НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DTD04S01DENMOS
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD05101DENMOS
на замовлення 5219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD05202DENMOS
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD11003DENMOS
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113/DTD113EKИэЕЖ/07+ SOT-23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.73 грн
965+13.24 грн
1000+12.80 грн
2500+11.98 грн
5000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+17.66 грн
82+10.77 грн
131+6.75 грн
500+4.62 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.48 грн
27+13.85 грн
100+4.88 грн
1000+3.46 грн
3000+2.68 грн
9000+2.20 грн
24000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.33 грн
37+9.10 грн
100+5.64 грн
500+3.86 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.62 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.33 грн
1070+11.93 грн
2500+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.08 грн
24+15.21 грн
100+6.93 грн
500+6.53 грн
1000+4.96 грн
3000+3.15 грн
6000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.33 грн
1070+11.93 грн
2500+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EK
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
12+30.96 грн
100+20.15 грн
500+16.85 грн
1000+14.49 грн
3000+10.00 грн
9000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+15.86 грн
835+15.29 грн
1000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+15.86 грн
835+15.29 грн
1000+14.79 грн
2500+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 16038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1495+8.54 грн
1751+7.29 грн
1855+6.88 грн
2000+6.20 грн
3000+5.70 грн
6000+5.22 грн
12000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 1495
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.43 грн
13+25.83 грн
100+16.42 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Produktpalette: DTD113E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.34 грн
15+25.71 грн
100+12.12 грн
1000+8.42 грн
3000+6.69 грн
24000+6.61 грн
45000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ESROHMTO-92S
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ESROHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
6000+3.02 грн
9000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.17 грн
1500+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 82
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+4.85 грн
2713+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 13075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.03 грн
33+10.17 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+19.43 грн
73+12.10 грн
118+7.51 грн
500+5.17 грн
1500+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist
на замовлення 7871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.01 грн
32+11.68 грн
100+6.30 грн
500+4.64 грн
1000+3.94 грн
3000+3.23 грн
6000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106
на замовлення 23476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+18.19 грн
37+10.05 грн
100+5.27 грн
500+4.96 грн
1000+4.57 грн
3000+2.99 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.44 грн
28+12.05 грн
100+7.52 грн
500+5.20 грн
1000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.45 грн
1000+4.60 грн
5000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1261+10.12 грн
2113+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 1261
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116ROHMDescription: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+18.46 грн
94+9.45 грн
143+6.21 грн
500+5.45 грн
1000+4.60 грн
5000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+9.13 грн
1446+8.83 грн
2500+8.57 грн
5000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 1398
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKROHMSOT23
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKROHM
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+19.47 грн
680+18.77 грн
1000+18.15 грн
2500+16.99 грн
5000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 19401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+25.26 грн
542+23.56 грн
1000+16.08 грн
2000+15.17 грн
3000+10.78 грн
6000+9.04 грн
12000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 126181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.03 грн
15+23.37 грн
100+14.88 грн
500+10.50 грн
1000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 18922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+25.26 грн
1000+23.56 грн
2000+16.08 грн
3000+15.17 грн
6000+10.78 грн
12000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 510
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.62 грн
15+25.71 грн
100+14.25 грн
500+10.71 грн
1000+9.53 грн
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+19.47 грн
680+18.77 грн
1000+18.15 грн
2500+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 656
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
6000+7.72 грн
9000+7.33 грн
15000+6.47 грн
21000+6.23 грн
30000+5.99 грн
75000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146ROHMDescription: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD113Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZS
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZSTPDTD113ZSTP Транзисторы Digital
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUROHM07+ SOT-323
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUROHMSOT323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZU T106ROHM0239+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZU T106ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+19.71 грн
672+18.99 грн
1000+18.37 грн
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 648
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.65 грн
11+31.98 грн
100+20.57 грн
500+14.69 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 24154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.85 грн
11+34.49 грн
100+19.60 грн
500+14.96 грн
1000+13.30 грн
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+31.81 грн
770+16.59 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD113ZUT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 10733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 393
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+21.02 грн
