Продукція > DTD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DTD04S01DENMOS
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD05101DENMOS
на замовлення 5219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD05202DENMOS
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD11003DENMOS
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113/DTD113EKИэЕЖ/07+ SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+16.27 грн
82+9.92 грн
131+6.21 грн
500+4.25 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.89 грн
965+13.39 грн
1000+12.95 грн
2500+12.12 грн
5000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.12 грн
37+8.23 грн
100+5.10 грн
500+3.49 грн
1000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.25 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.14 грн
27+12.27 грн
100+4.32 грн
1000+3.07 грн
3000+2.37 грн
9000+1.95 грн
24000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.48 грн
1070+12.07 грн
2500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.10 грн
24+13.47 грн
100+6.14 грн
500+5.79 грн
1000+4.39 грн
3000+2.79 грн
6000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.48 грн
1070+12.07 грн
2500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EK
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.82 грн
12+27.42 грн
100+17.85 грн
500+14.92 грн
1000+12.83 грн
3000+8.85 грн
9000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 16038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1495+8.64 грн
1751+7.37 грн
1855+6.96 грн
2000+6.27 грн
3000+5.76 грн
6000+5.28 грн
12000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 1495
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+16.05 грн
835+15.47 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.53 грн
15+22.77 грн
100+10.74 грн
1000+7.46 грн
3000+5.93 грн
24000+5.86 грн
45000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+16.05 грн
835+15.47 грн
1000+14.96 грн
2500+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.00 грн
13+23.79 грн
100+15.12 грн
500+10.67 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ESROHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.23 грн
6000+2.78 грн
9000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.76 грн
1500+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 7871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.84 грн
32+10.34 грн
100+5.58 грн
500+4.11 грн
1000+3.49 грн
3000+2.86 грн
6000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 13075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.69 грн
33+9.37 грн
100+5.81 грн
500+3.99 грн
1000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.90 грн
73+11.14 грн
118+6.91 грн
500+4.76 грн
1500+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+4.90 грн
2713+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+9.23 грн
1446+8.93 грн
2500+8.66 грн
5000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 1398
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.83 грн
28+11.10 грн
100+6.93 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.02 грн
1000+4.24 грн
5000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.00 грн
94+8.70 грн
143+5.72 грн
500+5.02 грн
1000+4.24 грн
5000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1261+10.24 грн
2113+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 1261
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
на замовлення 23476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.11 грн
37+8.90 грн
100+4.67 грн
500+4.39 грн
1000+4.04 грн
3000+2.65 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKROHMSOT23
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+19.70 грн
680+18.98 грн
1000+18.36 грн
2500+17.18 грн
5000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 19401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+25.56 грн
542+23.83 грн
1000+16.26 грн
2000+15.35 грн
3000+10.91 грн
6000+9.15 грн
12000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 126181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.87 грн
15+21.53 грн
100+13.70 грн
500+9.67 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.74 грн
15+22.77 грн
100+12.62 грн
500+9.48 грн
1000+8.44 грн
3000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 18922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+25.56 грн
1000+23.83 грн
2000+16.26 грн
3000+15.35 грн
6000+10.91 грн
12000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 510
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+19.70 грн
680+18.98 грн
1000+18.36 грн
2500+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
6000+7.11 грн
9000+6.75 грн
15000+5.96 грн
21000+5.73 грн
30000+5.52 грн
75000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZS
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZSTPDTD113ZSTP Транзисторы Digital
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUROHMSOT323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZU T106ROHM0239+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 24154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.35 грн
11+30.55 грн
100+17.36 грн
500+13.25 грн
1000+11.78 грн
3000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+19.94 грн
672+19.21 грн
1000+18.59 грн
2500+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 648
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.42 грн
11+29.46 грн
100+18.94 грн
500+13.53 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+32.18 грн
770+16.78 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 10733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 393
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.36 грн
62+13.18 грн
159+5.12 грн
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.84 грн
32+10.34 грн
100+5.58 грн
500+4.11 грн
1000+3.49 грн
3000+2.86 грн
6000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+4.90 грн
2713+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.26 грн
30+10.27 грн
100+6.40 грн
500+4.40 грн
1000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.78 грн
38+21.47 грн
100+9.84 грн
500+6.73 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.50 грн
27+12.19 грн
100+9.55 грн
500+6.07 грн
1000+4.67 грн
3000+4.04 грн
6000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.84 грн
