| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVTFS5116PLTAG | ONSEMI |
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVTR4503NT1G | ONSEMI |
NVTR4503NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NZT560A | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 250...550 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 75MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NZT605 | ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 110V; 1.5A; 1W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 110V Collector current: 1.5A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 493 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZT7053 | ONSEMI |
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 3982 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PACDN042Y3R | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; unidirectional; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 5.5V Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PCA9306DTR2G | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Case: TSSOP8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 1...3.6V DC Number of outputs: 2 Number of inputs: 2 Kind of output: open drain Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PCA9306USG | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Case: US8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 1...3.6V DC Number of outputs: 2 Number of inputs: 2 Kind of output: open drain Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ABU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ATA | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 810 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2222ATF | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: reel; tape Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 549 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PN2907ATFR | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SOT223-4; TO261-4 Power dissipation: 1.5W Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 416 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT2907AT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Polarisation: bipolar Case: SOT223-4; TO261-4 Mounting: SMD Type of transistor: PNP Power dissipation: 1.5W Collector current: 0.6A Current gain: 100...300 Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 200MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZT3904T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PZTA06 | ONSEMI |
PZTA06 NPN SMD transistors |
на замовлення 3332 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PZTA42T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PZTA92T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QED123 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC Type of diode: IR transmitter Wavelength: 880nm Radiant power: 70mW Viewing angle: 16° Mounting: THT Shape: round Wavelength of peak sensitivity: 890nm LED diameter: 5mm LED current: 100mA Operating voltage: 1.7V DC LED lens: diffused; orange кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QED123A4R0 | ONSEMI |
QED123A4R0 IR LEDs |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
QED223 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,violet; 25mW; 30°; 1.7VDC Type of diode: IR transmitter Wavelength: 880nm Radiant power: 25mW Viewing angle: 30° Mounting: THT Shape: round Wavelength of peak sensitivity: 890nm LED diameter: 5mm LED current: 100mA Operating voltage: 1.7V DC LED lens: diffused; violet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 253 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| QED234 | ONSEMI |
QED234 IR LEDs |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
QEE113 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA Type of diode: IR transmitter Wavelength: 940nm LED lens: transparent Radiant power: 7.5mW Viewing angle: 50° Operating voltage: 1.5V DC Mounting: THT Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm LED current: 100mA LED version: angular Shape: rectangular Wavelength of peak sensitivity: 940nm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QEE123 | ONSEMI |
Category: IR LEDsDescription: IR transmitter; 880nm; transparent; 9mW; 50°; 1.7VDC; λp max: 880nm Type of diode: IR transmitter Wavelength: 880nm Radiant power: 9mW Viewing angle: 50° Mounting: THT Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm Shape: rectangular Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED current: 100mA Operating voltage: 1.7V DC LED version: angular LED lens: transparent кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QRD1114 | ONSEMI |
Category: PCB Photoelectric SensorsDescription: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB Type of sensor: photoelectric Operation mode: diffuse-reflective Output configuration: NPN Supply voltage: 5V DC Mounting: PCB Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD123 | ONSEMI |
Category: PhototransistorsDescription: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24° Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Collector-emitter voltage: 30V Viewing angle: 24° LED lens: black with IR filter кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSD2030 | ONSEMI |
Category: PhotodiodesDescription: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex Type of photoelement: photodiode Wavelength: 400...1100nm Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Operating voltage: 1.3V Viewing angle: 40° LED lens: transparent Front: convex Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 503 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
QSE113 | ONSEMI |
Category: PhototransistorsDescription: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50° Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm LED diameter: 5mm Collector-emitter voltage: 5V Viewing angle: 50° LED lens: black with IR filter кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB520S30T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB520S30T5G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RB521S30T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16973 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RB751S40T1G | ONSEMI |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3791 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RB751V40T1G | ONSEMI |
RB751V40T1G SMD Schottky diodes |
на замовлення 2093 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RFD12N06RLESM9A | ONSEMI |
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFD14N05LSM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD14N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD14N05SM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK Case: DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC On-state resistance: 56mΩ Drain current: 16A Drain-source voltage: 50V Power dissipation: 60W Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD16N06LESM9A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Case: DPAK Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 62nC On-state resistance: 47mΩ Gate-source voltage: ±8V Drain current: 16A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 90W Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RFD3055LESM9A | ONSEMI |
