Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > Всі товари виробника NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. (469) > Сторінка 2 з 8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12J.pdf Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+532.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR Navitas Semiconductor, Inc. G3R75MT12J.pdf Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 5066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1092.66 грн
10+741.27 грн
100+628.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 Navitas Semiconductor, Inc. GA01PNS150-220.pdf Description: RF DIODE PIN 15000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Current - Max: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 Navitas Semiconductor, Inc. GA01PNS80-220.pdf Description: RF DIODE PIN 8000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Current - Max: 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-247 GA10JT12-247 Navitas Semiconductor, Inc. GA10JT12-247.pdf Description: TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 25 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 170 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-263 GA10JT12-263 Navitas Semiconductor, Inc. GA10JT12-263.pdf Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214 Navitas Semiconductor, Inc. GAP3SLT33-214.pdf Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.11 грн
10+849.84 грн
100+733.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT06-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+92.16 грн
100+85.76 грн
500+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 14195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB01SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.93 грн
10+204.71 грн
100+144.82 грн
500+115.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214 Navitas Semiconductor, Inc. GB02SLT12-214.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.82 грн
10+228.61 грн
100+163.55 грн
500+147.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263 Navitas Semiconductor, Inc. GB05MPS33-263.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2417.64 грн
50+1534.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ10M Navitas Semiconductor, Inc. gbj10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ20M Navitas Semiconductor, Inc. gbj20j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ30J GBJ30J Navitas Semiconductor, Inc. gbj30j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 30A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL005 GBL005 Navitas Semiconductor, Inc. gbl005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10 GBL10 Navitas Semiconductor, Inc. gbl10.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510T GBPC1510T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc1510t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510W GBPC1510W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc1506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25010T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc25005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501W GBPC2501W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc25005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508T GBPC2508T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W GBPC2508W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.19 грн
50+204.39 грн
100+186.49 грн
500+145.59 грн
1000+136.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510T GBPC2510T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510W GBPC2510W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc2506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.02 грн
50+191.64 грн
100+174.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501W GBPC3501W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.80 грн
50+228.82 грн
100+209.15 грн
500+163.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3502T GBPC3502T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.25 грн
50+225.98 грн
100+206.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504T GBPC3504T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.25 грн
50+225.98 грн
100+206.55 грн
500+161.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504W GBPC3504W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.25 грн
50+225.98 грн
100+206.55 грн
500+161.92 грн
1000+151.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508W GBPC3508W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc3506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.80 грн
50+228.82 грн
100+209.15 грн
500+163.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510T GBPC3510T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc3510t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W GBPC3510W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc3506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5004T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc50005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 50A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5004W GBPC5004W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc50005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5008T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc5006t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 50A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5008W GBPC5008W Navitas Semiconductor, Inc. gbpc5006t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 800V 50A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5010T Navitas Semiconductor, Inc. gbpc5006t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10A GBU10A Navitas Semiconductor, Inc. gbu10a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10B Navitas Semiconductor, Inc. gbu10a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
500+43.61 грн
1000+39.95 грн
2000+36.87 грн
5000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10D GBU10D Navitas Semiconductor, Inc. gbu10a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
500+43.61 грн
1000+39.95 грн
2000+36.87 грн
5000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10G Navitas Semiconductor, Inc. gbu10a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
500+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10J Navitas Semiconductor, Inc. gbu10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10K Navitas Semiconductor, Inc. gbu10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10M Navitas Semiconductor, Inc. gbu10j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 7479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
500+43.61 грн
1000+39.95 грн
2000+36.87 грн
5000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15A Navitas Semiconductor, Inc. gbu15a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15B Navitas Semiconductor, Inc. gbu15a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15D Navitas Semiconductor, Inc. gbu15a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15G Navitas Semiconductor, Inc. gbu15a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15J Navitas Semiconductor, Inc. gbu15j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15K Navitas Semiconductor, Inc. gbu15j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15M Navitas Semiconductor, Inc. gbu15j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A GBU4A Navitas Semiconductor, Inc. gbu4a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+67.27 грн
100+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4G GBU4G Navitas Semiconductor, Inc. gbu4a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+67.27 грн
100+44.93 грн
500+33.18 грн