500+6.73 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKROHMSOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EK-T146ROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.49 грн
36+23.02 грн
100+13.10 грн
500+8.76 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.10 грн
500+8.76 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 36268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.59 грн
16+20.85 грн
100+12.69 грн
500+10.32 грн
1000+9.13 грн
3000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
6000+6.63 грн
9000+6.30 грн
15000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.76 грн
500+12.16 грн
1000+9.69 грн
5000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 43847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+20.65 грн
838+15.40 грн
1000+14.03 грн
2000+12.36 грн
3000+10.14 грн
6000+8.63 грн
12000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.05 грн
34+24.65 грн
100+16.76 грн
500+12.16 грн
1000+9.69 грн
5000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+18.88 грн
710+18.20 грн
1000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 684
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 80585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.22 грн
13+23.34 грн
100+14.91 грн
500+10.56 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ESROHMTO-92S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.02 грн
16+19.87 грн
100+10.05 грн
500+7.69 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-23, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.98 грн
19+17.80 грн
100+9.69 грн
500+6.83 грн
1000+5.58 грн
3000+4.74 грн
6000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.48 грн
1070+12.07 грн
2500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+13.62 грн
983+13.13 грн
1017+12.70 грн
2500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.60 грн
28+11.87 грн
100+6.41 грн
500+4.74 грн
1000+4.18 грн
3000+2.79 грн
6000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.05 грн
35+21.68 грн
37+20.31 грн
50+19.39 грн
100+10.77 грн
250+7.32 грн
500+6.86 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.83 грн
28+11.10 грн
100+6.89 грн
500+4.76 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GK T146ROHMSOT23
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+50.59 грн
266+48.55 грн
500+46.80 грн
1000+43.66 грн
2500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.46 грн
500+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+50.59 грн
266+48.55 грн
500+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMSOT-23 96+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.45 грн
34+24.24 грн
100+15.46 грн
500+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+50.59 грн
266+48.55 грн
500+46.80 грн
1000+43.66 грн
2500+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.37 грн
11+31.43 грн
100+14.01 грн
1000+10.53 грн
3000+8.99 грн
9000+8.44 грн
24000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.44 грн
11+28.63 грн
100+17.16 грн
500+14.91 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 12V 8.33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 12V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 8.33A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8549.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 19V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 6.3A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8549.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 19V 6.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 24vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 24V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 24V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 5A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8549.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-36SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 36V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADescription: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 48V 2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 120W INPUT 90~264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146ROHM06+ROHS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.82 грн
43+19.12 грн
110+7.40 грн
500+5.36 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+13.00 грн
1026+12.58 грн
2500+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 993
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.53 грн
22+13.75 грн
100+8.65 грн
500+6.02 грн
1000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.73 грн
21+15.31 грн
100+5.79 грн
1000+5.16 грн
3000+3.97 грн
9000+3.42 грн
24000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.12 грн
110+7.40 грн
500+5.36 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.25 грн
18+18.36 грн
100+6.55 грн
1000+4.53 грн
3000+3.49 грн
9000+3.00 грн
24000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.83 грн
27+11.25 грн
100+6.98 грн
500+4.82 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+21.44 грн
625+20.67 грн
1000+20.00 грн
2500+18.71 грн
5000+16.86 грн
10000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHM11+ROHS SOT-23
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EK T146ROHMSOT23
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.80 грн
32+26.03 грн
100+12.77 грн
500+10.12 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.12 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+29.50 грн
456+28.33 грн
500+27.30 грн
1000+25.46 грн
2500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+29.50 грн
456+28.33 грн
500+27.30 грн
1000+25.46 грн
2500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
13+24.10 грн
100+14.46 грн
500+12.57 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.27 грн
13+25.42 грн
100+12.06 грн
1000+8.37 грн
3000+7.11 грн
9000+6.62 грн
24000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 187642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1964+6.57 грн
2128+6.07 грн
2193+5.89 грн
2280+5.46 грн
3000+5.03 грн
6000+4.68 грн
12000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 1964
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.69 грн
34+9.06 грн
100+5.60 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+16.11 грн
34+9.62 грн
100+5.16 грн
500+3.77 грн
1000+3.35 грн
3000+2.72 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.48 грн
