Продукція > 2SB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1186 | на замовлення 19854 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SB1186A Код товару: 124426
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SB1186AE | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1186AE | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 160V 1.5A TO220FP Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: TO-220FP Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1187 | на замовлення 20132 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SB1187 Код товару: 152670
Додати до обраних
Обраний товар
| Savantic | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220FA Гранична частота fT, MHz: 12 MHz Напруга Uке, V: 60 V Напруга Uкб, V: 80 V Струм Iк, A: 3 A | у наявності: 16 шт
|
| ||||||||||||||
| 2SB1188 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188 | ROHM | 09+ | на замовлення 128682 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188 T100R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SB1188 T100P | ROHM | SOT89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188 T100Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188 T100R | ROHM | SOT89 | на замовлення 86000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188-P | ROHM | 0349+ SOT-89 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188-P-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188-Q | Yangjie Electronic Technology | 2SB1188-Q | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188-Q | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188-Q-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 32V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188-Q-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188-Q-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89 Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188-R | ROHM | 09+ | на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188-R | Yangjie Electronic Technology | 2SB1188-R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188-R | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188-R-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 32V 2A SOT-89 Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188-R-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188/Q | ROHM | SOT-89 | на замовлення 520000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188/R | ROHM | SOT-89 | на замовлення 7350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188L | TOSHIBA | sot89 | на замовлення 210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188R | ROHM | 09+ | на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100P | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100P | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100Q | ROHM - Japan | Tranzystor PNP; 390; 500mW; 32V; 2A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; 2SB1188T100Q; 2SB1188T100R; 2SB1188 T2SB1188 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89 | на замовлення 6388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100Q | ROHM | Description: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100QCT | Rohm | Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 2, ft, МГц = 100, hFE = 120 @ 500 мА, 3 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 200 мA, 2 А, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100R | ROHM | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1189 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189 FRAT100R | ROHM | SOT89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189 T100Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189 T100R | ROHM | SOT89 | на замовлення 284 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189-Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189-R | KESENES | 09+ | на замовлення 426694 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189/Q | ROHM | SOT-89 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189/R | ROHM | SOT-89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1189T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1189T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Power - Max: 2 W Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1189T100R | 10+ SOT-89 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SB1189T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1189T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1189T100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB119 | HIT | 98+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1190 | на замовлення 20123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SB1192A | на замовлення 15243 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SB1193 | на замовлення 5841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SB1195 | на замовлення 7854 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SB1196 | на замовлення 5201 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SB1197 T146Q | ROHM | SOT23 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197 T146Q | ROHM | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197 T146R | ROHM | SOT23-GA STN2907 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197-P-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197-P-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Epitaxial Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197-Q | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197-Q | Yangjie Electronic Technology | 2SB1197-Q | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197-Q-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Epitaxial Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197-Q-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197-R-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197-R-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197/R | ROHM | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197A-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT-23/TRA/SOT/GPT-04TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197A-R2-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197A_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, TRANSISTOR Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 8613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197A_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.25W Collector current: 3A Pulsed collector current: 3.5A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100...300 Frequency: 180MHz Polarisation: bipolar | на замовлення 1961 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197A_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNP Low Vce(sat) Transistor | на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197A_R1_00001 | PanJit | 2SB1197A_R1_00001 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197A_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, TRANSISTOR Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197A_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNP Low Vce(sat) Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197K | ROHM | 09+ | на замовлення 54056 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197K T146 | ROHM | SOT23-AHR | на замовлення 2560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197K T146 SOT23-AHR | ROHM | на замовлення 2560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SB1197K-R | ROHM | 01+ SOT-23 | на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197K-T146Q | ROHM | SOT23 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197K/R | ROHM | SOT-23 | на замовлення 5100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197KPT | CHENMKO | 07+ | на замовлення 3423 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197KT146Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197KT146Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SMT3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197KT146Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 31955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197KT146Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SMT3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SB1197KT146Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A | на замовлення 5492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

