Продукція > FQT

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQT-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT-1BKEssentraTest Probes VOLT. PROBE SET GRN-BLK 4MM 150 MHZ 100:1 2000V-1000V CAT III TO EARTH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT-1BKEssentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06onsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 140MOHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 110MOHM L SO223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFFSCSOT252
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFonsemi / FairchildMOSFET 60V Single
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFONS/FAITrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06LTF (транзистор)
Код товару: 48416
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT13N06TFonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 42903 шт:
термін постачання 123-132 дні (днів)
6+63.63 грн
10+55.02 грн
100+36.66 грн
500+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60Consemionsemi QFC 600V 11.5OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSonsemi / FairchildMOSFETs 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
на замовлення 8563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+44.70 грн
100+26.51 грн
500+21.54 грн
1000+19.61 грн
2000+17.88 грн
4000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.57 грн
8000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+41.43 грн
100+28.28 грн
500+21.56 грн
1000+19.55 грн
2000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80onsemionsemi QF 800V 20.0OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 297797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+54.52 грн
100+38.39 грн
500+30.42 грн
1000+27.74 грн
2000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSONSEMIDescription: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.65 грн
13+64.27 грн
100+45.26 грн
500+36.27 грн
1000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSonsemiMOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 72906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+66.05 грн
100+38.31 грн
500+30.03 грн
1000+25.47 грн
2000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.47 грн
8000+23.43 грн
12000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSonsemi / FairchildMOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 73335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+58.03 грн
100+35.55 грн
500+30.03 грн
1000+25.47 грн
2000+24.99 грн
4000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25TFON Semiconductor / FairchildMOSFET -250V Single
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT2P25TFON Semiconductor
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFonsemi / FairchildMOSFETs -200V Single
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.45 грн
10+53.98 грн
100+31.96 грн
500+26.72 грн
1000+22.71 грн
2000+20.64 грн
4000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF
Код товару: 164122
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+52.50 грн
100+40.26 грн
500+29.87 грн
1000+23.89 грн
2000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.49 грн
13+64.19 грн
100+49.29 грн
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT3P20TF_SB82100Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 200V 1.75OHM L SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFonsemi / FairchildMOSFETs 200V Single
на замовлення 28053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+45.17 грн
100+27.96 грн
4000+24.44 грн
8000+23.95 грн
24000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+43.60 грн
100+30.06 грн
500+22.99 грн
1000+20.86 грн
2000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.38 грн
11+39.30 грн
100+28.34 грн
250+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFONS/FAIMOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.52 грн
8000+24.36 грн
24000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20LTF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT4N20LTF TFQT4n20ltf
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT4N20TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20TFFAIRCHILDFQT4N20TF
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1164+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 1164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 425mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25onsemi / FairchildMOSFET QF 250V 1.75OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Gate charge: 5.6nC
On-state resistance: 1.75Ω
Drain current: 0.66A
Power dissipation: 2.5W
Pulsed drain current: 3.3A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFonsemi / FairchildMOSFET 250V Single
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.91 грн
15+53.01 грн
25+47.61 грн
100+37.75 грн
250+34.64 грн
500+27.56 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
10+39.64 грн
100+27.40 грн
500+21.49 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10onsemi / FairchildMOSFETs QF -100V 1.05OHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.36 грн
50+47.04 грн
250+33.91 грн
1000+23.78 грн
2000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.92 грн
8000+27.79 грн
12000+27.64 грн
28000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFonsemi / FairchildMOSFETs -100V Single
на замовлення 51772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+44.14 грн
100+26.65 грн
500+21.81 грн
1000+19.88 грн
2000+18.29 грн
4000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.71 грн
250+33.50 грн
1000+22.44 грн
2000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF
Код товару: 169563
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+50.26 грн
100+32.59 грн
500+24.02 грн
1000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TFONS/FAI100 V P-Channel Mosfet SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF-VBVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230mOhm; 3A; 6,5W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF TFQT5P10TF VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF-VBVBsemiTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N1
Код товару: 105996
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10
Код товару: 147595
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 35MOHM SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 350MOHM L SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.52 грн
250+33.02 грн
1000+22.74 грн
2000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFonsemi / FairchildMOSFETs 100V Single
на замовлення 24838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.54 грн
10+41.12 грн
100+24.78 грн
500+20.57 грн
1000+18.43 грн
2000+16.98 грн
4000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]