1070+12.07 грн
2500+11.72 грн
5000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.84 грн
79+10.33 грн
194+4.21 грн
500+3.83 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+13.76 грн
974+13.26 грн
1007+12.83 грн
2500+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.83 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.98 грн
17+19.89 грн
100+7.88 грн
1000+4.74 грн
3000+3.49 грн
9000+3.00 грн
24000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKROHMSOT23
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 14248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.42 грн
11+29.38 грн
100+18.80 грн
500+13.37 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+16.05 грн
835+15.47 грн
1000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.56 грн
11+30.23 грн
100+14.57 грн
1000+9.90 грн
3000+8.99 грн
9000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
6000+9.97 грн
9000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.83 грн
101+8.08 грн
500+4.91 грн
1500+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.89 грн
965+13.39 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.83 грн
28+11.03 грн
100+6.85 грн
500+4.74 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.60 грн
59+13.83 грн
101+8.08 грн
500+4.91 грн
1500+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.89 грн
965+13.39 грн
1000+12.95 грн
2500+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.25 грн
19+17.08 грн
100+6.48 грн
1000+4.53 грн
3000+3.07 грн
9000+2.79 грн
45000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.83 грн
27+11.25 грн
100+6.98 грн
500+4.82 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+20.63 грн
649+19.89 грн
1000+19.24 грн
2500+18.00 грн
5000+16.23 грн
10000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2239+5.76 грн
2455+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 2239
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.60 грн
28+11.87 грн
100+6.41 грн
500+4.74 грн
1000+4.18 грн
3000+3.56 грн
6000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKROHMSOT23
на замовлення 84620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YK/F62
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKFRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
на замовлення 15054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.59 грн
13+24.70 грн
100+13.74 грн
500+10.39 грн
1000+9.20 грн
3000+6.00 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 156693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.44 грн
14+22.81 грн
100+14.57 грн
500+10.32 грн
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 766
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.69 грн
6000+7.63 грн
9000+7.25 грн
15000+6.41 грн
21000+6.17 грн
30000+5.94 грн
75000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 51990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+120.46 грн
Мінімальне замовлення: 481
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT147
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD130-12SX-F-W7ETA-USADesktop AC Adapters 130W 90 - 264VAC 12Vout 10.83A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD130-19SX-F-W7ETA-USADesktop AC Adapters 130W 90 - 264VAC 19Vout 6.84A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD130-24SX-F-W7ETA-USADesktop AC Adapters 130W 90 - 264VAC 24Vout 5.41A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD130-36SX-F-W7ETA-USADesktop AC Adapters 130W 90 - 264VAC 36Vout 3.61A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD130-48SX-F-W7ETA-USADesktop AC Adapters 130W 90 - 264VAC 48Vout 2.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD13001DENMOS
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133EK
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133HKT146
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133HKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECRICOH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.72 грн
57+14.40 грн
139+5.86 грн
500+4.76 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.31 грн
6000+3.02 грн
12000+2.81 грн
18000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 3897
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.12 грн
37+8.31 грн
100+5.15 грн
500+3.53 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+12.09 грн
1104+11.69 грн
2500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.76 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.95 грн
28+11.87 грн
100+4.60 грн
1000+3.21 грн
3000+2.58 грн
9000+1.95 грн
24000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2674+4.83 грн
3037+4.25 грн
3185+4.05 грн
3199+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 2674
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.83 грн
27+11.25 грн
100+6.98 грн
500+4.82 грн
1000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+14.80 грн
80+10.25 грн
154+5.29 грн
500+4.81 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+11.18 грн
1194+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 1155
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 8462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.25 грн
18+18.28 грн
100+6.55 грн
1000+4.46 грн
3000+3.56 грн
9000+3.00 грн
24000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.81 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116
Код товару: 169680
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
14+22.96 грн
100+14.30 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 500mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EK T146ROHMSOT23-F23
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EK T146 SOT23-F23ROHM
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKAROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.61 грн
25+32.94 грн
100+21.47 грн
500+15.11 грн
1000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.82 грн
12+27.34 грн
100+17.78 грн
500+13.94 грн
1000+13.11 грн
3000+11.09 грн
9000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
12+26.21 грн
100+18.25 грн
500+13.37 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+44.11 грн
305+42.35 грн
500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 20664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.81 грн
12+26.78 грн
100+16.25 грн
500+12.62 грн
1000+10.32 грн
