Продукція > DTD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DTD04S01DENMOS
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD05101DENMOS
на замовлення 5219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD05202DENMOS
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD11003DENMOS
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113/DTD113EKИэЕЖ/07+ SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+16.70 грн
82+10.18 грн
131+6.38 грн
500+4.36 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+19.36 грн
27+13.09 грн
100+4.61 грн
1000+3.27 грн
3000+2.53 грн
9000+2.08 грн
24000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.49 грн
36+8.76 грн
100+5.43 грн
500+3.72 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.13 грн
965+12.66 грн
1000+12.24 грн
2500+11.46 грн
5000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.36 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.79 грн
1070+11.41 грн
2500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 33
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 33
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.79 грн
1070+11.41 грн
2500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
18+19.60 грн
100+8.41 грн
1000+5.06 грн
3000+3.72 грн
9000+3.20 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EK
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.16 грн
12+29.27 грн
100+19.05 грн
500+15.92 грн
1000+13.69 грн
3000+9.45 грн
9000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 33
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+15.17 грн
835+14.62 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.51 грн
15+24.30 грн
100+11.46 грн
1000+7.96 грн
3000+6.33 грн
24000+6.25 грн
45000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+15.17 грн
835+14.62 грн
1000+14.15 грн
2500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 16038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1495+8.17 грн
1751+6.97 грн
1855+6.58 грн
2000+5.93 грн
3000+5.45 грн
6000+4.99 грн
12000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 1495
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.05 грн
13+24.42 грн
100+15.52 грн
500+10.95 грн
1000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 33
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ESROHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ESROHMTO-92S
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.88 грн
1500+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 57854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.10 грн
32+9.77 грн
100+6.06 грн
500+4.17 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.36 грн
73+11.44 грн
118+7.10 грн
500+4.88 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 14611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.57 грн
23+15.15 грн
100+5.43 грн
1000+3.72 грн
3000+2.98 грн
9000+2.46 грн
24000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.79 грн
1070+11.41 грн
2500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.37 грн
6000+2.91 грн
9000+2.74 грн
15000+2.38 грн
21000+2.28 грн
30000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.29 грн
37+8.53 грн
100+5.15 грн
500+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
на замовлення 27386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
22+16.17 грн
100+6.55 грн
1000+4.84 грн
3000+3.35 грн
9000+2.90 грн
24000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.35 грн
500+5.85 грн
1000+3.65 грн
5000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
630+19.38 грн
654+18.68 грн
1000+18.07 грн
2500+16.91 грн
5000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 630
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+18.36 грн
80+10.43 грн
140+5.98 грн
500+4.96 грн
1000+4.03 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKROHMSOT23
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKROHM
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 73732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2197+5.56 грн
2341+5.21 грн
2389+5.11 грн
2460+4.78 грн
3000+4.42 грн
6000+4.14 грн
12000+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 2197
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 141938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
17+18.76 грн
100+12.66 грн
500+9.22 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 14712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+25.12 грн
505+24.21 грн
1000+23.42 грн
2500+21.91 грн
5000+19.75 грн
10000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 32871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1841+6.63 грн
2019+6.04 грн
2061+5.92 грн
2146+5.48 грн
3000+5.05 грн
6000+4.70 грн
12000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 1841
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.65 грн
14+25.24 грн
100+14.96 грн
1000+8.41 грн
3000+7.66 грн
9000+6.77 грн
24000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC59; SOT346
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZS
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZSTPDTD113ZSTP Транзисторы Digital
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUROHMSOT323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUROHM07+ SOT-323
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZU T106ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZU T106ROHM0239+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 20875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+38.12 грн
334+36.59 грн
500+35.27 грн
1000+32.90 грн
2500+29.57 грн
5000+27.62 грн
10000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 24350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.49 грн
10+35.17 грн
100+20.54 грн
500+15.63 грн
1000+13.62 грн
3000+10.94 грн
9000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 41655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1091+11.18 грн
1276+9.57 грн
1341+9.10 грн
2000+8.14 грн
3000+7.47 грн
6000+6.83 грн
12000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 1091
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.61 грн
