Продукція > IGT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGT-1205AT | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000T TO Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 2 SFP/XFP Ports: 2 (SFP) Distance: 550m Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT-805AT | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000T TO Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 2 SFP/XFP Ports: 2 (SFP) Distance: 550m Copper Ports: 1 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT-815AT | Planet | Description: IP30 COMPACT SIZE INDUSTRIAL 100 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT-905A | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL SNMP MANAGEABLE | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT1112M90 | Integra Technologies Inc. | Description: RF MOSFET Packaging: Tray Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT200 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT200 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT201 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT202 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT202 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN/PNP-NO Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT203 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT203 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT204 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT205 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT205 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN/PNP-NO Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT206 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT207 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT208 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT209 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT211 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT220 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT240 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT241 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT247 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT247 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT248 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT249 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT249 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP65, IP68, IP69K Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT250 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL Packaging: Box Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.472" (12mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 0°C ~ 100°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 36V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP65, IP67, IP68, IP69K Indicator: LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT260 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT261 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT262 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT263 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT2731M130 | Integra Technologies Inc. | Description: RF MOSFET HEMT 50V PL44A1 Packaging: Tray Package / Case: PL44A1 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz Configuration: N-Channel Power - Output: 130W Gain: 16dB Technology: HEMT Supplier Device Package: PL44A1 Voltage - Rated: 16 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 25 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | IGT40R070D1ATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | SP001998280 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT GAN HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT40R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R042D1 | Infineon Technologies | IGT60R042D1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R042D1 | Infineon Technologies | IGT60R042D1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies | GaN HEMT Gallium Nitride Transistor Gate Driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R042D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A Mounting: SMD Kind of package: tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10V Gate charge: 5.8nC Gate current: 20mA On-state resistance: 70mΩ Drain current: 31A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 600V Technology: CoolGaN™ Case: PG-HSOF-8-3 Kind of channel: enhancement Kind of transistor: HEMT Type of transistor: N-JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET GAN HV | на замовлення 794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | 600V Enhancement Mode Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFETs HV GAN DISCRETES | на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1ATMA4 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R070D1E8220ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R190D1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1ATMA1 | Infineon Technologies | Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A Type of transistor: N-JFET Technology: CoolGaN™ Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 55.5W Case: PG-HSOF-8-3 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Gate current: 7.7mA Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 Код товару: 192373
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET GAN HV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT60R190D1SATMA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGT65R025D2ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGT65R025D2ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R025D2ATMA1 | Infineon Technologies | IGT65R025D2ATMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT65R025D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R025D2XTMA1 | Infineon Technologies | IGT65R025D2XTMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT65R025D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HV GAN DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: HV GAN DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT65R035D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 1116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R045D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R045D2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6nC Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R045D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6nC Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R045D2XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6nC Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGT65R055D2ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V | на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGT65R055D2ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT65R140D2ATMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT6D10 | Harris Corporation | Description: 10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT6D11 | Harris Corporation | Description: 10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT6D20 | Harris Corporation | Description: 20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT6D21 | Harris Corporation | Description: 20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT6E10 | Harris Corporation | Description: 10A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT6E20 | Harris Corporation | Description: 20A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT6E21 | Harris Corporation | Description: 20A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT6E2121 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGT7E20CS | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-5 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGT99267J-STSUB | SANYO | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT99267M-STIGT99267G-ST | SANYO | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT99268C-Y42(D095) | SANYO | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT99268F-ST2G-ST2 | SANYO | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT99268GC-SUBI-E(D096) | SANYO | на замовлення 13160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT99268M-STSK | SANYO | на замовлення 938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT99353M-SUBI-E | SANYO | на замовлення 482 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT99353M-SUBI-E(D088) | SANYO | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGT99353M-SUBI-E(D122) | SANYO | на замовлення 18972 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGTA78486-002 | на замовлення 509 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IGTB-NAA | ALCATEL | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IGTH10N50 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGTH20N40AD | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTH20N40D | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTH20N50 | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTH20N50A | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-218 Isolated Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGTM10N40 | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTM10N40A | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 10A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTM10N50 | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTM10N50A | Harris Corporation | Description: IGBT 500V 10A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTM20N40 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGTM20N40A | Harris Corporation | Description: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGTM20N50 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IGTP-802T | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE- Packaging: Box Connector Type: RJ45, SC Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: Multimode Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 Distance: 550m Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTP-802TS | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE- Packaging: Box Connector Type: RJ45, SC Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: Singlemode Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 Distance: 10km Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTP-805AT | Planet | Description: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE- Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 SFP/XFP Ports: 1 (SFP) Distance: 120km Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTP-815AT | Planet | Description: IP30 COMPACT SIZE INDUSTRIAL 100 Packaging: Box Connector Type: RJ45, SFP Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 48 ~ 56VDC Configuration: Fixed + SFP Operating Temperature: -40°C ~ 75°C Ingress Protection: IP30 Fiber Type: SFP Copper Type: 10/100/1000 Fiber Ports: 1 SFP/XFP Ports: 1 (SFP) Distance: 100M Part Status: Active Copper Ports: 1 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTP10N40 | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 10A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTP10N40A | Harris Corporation | Description: IGBT 400V 10A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | на замовлення 1637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IGTRU/2-1 | ALCATEL | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |