Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM6N7002FUTOSHIBA
на замовлення 189950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002FU(LFT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002FUTE85LFToshibaMOSFET SMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET 2in1 ESD Protected
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive 6-Pin US T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive 6-Pin US T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.39 грн
9000+2.42 грн
24000+2.39 грн
45000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.30 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.79 грн
500+17.36 грн
1500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.05 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.52 грн
86+9.51 грн
110+7.43 грн
500+5.43 грн
1500+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXHToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
20+15.77 грн
100+9.94 грн
500+6.95 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXHToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXHToshibaMOSFETs SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LXH(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFU,LXH(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N7002KFU,LXH(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.96 грн
47+17.31 грн
100+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFULXG(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002KFULXH(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET Dual N-ch VDSS=100V, VGSS=+/-20V, RDS(@4.5V)=0.154Ohm, ID=3.5A
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+23.47 грн
100+16.73 грн
500+14.30 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.80 грн
100+30.74 грн
500+22.38 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHFToshibaMOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N813R,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.31 грн
500+27.10 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N813R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N813R,LXHF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 3.5 A, 0.112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP-F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.23 грн
15+56.74 грн
100+37.31 грн
500+27.10 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815RToshibaTransistor MOSFET N-CH; 1,8W; 100V; 2A; -55°C ~ 150°C; Replacement: SSM6N815R,LF(T; SSM6N815R,LF; SSM6N815RLFT-TOS-0; SSM6N815R TSSM6n815r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815RToshibaTransistor MOSFET N-CH; 1,8W; 100V; 2A; -55°C ~ 150°C; Replacement: SSM6N815R,LF(T; SSM6N815R,LF; SSM6N815RLFT-TOS-0; SSM6N815R TSSM6n815r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LF
Код товару: 149006
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.59 грн
6000+9.33 грн
9000+8.89 грн
15000+7.88 грн
21000+7.60 грн
30000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
на замовлення 56990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 2A 6-Pin TSOP-F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 39337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+28.08 грн
100+18.02 грн
500+12.85 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N815R,LFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 2A 6-Pin TSOP-F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N951L,EFFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TCSPA (2.14x1.67)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P05FUTOSHIBA
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 13290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
22+14.27 грн
100+9.22 грн
500+7.16 грн
1000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6P15FE(TE85L,F) - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 12ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.19 грн
42+19.75 грн
100+12.52 грн
500+8.68 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F)ToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
на замовлення 4864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.59 грн
8000+5.29 грн
12000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE(TR3SONYF)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 8505 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FE-TE85L
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FUTOSHIBA
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/PwrMgmt2n1 US6 (SOT-363)
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 49726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+13.06 грн
100+8.16 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P15FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.07 грн
6000+3.62 грн
9000+3.26 грн
15000+3.01 грн
21000+3.00 грн
30000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P16FE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P16FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: ES6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35A
Код товару: 177705
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.57 грн
100+9.11 грн
500+6.34 грн
1000+5.63 грн
2000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFE,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
на замовлення 5070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFE,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFELF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 285mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.72 грн
100+11.83 грн
500+8.29 грн
1000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 6-Pin US T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.03 грн
44+17.40 грн
46+16.49 грн
100+8.30 грн
250+7.60 грн
500+6.40 грн
1000+5.79 грн
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6
Supplier Device Package: US6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 285mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35AFU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P35FE,LMToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LMToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.02 грн
500+6.99 грн
1000+6.20 грн
2000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FE,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36FELM(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36TU,LFToshibaMOSFETs Sm-signal/HiSpeed2n1 UF6 (SOT-363F)
на замовлення 3758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 6466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.12 грн
100+14.05 грн
500+9.91 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P36TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
6000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TUToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm at 4V, in UF6 package
на замовлення 5711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 8608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.12 грн
100+16.66 грн
500+11.81 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(BToshibaSSM6P39TU,LF(B
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+24.53 грн
599+23.65 грн
1000+22.87 грн
2500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(BToshibaSSM6P39TU,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+24.53 грн
599+23.65 грн
1000+22.87 грн
2500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 577 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6P39TU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 1.5 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.213ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.94 грн
32+26.01 грн
100+16.66 грн
500+11.70 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6P39TU,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 1.5 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.213ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.66 грн
500+11.70 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P39TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin UF T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1165+12.14 грн
1200+11.79 грн
1220+11.60 грн
2000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 1165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
6000+8.75 грн
9000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin UF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Supplier Device Package: UF6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.12 грн
100+16.66 грн
500+11.81 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LFToshibaMOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm at 4V
на замовлення 57311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P40TU,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin UF T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+20.74 грн
686+20.63 грн
839+16.86 грн
1000+15.12 грн
2000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.57 грн
8000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F)ToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-0.72A VDSS=-20V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.72A 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P41FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 11392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.46 грн
100+15.59 грн
500+11.04 грн
1000+9.88 грн
2000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.68 грн
100+18.37 грн
500+13.07 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LFToshibaMOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6P47NU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 94 95 96 97 98 99 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]