11+28.22 грн
100+19.63 грн
500+14.38 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.57 грн
23+15.23 грн
100+5.43 грн
1000+3.80 грн
3000+2.98 грн
9000+2.46 грн
24000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.87 грн
62+13.52 грн
159+5.26 грн
500+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+12.88 грн
983+12.41 грн
1017+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+12.88 грн
983+12.41 грн
1017+12.01 грн
2500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.71 грн
30+10.54 грн
100+6.57 грн
500+4.52 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.64 грн
38+22.04 грн
100+10.10 грн
500+6.91 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.86 грн
18+19.60 грн
100+8.41 грн
1000+5.06 грн
3000+4.17 грн
9000+3.20 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.57 грн
37+16.44 грн
38+16.29 грн
62+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.10 грн
500+6.91 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKROHM09+
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKROHM07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKROHMSOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EK-T146ROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.22 грн
36+23.62 грн
100+13.44 грн
500+8.99 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.44 грн
500+8.99 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 56
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.25 грн
15+19.80 грн
100+11.81 грн
175+6.23 грн
482+5.95 грн
3000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.36 грн
500+9.77 грн
1000+6.58 грн
5000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+17.85 грн
710+17.20 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 684
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.00 грн
21+16.77 грн
100+9.23 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 86279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.05 грн
13+24.42 грн
100+15.57 грн
500+11.03 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.23 грн
34+25.29 грн
100+13.36 грн
500+9.77 грн
1000+6.58 грн
5000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 44022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+16.51 грн
766+15.94 грн
1103+11.06 грн
2000+9.73 грн
6000+6.33 грн
12000+5.63 грн
24000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 739
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.90 грн
6000+6.93 грн
9000+6.59 грн
15000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 56
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 200MHz
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.71 грн
25+15.89 грн
100+9.84 грн
175+5.19 грн
482+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ESROHMTO-92S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD114GCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 7668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.39 грн
21+16.34 грн
100+6.18 грн
1000+5.51 грн
3000+4.99 грн
9000+3.65 грн
45000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
16+20.39 грн
100+10.31 грн
500+7.89 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.79 грн
1070+11.41 грн
2500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+26.25 грн
35+17.76 грн
37+16.64 грн
50+15.88 грн
100+8.83 грн
250+5.99 грн
500+5.62 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
18+17.83 грн
100+8.71 грн
500+6.82 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
18+19.60 грн
100+6.99 грн
1000+4.84 грн
3000+3.80 грн
9000+3.20 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+12.88 грн
983+12.41 грн
1017+12.01 грн
2500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GK T146ROHMSOT23
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+47.82 грн
266+45.90 грн
500+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.02 грн
11+33.55 грн
100+14.96 грн
1000+11.24 грн
3000+9.60 грн
9000+9.00 грн
24000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.69 грн
500+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+47.82 грн
266+45.90 грн
500+44.24 грн
1000+41.27 грн
2500+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.44 грн
11+29.38 грн
100+17.61 грн
500+15.31 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMSOT-23 96+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.67 грн
26+32.22 грн
100+15.69 грн
500+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+47.82 грн
266+45.90 грн
500+44.24 грн
1000+41.27 грн
2500+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 12V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 8.33A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8774.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 12V 8.33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 19V 6.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 19V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 6.3A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8774.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 24vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 24V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 5A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8774.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 24V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-36SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 36V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 48V 2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADescription: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 120W INPUT 90~264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146ROHM06+ROHS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.55 грн
43+19.62 грн
110+7.60 грн
500+5.50 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.62 грн
110+7.60 грн
500+5.50 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+12.29 грн
1026+11.89 грн
2500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 993
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+26.39 грн
21+16.34 грн
100+6.18 грн
1000+5.51 грн
3000+4.24 грн