3000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.39 грн
6000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+44.11 грн
305+42.35 грн
500+40.82 грн
1000+38.08 грн
2500+34.22 грн
5000+31.96 грн
10000+31.18 грн
25000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+44.11 грн
305+42.35 грн
500+40.82 грн
1000+38.08 грн
2500+34.22 грн
5000+31.96 грн
10000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 8194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.59 грн
12+25.38 грн
100+17.64 грн
500+12.93 грн
1000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146/F23ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146SOT23-F23ROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ESROHMTO-92S
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 7573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1678+7.69 грн
1776+7.27 грн
1834+7.04 грн
2000+6.47 грн
3000+5.95 грн
6000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 1678
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
15+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.27 грн
13+26.54 грн
100+15.76 грн
1000+9.13 грн
3000+7.74 грн
9000+7.04 грн
24000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+28.52 грн
472+27.38 грн
500+26.39 грн
1000+24.62 грн
2500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD152ZMAKITADescription: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3200BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 165Nm
Versorgungsspannung, V AC: -
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10797.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD153ZMAKITADescription: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3600BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 170Nm
Versorgungsspannung, V AC: -
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11316.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD17102DENMOS
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD26101DENMOS
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of dispensing tool: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Operating pressure: 0...6.9bar
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+56089.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of dispensing tool: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Operating pressure: 0...6.9bar
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZEROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.37 грн
41+19.85 грн
100+12.61 грн
500+8.08 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.00 грн
13+23.72 грн
100+15.10 грн
500+10.66 грн
1000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.61 грн
500+8.08 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
14+24.21 грн
100+10.32 грн
1000+8.72 грн
3000+6.48 грн
9000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+12.87 грн
1037+12.45 грн
2500+12.08 грн
5000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 1003
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
6000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
13+25.26 грн
100+9.41 грн
1000+7.25 грн
3000+6.07 грн
9000+5.58 грн
24000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 28169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1987+6.50 грн
1990+6.49 грн
2229+5.79 грн
2322+5.36 грн
3000+4.95 грн
6000+4.72 грн
12000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 1987
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.30 грн
15+20.55 грн
100+13.03 грн
500+9.15 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.60 грн
12+27.50 грн
100+14.92 грн
500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHMDescription: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.39 грн
38+21.88 грн
100+13.58 грн
500+8.69 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.64 грн
13+25.10 грн
100+10.60 грн
1000+9.27 грн
3000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHMDescription: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.58 грн
500+8.69 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.00 грн
13+24.02 грн
100+15.27 грн
500+10.78 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+13.76 грн
974+13.26 грн
1007+12.83 грн
2500+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transistor
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.55 грн
13+24.70 грн
100+9.62 грн
1000+7.74 грн
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.27 грн
14+24.46 грн
100+14.50 грн
1000+9.06 грн
2500+6.83 грн
8000+6.00 грн
48000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.54 грн
41+19.93 грн
100+12.69 грн
500+8.08 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
17+19.48 грн
100+10.74 грн
500+8.02 грн
1000+7.18 грн
3000+6.41 грн
6000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.38 грн
17+18.73 грн
100+11.87 грн
500+8.33 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.69 грн
500+8.08 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
16+18.96 грн
100+12.03 грн
500+8.45 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
14+23.81 грн
100+9.27 грн
1000+7.25 грн
3000+6.07 грн
9000+5.58 грн
24000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 2646
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.27 грн
18+18.68 грн
100+10.74 грн
1000+9.20 грн
8000+5.44 грн
24000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.30 грн
15+21.00 грн
100+13.32 грн
500+9.39 грн
1000+8.38 грн
2000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.61 грн
500+8.08 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.37 грн
41+19.85 грн
100+12.61 грн
500+8.08 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.38 грн
17+18.73 грн
100+11.87 грн
500+8.33 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
14+24.21 грн
100+10.32 грн
1000+8.72 грн
3000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+7.67 грн
1741+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 1684
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.10 грн
13+25.34 грн
100+13.74 грн
1000+8.58 грн
3000+6.28 грн
9000+5.58 грн
24000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+23.58 грн
1000+17.64 грн
2000+11.19 грн
3000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 596
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
16+18.96 грн
100+12.03 грн
