Продукція > GHX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GHX-1017NF2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N JACK FEMALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRa, Sensor Networks, SigFox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Female
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.3
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -18dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-1017NX2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N PLUG MALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Male
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.7
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -11.7dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4378.16 грн
10+3925.17 грн
25+3732.13 грн
100+3338.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-328XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 928MHz
Applications: 802.11ah, IoT, ISM, LoRaWAN, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 2.7dBi, 2.7dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.6, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 1.811" (46.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM, WiFi
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-463XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 930MHz
Applications: 802.11ah, ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 1dBi, 2.4dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.3, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 6.929" (176.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 916MHz
RF Family/Standard: Cellular, General ISM, Navigation, WiFi
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-463XSA3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP SMA PLUG MALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 1dBi, 2.4dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 2
VSWR: 1.3, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 6.929" (176.00mm)
Return Loss: -17.7dB, -11.7dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 868MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 1 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.62 грн
10+492.06 грн
25+456.31 грн
100+399.18 грн
250+373.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1375.17 грн
10+1145.01 грн
200+994.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.77 грн
10+934.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3210.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2765.96 грн
10+2075.21 грн
20+1770.30 грн
50+1757.65 грн
100+1601.38 грн
200+1548.55 грн
500+1521.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2551.71 грн
10+1821.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1ESemiQDiode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2984.74 грн
10+2275.46 грн
50+1977.92 грн
100+1840.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8714.60 грн
10+8145.97 грн
30+6977.04 грн
100+6693.52 грн
250+6567.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3494.32 грн
10+2542.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5462.44 грн
10+4941.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5538.00 грн
10+5127.71 грн
30+4378.51 грн
100+3995.28 грн
250+3920.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7829.94 грн
10+7320.16 грн
30+6191.23 грн
100+5922.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3101.07 грн
20+2062.38 грн
50+1736.82 грн
100+1681.01 грн
200+1568.64 грн
500+1442.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4213.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12755.35 грн
10+11504.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4507.49 грн
10+3776.46 грн
20+3173.00 грн
50+3066.59 грн
100+2961.67 грн
200+2855.26 грн
500+2723.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2238.99 грн
10+1420.56 грн
100+1055.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1708.12 грн
10+1190.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3599.40 грн
10+3015.69 грн
20+2533.79 грн
50+2448.96 грн
100+2364.87 грн
200+2280.04 грн
500+2174.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3SemiQDiode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3455.28 грн
10+2894.18 грн
100+2241.34 грн
250+2091.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3SemiQDescription: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2934.87 грн
10+2304.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2200.75 грн
10+1557.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2565.42 грн
10+2230.11 грн
30+1615.52 грн
100+1453.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3202.92 грн
10+2318.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5765.46 грн
10+5149.96 грн
20+4399.34 грн
50+4319.72 грн
100+4015.37 грн
200+3951.37 грн
500+3917.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3SemiQDescription: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4201.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3SemiQDiode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4945.91 грн
10+4172.68 грн
100+3345.64 грн
250+3344.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.