Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > Всі товари виробника NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. (597) > Сторінка 2 з 10

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FR6J05 Navitas Semiconductor, Inc. fr6m05.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6JR02 Navitas Semiconductor, Inc. fr6a02.pdf Description: DIODE STANDARD REV 600V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6JR05 Navitas Semiconductor, Inc. fr6m05.pdf Description: DIODE STANDARD REV 600V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6K05 Navitas Semiconductor, Inc. fr6m05.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6KR05 Navitas Semiconductor, Inc. fr6m05.pdf Description: DIODE STANDARD REV 800V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6M05 Navitas Semiconductor, Inc. fr6m05.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6MR05 Navitas Semiconductor, Inc. fr6m05.pdf Description: DIODE STANDARD REV 1000V 6A DO4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST7335M FST7335M Navitas Semiconductor, Inc. FST7335M.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 35A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 35A
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.78 грн
10+448.80 грн
100+333.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT33J.pdf Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G2R1000MT33J.pdf Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1846.83 грн
10+1291.65 грн
100+1226.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K Navitas Semiconductor, Inc. G2R50MT33K.pdf Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19338.95 грн
30+17088.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F135MT12J.pdf Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F135MT12J.pdf Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.47 грн
10+436.83 грн
100+325.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F18MT12J.pdf Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F18MT12J.pdf Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2061.96 грн
10+1451.61 грн
100+1409.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K Navitas Semiconductor, Inc. Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2178.46 грн
30+1366.06 грн
60+1279.19 грн
120+1158.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F20MT12J.pdf Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F20MT12J.pdf Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1712.48 грн
10+1192.55 грн
100+1114.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F25MT12J.pdf Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F25MT12J.pdf Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1452.30 грн
10+1000.95 грн
100+902.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.56 грн
10+393.38 грн
100+289.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+243.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F34MT12J.pdf Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+697.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F34MT12J.pdf Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1349.79 грн
10+926.83 грн
100+822.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.53 грн
10+726.93 грн
100+611.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3F40MT12K.pdf Description: 1200V 40M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1086.51 грн
30+640.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F65MT12J.pdf Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.88 грн
10+557.39 грн
100+441.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F65MT12J.pdf Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F75MT12J.pdf Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3F75MT12J.pdf Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.10 грн
10+505.63 грн
100+391.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R12MT12K.pdf Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4867.16 грн
30+3334.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D Navitas Semiconductor, Inc. G3R160MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.84 грн
30+362.04 грн
120+306.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J Navitas Semiconductor, Inc. G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+339.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.30 грн
10+514.98 грн
100+400.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D Navitas Semiconductor, Inc. G3R160MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.34 грн
30+717.23 грн
120+620.15 грн
510+545.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R20MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 542W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2952.76 грн
30+1906.04 грн
120+1816.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N Navitas Semiconductor, Inc. G3R20MT12N.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4047.81 грн
10+2982.95 грн
100+2912.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K Navitas Semiconductor, Inc. G3R20MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7907.68 грн
30+5977.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N Navitas Semiconductor, Inc. G3R20MT17N.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8969.34 грн
10+7543.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J Navitas Semiconductor, Inc. G3R30MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2052.64 грн
10+1444.14 грн
100+1144.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R30MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2024.68 грн
30+1261.28 грн
60+1179.56 грн
120+1056.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D Navitas Semiconductor, Inc. G3R350MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.17 грн
30+270.43 грн
120+226.88 грн
510+183.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J Navitas Semiconductor, Inc. G3R350MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R350MT12J.pdf Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R350MT12J.pdf Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1465.51 грн
30+895.30 грн
120+821.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1672.87 грн
50+971.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1672.87 грн
10+1162.79 грн
100+910.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K Navitas Semiconductor, Inc. G3R40MT12K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1743.54 грн
30+1066.39 грн
60+993.64 грн
120+875.12 грн
510+811.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R450MT17J.pdf Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6J05 fr6m05.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 600V 6A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6JR02 fr6a02.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD REV 600V 6A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6JR05 fr6m05.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD REV 600V 6A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6K05 fr6m05.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 800V 6A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6KR05 fr6m05.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD REV 800V 6A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6M05 fr6m05.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 1000V 6A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FR6MR05 fr6m05.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD REV 1000V 6A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST7335M FST7335M.pdf
FST7335M
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 35A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 35A
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+678.78 грн
10+448.80 грн
100+333.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1846.83 грн
10+1291.65 грн
100+1226.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K.pdf
G2R50MT33K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 10mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7301 pF @ 1000 V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19338.95 грн
30+17088.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J.pdf
G3F135MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J.pdf
G3F135MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+662.47 грн
10+436.83 грн
100+325.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J.pdf
G3F18MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J.pdf
G3F18MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2061.96 грн
10+1451.61 грн
100+1409.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2178.46 грн
30+1366.06 грн
60+1279.19 грн
120+1158.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J.pdf
G3F20MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J.pdf
G3F20MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1712.48 грн
10+1192.55 грн
100+1114.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J.pdf
G3F25MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J.pdf
G3F25MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1452.30 грн
10+1000.95 грн
100+902.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+599.56 грн
10+393.38 грн
100+289.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+243.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J.pdf
G3F34MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+697.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J.pdf
G3F34MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1349.79 грн
10+926.83 грн
100+822.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J.pdf
G3F40MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1072.53 грн
10+726.93 грн
100+611.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J.pdf
G3F40MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K.pdf
G3F40MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1086.51 грн
30+640.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+834.88 грн
10+557.39 грн
100+441.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J.pdf
G3F75MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J.pdf
G3F75MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+761.10 грн
10+505.63 грн
100+391.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4867.16 грн
30+3334.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 123W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 800 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+636.84 грн
30+362.04 грн
120+306.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+339.42 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+774.30 грн
10+514.98 грн
100+400.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1205.34 грн
30+717.23 грн
120+620.15 грн
510+545.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 542W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2952.76 грн
30+1906.04 грн
120+1816.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4047.81 грн
10+2982.95 грн
100+2912.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 809W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7907.68 грн
30+5977.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 523W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8969.34 грн
10+7543.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2052.64 грн
10+1444.14 грн
100+1144.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2024.68 грн
30+1261.28 грн
60+1179.56 грн
120+1056.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
на замовлення 6258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.17 грн
30+270.43 грн
120+226.88 грн
510+183.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1465.51 грн
30+895.30 грн
120+821.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1672.87 грн
50+971.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1672.87 грн
10+1162.79 грн
100+910.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1743.54 грн
30+1066.39 грн
60+993.64 грн
120+875.12 грн
510+811.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]