Продукція > SQ1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SQ1.5TEKOSQ1.5 Enclosures with Panel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1.9TEKOSQ1.9 Enclosures with Panel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ100Pimoroni LtdDescription: LOGIC ANALZR/SIGNAL GENERATOR
Packaging: Bulk
Tool Type: Logic Analyzer, Signal Generator
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ100IKALOGICDescription: IKALOGIC - SQ100 - Logikanalysator, 4, 8kB, 100 MHz, 15 mm
tariffCode: 90308900
Stromverbrauch: -
hazardous: false
usEccn: 3A992.a
Frequenz: 100
Außenbreite: 50
Außentiefe: 50
euEccn: NLR
Datenspeichergröße: 8kB
Außenhöhe: 15
Produktpalette: ScanaQuad
Anzahl der Takteingänge: -
Gewicht: 80
Anzahl der Datenkanäle: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ100A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1012,131102720075010
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1012.131102720075010
на замовлення 649 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ10A-R33MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 330NH 33A 1.3MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.339" W (12.50mm x 8.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 50A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 330 nH
Current Rating (Amps): 33 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+54.12 грн
900+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
SQ10A-R33MHF-CTITG Electronics, Inc.Description: 0.33uH, 20%, 1.3mOhm, 50Amp Max
Packaging: Strip
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.339" W (12.50mm x 8.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Molded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 1.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 50A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Inductance: 330 nH
Current Rating (Amps): 33 A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.70 грн
5+69.89 грн
10+62.92 грн
50+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ10A-R47MHFITG Electronics, Inc.Description: FIXED IND 470NH 25A 2.3MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.492" L x 0.327" W (12.50mm x 8.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -55°C ~ 130°C
DC Resistance (DCR): 2.3mOhm
Current - Saturation (Isat): 40A
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.335" (8.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 470 nH
Current Rating (Amps): 25 A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+99.87 грн
900+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
SQ113-A3
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ113-A3.1
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ113C
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ12-12D250
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ12-12S500-V21ASIA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ12-5S1000
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1202************
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1213
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1218
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ124.5TEKOSQ124.5 Enclosures with Panel
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1011.14 грн
2+722.81 грн
5+683.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ124.9TEKOSQ124.9 Enclosures with Panel
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1011.14 грн
2+722.81 грн
5+683.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ124C-L
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1303-101KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1303-330KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1303-470KSB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1355Klein Tools, Inc.Description: BIT POWER SQUARE #1 3.5"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1420EEH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.37 грн
50+27.23 грн
100+21.04 грн
500+17.70 грн
1500+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.54 грн
19+20.84 грн
50+17.55 грн
70+12.80 грн
193+12.11 грн
1000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.64 грн
12+25.98 грн
50+21.06 грн
70+15.36 грн
193+14.53 грн
1000+14.07 грн
3000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.97 грн
10+35.40 грн
100+26.43 грн
500+19.49 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.04 грн
500+17.70 грн
1500+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 318352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.03 грн
12+30.20 грн
100+19.13 грн
500+15.38 грн
1000+13.39 грн
3000+10.74 грн
9000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.125 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.46 грн
500+21.46 грн
1000+15.35 грн
3000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3VISHAYSQ1431EH-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V
на замовлення 16828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.38 грн
10+34.03 грн
100+23.63 грн
500+17.31 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1431EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.125 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.99 грн
50+34.83 грн
100+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 3A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 180871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.82 грн
10+35.53 грн
100+21.04 грн
500+18.32 грн
1000+14.79 грн
3000+13.32 грн
9000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.92 грн
6000+12.72 грн
9000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.93 грн
10+33.72 грн
100+23.21 грн
500+17.69 грн
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1440EH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-363
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.57 грн
19+43.74 грн
100+29.46 грн
500+21.46 грн
1000+15.35 грн
3000+15.14 грн
6000+13.23 грн
12000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.28 грн
11+30.96 грн
100+20.45 грн
500+16.85 грн
1000+13.68 грн
3000+12.21 грн
9000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
6000+12.98 грн
9000+12.04 грн
15000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.03 грн
50+23.77 грн
100+16.42 грн
500+13.10 грн
