Продукція > WMJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
WMJ020N10HGSWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 347.2W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.14 грн
3+226.20 грн
10+191.69 грн
30+173.29 грн
90+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ020N10HGSWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 347.2W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.52 грн
10+159.74 грн
30+144.41 грн
90+139.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ023N08HGSWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 280A; Idm: 1120A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 320.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 280A
Pulsed drain current: 1120A
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ028N10HGSWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.05 грн
3+178.95 грн
10+151.99 грн
30+136.50 грн
90+132.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ028N10HGSWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.60 грн
10+126.66 грн
30+113.75 грн
90+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.08 грн
5+83.10 грн
10+62.12 грн
30+56.47 грн
120+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.55 грн
10+74.55 грн
30+67.77 грн
120+62.93 грн
300+60.02 грн
900+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.70 грн
3+428.39 грн
10+409.03 грн
30+367.08 грн
120+355.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+598.45 грн
3+533.84 грн
10+490.84 грн
30+440.49 грн
120+426.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ12N120D1WAYONWMJ12N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+383.67 грн
8+146.19 грн
22+137.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ130N20JNWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
On-state resistance: 5.2mΩ
Power dissipation: 416W
Drain current: 117A
Drain-source voltage: 200V
Pulsed drain current: 620A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ130N25JNWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; Idm: 435A; 312W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 435A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.51 грн
3+367.96 грн
10+265.26 грн
30+239.13 грн
120+221.70 грн
300+211.05 грн
900+201.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+397.92 грн
3+295.28 грн
10+221.05 грн
30+199.27 грн
120+184.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.77 грн
4+89.78 грн
10+64.57 грн
30+57.99 грн
120+53.73 грн
300+51.50 грн
900+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.31 грн
6+72.04 грн
10+53.81 грн
30+48.33 грн
120+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ220N20HG3WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 82A; Idm: 328A; 329W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 329W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.26 грн
6+77.45 грн
10+58.09 грн
30+51.63 грн
120+48.41 грн
300+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.11 грн
4+96.51 грн
10+69.70 грн
30+61.96 грн
120+58.09 грн
300+55.18 грн
900+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+539.02 грн
3+415.21 грн
10+299.15 грн
30+270.10 грн
120+249.77 грн
300+238.16 грн
900+213.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.18 грн
3+333.19 грн
10+249.29 грн
30+225.09 грн
120+208.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FDWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.60 грн
3+198.46 грн
10+149.25 грн
30+133.92 грн
120+124.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.12 грн
3+247.32 грн
10+179.10 грн
30+160.71 грн
120+149.09 грн
300+142.31 грн
900+127.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+405.57 грн
3+312.66 грн
10+226.54 грн
30+203.30 грн
120+188.78 грн
300+180.07 грн
900+173.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.97 грн
3+250.90 грн
10+188.78 грн
30+169.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ30N65EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+554.66 грн
3+427.28 грн
10+308.83 грн
30+277.85 грн
120+257.52 грн
300+244.93 грн
900+220.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.21 грн
3+342.88 грн
10+257.36 грн
30+231.54 грн
120+214.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+414.43 грн
3+308.18 грн
10+230.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+497.31 грн
3+384.04 грн
10+276.88 грн
30+249.77 грн
120+231.38 грн
300+220.73 грн
900+217.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FDWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FDWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1WAYONWMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.79 грн
20+58.09 грн
54+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.99 грн
4+117.79 грн
10+88.74 грн
30+79.06 грн
120+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.79 грн
3+146.78 грн
10+106.49 грн
30+94.88 грн
120+89.07 грн
300+84.23 грн
900+82.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+429.55 грн