9000+3.65 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
16+20.39 грн
100+10.31 грн
500+7.89 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
18+17.83 грн
100+8.71 грн
500+6.82 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+20.27 грн
625+19.54 грн
1000+18.90 грн
2500+17.69 грн
5000+15.94 грн
10000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
18+19.60 грн
100+6.99 грн
1000+4.84 грн
3000+3.72 грн
9000+3.20 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHM04+ SOT-23
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHMSOT23
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHM11+ROHS SOT-23
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHMSOT23/SOT323
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EK T146ROHMSOT23
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.39 грн
1000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.82 грн
32+26.71 грн
100+13.11 грн
500+10.39 грн
1000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123EKT146 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+27.89 грн
456+26.78 грн
500+25.81 грн
1000+24.07 грн
2500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
13+24.73 грн
100+14.84 грн
500+12.90 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 187642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1964+6.21 грн
2128+5.73 грн
2193+5.56 грн
2280+5.16 грн
3000+4.76 грн
6000+4.42 грн
12000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 1964
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+27.89 грн
456+26.78 грн
500+25.81 грн
1000+24.07 грн
2500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
13+27.13 грн
100+12.87 грн
1000+8.93 грн
3000+7.59 грн
9000+7.07 грн
24000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.79 грн
26+13.26 грн
100+5.21 грн
1000+3.57 грн
3000+2.83 грн
9000+2.38 грн
24000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+11.79 грн
1070+11.41 грн
2500+11.08 грн
5000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.27 грн
41+7.60 грн
100+5.06 грн
500+3.61 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.86 грн
17+21.22 грн
100+8.41 грн
1000+5.06 грн
3000+3.72 грн
9000+3.20 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+13.01 грн
974+12.53 грн
1007+12.13 грн
2500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.97 грн
36+23.37 грн
100+9.93 грн
500+6.55 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.55 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKROHMSOT23
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123TKT146 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
6000+10.23 грн
9000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.15 грн
11+32.26 грн
100+15.55 грн
1000+10.57 грн
3000+9.60 грн
9000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 14248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.71 грн
11+30.15 грн
100+19.29 грн
500+13.72 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+15.17 грн
835+14.62 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+20.12 грн
59+14.19 грн
101+8.29 грн
500+5.04 грн
1500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
19+18.23 грн
100+6.92 грн
1000+4.84 грн
3000+3.27 грн
9000+2.98 грн
45000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.13 грн
965+12.66 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
18+17.60 грн
100+8.59 грн
500+6.72 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.13 грн
965+12.66 грн
1000+12.24 грн
2500+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.19 грн
101+8.29 грн
500+5.04 грн
1500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2239+5.45 грн
2455+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 2239
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHM SEMICONDUCTORDTD123YCT116 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
18+17.83 грн
100+8.71 грн
500+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+19.51 грн
649+18.81 грн
1000+18.19 грн
2500+17.02 грн
5000+15.34 грн
10000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
16+22.16 грн
100+7.14 грн
1000+4.84 грн
3000+3.72 грн
9000+3.20 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKROHMSOT23
на замовлення 84620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKROHM05+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YK/F62
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.64 грн
38+22.46 грн
100+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKFRAT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123YKFRAT146 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.19 грн
500+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
6000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 7572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+27.09 грн
470+26.01 грн
500+25.07 грн
1000+23.39 грн
2500+21.02 грн
5000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 451
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD123YKT146 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
на замовлення 24153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
16+21.99 грн
100+9.75 грн
1000+7.52 грн
3000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 181698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
16+20.39 грн
100+13.82 грн
500+10.09 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 35526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1345+9.08 грн
1573+7.76 грн
1660+7.35 грн
2000+6.63 грн
3000+6.10 грн
6000+5.54 грн
12000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 1345
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT147
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD13001DENMOS
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133EK
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133HKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133HKT146
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECROHMSOT23
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECRICOH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.49 грн
36+8.76 грн
100+5.43 грн
500+3.72 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.23 грн
