Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7855TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+107.44 грн
500+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 30nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.76 грн
10+60.63 грн
100+36.87 грн
500+29.61 грн
1000+26.95 грн
2000+25.42 грн
4000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.79 грн
8000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.53 грн
12+68.19 грн
100+49.37 грн
500+36.01 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInternational RectifierN-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.85 грн
8000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.47 грн
8000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.62 грн
10+60.06 грн
100+42.51 грн
500+31.28 грн
1000+28.50 грн
2000+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+70.02 грн
255+55.66 грн
260+54.53 грн
500+40.92 грн
1000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7862TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.37 грн
500+36.01 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1IR07+ SO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1-TR
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1GPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1PBFInternational RectifierSO8-118-0.65 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1PBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1TRIR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1TRPBFIR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D1TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7901D2
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902PBFInfineon / IRMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902TRPBF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SO
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 9.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904IR05+ SOP-8;
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904PBFIR05+ QFP
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 30V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.85 грн
500+37.29 грн
1000+26.95 грн
5000+25.21 грн
10000+24.09 грн
25000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.91 грн
10+72.27 грн
100+45.95 грн
500+37.08 грн
1000+31.77 грн
2000+29.96 грн
4000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.76 грн
11+75.93 грн
100+54.99 грн
500+43.27 грн
1000+30.58 грн
5000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+100.17 грн
195+72.76 грн
210+67.57 грн
500+59.69 грн
1000+51.98 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7904TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W, 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905PBFInternational Rectifier2N-Ch 30V 7.8A 8.9A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 8.9A
на замовлення 7593 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)
4+91.24 грн
10+80.30 грн
100+54.81 грн
250+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.16 грн
13+64.52 грн
100+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBF
Код товару: 111317
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFIOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A/8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7905TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.0174 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0174ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0174ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.16 грн
13+64.52 грн
100+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7905TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.90 грн
8000+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.14 грн
8000+27.93 грн
12000+26.88 грн
20000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.38 грн
250+54.09 грн
1000+35.86 грн
2000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.02 грн
8000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 78285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+74.59 грн
100+49.54 грн
500+36.41 грн
1000+33.17 грн
2000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+120.02 грн
182+78.25 грн
214+66.53 грн
500+52.76 грн
1000+46.24 грн
4000+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7907TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7907TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.31 грн
50+81.38 грн
250+54.09 грн
1000+35.86 грн
2000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910IRSO-8
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910PBFInfineon / IRMOSFET 12V DUAL N-CH HEXFET 15mOhms 17nC
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TR
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRBF
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFInfineonMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT DUAL NCh 12V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7910TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 10 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7923TRPBFIOR
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 198A 1.5mOhm 141nC StrongIRFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7946TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 1400 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.78 грн
10+136.86 грн
100+98.57 грн
500+83.21 грн
1000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
на замовлення 58515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.39 грн
10+129.58 грн
100+89.62 грн
500+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; 96W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 96W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6852 pF @ 25 V
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+63.72 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 198A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.66 грн
109+131.12 грн
113+126.39 грн
200+120.74 грн
500+105.37 грн
1000+97.60 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7MS2907Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7MS2907Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]