62+14.31 грн
159+5.56 грн
500+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2632+4.85 грн
2713+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 2632
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.74 грн
30+11.15 грн
100+6.95 грн
500+4.78 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.01 грн
32+11.68 грн
100+6.30 грн
500+4.64 грн
1000+3.94 грн
3000+3.23 грн
6000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.59 грн
38+23.31 грн
100+10.69 грн
500+7.31 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 8046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+23.15 грн
27+13.76 грн
100+10.79 грн
500+6.85 грн
1000+5.27 грн
3000+4.57 грн
6000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.69 грн
500+7.31 грн
1000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKROHM09+
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKROHM07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKROHMSOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EK-T146ROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.85 грн
36+24.99 грн
100+14.22 грн
500+9.51 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.22 грн
500+9.51 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKFRAT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
6000+7.20 грн
9000+6.85 грн
15000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.19 грн
500+13.20 грн
1000+10.52 грн
5000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 43847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+20.42 грн
838+15.23 грн
1000+13.87 грн
2000+12.22 грн
3000+10.03 грн
6000+8.53 грн
12000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 41344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.54 грн
17+22.36 грн
100+12.05 грн
500+9.76 грн
1000+8.66 грн
3000+7.87 грн
6000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.66 грн
34+26.76 грн
100+18.19 грн
500+13.20 грн
1000+10.52 грн
5000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+18.66 грн
710+17.99 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 684
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 80585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.58 грн
13+25.34 грн
100+16.19 грн
500+11.46 грн
1000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114EKT146ROHM SEMICONDUCTORDTD114EKT146 NPN SMD transistors
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.24 грн
175+6.69 грн
482+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ESROHMTO-92S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.51 грн
16+21.57 грн
100+10.91 грн
500+8.35 грн
1000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.33 грн
1070+11.93 грн
2500+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-23, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.60 грн
19+20.10 грн
100+10.94 грн
500+7.72 грн
1000+6.30 грн
3000+5.35 грн
6000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+13.47 грн
983+12.98 грн
1017+12.56 грн
2500+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.68 грн
35+21.44 грн
37+20.08 грн
50+19.17 грн
100+10.65 грн
250+7.23 грн
500+6.78 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.14 грн
28+13.40 грн
100+7.24 грн
500+5.35 грн
1000+4.72 грн
3000+3.15 грн
6000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.44 грн
28+12.05 грн
100+7.48 грн
500+5.17 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GK T146ROHMSOT23
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.45 грн
11+35.49 грн
100+15.82 грн
1000+11.89 грн
3000+10.16 грн
9000+9.53 грн
24000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+50.01 грн
266+48.00 грн
500+46.27 грн
1000+43.16 грн
2500+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.87 грн
500+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+50.01 грн
266+48.00 грн
500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMSOT-23 96+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146ROHMDescription: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD114GK Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.43 грн
29+31.00 грн
100+19.87 грн
500+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+50.01 грн
266+48.00 грн
500+46.27 грн
1000+43.16 грн
2500+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
DTD114GKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.73 грн
11+31.08 грн
100+18.63 грн
500+16.19 грн
1000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 12V 8.33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-12SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 12V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 8.33A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 100 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9282.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 19V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 6.3A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9282.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-19SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 19V 6.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 24vdc
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 24V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-24SX-F-W6ETA-USADescription: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm)
Voltage - Output: 24V
Output Connector: Power DIN, 4 Pin
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 39.4" (1.00m)
Operating Temperature: 0°C ~ 40°C
Applications: ITE (Commercial)
Input Type: Cord (Sold Separately)
Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL
Form: Desktop (Class I)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 5A
Input Connector: IEC 320-C14
Region Utilized: International
No Load Power Consumption: 300mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 120 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9282.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-36SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 36V 3.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADescription: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-48SX-F-W6ETA-USADesktop AC Adapters 120W 48V 2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD120-SX-F-WETA-USADesktop AC Adapters 120W INPUT 90~264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146ROHM06+ROHS
