Продукція > SQ1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SQ100IKALOGICDescription: IKALOGIC - SQ100 - Logikanalysator, 4, 8kB, 100 MHz, 15 mm
tariffCode: 90308900
Stromverbrauch: -
hazardous: false
usEccn: 3A992.a
Frequenz: 100
Außenbreite: 50
Außentiefe: 50
euEccn: NLR
Datenspeichergröße: 8kB
Außenhöhe: 15
Produktpalette: ScanaQuad
Anzahl der Takteingänge: -
Gewicht: 80
Anzahl der Datenkanäle: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ100Pimoroni LtdDescription: LOGIC ANALZR/SIGNAL GENERATOR
Packaging: Bulk
Tool Type: Logic Analyzer, Signal Generator
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ100A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1012,131102720075010
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1012.131102720075010
на замовлення 649 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ10A-R33MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 330NH 33A 1.3MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.339" W (12.50mm x 8.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 50A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 330 nH
Current Rating (Amps): 33 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+58.88 грн
900+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
SQ10A-R33MHF-CTITG Electronics, Inc.Description: 0.33uH, 20%, 1.3mOhm, 50Amp Max
Tolerance: ±20%
Packaging: Strip
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.339" W (12.50mm x 8.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Molded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 50A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Inductance: 330 nH
Current Rating (Amps): 33 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.04 грн
5+76.04 грн
10+68.45 грн
50+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ10A-R47MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 470NH 25A 2.3MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.327" W (12.50mm x 8.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 2.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 40A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 470 nH
Current Rating (Amps): 25 A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+108.66 грн
900+79.63 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
SQ113-A3
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ113-A3.1
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ113C
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ12-12D250
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ12-12S500-V21ASIA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ12-5S1000
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1202************
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1213
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1218
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ124.5TEKOSQ124.5 Enclosures with Panel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1100.13 грн
2+789.42 грн
5+746.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ124.9TEKOSQ124.9 Enclosures with Panel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1100.13 грн
2+811.43 грн
5+766.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ124C-L
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1303-101KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1303-330KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1303-470KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1355Klein Tools, Inc.Description: BIT POWER SQUARE #1 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1420EEH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.29 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.16 грн
31+29.36 грн
100+24.87 грн
500+16.18 грн
1000+13.47 грн
5000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
10+38.52 грн
100+28.76 грн
500+21.20 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYSQ1421EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+42.24 грн
70+17.01 грн
193+16.11 грн
6000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 300666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.25 грн
10+39.40 грн
100+22.57 грн
500+17.77 грн
1000+15.13 грн
3000+13.69 грн
6000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.29 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.87 грн
500+16.18 грн
1000+13.47 грн
5000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 165289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.42 грн
10+42.53 грн
100+23.93 грн
500+18.41 грн
1000+16.57 грн
3000+14.25 грн
6000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.14 грн
6000+13.84 грн
9000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.125 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.96 грн
50+42.38 грн
100+31.61 грн
500+23.10 грн
1500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V
на замовлення 16828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.02 грн
10+37.02 грн
100+25.71 грн
500+18.83 грн
1000+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.125 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.06 грн
500+23.35 грн
1000+16.70 грн
3000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.07 грн
10+38.69 грн
100+25.06 грн
500+18.02 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.65 грн
11+33.69 грн
100+22.25 грн
500+18.33 грн
1000+14.89 грн
3000+13.29 грн
9000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.48 грн
6000+13.70 грн
9000+13.08 грн
15000+11.63 грн
21000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1440EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.20 грн
19+47.59 грн
100+32.06 грн
500+23.35 грн
1000+16.70 грн
3000+16.47 грн
6000+14.39 грн
12000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+31.16 грн
37+24.51 грн
100+13.65 грн
500+11.09 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.37 грн
16+22.01 грн
100+12.43 грн
500+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
736+17.23 грн
1158+10.95 грн
1205+10.52 грн
1219+10.03 грн
1418+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 736
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.25 грн
37+19.75 грн
40+18.46 грн
100+11.31 грн
250+10.06 грн
500+9.55 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.65 грн
500+11.09 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.13 грн
13+30.10 грн
100+15.53 грн
1000+10.33 грн
3000+9.28 грн
9000+8.32 грн
24000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+35.11 грн
50+29.72 грн
100+20.74 грн
500+15.01 грн
1500+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 268633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.95 грн
10+35.94 грн
100+26.76 грн
500+19.24 грн
1000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 211124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.42 грн
10+41.61 грн
100+23.93 грн
500+18.41 грн
1000+16.57 грн
3000+12.09 грн
6000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.05 грн
6000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.74 грн
500+15.01 грн
1500+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3VISHAYSQ1470AEH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+58.29 грн
62+19.51 грн
168+18.41 грн
3000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ147M1R0BATME
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.06 грн
500+15.01 грн
1500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.85/-0.85A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+30.17 грн
14+23.69 грн
15+20.31 грн
25+17.41 грн
50+15.81 грн
100+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 162308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.65 грн
18+21.17 грн
100+14.73 грн
500+14.01 грн
1000+13.37 грн
3000+11.85 грн
9000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.85/-0.85A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 4325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.14 грн
22+19.01 грн
25+16.93 грн
29+14.51 грн
50+13.17 грн
100+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 19211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.44 грн
18+19.51 грн
25+17.41 грн
