Продукція > GHX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GHX-1017NF2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N JACK FEMALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRa, Sensor Networks, SigFox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Female
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.3
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -18dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-1017NX2WJoymax ElectronicsDescription: ANT 915 FIBERGLASS N PLUG MALE
Packaging: Box
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 4.5dBi
Termination: N Type Male
Ingress Protection: IP67
Number of Bands: 1
VSWR: 1.7
Antenna Type: Fiberglass Radome
Height (Max): 20.787" (528.00mm)
Return Loss: -11.7dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 10 W
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4439.74 грн
10+3980.38 грн
25+3784.63 грн
100+3385.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-328XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 928MHz
Applications: 802.11ah, IoT, ISM, LoRaWAN, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 2.7dBi, 2.7dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.6, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 1.811" (46.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM, WiFi
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-463XRS3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP RP-SMA PLUG FEMALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 930MHz
Applications: 802.11ah, ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox, Wi-Fi
Gain: 1dBi, 2.4dBi
Termination: RP-SMA Female
Number of Bands: 2
VSWR: 1.3, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 6.929" (176.00mm)
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 869MHz, 916MHz
RF Family/Standard: Cellular, General ISM, Navigation, WiFi
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHX-463XSA3BJoymax ElectronicsDescription: ANT LPWA WHIP SMA PLUG MALE
Packaging: Bag
Mounting Type: Connector Mount
Frequency Range: 862MHz ~ 876MHz, 902MHz ~ 930MHz
Applications: ISM, LoRaWAN, LPWA, Sigfox
Gain: 1dBi, 2.4dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 2
VSWR: 1.3, 1.7
Antenna Type: Whip, Straight
Height (Max): 6.929" (176.00mm)
Return Loss: -17.7dB, -11.7dB
Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz)
Frequency (Center/Band): 868MHz, 915MHz
RF Family/Standard: General ISM
Power - Max: 1 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.42 грн
10+498.98 грн
25+462.73 грн
100+404.80 грн
250+379.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1372.98 грн
10+944.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.51 грн
10+1161.11 грн
200+1008.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS010A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3256.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS015A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1645.42 грн
10+1216.65 грн
100+882.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS020A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2576.99 грн
10+1840.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D1ESemiQDiode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2674.57 грн
10+2087.92 грн
100+1614.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3530.41 грн
10+2568.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8837.18 грн
10+8260.54 грн
30+7075.17 грн
100+6787.67 грн
250+6659.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5539.27 грн
10+5010.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5615.89 грн
10+5199.83 грн
30+4440.09 грн
100+4051.47 грн
250+3975.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS030A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7940.08 грн
10+7423.12 грн
30+6278.31 грн
100+6005.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS045A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4273.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12934.76 грн
10+11665.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050A170S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3187.83 грн
10+2671.07 грн
100+2057.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 95A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2004.78 грн
10+1410.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B065S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1965.87 грн
10+1503.89 грн
100+1125.87 грн
500+1125.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 101A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3650.02 грн
10+3058.11 грн
20+2569.43 грн
50+2483.40 грн
100+2398.13 грн
200+2312.11 грн
500+2204.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3SemiQDiode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3336.61 грн
10+2795.17 грн
100+2153.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS050B170S-D3SemiQDescription: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2964.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D3SemiQDiode Modules 1200V, 60A, SOT-227 diode module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3780.32 грн
10+3063.32 грн
100+2353.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS060B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2223.54 грн
10+1573.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2355.00 грн
10+1705.22 грн
100+1334.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3SemiQDiode Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3426.41 грн
10+2539.17 грн
100+2128.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3126.35 грн
10+2263.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3SemiQDiode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5045.41 грн
10+4108.14 грн
100+3180.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B170S-D3SemiQDescription: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4244.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.