28+12.67 грн
100+4.91 грн
1000+3.42 грн
3000+2.75 грн
9000+2.08 грн
24000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.29 грн
57+14.78 грн
139+6.02 грн
500+4.88 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+11.43 грн
1104+11.05 грн
2500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2674+4.56 грн
3037+4.02 грн
3185+3.83 грн
3199+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 2674
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.88 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.13 грн
6000+2.86 грн
12000+2.66 грн
18000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3897
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHM SEMICONDUCTORDTD143ECT116 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.19 грн
80+10.52 грн
154+5.43 грн
500+4.94 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116
Код товару: 169680
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 8462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.08 грн
18+19.51 грн
100+6.99 грн
1000+4.76 грн
3000+3.80 грн
9000+3.20 грн
24000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
18+17.83 грн
100+8.71 грн
500+6.82 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.94 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+10.57 грн
1194+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 1155
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
14+23.56 грн
100+14.67 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 500mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKROHMSOT23
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EK T146ROHMSOT23-F23
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EK T146 SOT23-F23ROHM
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKAROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
12+26.90 грн
100+18.73 грн
500+13.72 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.83 грн
25+33.81 грн
100+22.04 грн
500+15.50 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.16 грн
12+29.18 грн
100+18.98 грн
500+14.88 грн
1000+13.99 грн
3000+11.83 грн
9000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+41.70 грн
305+40.04 грн
500+38.59 грн
1000+35.99 грн
2500+32.35 грн
5000+30.22 грн
10000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 8194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
12+26.04 грн
100+18.11 грн
500+13.27 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 20664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
12+28.58 грн
100+17.34 грн
500+13.47 грн
1000+11.01 грн
3000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+41.70 грн
305+40.04 грн
500+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD143EKT146 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.67 грн
6000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+41.70 грн
305+40.04 грн
500+38.59 грн
1000+35.99 грн
2500+32.35 грн
5000+30.22 грн
10000+29.48 грн
25000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146/F23ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146SOT23-F23ROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ESROHMTO-92S
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
13+28.33 грн
100+16.82 грн
1000+9.75 грн
3000+8.26 грн
9000+7.52 грн
24000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 7573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1678+7.27 грн
1776+6.87 грн
1834+6.65 грн
2000+6.12 грн
3000+5.63 грн
6000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 1678
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.98 грн
15+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+26.96 грн
472+25.88 грн
500+24.95 грн
1000+23.27 грн
2500+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD152ZMAKITADescription: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3200BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 165Nm
Versorgungsspannung, V AC: -
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11080.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD153ZMAKITADescription: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3600BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 170Nm
Versorgungsspannung, V AC: -
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11613.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD17102DENMOS
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD26101DENMOS
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+64670.31 грн
3+59654.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+53891.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZEROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.38 грн
14+25.84 грн
100+11.01 грн
1000+9.30 грн
3000+6.92 грн
9000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.05 грн
13+24.34 грн
100+15.50 грн
500+10.93 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.56 грн
33+25.71 грн
100+16.70 грн
500+10.70 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.70 грн
500+10.70 грн
1000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.82 грн
6000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHM SEMICONDUCTORDTD513ZETL NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 28169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1987+6.14 грн
1990+6.13 грн
2229+5.47 грн
2322+5.07 грн
3000+4.68 грн
6000+4.46 грн
12000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 1987
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.22 грн
15+21.08 грн
100+13.37 грн
500+9.39 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+12.17 грн
1037+11.77 грн
2500+11.42 грн
5000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 1003
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.38 грн
13+26.96 грн
100+10.05 грн
1000+7.74 грн
3000+6.47 грн
9000+5.95 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.07 грн
12+29.35 грн
100+15.92 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHMDescription: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.14 грн
32+26.46 грн
100+16.44 грн
500+9.61 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.05 грн