100+14.11 грн
250+13.05 грн
500+12.42 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+34.12 грн
50+21.19 грн
100+17.06 грн
500+15.01 грн
1500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.44 грн
6000+11.65 грн
9000+11.48 грн
15000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.04 грн
16+21.68 грн
25+19.31 грн
100+15.67 грн
250+14.50 грн
500+13.79 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.85A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 311046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.28 грн
20+19.15 грн
100+13.37 грн
500+12.65 грн
1000+12.09 грн
3000+11.45 грн
6000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1643CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1643CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 110 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 2P+E, Gelb
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Gelb
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 110V
Pinbelegung: 2P+E
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: SQ
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5119.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1662-3Grayhill Inc.Description: MACH SCR P HD HREAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1662-3GrayhillScrews & Fasteners MACH SCR P HD hread
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1662-4Grayhill Inc.Description: MACH SCR P HD HREAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1662-4GrayhillScrews & Fasteners MACH SCR P HD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1663CILMEDescription: ILME - SQ1663C - CEE-Steckvorrichtung, Steckdose mit Verriegelung und Schalter, 16 A, 240 V, Steckdose, 2P+E, Blau
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Blau
Nennstrom: 16
Nennspannung V AC: 240
Pinbelegung: 2P+E
Steckverbindermontage: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1663CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1663CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 240 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 2P+E, Blau
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Blau
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 240V
Pinbelegung: 2P+E
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5168.41 грн
5+4959.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1665CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1665CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 415 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 3P+N+E, Rot
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Rot
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 415V
Pinbelegung: 3P+N+E
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6271.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1712-1Grayhill Inc.Description: MACHINE SCREW KNURLED
Packaging: Bulk
Type: Machine Screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1712-1GrayhillSwitch Fixings KNURLED FASTENER hread
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1712PV12NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 305mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 2dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1713P12NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 305mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1713PNFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CHAS MT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1713PP36SMMTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 914mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1852PG12NFLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1852PG12SMMLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE SMA MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1852PG36SMMLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE SMA MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1852PV12NFLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853P12NFLairdAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PIHKLaird Technologies IASDescription: HARDWARE KIT S2403BP ANT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,0,NF
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PNFLaird Technologies IASDescription: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PP36SMMLairdAntennas Omni,Squint,36in,SMA M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PP36SMMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 1.9GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1855DD12NFLaird Technologies IASDescription: ANTENNA 1850-1990MHZ 5DBI N FML
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+73.99 грн
20+46.24 грн
100+29.99 грн
500+21.34 грн
1000+17.78 грн
5000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.99 грн
500+21.34 грн
1000+17.78 грн
5000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.19 грн
10+42.62 грн
100+25.05 грн
500+19.21 грн
1000+16.73 грн
3000+14.81 грн
6000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 147081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.39 грн
11+35.90 грн
100+20.41 грн
500+15.53 грн
1000+13.85 грн
3000+11.93 грн
6000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.56 грн
26+35.29 грн
100+22.99 грн
500+19.51 грн
1000+16.39 грн
5000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.41 грн
11+33.02 грн
100+21.31 грн
500+15.23 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.99 грн
500+19.51 грн
1000+16.39 грн
5000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.98 грн
6000+11.45 грн
9000+10.92 грн
15000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EEH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.40 грн
6000+10.01 грн
9000+9.52 грн
15000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.18 грн
23+32.37 грн
25+32.04 грн
100+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.22 грн
12+29.85 грн
100+19.04 грн
500+13.50 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 181245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.15 грн
13+29.55 грн
100+12.17 грн
500+12.09 грн
1000+11.13 грн
3000+8.32 грн
6000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.42 грн
500+17.34 грн
1000+14.08 грн
5000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
6000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual Nch 20V Vds SOT-363
на замовлення 127888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.22 грн
11+34.52 грн
100+19.53 грн
500+14.97 грн
1000+13.13 грн
3000+11.93 грн
6000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.25 грн
24+37.44 грн
100+24.42 грн
500+17.34 грн
1000+14.08 грн
5000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.15 грн
10+34.27 грн
100+22.04 грн
500+15.73 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.74 грн
10+35.60 грн
100+22.93 грн
500+16.39 грн
1000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.41 грн
500+18.01 грн
1500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.97 грн
6000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+63.57 грн
50+38.97 грн
100+25.41 грн
500+18.01 грн
1500+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
672+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 672
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 339280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.39 грн
11+35.90 грн
100+20.41 грн
500+15.53 грн
1000+13.85 грн
3000+11.93 грн
6000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A 6-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.21 грн
40+18.21 грн
50+17.54 грн
100+14.45 грн
250+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1V-07BIDECDescription: IDEC - SQ1V-07B - RELAY SOCKET, 5PIN, 12A, 300V
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 12A
Nennspannung: 300V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Anschlussklemmen: Screw
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sockelmontage: DIN Rail
usEccn: EAR99
Produktpalette: RQ Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+789.27 грн
5+721.92 грн
10+686.01 грн
25+580.31 грн
50+454.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.