Продукція > GD3

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD30-31488-000KnowlesSpeakers & Transducers RECEIVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-31488-000KnowlesDescription: SPEAKER 281OHM TOP PORT 100DB
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
Efficiency - dBA: 100.00
Frequency Range: 100 Hz ~ 6.7 kHz
Power - Max: 10 mW
Impedance: 281 Ohms
Height - Seated (Max): 0.240" (6.10mm)
Port Location: Top
Termination: Solder Pads
Technology: Magnetic
Type: Receiver, Balanced Armature
Shape: Rectangular
Size / Dimension: 0.240" L x 0.126" W (6.10mm x 3.20mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4902.76 грн
10+3851.29 грн
25+3554.43 грн
50+3317.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-31527-000KnowlesSpeakers & Transducers Balanced Armature Speaker
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-31527-000KnowlesDescription: SPEAKR 144.4OHM 10MW TOP 100DB
Technology: Magnetic
Type: Receiver, Balanced Armature
Shape: Rectangular
Size / Dimension: 0.240" L x 0.126" W (6.10mm x 3.20mm)
Packaging: Tray
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
Efficiency - dBA: 100.00
Frequency Range: 100 Hz ~ 6.7 kHz
Power - Rated: 10 mW
Power - Max: 50 mW
Impedance: 144.4 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.240" (6.10mm)
Port Location: Top
Termination: Solder Pads
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3662.77 грн
10+3256.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-31593-000KnowlesSpeakers & Transducers Balanced Armature Speaker
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-31593-000KnowlesDescription: SPEAKER 223OHM 10MW TOP PT 100DB
Technology: Magnetic
Type: Receiver, Balanced Armature
Shape: Rectangular
Size / Dimension: 0.240" L x 0.126" W (6.10mm x 3.20mm)
Packaging: Tray
Frequency Range: 100 Hz ~ 6.7 kHz
Power - Rated: 10 mW
Power - Max: 50 mW
Impedance: 223 Ohms
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.240" (6.10mm)
Port Location: Top
Termination: Solder Pads
Efficiency - Type: Sound Pressure Level (SPL)
Efficiency - dBA: 100.00
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4361.93 грн
10+3431.25 грн
25+3168.71 грн
40+2882.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-31879-000KnowlesSpeakers & Transducers RECEIVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-31879-000KnowlesDescription: RECEIVER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-32663-000KnowlesDescription: RECEIVER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30-32663-000KnowlesSpeakers & Transducers RECEIVER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 395 A, 3 V, 1.984 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3
Dauer-Kollektorstrom: 395
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3
Verlustleistung Pd: 1.984
Verlustleistung: 1.984
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 395
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX170C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 493 A, 1.85 V, 1.829 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 493
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 1.829
Verlustleistung: 1.829
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 493
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 343
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 819
Verlustleistung: 819
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 343
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 343A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C8SNSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C8 48mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Technology: Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFX65C8SNSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFX65C8SN - IGBT-Modul, Halbbrücke, 343 A, 1.45 V, 819 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 819W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 819W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 343A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 343A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 1.613
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 480
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HTY120C7SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Case: C7
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD300HTY120C7SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 483 A, 1.7 V, 1.612 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.612kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.612kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 483A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 483A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300NU-212DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 10.5 ~ 19.5VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 300 VA
Power - Output Surge: 420 VA
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24311.58 грн
10+19508.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD300NU-224DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 21 ~ 39VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 300 VA
Power - Output Surge: 420 VA
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21537.66 грн
10+17283.58 грн
100+14979.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD300NU-248DENRYODescription: DIASINE DC-AC Sine Wave Power In
Features: Frequency Control
Packaging: Retail Package
Voltage - Output: 200VAC, 220VAC, 230VAC, 240VAC
Voltage - Input: 42 ~ 78VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 9.21" L x 5.77" W x 1.73" H (234.0mm x 146.5mm x 44.0mm)
Connector - AC Output: Universal
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: International
Remote Capability: Yes
Power - Output Continuous: 300 VA
Power - Output Surge: 420 VA
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24311.58 грн
10+19508.99 грн
100+16907.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD300SInterlightDescription: Replacement for Lg GD300S Replac
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD300SGY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD300SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 600 A, 1.7 V, 2.941 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 600A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.941kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.941kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD300SGY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Case: C2 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Electrical mounting: screw
Semiconductor module: IGBT
Topology: single transistor
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD3030DEaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P BREAKER WITH RING LUG TERMINALS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3030DA3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 30A W/RING LUG TERM&AUX SW 1A1B RH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3030VFF01Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 30A 50 DEG C W/FUNGUS&FREEZE C/W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3035CEaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 35A Breaker With Steel Collars
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3040S1Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 40A W/ST 120VAC LH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3050CEaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 50A Breaker With Steel Collars