1500+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.96 грн
13+27.67 грн
100+14.27 грн
1000+9.49 грн
3000+8.53 грн
9000+7.65 грн
24000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
15+20.92 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
736+16.59 грн
1158+10.54 грн
1205+10.13 грн
1219+9.66 грн
1418+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 736
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.42 грн
500+13.10 грн
1500+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
6000+8.65 грн
9000+8.00 грн
15000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+21.07 грн
37+16.48 грн
40+15.41 грн
100+9.44 грн
250+8.40 грн
500+7.97 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.00 грн
500+19.01 грн
1500+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.92 грн
6000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.68 грн
26+32.93 грн
100+23.69 грн
500+17.24 грн
1000+12.87 грн
5000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3VISHAYSQ1470AEH-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.32 грн
61+17.84 грн
166+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 268633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.75 грн
10+33.03 грн
100+24.60 грн
500+17.69 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 209136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.82 грн
10+38.41 грн
100+24.35 грн
500+18.69 грн
1000+15.74 грн
3000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ147M1R0BATME
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 850/-850mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.6/1.4nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.23 грн
25+15.79 грн
68+13.33 грн
186+12.57 грн
500+12.11 грн
1000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.71 грн
6000+11.89 грн
9000+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.19 грн
500+13.49 грн
1500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 162308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.84 грн
18+19.46 грн
100+13.54 грн
500+12.87 грн
1000+12.29 грн
3000+10.89 грн
9000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.70 грн
50+19.06 грн
100+15.19 грн
500+13.49 грн
1500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 15V, 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 10528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
16+19.92 грн
25+17.75 грн
100+14.41 грн
250+13.33 грн
500+12.68 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1539EH-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 850/-850mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 850/-850mA
Power dissipation: 1.5W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω/380mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.6/1.4nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.68 грн
15+19.67 грн
68+16.00 грн
186+15.08 грн
500+14.53 грн
1000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 365132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.84 грн
18+19.46 грн
100+13.54 грн
500+12.87 грн
1000+12.29 грн
3000+11.40 грн
9000+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1563AEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89pF @ 10V, 84pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.44 грн
16+19.92 грн
25+17.75 грн
100+14.41 грн
250+13.33 грн
500+12.68 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1643CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1643CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 110 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 2P+E, Gelb
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Gelb
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 110V
Pinbelegung: 2P+E
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: SQ
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4992.97 грн
5+4369.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1662-3Grayhill Inc.Description: MACH SCR P HD HREAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1662-3GrayhillScrews & Fasteners MACH SCR P HD hread
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1662-4Grayhill Inc.Description: MACH SCR P HD HREAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1662-4GrayhillScrews & Fasteners MACH SCR P HD hread
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1663CILMEDescription: ILME - SQ1663C - CEE-Steckvorrichtung, Steckdose mit Verriegelung und Schalter, 16 A, 240 V, Steckdose, 2P+E, Blau
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Blau
Nennstrom: 16
Nennspannung V AC: 240
Pinbelegung: 2P+E
Steckverbindermontage: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1663CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1663CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 240 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 2P+E, Blau
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Blau
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 240V
Pinbelegung: 2P+E
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4544.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1665CAPRO POWERDescription: PRO POWER - SQ1665CA - CEE-Steckvorrichtung, 16 A, 415 V, Oberflächenmontage, Steckdose, 3P+N+E, Rot
tariffCode: 85444995
Steckverbinder-Ausführung: Steckdose
productTraceability: No
IP-Schutzart: IP44
Steckverbinderfarbe: Rot
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 16A
Nennspannung V AC: 415V
Pinbelegung: 3P+N+E
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5778.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1712-1Grayhill Inc.Description: MACHINE SCREW KNURLED
Packaging: Bulk
Type: Machine Screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1712-1GrayhillSwitch Fixings KNURLED FASTENER hread
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1712PV12NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 305mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 2dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1713P12NFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 305mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: N Type Female
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1713PNFTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CHAS MT
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Height (Max): 1.250" (31.75mm)
