Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > Всі товари виробника NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. (645) > Сторінка 3 з 11

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1704.16 грн
10+1184.54 грн
100+927.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1860.81 грн
30+1145.13 грн
60+1068.31 грн
120+941.98 грн
510+935.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R450MT17J.pdf Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.13 грн
10+380.70 грн
100+300.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R450MT17J.pdf Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.76 грн
30+571.27 грн
120+491.60 грн
510+452.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12J.pdf Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+548.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12J.pdf Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1124.24 грн
10+762.70 грн
100+646.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 Navitas Semiconductor, Inc. GA01PNS150-201.pdf Description: RF DIODE PIN 15000V DO-201
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 Navitas Semiconductor, Inc. GA01PNS150-220.pdf Description: RF DIODE PIN 15000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Current - Max: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 Navitas Semiconductor, Inc. GA01PNS80-220.pdf Description: RF DIODE PIN 8000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Current - Max: 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247 Navitas Semiconductor, Inc. Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-247 Navitas Semiconductor, Inc. Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-263 GA05JT12-263 Navitas Semiconductor, Inc. GA05JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA06JT12-247 GA06JT12-247 Navitas Semiconductor, Inc. GA06JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227 Navitas Semiconductor, Inc. GA100SICP12-227.pdf Description: IPM 1.2KV 100A SOT-227-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-247 GA10JT12-247 Navitas Semiconductor, Inc. GA10JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 25 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 170 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-263 GA10JT12-263 Navitas Semiconductor, Inc. GA10JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247 Navitas Semiconductor, Inc. GA10SICP12-247.pdf Description: IPM 1.2KV 10A TO-247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247 Navitas Semiconductor, Inc. GA20SICP12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247 Navitas Semiconductor, Inc. GA35XCP12-247.pdf Description: IGBT PT 1200V TO-247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227 Navitas Semiconductor, Inc. GA50SICP12-227.pdf Description: IPM 1.2KV 50A SOT-227-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-220FP.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.02 грн
10+228.10 грн
100+163.19 грн
500+147.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 Navitas Semiconductor, Inc. GB05MPS33-263.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2412.26 грн
50+1530.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227 Navitas Semiconductor, Inc. GB100XCP12-227.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ10M Navitas Semiconductor, Inc. gbj10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ20M Navitas Semiconductor, Inc. gbj20j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ30J GBJ30J Navitas Semiconductor, Inc. gbj30j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 30A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL005 GBL005 Navitas Semiconductor, Inc. gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10 GBL10 Navitas Semiconductor, Inc. gbl10.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC15005T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBPC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC15005W GBPC15005W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1501T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBPC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1501W GBPC1501W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1506T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc1506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBPC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510T GBPC1510T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc1510t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510W GBPC1510W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc1506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25010T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc25005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501W GBPC2501W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc25005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2502W GBPC2502W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc25005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.15 грн
10+266.96 грн
50+209.82 грн
100+179.66 грн
500+149.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2504W GBPC2504W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc25005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.15 грн
10+266.96 грн
50+209.82 грн
100+179.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2506T GBPC2506T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.15 грн
10+266.96 грн
50+209.82 грн
100+179.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508T GBPC2508T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W GBPC2508W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.28 грн
50+203.93 грн
100+186.08 грн
500+145.27 грн
1000+135.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510T GBPC2510T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510W GBPC2510W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.15 грн
10+266.96 грн
50+209.82 грн
100+179.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501W GBPC3501W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.92 грн
10+294.00 грн
50+231.97 грн
100+198.99 грн
500+166.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3502T GBPC3502T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.61 грн
10+311.60 грн
50+245.90 грн
100+210.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504T GBPC3504T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.61 грн
10+311.60 грн
50+245.90 грн
100+210.93 грн
500+176.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504W GBPC3504W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.92 грн