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD122JKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.55 грн
22+15.25 грн
100+9.56 грн
500+6.65 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.92 грн
21+17.29 грн
100+6.53 грн
1000+5.83 грн
3000+4.49 грн
9000+3.86 грн
24000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.75 грн
110+8.04 грн
500+5.82 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+30.20 грн
43+20.75 грн
110+8.04 грн
500+5.82 грн
1000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+12.85 грн
1026+12.44 грн
2500+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 993
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.77 грн
18+20.73 грн
100+7.40 грн
1000+5.12 грн
3000+3.94 грн
9000+3.39 грн
24000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.44 грн
27+12.22 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+21.20 грн
625+20.43 грн
1000+19.77 грн
2500+18.50 грн
5000+16.67 грн
10000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHM11+ROHS SOT-23
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHMSOT23/SOT323
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHM04+ SOT-23
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKROHMSOT23
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EK T146ROHMSOT23
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.13 грн
32+28.26 грн
100+13.87 грн
500+10.99 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.99 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+29.17 грн
456+28.00 грн
500+26.99 грн
1000+25.17 грн
2500+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+29.17 грн
456+28.00 грн
500+26.99 грн
1000+25.17 грн
2500+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.92 грн
13+26.16 грн
100+15.70 грн
500+13.65 грн
1000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123E
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.57 грн
13+28.70 грн
100+13.62 грн
1000+9.45 грн
3000+8.03 грн
9000+7.48 грн
24000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 187642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1964+6.50 грн
2128+6.00 грн
2193+5.82 грн
2280+5.40 грн
3000+4.97 грн
6000+4.62 грн
12000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 1964
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.03 грн
34+9.84 грн
100+6.08 грн
500+4.18 грн
1000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+18.19 грн
34+10.86 грн
100+5.83 грн
500+4.25 грн
1000+3.78 грн
3000+3.07 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1035+12.33 грн
1070+11.93 грн
2500+11.59 грн
5000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 1035
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+18.28 грн
79+11.22 грн
194+4.57 грн
500+4.16 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+13.60 грн
974+13.11 грн
1007+12.68 грн
2500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.16 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.60 грн
17+22.45 грн
100+8.90 грн
1000+5.35 грн
3000+3.94 грн
9000+3.39 грн
24000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKROHMSOT23
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+15.86 грн
835+15.29 грн
1000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.30 грн
6000+10.82 грн
9000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.54 грн
11+34.13 грн
100+16.45 грн
1000+11.18 грн
3000+10.16 грн
9000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 14248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.65 грн
11+31.90 грн
100+20.41 грн
500+14.52 грн
1000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123TSTPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver.
на замовлення 9169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.77 грн
19+19.28 грн
100+7.32 грн
1000+5.12 грн
3000+3.46 грн
9000+3.15 грн
45000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.01 грн
101+8.77 грн
500+5.33 грн
1500+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.73 грн
965+13.24 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.10 грн
18+18.62 грн
100+9.09 грн
500+7.11 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+21.28 грн
59+15.01 грн
101+8.77 грн
500+5.33 грн
1500+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+13.73 грн
965+13.24 грн
1000+12.80 грн
2500+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 930
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+20.40 грн
649+19.67 грн
1000+19.02 грн
2500+17.80 грн
5000+16.04 грн
10000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2239+5.70 грн
2455+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 2239
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHMDescription: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.14 грн
28+13.40 грн
100+7.24 грн
500+5.35 грн
1000+4.72 грн
3000+4.02 грн
6000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YCT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.44 грн
27+12.22 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKROHMSOT23
на замовлення 84620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKROHM05+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YK/F62
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 181698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.21 грн
16+21.57 грн
100+14.62 грн
500+10.67 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+30.11 грн
811+15.74 грн
1000+14.72 грн
2000+12.96 грн
3000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 465
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346
на замовлення 29010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.83 грн
13+27.88 грн
100+15.51 грн
500+11.73 грн
1000+10.39 грн
3000+7.48 грн
6000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146ROHMDescription: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-346
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD123Y
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
6000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD123YKT147
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD130-24SX-F-W7ETA-USADesktop AC Adapters 130W 90 - 264VAC 24Vout 5.41A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD13001DENMOS
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133EK
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133HKT146
