Продукція > GHX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GHX-1017NF2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N JACK FEMALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRa, Sensor Networks, SigFox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Female
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.3
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -18dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-1017NX2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N PLUG MALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Male
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.7
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -11.7dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4328.41 грн
10+3880.57 грн
25+3689.72 грн
100+3300.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-328XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 928MHz
Applications: 802.11ah, IoT, ISM, LoRaWAN, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 2.7dBi, 2.7dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.6, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 1.811" (46.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM, WiFi
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-463XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 930MHz
Applications: 802.11ah, ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 1dBi, 2.4dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.3, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 6.929" (176.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 916MHz
RF Family/Standard: Cellular, General ISM, Navigation, WiFi
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-463XSA3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP SMA PLUG MALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 1dBi, 2.4dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 2
VSWR: 1.3, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 6.929" (176.00mm)
Return Loss: -17.7dB, -11.7dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 868MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 1 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.31 грн
10+486.47 грн
25+451.13 грн
100+394.65 грн
250+369.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1409.38 грн
10+969.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1359.54 грн
10+1131.99 грн
200+983.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3174.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2734.53 грн
10+2051.63 грн
20+1750.19 грн
50+1737.68 грн
100+1583.19 грн
200+1530.95 грн
500+1503.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2646.07 грн
10+1889.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1ESemiQDiode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2950.82 грн
10+2249.60 грн
50+1955.44 грн
100+1819.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8615.57 грн
10+8053.40 грн
30+6897.75 грн
100+6617.46 грн
250+6492.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2669.94 грн
10+1907.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5400.36 грн
10+4885.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5475.07 грн
10+5069.44 грн
30+4328.75 грн
100+3949.88 грн
250+3875.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7740.97 грн
10+7236.98 грн
30+6120.87 грн
100+5855.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4166.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3065.83 грн
20+2038.94 грн
50+1717.08 грн
100+1661.91 грн
200+1550.82 грн
500+1425.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12610.40 грн
10+11373.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4456.27 грн
10+3733.55 грн
20+3136.95 грн
50+3031.74 грн
100+2928.01 грн
200+2822.81 грн
500+2692.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2563.73 грн
10+1945.88 грн
20+1691.33 грн
100+1461.80 грн
500+1461.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1771.47 грн
10+1235.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3330.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3558.49 грн
10+2981.42 грн
20+2505.00 грн
50+2421.13 грн
100+2338.00 грн
200+2254.13 грн
500+2149.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3SemiQDescription: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3043.97 грн
10+2390.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3SemiQDiode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3344.78 грн
10+2802.06 грн
20+2354.92 грн
50+2275.46 грн
100+2197.48 грн
200+2118.76 грн
500+2020.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2283.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3061.54 грн
10+2449.27 грн
100+1885.55 грн
500+1884.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3322.51 грн
10+2404.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5699.94 грн
10+5091.43 грн
20+4349.35 грн
50+4270.63 грн
100+3969.74 грн
200+3906.47 грн
500+3872.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3SemiQDescription: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4357.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3SemiQDiode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6740.19 грн
10+5665.89 грн
20+4923.92 грн
50+4748.09 грн
100+4573.00 грн
200+4528.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.