Продукція > WMJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
WMJ020N10HGSWAYONWMJ020N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+282.30 грн
7+186.10 грн
18+176.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ028N10HGSWAYONWMJ028N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+221.96 грн
9+146.08 грн
23+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1WAYONWMJ10N80D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 197 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+151.93 грн
20+63.03 грн
53+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.40 грн
3+442.74 грн
10+422.73 грн
30+379.37 грн
120+367.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+618.48 грн
3+551.72 грн
10+507.27 грн
30+455.24 грн
120+441.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ12N120D1WAYONWMJ12N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+383.59 грн
8+152.08 грн
22+144.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ130N25JNWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; Idm: 435A; 312W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 435A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 195ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3WAYONWMJ15N80M3-CYG THT N channel transistors
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+545.22 грн
6+230.12 грн
15+218.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1B
Код товару: 216672
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується 4 шт:
4 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.67 грн
6+73.96 грн
10+55.28 грн
30+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.60 грн
4+92.16 грн
10+66.34 грн
30+59.53 грн
120+55.13 грн
300+52.93 грн
900+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+129.30 грн
4+99.75 грн
10+72.04 грн
30+64.03 грн
120+60.03 грн
300+57.03 грн
900+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+107.75 грн
6+80.04 грн
10+60.03 грн
30+53.36 грн
120+50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3WAYONWMJ25N80M3-CYG THT N channel transistors
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+610.94 грн
5+242.13 грн
14+229.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.17 грн
3+200.94 грн
10+150.91 грн
30+135.91 грн
120+125.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+325.40 грн
3+250.40 грн
10+181.10 грн
30+163.09 грн
120+151.08 грн
300+143.08 грн
900+130.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.29 грн
3+259.31 грн
10+194.27 грн
30+175.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+419.15 грн
3+323.13 грн
10+233.12 грн
30+210.11 грн
120+194.10 грн
300+185.10 грн
900+179.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ30N65EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+560.30 грн
3+432.23 грн
10+312.17 грн
30+281.15 грн
120+260.14 грн
300+248.13 грн
900+223.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.92 грн
3+346.85 грн
10+260.14 грн
30+234.29 грн
120+216.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+504.27 грн
3+389.63 грн
10+281.15 грн
30+253.14 грн
120+235.13 грн
300+226.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+420.22 грн
3+312.67 грн
10+234.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FDWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1WAYONWMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+142.23 грн
20+61.03 грн
54+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+195.03 грн
3+150.66 грн
10+109.06 грн
30+97.05 грн
120+91.05 грн
300+86.05 грн
900+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.52 грн
4+120.90 грн
10+90.88 грн
30+80.88 грн
120+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+448.24 грн
3+345.99 грн
10+250.13 грн
30+225.12 грн
120+208.11 грн
300+198.11 грн
900+179.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+373.53 грн
3+277.65 грн
10+208.44 грн
30+187.60 грн
120+173.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1WAYONWMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+217.66 грн
13+94.05 грн
35+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C2
Код товару: 183673
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4WAYONWMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+735.93 грн
5+282.15 грн
12+266.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2WAYONWMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+378.20 грн
4+322.17 грн
11+304.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4WAYONWMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+817.82 грн
4+313.17 грн
11+296.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2WAYONWMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+796.27 грн
4+305.16 грн
11+288.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMHWAYONWMJ69N30DMH-CYG THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+501.04 грн
4+341.18 грн
10+323.17 грн
900+322.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4WAYONWMJ80N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1051.64 грн
3+403.22 грн
9+381.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EMWAYONWMJ80N60EM-CYG THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2031.09 грн
2+862.46 грн
4+815.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2WAYONWMJ80N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1401.83 грн
3+593.32 грн
6+561.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.42 грн
3+731.22 грн
10+547.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1177.71 грн
3+911.22 грн
10+657.35 грн
30+592.32 грн
120+548.29 грн
300+523.28 грн
900+470.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.07 грн
3+555.30 грн
10+416.89 грн
30+375.20 грн
120+346.85 грн
300+331.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+896.48 грн
3+691.99 грн
10+500.27 грн
30+450.24 грн
120+416.22 грн
300+397.21 грн
900+393.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350SWAYONWMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+507.50 грн
6+227.12 грн
15+215.12 грн
900+215.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4WAYONWMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1401.83 грн
2+597.32 грн
6+565.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2WAYONWMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1492.34 грн
2+631.34 грн
6+596.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1281.33 грн
3+950.51 грн
10+712.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1537.59 грн
3+1184.48 грн
10+854.46 грн
30+770.41 грн
120+712.38 грн
300+680.36 грн
900+611.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1349.57 грн
3+1001.37 грн
10+749.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1619.48 грн
3+1247.86 грн
10+899.48 грн
30+808.43 грн
120+749.40 грн
300+715.38 грн
900+643.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+671.28 грн
3+599.51 грн
10+551.30 грн
30+495.27 грн
120+483.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.40 грн
3+481.09 грн
10+459.41 грн
30+412.72 грн
120+402.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1404.34 грн
3+1043.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1685.21 грн
3+1299.81 грн
10+938.50 грн
30+849.45 грн
120+782.42 грн
300+745.40 грн
900+725.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1550.70 грн
3+1154.78 грн
10+862.96 грн
30+776.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1860.84 грн
3+1439.04 грн
10+1035.55 грн
30+931.50 грн
120+864.46 грн
300+826.44 грн
900+800.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1WAYONWMJ9N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+916.95 грн
4+391.21 грн
9+369.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+431.00 грн
3+333.52 грн
10+240.13 грн
25+216.12 грн
125+200.11 грн
300+199.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+359.17 грн
3+267.64 грн
10+200.11 грн
25+180.10 грн
125+166.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.