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD133HKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECROHMSOT23
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECRICOH
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.58 грн
57+15.63 грн
139+6.37 грн
500+5.17 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.27 грн
6000+2.99 грн
12000+2.78 грн
18000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3897
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.33 грн
37+9.02 грн
100+5.59 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1068+11.95 грн
1104+11.56 грн
2500+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 1068
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 47
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
на замовлення 6798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.40 грн
28+13.40 грн
100+5.20 грн
1000+3.62 грн
3000+2.91 грн
9000+2.20 грн
24000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.17 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2674+4.77 грн
3037+4.20 грн
3185+4.01 грн
3199+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 2674
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.44 грн
27+12.22 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors
на замовлення 8462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.77 грн
18+20.64 грн
100+7.40 грн
1000+5.04 грн
3000+4.02 грн
9000+3.39 грн
24000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+16.07 грн
80+11.13 грн
154+5.74 грн
500+5.22 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+11.05 грн
1194+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 1155
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116ROHMDescription: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.22 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT116
Код товару: 169680
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.92 грн
14+24.93 грн
100+15.52 грн
500+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ECT216ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 500mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKROHMSOT23
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EK T146ROHMSOT23-F23
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EK T146 SOT23-F23ROHM
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKAROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
12+30.87 грн
100+20.08 грн
500+15.75 грн
1000+14.80 грн
3000+12.52 грн
9000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146ROHMDescription: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.60 грн
25+35.77 грн
100+23.31 грн
500+16.40 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.92 грн
12+28.46 грн
100+19.81 грн
500+14.52 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKFRAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+43.61 грн
305+41.87 грн
500+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.28 грн
6000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+43.61 грн
305+41.87 грн
500+40.35 грн
1000+37.64 грн
2500+33.83 грн
5000+31.60 грн
10000+30.83 грн
25000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+43.61 грн
305+41.87 грн
500+40.35 грн
1000+37.64 грн
2500+33.83 грн
5000+31.60 грн
10000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 8194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.21 грн
12+27.55 грн
100+19.16 грн
500+14.04 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA
на замовлення 20664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.91 грн
12+30.24 грн
100+18.34 грн
500+14.25 грн
1000+11.65 грн
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146/F23ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143EKT146SOT23-F23ROHM
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ESROHMTO-92S
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143ESTPRohm SemiconductorDescription: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 7573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1678+7.60 грн
1776+7.19 грн
1834+6.96 грн
2000+6.40 грн
3000+5.89 грн
6000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 1678
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
15+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 500MA
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.57 грн
13+29.97 грн
100+17.79 грн
1000+10.31 грн
3000+8.74 грн
9000+7.95 грн
24000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+28.20 грн
472+27.07 грн
500+26.09 грн
1000+24.34 грн
2500+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
DTD143TKT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD152ZMAKITADescription: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3200BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 165Nm
Versorgungsspannung, V AC: -
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11722.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD153ZMAKITADescription: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT
tariffCode: 82051000
Schlagrate, max.: 3600BPM
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Drehmoment: 170Nm
Versorgungsspannung, V AC: -
euEccn: NLR
Batterie-/Akkuspannung: 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Eingangsleistung: -W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12286.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD17102DENMOS
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD26101DENMOS
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+55684.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50FISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with square back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+66821.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTD50-RBFISNARCategory: Dispensers
Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar
Type of device: dispenser
Version: pneumatic
Syringe capacity: 50/50ml
Soldering equipment features: for use with round back cartridges
Operating pressure: 0...6.9bar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZEROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+35.15 грн
41+21.55 грн
100+13.69 грн
500+8.77 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.43 грн
13+25.75 грн
100+16.39 грн
500+11.57 грн
1000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.48 грн
14+27.34 грн
100+11.65 грн
1000+9.84 грн
