Продукція > FQT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FQT-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT-1BKEssentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT-1BKEssentraTest Probes VOLT. PROBE SET GRN-BLK 4MM 150 MHZ 100:1 2000V-1000V CAT III TO EARTH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06onsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 140MOHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 110MOHM L SO223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFFSCSOT252
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFonsemi / FairchildMOSFET 60V Single
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFFairchild
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTF (транзистор)
Код товару: 48416
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06TFonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 42903 шт:
термін постачання 123-132 дні (днів)
6+73.77 грн
10+63.79 грн
100+42.50 грн
500+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60Consemionsemi QFC 600V 11.5OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 1069
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 11111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.67 грн
10+46.19 грн
100+31.53 грн
500+24.04 грн
1000+21.79 грн
2000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSonsemi / FairchildMOSFETs 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
на замовлення 8563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.12 грн
10+51.82 грн
100+30.74 грн
500+24.97 грн
1000+22.73 грн
2000+20.73 грн
4000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 9989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.58 грн
8000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80onsemionsemi QF 800V 20.0OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSonsemiMOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 72936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.80 грн
10+72.44 грн
100+43.46 грн
500+34.82 грн
1000+29.46 грн
2000+28.74 грн
4000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 297797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.98 грн
10+60.78 грн
100+42.80 грн
500+33.92 грн
1000+30.92 грн
2000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSONSEMIDescription: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.75 грн
13+71.65 грн
100+50.46 грн
500+40.44 грн
1000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSonsemi / FairchildMOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 73335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.52 грн
10+67.29 грн
100+41.22 грн
500+34.82 грн
1000+29.54 грн
2000+28.98 грн
4000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.39 грн
8000+26.12 грн
12000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25TFON Semiconductor / FairchildMOSFET -250V Single
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25TFON Semiconductor
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+80.81 грн
13+71.56 грн
100+54.95 грн
500+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 0.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFonsemi / FairchildMOSFETs -200V Single
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.25 грн
10+62.59 грн
100+37.06 грн
500+30.98 грн
1000+26.33 грн
2000+23.93 грн
4000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF
Код товару: 164122
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.27 грн
10+58.53 грн
100+44.88 грн
500+33.30 грн
1000+26.64 грн
2000+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF_SB82100Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 200V 1.75OHM L SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 320
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.45 грн
8000+23.33 грн
24000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFonsemi / FairchildMOSFETs 200V Single
на замовлення 28053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.45 грн
10+52.38 грн
100+32.42 грн
4000+28.34 грн
8000+27.77 грн
24000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.54 грн
10+48.61 грн
100+33.52 грн
500+25.63 грн
1000+23.26 грн
2000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFONSEMIFQT4N20LTF SMD N channel transistors
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+77.80 грн
36+33.82 грн
97+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT4N20LTF TFQT4n20ltf
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT4N20TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 1145
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20TFFAIRCHILDFQT4N20TF
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 1164
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25onsemi / FairchildMOSFET QF 250V 1.75OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.82 грн
10+44.19 грн
100+30.55 грн
500+23.95 грн
1000+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Pulsed drain current: 3.3A
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 1.75Ω
Drain current: 0.66A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFonsemi / FairchildMOSFET 250V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.33 грн
15+50.78 грн
25+45.60 грн
100+36.16 грн
250+33.18 грн
500+26.39 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10onsemi / FairchildMOSFETs QF -100V 1.05OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF
Код товару: 169563
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.06 грн
10+56.03 грн
100+36.34 грн
500+26.78 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+73.99 грн
50+52.44 грн
250+37.80 грн
1000+26.51 грн
2000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.96 грн
8000+24.84 грн
12000+24.71 грн
28000+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFonsemi / FairchildMOSFETs -100V Single
на замовлення 51772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.45 грн
10+51.18 грн
100+30.90 грн
500+25.29 грн
1000+23.05 грн
2000+21.21 грн
4000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.08 грн
250+37.35 грн
1000+25.01 грн
2000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF TFQT5P10TF VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF-VBVBsemiTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N1
Код товару: 105996
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10
Код товару: 147595
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 35MOHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 350MOHM L SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LFAIRCHIL09+ SOP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+87.10 грн
50+52.98 грн
250+36.81 грн
1000+25.35 грн
2000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.50 грн
10+50.70 грн
25+42.02 грн
50+37.62 грн
100+33.62 грн
250+29.02 грн
500+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFonsemi / FairchildMOSFETs 100V Single
на замовлення 24838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.47 грн
10+47.68 грн
100+28.74 грн
500+23.85 грн
1000+21.37 грн
2000+19.69 грн
4000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.98 грн
250+36.81 грн
1000+25.35 грн
2000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+63.75 грн
11+40.69 грн
25+35.02 грн
50+31.35 грн
100+28.02 грн
250+24.18 грн
500+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFON-SemiconductorN-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTF
Код товару: 106433
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.15 грн
8000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.07 грн
14+66.18 грн
100+50.73 грн
500+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFFSC09+ dip
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 9688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.41 грн
10+46.52 грн
100+32.17 грн
500+25.22 грн
1000+21.46 грн
2000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQTN35144-MCF-10Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 100mm cable and MCF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQTN35144-MCF-40Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 400mm cable and MCF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQTN35144-MR-10Embedded Antenna DesignPENTA BAND PCB ANTENNA 100MM CABLE AND MMCX RA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQTN35144-UF-10Embedded Antenna DesignAntenna Penta-Band 2dB Gain 850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz/2100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQTN35144-UF-15Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 200mm cable and U.FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQTNX08Panduit CorpDescription: COPPER CABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.