59 грн
9000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
9000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 515mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XPE,115NexperiaMOSFETs SOT1118 2PCH 20V 3A
на замовлення 11835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB70XPE,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin HUSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.82 грн
9000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB760EN115NXPDescription: NXP - PMDPB760EN115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB760EN115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2061+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2061 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB80XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 485mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB80XP,115NexperiaMOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB80XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 485mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB85UPE,115NexperiaMOSFET PMDPB85UPE/SOT1118/HUSON6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDPB85UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 515mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.