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3050CA3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 50A CB W/STL COLLARS&1A-1B AUX SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3060DA3Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 60A W/RING LUG TERM&AUX SW 1A1B RH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3060KEaton Electrical GD MOLDED CASE SWITCH 60A SINGLE PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3060KCEaton Electrical GD MCCB SW 3P 60A W/ STEEL TERM LINE &
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3060KDEaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 60 A Molded Case SW w/ Ring Lugs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD30BC2501ALRGigaDeviceBattery Management GD30 Charger IC Industrial (-40C to +85C) PMIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30DR8306KUGigaDeviceGate Drivers GD30 Motor Driver IC Industrial (-40C to +105C) PMIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2940 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06AGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.29 грн
10+328.03 грн
25+313.57 грн
100+273.87 грн
250+261.64 грн
500+252.80 грн
1000+239.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06AGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06AGENESICDescription: GENESIC - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06HGENESICDescription: GENESIC - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06HGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+462.42 грн
10+367.33 грн
30+366.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
10+344.18 грн
25+329.21 грн
100+288.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06JGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+366.68 грн
5+331.27 грн
25+321.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06JGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.21 грн
10+434.00 грн
25+415.43 грн
100+369.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06JGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06JGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.13 грн
10+589.26 грн
25+564.73 грн
100+497.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12HGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12JGeneSiC SemiconductorDescription: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.95 грн
10+757.20 грн
25+726.22 грн
100+639.72 грн
250+636.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+538.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12J-TRGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+714.84 грн
10+619.15 грн
25+600.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30PJX65F1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD30PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 46 A, 1.45 V, 123 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Verlustleistung: 123W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 46A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30PJX65L2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD30PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 55 A, 1.45 V, 163 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30PJX65L2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 30A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD30WS8805EUGigaDevicePower Management Specialised - PMIC GD30 Charger IC Consumer(-20C to +85C) PMIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD3100Omron Automation and SafetyPower Management IC Development Tools FRDMGD31ECNEVM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD3100KBP8Eaton Electrical GD MOLDED CASE SWITCH 100A BULK PACK (8)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3100KS1Bussmann / Eaton GD MCS 3P 100A W/ 120V SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3100KS1Eaton ElectricalCircuit Breakers GD MCS 3P 100A W/ 120V SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3100S1Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 100A W/ 120V SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3100S1Bussmann / Eaton GD 3P 100A W/ 120V SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3100S4Eaton ElectricalCircuit Breakers GD 3P 100A W/ 24V DC SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD3100S4Bussmann / Eaton GD 3P 100A W/ 24V DC SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD31244BGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD312444INTELBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD31244SL786IntelDescription: IC BRIDGE SATA PCI-X 256-LPBGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-E407Olimex LTDDescription: GD32F407ZG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F407ZG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s), Accessories
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-E407Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-H103Olimex LTDDescription: GD32F103RB EVAL BRD
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Utilized IC / Part: GD32F103RB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-H103Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Header board for STM32F103RBT6 CORTEX-M3 microcontroller
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-H405Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Header board with STM32F405RG ARM CORTEX M4 1024KB Flash 168 MHz 192KB SRAM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-H405Olimex LTDDescription: GD32F405RG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F405RG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-H407Olimex LTDDescription: GD32F407ZG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F407ZG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-H407Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Development board for STM32F407ZGT6 CORTEX-M4 microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-P103Olimex LTDDescription: GD32F103RB EVAL BRD
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Utilized IC / Part: GD32F103RB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-P103Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Header board for STM32F103RBT6 CORTEX M3 ARM microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-P405Olimex LTDDescription: GD32F405RG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F405RG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s)
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-P405Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Header board for STM32F405RGT6 ARM Cortex M4 1024KB FLASH 168 Mhz 192kB SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-P407Olimex LTDDescription: GD32F407ZG EVAL BRD
Utilized IC / Part: GD32F407ZG
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Contents: Board(s), LCD
Type: MCU 32-Bit
Mounting Type: Fixed
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32-P407Olimex Ltd.Development Boards & Kits - ARM Development board for STM32F407ZGT6 CORTEX-M4 microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32103B-EVALGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32103C-STARTGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM Eval
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32103E-EVALGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32103E-EVALGigadevice SemiconductorGD32103E-EVAL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19082.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD32107C EvalGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM Eval
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32107C-EVALGigaDeviceNOR Flash
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32130C-STARTGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM Eval
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD32150G-STARTGigaDeviceDevelopment Boards & Kits - ARM Eval
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]