3000+7.32 грн
9000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZE3TLROHMDescription: ROHM - DTD513ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.69 грн
500+8.77 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 500
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD513Z
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1003+12.73 грн
1037+12.31 грн
2500+11.94 грн
5000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 1003
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.48 грн
13+28.52 грн
100+10.63 грн
1000+8.19 грн
3000+6.85 грн
9000+6.30 грн
24000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 28169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1987+6.42 грн
1990+6.41 грн
2229+5.72 грн
2322+5.30 грн
3000+4.89 грн
6000+4.67 грн
12000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 1987
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLROHMDescription: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.32 грн
15+22.31 грн
100+14.15 грн
500+9.93 грн
1000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMGT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr
на замовлення 6759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.33 грн
12+31.05 грн
100+16.85 грн
500+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD513ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.63 грн
13+28.34 грн
100+11.97 грн
1000+10.47 грн
3000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHMDescription: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.82 грн
38+23.76 грн
100+14.75 грн
500+9.43 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.43 грн
13+26.08 грн
100+16.57 грн
500+11.70 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YE3TLROHMDescription: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.75 грн
500+9.43 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
939+13.60 грн
974+13.11 грн
1007+12.68 грн
2500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN Digital Transistor
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.14 грн
13+27.88 грн
100+10.86 грн
1000+8.74 грн
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.57 грн
14+27.61 грн
100+16.37 грн
1000+10.23 грн
2500+7.72 грн
8000+6.77 грн
48000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD523YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.06 грн
17+20.34 грн
100+12.88 грн
500+9.05 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.78 грн
500+8.77 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.37 грн
17+22.00 грн
100+12.12 грн
500+9.05 грн
1000+8.11 грн
3000+7.24 грн
6000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.33 грн
41+21.64 грн
100+13.78 грн
500+8.77 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.92 грн
16+20.58 грн
100+13.06 грн
500+9.18 грн
1000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.48 грн
14+26.89 грн
100+10.47 грн
1000+8.19 грн
3000+6.85 грн
9000+6.30 грн
24000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.57 грн
18+21.09 грн
100+12.12 грн
1000+10.39 грн
8000+6.14 грн
24000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.32 грн
15+22.80 грн
100+14.46 грн
500+10.19 грн
1000+9.10 грн
2000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 2646
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.69 грн
500+8.77 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHMDescription: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+35.15 грн
41+21.55 грн
100+13.69 грн
500+8.77 грн
1000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.48 грн
14+27.34 грн
100+11.65 грн
1000+9.84 грн
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.06 грн
17+20.34 грн
100+12.88 грн
500+9.05 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.28 грн
13+28.61 грн
100+15.51 грн
1000+9.68 грн
3000+7.09 грн
9000+6.30 грн
24000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+7.58 грн
1741+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 1684
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+23.31 грн
1000+17.44 грн
2000+11.06 грн
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 596
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.92 грн
16+20.58 грн
100+13.06 грн
500+9.18 грн
1000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543XMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.48 грн
14+27.34 грн
100+14.01 грн
1000+10.79 грн
3000+8.27 грн
9000+6.85 грн
24000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.06 грн
17+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
948+13.47 грн
983+12.98 грн
1017+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 948
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+23.31 грн
1000+17.35 грн
2000+14.72 грн
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.92 грн
16+20.58 грн
100+13.06 грн
500+9.18 грн
1000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZETLROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
571+22.37 грн
1000+18.88 грн
2000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 571
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.17 грн
18+21.00 грн
100+11.89 грн
1000+9.29 грн
2500+7.72 грн
8000+6.14 грн
24000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTD543ZMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1576+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 1576
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRNSISTR DIGI NPN 200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD713ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 7527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD723YMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLROHM SemiconductorDigital Transistors DIGI 200MA/30V 3EMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.77 грн
14+24.52 грн
100+12.37 грн
500+10.29 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DIGI 200MA/30V 3VMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743XMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZETLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZMT2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTD743ZMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/128GBKingstonUSB Flash Drives 128GB USB-A + USB-C 3.2 Gen 1 DataTraveler DuoG2
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1632.11 грн
10+1488.39 грн
25+1224.18 грн
