Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.09 грн
10+86.72 грн
100+58.70 грн
500+43.84 грн
1000+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.25 грн
6000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+85.14 грн
100+58.70 грн
500+43.84 грн
1000+41.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 470MF 4.2V -40-+85C
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.827" L x 0.551" W (21.00mm x 14.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 156mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.150" (3.80mm)
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 4.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XXCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; SMD; 470mF; 4.2VDC; ±20%; 21x14x3.5mm; -40÷85°C
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: SMD
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 4.2V DC
Body dimensions: 21x14x3.5mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...85°C
Trade name: EDLC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+636.73 грн
5+500.67 грн
10+485.58 грн
25+472.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors EDLC 470mF 4.2V 20% 21x14x3.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT334R2S474M3DTA0CAP-XXDescription: CAP-XX - DMT334R2S474M3DTA0 - Superkondensator, Prismatic Ultra Thin, 0.47 F, 4.2 V, Lötanschlüsse, ± 20%
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 3.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: SMD
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.13ohm
Produktlänge: 21mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 4.2V
Produktpalette: DMT Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: 14mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.40 грн
50+365.78 грн
100+349.52 грн
250+310.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.51 грн
500+19.62 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.82 грн
100+27.33 грн
500+19.80 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT34M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.55 грн
19+44.71 грн
100+29.51 грн
500+19.62 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M1LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 1.3W; PowerDI®5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI®5060-8
Mounting: SMD
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2242 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M2LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M5LFVW-13Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M5LFVW-7Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T and R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T and R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT34M8LFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M1LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M1LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 9812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.49 грн
500+16.76 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 67024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 4900 µohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.74 грн
23+36.90 грн
100+23.82 грн
500+16.83 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 982 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 4600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 982 pF @ 15 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.83 грн
100+23.86 грн
500+17.17 грн
1000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 4600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.68 грн
20+40.89 грн
100+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1029 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.74 грн
5000+13.93 грн
7500+13.31 грн
12500+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M7LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.34 грн
6000+26.90 грн
9000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+55.93 грн
100+43.46 грн
500+34.57 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M8LDG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW (Ta), 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 15.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.34 грн
6000+26.90 грн
10000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 4800 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.45 грн
500+21.36 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 227497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.30 грн
100+20.88 грн
500+14.98 грн
1000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16.7nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 4800 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.72 грн
21+40.40 грн
100+28.45 грн
500+21.36 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.75 грн
5000+11.24 грн
7500+10.72 грн
12500+9.50 грн
17500+9.17 грн
25000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M1LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M4LDT-7ADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 14.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1092pF @ 15V, 1644pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V, 6.4mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, 23.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT36M4LDT-7ADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3M60LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.13W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11112 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3M70LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XXCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; SMD; 220mF; 4.2VDC; ±20%; 21x14x2.2mm; 10A; EDLC
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: SMD
Capacitance: 0.22F
Operating voltage: 4.2V DC
Body dimensions: 21x14x2.2mm
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...85°C
Trade name: EDLC
Max. forward impulse current: 10A
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+522.93 грн
5+411.78 грн
10+398.36 грн
25+388.29 грн
50+382.42 грн
100+375.71 грн
250+372.36 грн
500+369.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XX Ltd SupercapacitorsDescription: CAP 220MF 4.2V -40-+85C
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD
Size / Dimension: 0.827" L x 0.551" W (21.00mm x 14.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
ESR (Equivalent Series Resistance): 360mOhm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.098" (2.50mm)
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 4.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0CAP-XXDescription: CAP-XX - DMT3N4R2U224M3DTA0 - Superkondensator, Prismatic Ultra Thin, 0.22 F, 4.2 V, Lötanschlüsse, ± 20%
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 2.2mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: SMD
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3ohm
Produktlänge: 21mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.22F
Spannung (DC): 4.2V
Produktpalette: DMT Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: 14mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+517.78 грн
50+373.91 грн
100+356.84 грн
250+317.01 грн
500+280.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3N4R2U224M3DTA0Murata ElectronicsSupercapacitors / Ultracapacitors EDLC 220mF 4.2V 20% 21x14x2.2mm
на замовлення 4406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4001LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4001LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12121 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 257500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.19 грн
5000+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.04 грн
500+64.76 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 116.1nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.60 грн
10+147.12 грн
100+91.04 грн
500+64.76 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 259780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.80 грн
100+61.57 грн
500+46.01 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75.6nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 156W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 164A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6865 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4003SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 3404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.37 грн
5000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.34 грн
500+45.89 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.75 грн
10+95.92 грн
100+59.34 грн
500+45.89 грн
1000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4508 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 356008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
10+61.97 грн
100+43.31 грн
500+32.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4004LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; Idm: 100A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 82.2nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 2.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+116.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDIODES INCORPORATEDCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 160A; 104W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49.1nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 85A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 160A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4005SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.22 грн
17+47.88 грн
100+44.22 грн
500+40.38 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+40.38 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.7A
Gate charge: 17.1nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LSS-13DiodesMOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]