3+330.76 грн
10+239.13 грн
30+214.92 грн
120+199.43 грн
300+189.75 грн
900+183.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+357.96 грн
3+265.43 грн
10+199.27 грн
30+179.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1WAYONWMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.86 грн
13+90.03 грн
35+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C2
Код товару: 183673
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.93 грн
3+398.54 грн
10+298.50 грн
30+268.65 грн
120+249.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+644.32 грн
3+496.64 грн
10+358.20 грн
30+322.38 грн
120+299.15 грн
300+285.59 грн
900+256.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+331.54 грн
3+295.57 грн
10+281.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.29 грн
3+237.19 грн
10+234.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.09 грн
3+447.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+722.51 грн
3+557.97 грн
10+402.74 грн
30+362.08 грн
120+335.94 грн
300+320.45 грн
900+287.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.46 грн
3+434.85 грн
10+326.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+703.75 грн
3+541.89 грн
10+392.09 грн
30+352.39 грн
120+326.26 грн
300+311.73 грн
900+279.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMHWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMHWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+439.97 грн
3+402.14 грн
10+341.75 грн
30+305.93 грн
90+298.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+921.65 грн
3+712.80 грн
10+515.04 грн
30+462.76 грн
120+428.88 грн
300+408.55 грн
900+367.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+768.04 грн
3+572.00 грн
10+429.20 грн
30+385.63 грн
120+357.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1483.95 грн
3+1109.30 грн
10+822.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1780.74 грн
3+1382.36 грн
10+987.48 грн
30+892.60 грн
120+826.77 грн
300+789.98 грн
900+754.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1024.34 грн
3+755.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1229.21 грн
3+942.02 грн
10+681.55 грн
30+613.79 грн
120+568.29 грн
300+542.15 грн
900+518.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.34 грн
3+724.47 грн
10+542.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1165.61 грн
3+902.81 грн
10+651.54 грн
30+586.68 грн
120+543.11 грн
300+517.94 грн
900+465.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+740.24 грн
3+550.21 грн
10+412.26 грн
30+371.11 грн
120+343.68 грн
300+327.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+888.29 грн
3+685.65 грн
10+494.71 грн
30+445.33 грн
120+412.42 грн
300+393.06 грн
900+377.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350SWAYONWMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+505.66 грн
6+217.83 грн
15+206.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4WAYONWMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1399.15 грн
2+573.13 грн
6+542.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1318.87 грн
3+1011.39 грн
10+732.87 грн
30+660.26 грн
120+610.88 грн
300+582.81 грн
900+550.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1099.06 грн
3+811.61 грн
10+610.72 грн
30+550.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1251.11 грн
3+927.78 грн
10+694.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1501.33 грн
3+1156.16 грн
10+833.55 грн
30+752.23 грн
120+695.11 грн
300+664.13 грн
900+596.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1317.14 грн
3+976.99 грн
10+731.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1580.56 грн
3+1217.48 грн
10+878.08 грн
30+789.02 грн
120+731.90 грн
300+698.01 грн
900+627.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+665.17 грн
3+593.16 грн
10+546.02 грн
30+490.84 грн
120+465.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.31 грн
3+475.99 грн
10+455.02 грн
30+409.03 грн
120+388.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1386.64 грн
3+1030.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1663.97 грн
3+1283.84 грн
10+927.46 грн
30+839.36 грн
120+772.56 грн
300+735.77 грн
900+699.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1839.13 грн
3+1421.57 грн
10+1023.30 грн
30+919.71 грн
120+853.88 грн
300+817.09 грн
900+772.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1532.60 грн
3+1140.77 грн
10+852.75 грн
30+766.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+674.21 грн
3+500.19 грн
10+375.15 грн
30+337.23 грн
120+312.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+809.05 грн
3+623.32 грн
10+450.17 грн
30+404.67 грн
120+374.66 грн
300+358.20 грн
900+340.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.66 грн
3+257.36 грн
10+192.82 грн
25+173.45 грн
125+160.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+415.99 грн
3+320.71 грн
10+231.38 грн
25+208.15 грн
125+192.66 грн
300+191.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.