50+1193.48 грн
100+1176.16 грн
250+1146.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/128GBKingston TechnologyDescription: 128GB USB-A + USB-C 3.2 GEN 1 DA
Packaging: Bulk
Memory Size: 128GB
Memory Type: FLASH - NAND
Type: USB 3.2
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1760.25 грн
10+1352.52 грн
25+1267.02 грн
100+1100.85 грн
250+1058.80 грн
500+1033.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/128GBKINGSTON TECHNOLOGYDTDEG2/128GB Pendrives
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1470.20 грн
4+1391.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/256GBKINGSTON TECHNOLOGYDTDEG2/256GB Pendrives
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3117.53 грн
2+2951.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDEG2/256GBKingstonUSB Flash Drives 256GB USB-A + USB-C 3.2 Gen 1 DataTraveler DuoG2
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3080.53 грн
10+2809.28 грн
25+2364.92 грн
50+2305.87 грн
100+2248.40 грн
250+2173.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPROHM08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPROHMSOT89
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GP
Код товару: 106265
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPROHM09+
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GP/EO1PROHM
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPDHZGT100ROHM SemiconductorDigital Transistors DTDG14GPDHZG is a digital transistor (with built-in resistor and zener diode), suitable for driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPFRAT100ROHMDescription: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+88.23 грн
13+72.33 грн
100+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 6616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.72 грн
10+38.71 грн
100+25.13 грн
500+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100ROHMSOT-89 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.04 грн
2000+15.78 грн
3000+14.97 грн
5000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14GPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGITAL NPN 60V 1A
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.53 грн
10+42.55 грн
100+24.01 грн
500+18.42 грн
1000+16.61 грн
2000+14.25 грн
5000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG14PROHMN A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPROHM09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 60V 1A
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.84 грн
10+56.13 грн
100+32.04 грн
500+24.88 грн
1000+17.48 грн
2000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.64 грн
18+50.78 грн
100+34.97 грн
500+23.29 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+84.31 грн
10+50.84 грн
100+33.34 грн
500+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 1.5W; SC62,SOT89; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC62; SOT89
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100ROHMDescription: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.97 грн
500+23.29 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTDG23YPT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GP HRAT100ROHMSOT89
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPHRAT100ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTDS14GPT100ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3/16GBKingston TechnologyFlash Card 16G-byte USB Flash Drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/128GBKingstonUSB Flash Drives
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/128GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 128GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 128GB
Version: USB 3.2 Gen 1
Kind of connector: USB A; USB C
Manufacturer series: DataTraveler microDuo 3C
Colour: violet
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1653.24 грн
3+1353.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/128GBKingston Technology128G Byte DataTraveler USB Flash Memory Drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/128GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 128GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 128GB
Version: USB 3.2 Gen 1
Kind of connector: USB A; USB C
Manufacturer series: DataTraveler microDuo 3C
Colour: violet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1983.88 грн
3+1687.19 грн
5+1564.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/256GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 256GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Colour: violet
Version: USB 3.2 Gen 1
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 256GB
Kind of connector: USB A; USB C
Manufacturer series: DataTraveler microDuo 3C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2278.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/256GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 256GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Colour: violet
Version: USB 3.2 Gen 1
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 256GB
Kind of connector: USB A; USB C
Manufacturer series: DataTraveler microDuo 3C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2734.20 грн
3+2522.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/256GBKingstonUSB Flash Drives
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/64GBKingstonUSB Flash Drives
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/64GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 64GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 64GB
Version: USB 3.2 Gen 1
Kind of connector: USB A; USB C
Manufacturer series: DataTraveler microDuo 3C
Colour: violet
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1126.89 грн
3+923.39 грн
5+889.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDUO3CG3/64GBKINGSTON TECHNOLOGYCategory: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 64GB; R: 200MB/s; violet; USB A,USB C
Type of data storage device: pendrive
Read speed: 200MB/s
Memory capacity: 64GB
Version: USB 3.2 Gen 1
Kind of connector: USB A; USB C
Manufacturer series: DataTraveler microDuo 3C
Colour: violet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1352.26 грн
3+1150.68 грн
5+1067.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTDV23YPHRAT101ROHM98+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.