10+294.00 грн
50+231.97 грн
100+198.99 грн
500+166.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1704.16 грн
10+1184.54 грн
100+927.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1860.81 грн
30+1145.13 грн
60+1068.31 грн
120+941.98 грн
510+935.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+579.13 грн
10+380.70 грн
100+300.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+970.76 грн
30+571.27 грн
120+491.60 грн
510+452.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+548.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1124.24 грн
10+762.70 грн
100+646.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: RF DIODE PIN 15000V DO-201
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf
GA01PNS150-220
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: RF DIODE PIN 15000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Current - Max: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220.pdf
GA01PNS80-220
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: RF DIODE PIN 8000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Current - Max: 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03JT12-247
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-247
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA05JT12-263 GA05JT12-263.pdf
GA05JT12-263
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA06JT12-247 GA06JT12-247.pdf
GA06JT12-247
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA100SICP12-227 GA100SICP12-227.pdf
GA100SICP12-227
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: IPM 1.2KV 100A SOT-227-4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-247 GA10JT12-247.pdf
GA10JT12-247
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 25 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 170 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-263 GA10JT12-263.pdf
GA10JT12-263
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA10SICP12-247 GA10SICP12-247.pdf
GA10SICP12-247
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: IPM 1.2KV 10A TO-247-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA20SICP12-247 GA20SICP12-247.pdf
GA20SICP12-247
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA35XCP12-247 GA35XCP12-247.pdf
GA35XCP12-247
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: IGBT PT 1200V TO-247AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA50SICP12-227 GA50SICP12-227.pdf
GA50SICP12-227
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: IPM 1.2KV 50A SOT-227-4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-220FP GAP3SLT33-220FP.pdf
GAP3SLT33-220FP
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+356.02 грн
10+228.10 грн
100+163.19 грн
500+147.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2412.26 грн
50+1530.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB100XCP12-227 GB100XCP12-227.pdf
GB100XCP12-227
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: IGBT MODULE 1200V 100A SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ10M gbj10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ20M gbj20j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ30J gbj30j.pdf
GBJ30J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 30A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBL005 gbl005.pdf
GBL005
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10 gbl10.pdf
GBL10
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC15005T gbpc15005t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBPC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC15005W gbpc15005t.pdf
GBPC15005W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1501T gbpc15005t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBPC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1501W gbpc15005t.pdf
GBPC1501W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1506T gbpc1506t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBPC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510T gbpc1510t.pdf
GBPC1510T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510W gbpc1506t.pdf
GBPC1510W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25010T gbpc2506t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501T gbpc25005t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501W gbpc25005t.pdf
GBPC2501W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2502W gbpc25005t.pdf
GBPC2502W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W
на замовлення 3618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+416.15 грн
10+266.96 грн
50+209.82 грн
100+179.66 грн
500+149.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2504W gbpc25005t.pdf
GBPC2504W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 25A GBPC-W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+416.15 грн
10+266.96 грн
50+209.82 грн
100+179.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2506T gbpc2506t.pdf
GBPC2506T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBPC
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+416.15 грн
10+266.96 грн
50+209.82 грн
100+179.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508T gbpc2506t.pdf
GBPC2508T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+404.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W gbpc2506t.pdf
GBPC2508W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+404.28 грн
50+203.93 грн
100+186.08 грн
500+145.27 грн
1000+135.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510T gbpc2506t.pdf
GBPC2510T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510W gbpc2506t.pdf
GBPC2510W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+416.15 грн
10+266.96 грн
50+209.82 грн
100+179.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501W gbpc35005t.pdf
GBPC3501W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+454.92 грн
10+294.00 грн
50+231.97 грн
100+198.99 грн
500+166.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3502T gbpc35005t.pdf
GBPC3502T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+482.61 грн
10+311.60 грн
50+245.90 грн
100+210.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504T gbpc35005t.pdf
GBPC3504T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+482.61 грн
10+311.60 грн
50+245.90 грн
100+210.93 грн
500+176.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504W gbpc35005t.pdf
GBPC3504W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+454.92 грн
10+294.00 грн
50+231.97 грн
100+198.99 грн
500+166.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]