Продукція > IGT
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGT-1205AT | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000T TO Copper Ports: 1 Part Status: Active Distance: 550m SFP/XFP Ports: 2 (SFP) Fiber Ports: 2 Copper Type: 10/100/1000 Fiber Type: SFP Ingress Protection: IP30 Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Configuration: Fixed + SFP Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Mounting Type: DIN Rail Connector Type: RJ45, SFP Packaging: Box | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT-805AT | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000T TO Distance: 550m SFP/XFP Ports: 2 (SFP) Fiber Ports: 2 Copper Type: 10/100/1000 Fiber Type: SFP Ingress Protection: IP30 Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Copper Ports: 1 Configuration: Fixed + SFP Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Mounting Type: DIN Rail Connector Type: RJ45, SFP Packaging: Box | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT-815AT | Planet | Description: IP30 COMPACT SIZE INDUSTRIAL 100 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT-905A | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL SNMP MANAGEABLE | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT1112M90 | Integra Technologies Inc. | Description: RF MOSFET Packaging: Tray Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT200 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT200 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT201 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT202 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN/PNP-NO Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT202 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT203 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT203 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT204 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT204 | ifm efector, inc. | Description: PROXIMITY SENSOR, INDUCTIVE, 18M Packaging: Bag Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NC Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT205 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN/PNP-NO Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT205 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT206 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT207 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT208 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT209 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT211 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT240 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT241 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT247 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT249 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Part Status: Active Indicator: LED Ingress Protection: IP65, IP68, IP69K Sensor Type: Inductive Material - Body: Stainless Steel Voltage - Supply: 10V ~ 36V Termination Style: Connector Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Shielding: Unshielded Sensing Distance: 0.472" (12mm) Output Type: PNP-NO, 3-Wire Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Packaging: Box | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT250 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP65, IP67, IP68, IP69K Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT260 | ifm efector, inc. | Description: INDUCTIVE SENSOR, M18X1 L60MM NO Packaging: Bag Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN/PNP-NC/NO Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP65, IP66, IP67, IP68, IP69K Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT2731M130 | Integra Technologies Inc. | Description: RF MOSFET HEMT 50V PL44A1 Current - Test: 25 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 16 V Supplier Device Package: PL44A1 Technology: HEMT Gain: 16dB Power - Output: 130W Configuration: N-Channel Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: PL44A1 Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | IGT40R070D1ATMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT GAN HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R042D1 | Infineon Technologies | IGT60R042D1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R042D1 | Infineon Technologies | IGT60R042D1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): -10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A Type of transistor: N-JFET Technology: CoolGaN™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 125W Case: PG-HSOF-8-3 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 5.8nC Kind of transistor: HEMT Gate current: 20mA Pulsed drain current: 60A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET GAN HV | на замовлення 794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): -10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFETs HV GAN DISCRETES | на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): -10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): -10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 3.2nC SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm | на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT60R190D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET GAN HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 Код товару: 192373
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R025D2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | Enhancement-Mode Power GaN Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V | на замовлення 3961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 4146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | Enhancement-Mode Power GaN Transistor | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R025D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | на замовлення 1264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R025D2XTMA1 | Infineon Technologies | IGT65R025D2XTMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R025D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 11nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 70A | на замовлення 1264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HV GAN DISCRETES Vgs (Max): -10V Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HV GAN DISCRETES Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): -10V Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R045D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 6nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V | на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R045D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 6nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 38A | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R045D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 6nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R055D2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R055D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm | на замовлення 3033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 650V 31A 8PSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R055D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 4.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 31A | на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R055D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R055D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm | на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R140D2 | Infineon Technologies | HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies | Enhancement-Mode Power GaN Transistor | на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGT65R140D2ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V | на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies | Enhancement-Mode Power GaN Transistor | на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGT65R140D2ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies | Enhancement-Mode Power GaN Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGT65R140D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm | на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]