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1713PP36SMMTE Connectivity LairdDescription: RF ANT 1.8GHZ PANEL CAB CHAS MT
Packaging: Bulk
Features: Cable - 914mm
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency Range: 1.71GHz ~ 1.88GHz
Gain: 3.5dBi
Termination: SMA Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Antenna Type: Panel
Frequency Group: UHF (1GHz ~ 2GHz)
Frequency (Center/Band): 1.8GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1852PG12NFLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1852PG12SMMLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE SMA MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1852PG36SMMLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE SMA MALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1852PV12NFLaird Technologies IASDescription: ANT CEILING/SMT DIPOLE N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853P12NFLaird Technologies IASDescription: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853P12NFLairdAntennas Omni,Squint,12in,NF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PIHKLaird Technologies IASDescription: HARDWARE KIT S2403BP ANT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PNFLaird ConnectivityAntennas Omni,Squint,0,NF
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PNFLaird Technologies IASDescription: ANT 1850-1990MHZ 3.5DBI N FEMALE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PP36SMMLairdAntennas Omni,Squint,36in,SMA M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1853PP36SMMLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 1.9GHZ PANEL CAB CHAS MT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1855DD12NFLaird Technologies IASDescription: ANTENNA 1850-1990MHZ 5DBI N FML
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.68 грн
25+33.84 грн
100+23.77 грн
500+17.24 грн
1000+12.95 грн
5000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.12 грн
10+40.86 грн
100+34.80 грн
3000+12.29 грн
9000+11.84 грн
24000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1902AEL-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 780mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.345ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.345ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.77 грн
500+17.24 грн
1000+12.95 грн
5000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.78A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1902AEL-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.78A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1/GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.25 грн
6000+11.12 грн
9000+10.34 грн
15000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.58 грн
27+31.53 грн
100+23.36 грн
500+19.54 грн
1000+16.06 грн
5000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 151487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.03 грн
11+32.15 грн
100+20.67 грн
500+15.82 грн
1000+12.73 грн
3000+11.11 грн
9000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+32.42 грн
100+20.91 грн
500+14.95 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1912AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.36 грн
500+19.54 грн
1000+16.06 грн
5000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EEH-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 185315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.88 грн
15+24.11 грн
100+11.26 грн
1000+9.34 грн
3000+8.09 грн
9000+7.58 грн
24000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+16.36 грн
51+11.90 грн
100+10.46 грн
250+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1365+8.94 грн
1369+8.91 грн
1386+8.81 грн
2000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 1365
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+9.20 грн
9000+8.75 грн
15000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912EH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.16 грн
12+27.43 грн
100+17.50 грн
500+12.41 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.90 грн
500+13.72 грн
1000+10.61 грн
5000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.52 грн
10+31.50 грн
100+20.25 грн
500+14.45 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.85A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922AEEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.19 грн
28+29.96 грн
100+22.37 грн
500+15.86 грн
1000+11.67 грн
5000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.84 грн
6000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual Nch 20V Vds SOT-363
на замовлення 144558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.26 грн
12+28.43 грн
100+16.33 грн
500+14.35 грн
1000+11.77 грн
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 346899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.70 грн
14+25.80 грн
100+16.99 грн
500+13.68 грн
1000+11.55 грн
3000+10.01 грн
9000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.97 грн
500+17.17 грн
1500+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+32.72 грн
100+21.07 грн
500+15.06 грн
1000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ1922EEH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 840 mA, 840 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 840mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.30 грн
50+24.68 грн
100+19.97 грн
500+17.17 грн
1500+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.84 грн
6000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.84A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.89 грн
27+22.54 грн
100+17.26 грн
500+13.59 грн
1000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1A41N-5LO1-C6-QSMCSQ1A41N-5LO1-C6-Q Valve and Manifolds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1V-07BIDECDescription: IDEC - SQ1V-07B - RELAY SOCKET, 5PIN, 12A, 300V
tariffCode: 85364110
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 12A
Nennspannung: 300V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Anschlussklemmen: Screw
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sockelmontage: DIN Rail
usEccn: EAR99
Produktpalette: RQ Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.42 грн
5+663.53 грн
10+630.52 грн
25+533.37 грн
50+417.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.