Продукція > WMJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
WMJ020N10HGSWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+248.52 грн
3+227.36 грн
10+192.31 грн
30+174.56 грн
90+167.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ020N10HGSWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+182.45 грн
10+160.26 грн
30+145.47 грн
90+139.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ028N10HGSWAYONWMJ028N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+221.97 грн
9+143.99 грн
23+136.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.29 грн
5+83.83 грн
10+63.28 грн
30+56.71 грн
120+53.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+104.46 грн
10+75.94 грн
30+68.05 грн
120+64.10 грн
300+60.16 грн
900+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1WAYONWMJ11N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+688.22 грн
3+477.32 грн
7+451.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ12N120D1WAYONWMJ12N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+384.47 грн
8+148.92 грн
22+141.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ130N20JNWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 196ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3WAYONWMJ15N80M3-CYG THT N channel transistors
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+545.90 грн
6+225.84 грн
15+214.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ180N20JNWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1B
Код товару: 216672
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+107.09 грн
6+78.90 грн
10+59.17 грн
30+53.42 грн
120+49.31 грн
300+46.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1BWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 410 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+128.51 грн
4+98.32 грн
10+71.01 грн
30+64.10 грн
120+59.17 грн
300+56.21 грн
900+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3WAYONWMJ25N80M3-CYG THT N channel transistors
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+610.69 грн
5+237.68 грн
14+224.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FDWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+331.37 грн
3+256.03 грн
10+184.42 грн
30+165.68 грн
120+153.85 грн
300+146.94 грн
900+132.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.14 грн
3+205.46 грн
10+153.68 грн
30+138.07 грн
120+128.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.71 грн
3+258.88 грн
10+194.78 грн
30+175.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+418.46 грн
3+322.60 грн
10+233.73 грн
30+210.06 грн
120+194.28 грн
300+185.41 грн
900+174.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+572.46 грн
3+441.40 грн
10+318.54 грн
30+286.99 грн
120+266.28 грн
300+253.46 грн
900+227.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.05 грн
3+354.21 грн
10+265.45 грн
30+239.16 грн
120+221.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+515.10 грн
3+397.37 грн
10+286.99 грн
30+258.39 грн
120+239.65 грн
300+227.81 грн
900+218.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+429.25 грн
3+318.87 грн
10+239.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1WAYONWMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+142.32 грн
20+59.17 грн
54+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1WAYONWMJ3N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+217.72 грн
13+91.72 грн
35+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+363.76 грн
3+270.39 грн
10+202.99 грн
30+182.45 грн
120+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+436.51 грн
3+336.94 грн
10+243.59 грн
30+218.94 грн
120+203.16 грн
300+193.30 грн
900+173.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1WAYONWMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+217.72 грн
13+91.72 грн
35+86.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C2
Код товару: 183673
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4WAYONWMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+737.08 грн
5+278.11 грн
12+263.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2WAYONWMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+379.16 грн
4+315.59 грн
11+298.82 грн
900+298.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4WAYONWMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+818.86 грн
4+309.67 грн
11+292.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2WAYONWMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+797.61 грн
4+300.79 грн
11+284.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+928.25 грн
3+717.92 грн
10+518.74 грн
30+466.48 грн
120+431.96 грн
300+412.23 грн
900+370.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+773.54 грн
3+576.11 грн
10+432.29 грн
30+388.73 грн
120+359.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1793.83 грн
3+1392.83 грн
10+995.08 грн
30+899.42 грн
120+832.36 грн
300+795.87 грн
900+769.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EMWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1494.86 грн
3+1117.70 грн
10+829.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1238.37 грн
3+949.38 грн
10+686.40 грн
30+618.35 грн
120+572.99 грн
300+546.36 грн
900+529.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1031.98 грн
3+761.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4WAYONWMJ80N65C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1323.34 грн
3+500.99 грн
7+473.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2WAYONWMJ80N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1007.90 грн
3+425.06 грн
8+402.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350SWAYONWMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+592.63 грн
6+223.87 грн
15+211.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4WAYONWMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1404.06 грн
2+586.79 грн
6+554.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2WAYONWMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1494.33 грн
2+619.34 грн
6+584.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4WAYONWMJ90N65C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1701.43 грн
2+641.03 грн
6+605.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2WAYONWMJ90N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1790.65 грн
2+674.57 грн
5+638.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+661.67 грн
3+590.93 грн
10+543.40 грн
30+488.17 грн
120+476.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SRWAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.39 грн
3+474.20 грн
10+452.83 грн
30+406.81 грн
120+396.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1653.64 грн
3+1275.05 грн
10+921.12 грн
30+833.34 грн
120+767.27 грн
300+730.78 грн
900+716.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1378.03 грн
3+1023.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1826.76 грн
3+1411.26 грн
10+1015.79 грн
30+913.23 грн
120+848.14 грн
300+811.65 грн
900+790.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1522.30 грн
3+1132.49 грн
10+846.49 грн
30+761.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1WAYONWMJ9N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+918.69 грн
4+383.63 грн
9+362.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.25 грн
3+261.34 грн
10+195.60 грн
25+175.87 грн
125+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+422.70 грн
3+325.68 грн
10+234.72 грн
25+211.05 грн
125+196.26 грн
300+195.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.