Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6N43FU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 6-Pin US T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N43FU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.46 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.52 грн
50+16.50 грн
100+11.30 грн
500+7.77 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N43FULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.17 грн
100+9.53 грн
500+6.63 грн
1000+5.88 грн
2000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.23 грн
8000+4.56 грн
12000+4.32 грн
20000+3.79 грн
28000+3.64 грн
40000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LMToshibaMOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
на замовлення 15591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.88 грн
40+20.73 грн
100+11.87 грн
500+7.43 грн
1000+5.80 грн
5000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.87 грн
500+7.43 грн
1000+5.80 грн
5000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FELM(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 US6 (SOT-363)
на замовлення 14134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
6000+4.13 грн
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 13323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.36 грн
100+8.39 грн
500+5.82 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N44FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: pi-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 149125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.52 грн
60+13.66 грн
100+8.53 грн
500+5.40 грн
1000+4.32 грн
5000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N44FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N44FU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: pi-MOSVI Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 149125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.53 грн
500+5.40 грн
1000+4.32 грн
5000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
100+9.90 грн
500+6.90 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LFToshibaMOSFETs SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N48FU,RF(DToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N55NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.26 грн
21+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N55NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N55NU,LFToshibaMOSFETs 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
на замовлення 14261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N55NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 4227000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.15 грн
6000+37.45 грн
9000+31.49 грн
12000+27.19 грн
15000+22.98 грн
24000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N55NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N55NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N55NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.60 грн
49+16.66 грн
100+12.03 грн
500+9.28 грн
1000+8.01 грн
5000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N55NU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.67 грн
384+36.90 грн
419+33.82 грн
422+32.39 грн
518+24.41 грн
1000+21.93 грн
2000+21.82 грн
3000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N55NULF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
21+14.79 грн
100+5.26 грн
500+4.84 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LMToshibaMOSFET Small-signal MOSFET N-Channel
на замовлення 207555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 6-Pin ES T/R
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.75 грн
31+24.81 грн
100+10.70 грн
250+9.81 грн
500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.78 грн
8000+3.95 грн
12000+3.87 грн
20000+3.57 грн
28000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.58 грн
50+16.50 грн
250+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.50 грн
250+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 91795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
100+17.99 грн
500+12.79 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LFToshibaMOSFETs 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
на замовлення 35740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.84 грн
6000+9.54 грн
9000+9.08 грн
15000+8.04 грн
21000+7.75 грн
30000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.18 грн
25+30.37 грн
100+17.27 грн
250+15.83 грн
500+14.67 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N57NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.63 грн
30+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N57NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N57NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 37237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.72 грн
100+17.07 грн
500+12.12 грн
1000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LFToshibaMOSFETs N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
на замовлення 15928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
6000+9.00 грн
9000+8.56 грн
15000+7.57 грн
21000+7.30 грн
30000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N58NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.067 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.86 грн
27+30.73 грн
100+18.94 грн
500+12.68 грн
1000+10.31 грн
5000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N58NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N58NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.067 ohm, UDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.14 грн
27+30.48 грн
100+21.62 грн
500+14.79 грн
1000+12.05 грн
5000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N61NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.18 грн
27+30.40 грн
100+19.51 грн
500+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
6000+9.48 грн
9000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.85 грн
100+17.86 грн
500+12.71 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=20V, VGSS=+/-8V, ID=0.8A, RDS(ON)=0.085ohm at 4.5V, in UF6 package
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LXHFToshibaMOSFETs SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
12+27.10 грн
100+18.80 грн
500+13.78 грн
1000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.32 грн
500+13.36 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N62TU,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N62TU,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.085 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.21 грн
26+31.62 грн
100+20.32 грн
500+13.36 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
на замовлення 64315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 14051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
100+17.99 грн
500+12.79 грн
1000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.1mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.84 грн
6000+9.54 грн
9000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.73 грн
34+23.98 грн
100+17.07 грн
500+12.60 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N67NU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.86 грн
500+14.57 грн
1500+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N67NU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.42 грн
500+16.30 грн
1500+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N67NU,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N67NU,LXGF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.0391 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0391ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.44 грн
50+33.49 грн
100+26.42 грн
500+16.30 грн
1500+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
на замовлення 6663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 129pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N68NU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N68NU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.084 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.084ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.84 грн
29+28.12 грн
100+17.96 грн
500+12.60 грн
1000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002AFU
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFEToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE(T5L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.24 грн
8000+2.81 грн
12000+2.65 грн
20000+2.32 грн
28000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 33292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+10.04 грн
100+6.26 грн
500+4.31 грн
1000+3.81 грн
2000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+15.64 грн
79+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LMToshibaMOSFETs ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.21 грн
74+11.05 грн
118+6.93 грн
500+4.74 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFE,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1887+7.50 грн
1954+7.24 грн
1979+7.15 грн
2011+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 1887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU(T5L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002BFU,LF(TToshibaMOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.2A 60V 2-in-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFUToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.83 грн
100+5.47 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshibaMOSFETs Small-Signal MOSFET 2-in-1
на замовлення 141701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF транзистор
Код товару: 214008
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1795+7.88 грн
2193+6.45 грн
2270+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 1795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.56 грн
1500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002CFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3.9 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.62 грн
103+7.90 грн
202+4.03 грн
500+3.56 грн
1500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 93 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]