13+24.65 грн
100+15.67 грн
500+11.06 грн
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.24 грн
13+26.79 грн
100+11.31 грн
1000+9.90 грн
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHMDescription: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.44 грн
500+9.61 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transistor
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.94 грн
13+26.36 грн
100+10.27 грн
1000+8.26 грн
3000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLROHM SEMICONDUCTORDTD523YETL NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+13.01 грн
974+12.53 грн
1007+12.13 грн
2500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YMT2LROHM SEMICONDUCTORDTD523YMT2L NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
14+26.10 грн
100+15.48 грн
1000+9.67 грн
2500+7.29 грн
8000+6.40 грн
48000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.05 грн
38+22.46 грн
100+13.94 грн
500+8.91 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
13+27.04 грн
100+14.66 грн
500+10.05 грн
1000+7.74 грн
3000+6.92 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.94 грн
500+8.91 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.20 грн
17+19.22 грн
100+12.18 грн
500+8.55 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.38 грн
14+25.42 грн
100+9.90 грн
1000+7.74 грн
3000+6.47 грн
9000+5.95 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
16+19.46 грн
100+12.35 грн
500+8.67 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.22 грн
15+21.55 грн
100+13.67 грн
500+9.63 грн
1000+8.60 грн
2000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.51 грн
18+19.94 грн
100+11.46 грн
1000+9.82 грн
8000+5.80 грн
24000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 2646
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.38 грн
14+25.84 грн
100+11.01 грн
1000+9.30 грн
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.94 грн
500+8.91 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.20 грн
17+19.22 грн
100+12.18 грн
500+8.55 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.05 грн
38+22.46 грн
100+13.94 грн
500+8.91 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+7.25 грн
1741+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 1684
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+22.29 грн
1000+16.67 грн
2000+10.57 грн
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 596
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
16+19.46 грн
100+12.35 грн
500+8.67 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.80 грн
13+27.04 грн
100+14.66 грн
1000+9.15 грн
3000+6.70 грн
9000+5.95 грн
24000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.38 грн
14+25.84 грн
100+13.25 грн
1000+10.19 грн
3000+7.81 грн
9000+6.47 грн
24000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.20 грн
17+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+22.29 грн
1000+16.59 грн
2000+14.07 грн
3000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.00 грн
16+19.46 грн
100+12.35 грн
500+8.67 грн
1000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+12.88 грн
983+12.41 грн
1017+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+21.39 грн
1000+18.06 грн
2000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.30 грн
18+19.85 грн
100+11.24 грн
1000+8.78 грн
2500+7.29 грн
8000+5.80 грн
24000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 1576
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRNSISTR DIGI NPN 200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3EMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
14+23.18 грн
100+11.69 грн
500+9.72 грн
1000+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3VMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPROHM09+
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GP
Код товару: 106265
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPROHM08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPROHMSOT89
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GP/EO1PROHM
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.39 грн
13+68.37 грн
100+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100ROHM SEMICONDUCTORDTDG14GPT100 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 10861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.98 грн
10+37.28 грн
100+24.18 грн
500+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 60V 1A
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.25 грн
10+43.47 грн
100+24.85 грн
500+19.20 грн
1000+15.92 грн
2000+12.50 грн
10000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100ROHMSOT-89 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.36 грн
2000+15.18 грн
3000+14.40 грн
5000+12.69 грн
7000+12.21 грн
10000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14PROHMN A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPROHM09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.06 грн
500+22.01 грн
1000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 60V 1A
на замовлення 5334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.25 грн
10+48.86 грн
100+29.24 грн
500+23.29 грн
1000+18.01 грн
2000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHM SEMICONDUCTORDTDG23YPT100 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.27 грн
18+48.00 грн
100+33.06 грн
500+22.01 грн
1000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.30 грн
10+49.14 грн
100+32.25 грн
500+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GP HRAT100ROHMSOT89
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPHRAT100ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPT100ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3/16GBKingston TechnologyFlash Card 16G-byte USB Flash Drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/64GBKingstonArray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1270.99 грн
10+1159.55 грн
25+994.91 грн
100+860.22 грн
250+823.76 грн
500+818.55 грн
1000+766.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDV23YPHRAT101ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.