1000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4J Navitas Semiconductor, Inc. gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K Navitas Semiconductor, Inc. gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M Navitas Semiconductor, Inc. gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+532.81 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 5066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1092.66 грн
10+741.27 грн
100+628.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf
GA01PNS150-220
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: RF DIODE PIN 15000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Current - Max: 1 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220.pdf
GA01PNS80-220
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: RF DIODE PIN 8000V
Packaging: Tube
Package / Case: Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 1000V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8000V
Current - Max: 2 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-247 GA10JT12-247.pdf
GA10JT12-247
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 10A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 25 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 170 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA10JT12-263 GA10JT12-263.pdf
GA10JT12-263
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: TRANS SJT 1200V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAP3SLT33-214 GAP3SLT33-214.pdf
GAP3SLT33-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 300 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3300 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1244.11 грн
10+849.84 грн
100+733.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 76pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6.5 V
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.80 грн
10+92.16 грн
100+85.76 грн
500+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 14195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 61pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+321.93 грн
10+204.71 грн
100+144.82 грн
500+115.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GB02SLT12-214 GB02SLT12-214.pdf
GB02SLT12-214
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 131pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+356.82 грн
10+228.61 грн
100+163.55 грн
500+147.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB05MPS33-263 GB05MPS33-263.pdf
GB05MPS33-263
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 3300V 14A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 288pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 14A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3000 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2417.64 грн
50+1534.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ10M gbj10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ20M gbj20j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ30J gbj30j.pdf
GBJ30J
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 30A GBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL005 gbl005.pdf
GBL005
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10 gbl10.pdf
GBL10
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510T gbpc1510t.pdf
GBPC1510T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC1510W gbpc1506t.pdf
GBPC1510W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC25010T gbpc2506t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501T gbpc25005t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2501W gbpc25005t.pdf
GBPC2501W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508T gbpc2506t.pdf
GBPC2508T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+405.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2508W gbpc2506t.pdf
GBPC2508W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+405.19 грн
50+204.39 грн
100+186.49 грн
500+145.59 грн
1000+136.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510T gbpc2506t.pdf
GBPC2510T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510W gbpc2506t.pdf
GBPC2510W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+379.02 грн
50+191.64 грн
100+174.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501W gbpc35005t.pdf
GBPC3501W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+448.80 грн
50+228.82 грн
100+209.15 грн
500+163.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3502T gbpc35005t.pdf
GBPC3502T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+443.25 грн
50+225.98 грн
100+206.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504T gbpc35005t.pdf
GBPC3504T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-T
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-T
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-T
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+443.25 грн
50+225.98 грн
100+206.55 грн
500+161.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504W gbpc35005t.pdf
GBPC3504W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+443.25 грн
50+225.98 грн
100+206.55 грн
500+161.92 грн
1000+151.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508W gbpc3506t.pdf
GBPC3508W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+448.80 грн
50+228.82 грн
100+209.15 грн
500+163.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510T gbpc3510t.pdf
GBPC3510T
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W gbpc3506t.pdf
GBPC3510W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5004T gbpc50005t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 50A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5004W gbpc50005t.pdf
GBPC5004W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5008T gbpc5006t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 50A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5008W gbpc5006t.pdf
GBPC5008W
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1P 800V 50A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC5010T gbpc5006t.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10A gbu10a.pdf
GBU10A
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10B gbu10a.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
500+43.61 грн
1000+39.95 грн
2000+36.87 грн
5000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10D gbu10a.pdf
GBU10D
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
500+43.61 грн
1000+39.95 грн
2000+36.87 грн
5000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10G gbu10a.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
500+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10J gbu10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10K gbu10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU10M gbu10j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 7479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.14 грн
10+86.89 грн
100+58.58 грн
500+43.61 грн
1000+39.95 грн
2000+36.87 грн
5000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15A gbu15a.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15B gbu15a.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15D gbu15a.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15G gbu15a.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15J gbu15j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15K gbu15j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15M gbu15j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A gbu4a.pdf
GBU4A
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.22 грн
10+67.27 грн
100+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4G gbu4a.pdf
GBU4G
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.22 грн
10+67.27 грн
100+44.93 грн
500+33.18 грн
1000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4J gbu4j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K gbu4j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M gbu4j.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]