Продукція > IGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGT-1205ATPlanetDescription: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000T TO
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Ports: 2 (SFP)
Distance: 550m
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16624.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT-805ATPlanetDescription: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000T TO
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 2
SFP/XFP Ports: 2 (SFP)
Distance: 550m
Copper Ports: 1
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9697.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT-815ATPlanetDescription: IP30 COMPACT SIZE INDUSTRIAL 100
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT-905APlanetDescription: IP30 INDUSTRIAL SNMP MANAGEABLE
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT1112M90Integra Technologies Inc.Description: RF MOSFET
Packaging: Tray
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT200ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9766.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT202ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN/PNP-NO
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11559.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT203ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9971.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT205ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN/PNP-NO
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11230.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT219IFM ELECTRONICIGT219 DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+7761.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT247ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO
Sensing Distance: 0.197" (5mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Part Status: Active
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7194.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT249ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP65, IP68, IP69K
Indicator: LED
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8784.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT250ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: 0°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 36V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP65, IP67, IP68, IP69K
Indicator: LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT2731M130Integra Technologies Inc.Description: RF MOSFET HEMT 50V PL44A1
Packaging: Tray
Package / Case: PL44A1
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 130W
Gain: 16dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: PL44A1
Voltage - Rated: 16 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1ATMA1Infineon TechnologiesIGT40R070D1ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1ATMA1Infineon TechnologiesSP001998280
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1E8220ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1E8220ATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1E8220ATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1E8220ATMA1Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT40R070D1E8220ATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R042D1Infineon TechnologiesIGT60R042D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R042D1Infineon TechnologiesIGT60R042D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R042D1ATMA1Infineon TechnologiesGaN HEMT Gallium Nitride Transistor Gate Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R042D1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R042D1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1479.84 грн
10+1457.21 грн
25+1434.58 грн
100+1360.66 грн
250+1239.66 грн
500+1170.68 грн
1000+1151.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA4Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1026.90 грн
10+691.95 грн
100+610.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA4Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2110.69 грн
10+1949.59 грн
25+1930.58 грн
100+1610.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA4Infineon Technologies600V Enhancement Mode Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA4Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA4Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1969.98 грн
10+1819.61 грн
25+1801.87 грн
100+1502.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA4Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1106.59 грн
10+783.34 грн
50+680.36 грн
100+537.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA4Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1E8220ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1ATMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1ATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT60R190D1ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.48 грн
10+449.86 грн
100+363.66 грн
500+275.15 грн
1000+238.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1
Код товару: 192373
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT60R190D1SATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.79 грн
5+1289.41 грн
10+1125.09 грн
50+940.50 грн
100+806.59 грн
250+790.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+941.30 грн
10+754.80 грн
100+547.49 грн
500+488.26 грн
1000+459.45 грн
2000+415.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGT65R025D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1125.09 грн
50+940.50 грн
100+806.59 грн
250+790.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1Infineon TechnologiesIGT65R025D2ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGT65R025D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+891.82 грн
10+596.74 грн
100+510.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1470.79 грн
5+1289.41 грн
10+1125.09 грн
50+940.50 грн
100+806.59 грн
250+790.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1Infineon TechnologiesIGT65R025D2XTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R025D2XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT65R025D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1125.09 грн
50+940.50 грн
100+806.59 грн
250+790.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R035D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+803.10 грн
10+600.16 грн
100+435.43 грн
500+387.41 грн
1000+344.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+665.36 грн
50+556.13 грн
100+477.18 грн
250+467.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.34 грн
10+448.28 грн
100+324.17 грн
500+288.95 грн
1000+257.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+870.08 грн
5+763.23 грн
10+665.36 грн
50+556.13 грн
100+477.18 грн
250+467.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+591.73 грн
50+491.93 грн
100+412.53 грн
250+404.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R045D2XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGT65R045D2XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+793.76 грн
5+687.80 грн
10+591.73 грн
50+491.93 грн
100+412.53 грн
250+404.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.87 грн
10+384.77 грн
100+270.54 грн
500+240.93 грн
1000+233.73 грн
2000+197.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGT65R055D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.46 грн
10+324.42 грн
100+238.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R055D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGT65R055D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGT65R140D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.07 грн
10+174.51 грн
100+122.30 грн
500+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.43 грн
10+196.06 грн
100+120.06 грн
500+105.66 грн
2000+89.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGT65R140D2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGT65R140D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT6D10Harris CorporationDescription: 10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT6D11Harris CorporationDescription: 10A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT6D20Harris CorporationDescription: 20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+302.22 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IGT6D21Harris CorporationDescription: 20A, 400V IGBT FOR MOTOR DRIVE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+302.22 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IGT6E10Harris CorporationDescription: 10A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT6E20Harris CorporationDescription: 20A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT6E21Harris CorporationDescription: 20A, 500V IGBT FOR MOTOR DRIVE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+306.45 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IGT6E2121Harris CorporationDescription: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT7E20CSHarris CorporationDescription: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+344.61 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99267J-STSUBSANYO
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99267M-STIGT99267G-STSANYO
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99268C-Y42(D095)SANYO
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99268F-ST2G-ST2SANYO
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99268GC-SUBI-E(D096)SANYO
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99268M-STSKSANYO
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99353M-SUBI-ESANYO
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99353M-SUBI-E(D088)SANYO
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGT99353M-SUBI-E(D122)SANYO
на замовлення 18972 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGTA78486-002
на замовлення 509 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGTB-NAAALCATEL
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH10N50Harris CorporationDescription: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH20N40ADHarris CorporationDescription: IGBT 400V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+284.17 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH20N40DHarris CorporationDescription: IGBT 400V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+275.95 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH20N50Harris CorporationDescription: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+227.29 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IGTH20N50AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGTM10N40Harris CorporationDescription: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+132.95 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
IGTM10N40AHarris CorporationDescription: IGBT 400V 10A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+136.66 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
IGTM10N50Harris CorporationDescription: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+139.52 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
IGTM10N50AHarris CorporationDescription: IGBT 500V 10A TO-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 153
В кошику  од. на суму  грн.
IGTM20N40Harris CorporationDescription: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGTM20N40AHarris CorporationDescription: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGTM20N50Harris CorporationDescription: N-CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGTP-802TPlanetDescription: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE-
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SC
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: Multimode
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
Distance: 550m
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16624.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGTP-802TSPlanetDescription: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE-
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SC
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: Singlemode
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
Distance: 10km
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17143.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGTP-805ATPlanetDescription: IP30 INDUSTRIAL 10/100/1000BASE-
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 120km
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14546.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGTP-815ATPlanetDescription: IP30 COMPACT SIZE INDUSTRIAL 100
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 48 ~ 56VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 100M
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15412.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGTP10N40Harris CorporationDescription: IGBT 400V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
IGTP10N40AHarris CorporationDescription: IGBT 400V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
IGTRU/2-1ALCATEL
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.