Продукція > GHX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GHX-1017NF2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N JACK FEMALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRa, Sensor Networks, SigFox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Female
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.3
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -18dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-1017NX2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N PLUG MALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Male
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.7
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -11.7dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3234.80 грн
10+2951.01 грн
25+2803.48 грн
100+2505.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-2120SA1WJoymax ElectronicsDescription: ANT 868 STR WHIP SMA PLUG
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 1.4
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2.2
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Return Loss: -8.5dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 868MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 1 W
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.09 грн
10+232.46 грн
25+215.58 грн
100+188.58 грн
250+176.60 грн
500+166.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-2120SA2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 STR WHIP SMA PLUG
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902 ~ 930 MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 2
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2.5
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 0.866" (22.00mm)
Return Loss: -7.4dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 1 W
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.09 грн
10+232.46 грн
25+215.58 грн
100+188.58 грн
250+176.60 грн
500+166.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-325ASA3BJoymax ElectronicsDescription: ANT 868/915 STR WHIP SMA PLUG
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 928MHz
Applications: 802.11ah, IoT, ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox, Weightless-P™, Wi-Fi HaLow™
Gain: 2.4dBi, 4.2dBi
Termination: SMA Male
Ingress Protection: IP65
Number of Bands: 2
VSWR: 1.7, 1.8
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 4.370" (111.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM, WiFi
Power - Max: 1 W
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.88 грн
10+344.93 грн
25+325.77 грн
100+289.64 грн
250+275.16 грн
500+262.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-328XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 928MHz
Applications: 802.11ah, IoT, ISM, LoRaWAN, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 2.7dBi, 2.7dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.6, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 1.811" (46.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM, WiFi
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-463XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 930MHz
Applications: 802.11ah, ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 1dBi, 2.4dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.3, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 6.929" (176.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 916MHz
RF Family/Standard: Cellular, General ISM, Navigation, WiFi
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-463XSA3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP SMA PLUG MALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 1dBi, 2.4dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 2
VSWR: 1.3, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 6.929" (176.00mm)
Return Loss: -17.7dB, -11.7dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 868MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 1 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.02 грн
10+468.47 грн
25+434.43 грн
100+380.04 грн
250+355.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1259.89 грн
10+866.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1312.12 грн
10+923.61 грн
100+653.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3057.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1510.80 грн
10+1049.74 грн
100+761.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1422.36 грн
10+985.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2095.22 грн
10+1497.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1ESemiQDiode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2307.13 грн
10+1801.01 грн
100+1392.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3240.16 грн
10+2357.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7977.61 грн
10+7457.07 грн
30+6387.00 грн
100+6127.46 грн
250+6011.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5200.50 грн
10+4704.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5069.66 грн
10+4694.06 грн
30+4008.22 грн
100+3657.40 грн
250+3588.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7167.77 грн
10+6701.10 грн
30+5667.64 грн
100+5421.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4011.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2877.76 грн
10+2411.27 грн
100+1857.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12143.71 грн
10+10952.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1583.30 грн
10+1104.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1774.66 грн
10+1357.61 грн
100+1016.36 грн
500+1015.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3295.00 грн
10+2760.66 грн
20+2319.51 грн
50+2241.85 грн
100+2164.88 грн
200+2087.22 грн
500+1990.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3SemiQDescription: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2783.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3SemiQDiode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3012.07 грн
10+2523.29 грн
100+1944.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3SemiQDiode Modules 1200V, 60A, SOT-227 diode module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3412.62 грн
10+2765.36 грн
100+2124.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2040.81 грн
10+1444.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2125.93 грн
10+1539.36 грн
100+1204.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3093.13 грн
10+2292.19 грн
100+1921.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2970.40 грн
10+2149.79 грн
100+1992.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3SemiQDescription: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3SemiQDiode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4554.66 грн
10+3708.56 грн
100+2871.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.