500+8.45 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.08 грн
14+24.21 грн
100+12.41 грн
1000+9.55 грн
3000+7.32 грн
9000+6.07 грн
24000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.38 грн
17+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+13.62 грн
983+13.13 грн
1017+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+23.58 грн
1000+17.55 грн
2000+14.89 грн
3000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
16+18.96 грн
100+12.03 грн
500+8.45 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+22.63 грн
1000+19.10 грн
2000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 1576
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.26 грн
18+18.60 грн
100+10.53 грн
1000+8.23 грн
2500+6.83 грн
8000+5.44 грн
24000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRNSISTR DIGI NPN 200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.94 грн
14+22.58 грн
100+11.39 грн
500+9.47 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLROHM SemiconductorDigital Transistors DIGI 200MA/30V 3EMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DIGI 200MA/30V 3VMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/128GBKingston TechnologyDescription: 128GB USB-A + USB-C 3.2 GEN 1 DA
Packaging: Bulk
Memory Size: 128GB
Memory Type: FLASH - NAND
Type: USB 3.2
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Size / Dimension: 64.00mm L x 21.20mm W x 10.40mm H
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1571.92 грн
10+1402.59 грн
25+1358.22 грн
50+1243.40 грн
100+1212.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/128GBKingstonUSB Flash Drives 128GB USB-A + USB-C 3.2 Gen 1 DataTraveler DuoG2
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1888.00 грн
10+1565.15 грн
25+1277.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/256GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 256GB; DataTraveler Duo; green; 0÷60°C
Type of data storage device: pendrive
Memory capacity: 256GB
Version: USB 3.2 Gen 1
Operating temperature: 0...60°C
Kind of connector: USB A; USB C
Colour: green
Manufacturer series: DataTraveler Duo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2940.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/256GBKingston TechnologyDescription: 256GB USB-A + USB-C 3.2 GEN 1 DA
Packaging: Bulk
Memory Size: 256GB
Memory Type: FLASH - NAND
Type: USB 3.2
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3743.89 грн
10+2954.13 грн
25+2791.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/256GBKingstonUSB Flash Drives 256GB USB-A + USB-C 3.2 Gen 1 DataTraveler DuoG2
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3792.26 грн
10+3479.90 грн
25+2852.39 грн
50+2625.09 грн
100+2457.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPROHMSOT89
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GP
Код товару: 106265
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GP/EO1PROHM
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPDHZGT100Rohm SemiconductorDescription: NPN, TO-243 (SOT-89), R2 ALONE T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
14+21.68 грн
25+19.37 грн
100+15.78 грн
250+14.63 грн
500+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPDHZGT100Rohm SemiconductorDescription: NPN, TO-243 (SOT-89), R2 ALONE T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPDHZGT100ROHM SemiconductorDigital Transistors DTDG14GPDHZG is a digital transistor (with built-in resistor and zener diode), suitable for driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.60 грн
14+23.09 грн
100+15.62 грн
500+13.81 грн
1000+13.18 грн
2000+12.76 грн
5000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.26 грн
13+66.62 грн
100+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 60V 1A
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.58 грн
10+37.69 грн
100+21.27 грн
500+16.32 грн
1000+14.71 грн
2000+12.62 грн
5000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.75 грн
10+37.69 грн
100+24.44 грн
500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100ROHMSOT-89 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.55 грн
2000+15.35 грн
3000+14.56 грн
5000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14PROHMN A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPROHM09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.36 грн
10+49.63 грн
100+32.61 грн
500+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.78 грн
18+46.77 грн
100+32.21 грн
500+21.45 грн
1000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 60V 1A
на замовлення 4085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.45 грн
10+49.71 грн
100+28.38 грн
500+22.03 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.21 грн
500+21.45 грн
1000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GP HRAT100ROHMSOT89
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPHRAT100ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPT100ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3/16GBKingston TechnologyFlash Card 16G-byte USB Flash Drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/128GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 128GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Memory capacity: 128GB
Version: USB 3.2 Gen 1
Read speed: 200MB/s
Kind of connector: USB A; USB C
Colour: violet
Manufacturer series: DataTraveler microDuo 3C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3195.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/128GBKingstonUSB Flash Drives
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/128GBKingston Technology128G Byte DataTraveler USB Flash Memory Drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/256GBKingstonUSB Flash Drives
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/64GBKingstonUSB Flash Drives
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/64GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 64GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Memory capacity: 64GB
Read speed: 200MB/s
Kind of connector: USB A; USB C
Version: USB 3.2 Gen 1
Colour: violet
Manufacturer series: DataTraveler microDuo 3C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2230.64 грн
3+1968.08 грн
5+1790.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDV23YPHRAT101ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.