RFD3055LESM9A SMD N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RFP12N10L | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP50N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFP70N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 539 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RGF1G | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 8.5pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Power dissipation: 1.76W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RHRG3060-F085 | ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 45ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 90A Case: TO247-2 Reverse recovery time: 45ns Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RS1A | ONSEMI |
RS1A SMD universal diodes |
на замовлення 7490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| RS1D | ONSEMI |
RS1D SMD universal diodes |
на замовлення 6740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
RS1J | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Mounting: SMD Capacitance: 10pF Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 250ns Load current: 1A Power dissipation: 1.19W Max. forward voltage: 1.3V Max. off-state voltage: 0.6kV Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 507 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RS1M | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 10pF Power dissipation: 1.19W Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RURG3060-F085 | ONSEMI |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 80ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Max. forward impulse current: 90A Case: TO247-2 Reverse recovery time: 80ns Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S1AFL | ONSEMI |
S1AFL-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1B | ONSEMI |
S1B-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 6720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1D | ONSEMI |
S1D-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 3024 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1G | ONSEMI |
S1G-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 6515 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1K | ONSEMI |
S1K-ONS SMD universal diodes |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| S1M | ONSEMI |
S1M-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 6462 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S1MFL | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 2µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 4pF Case: SOD123F Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| S2M | ONSEMI |
S2M-FAI SMD universal diodes |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
S3D | ONSEMI |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; SMC; Ifsm: 100A; 2.6W; reel,tape Type of diode: rectifying Case: SMC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 60pF Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NVTFS5116PLTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
NVTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.23 грн |
| 26+ | 45.32 грн |
| 70+ | 42.89 грн |
| NVTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 13+ | 24.49 грн |
| 15+ | 20.38 грн |
| 19+ | 15.91 грн |
| 26+ | 11.35 грн |
| 50+ | 9.12 грн |
| NVTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVTR4503NT1G SMD N channel transistors
NVTR4503NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.89 грн |
| 157+ | 7.28 грн |
| 430+ | 6.89 грн |
| NZT560A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 250...550
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 250...550
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.43 грн |
| 10+ | 46.15 грн |
| 50+ | 23.10 грн |
| 136+ | 21.83 грн |
| 1000+ | 20.96 грн |
| NZT605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 110V; 1.5A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 110V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 110V; 1.5A; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 110V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.48 грн |
| 10+ | 40.61 грн |
| 100+ | 23.78 грн |
| 250+ | 19.60 грн |
| 500+ | 17.47 грн |
| NZT7053 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors
NZT7053 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.36 грн |
| 66+ | 17.47 грн |
| 181+ | 16.50 грн |
| PACDN042Y3R |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; unidirectional; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 5.5V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 15+ | 20.36 грн |
| 25+ | 16.01 грн |
| 100+ | 11.45 грн |
| 500+ | 8.05 грн |
| 1000+ | 7.08 грн |
| 3000+ | 6.31 грн |
| PCA9306DTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: TSSOP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: TSSOP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.70 грн |
| 10+ | 57.94 грн |
| 100+ | 50.17 грн |
| 250+ | 47.55 грн |
| PCA9306USG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: US8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; Ch: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: US8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 1...3.6V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.14 грн |
| 25+ | 62.08 грн |
| 100+ | 53.76 грн |
| 500+ | 45.71 грн |
| PN2222ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 18+ | 17.33 грн |
| 21+ | 14.17 грн |
| 100+ | 7.10 грн |
| 500+ | 4.89 грн |
| 1000+ | 4.79 грн |
| PN2222ATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 38+ | 8.06 грн |
| 50+ | 6.29 грн |
| 100+ | 5.76 грн |
| 500+ | 4.77 грн |
| 1000+ | 4.43 грн |
| 2000+ | 4.37 грн |
| PN2222ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 19+ | 16.12 грн |
| 100+ | 8.73 грн |
| 200+ | 7.31 грн |
| 500+ | 5.85 грн |
| 1000+ | 5.04 грн |
| 2000+ | 4.49 грн |
| PN2907ATFR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 50+ | 6.15 грн |
| 100+ | 5.19 грн |
| 500+ | 4.70 грн |
| 2000+ | 4.12 грн |
| 4000+ | 3.96 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT223-4; TO261-4
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SOT223-4; TO261-4
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.89 грн |
| 11+ | 28.02 грн |
| 50+ | 19.70 грн |
| 100+ | 17.37 грн |
| 250+ | 14.85 грн |
| 500+ | 13.20 грн |
| 1000+ | 12.13 грн |
| PZT2907AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Polarisation: bipolar
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 0.6A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Polarisation: bipolar
Case: SOT223-4; TO261-4
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 0.6A
Current gain: 100...300
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.98 грн |
| 10+ | 30.94 грн |
| 50+ | 21.74 грн |
| 100+ | 18.92 грн |
| 250+ | 15.91 грн |
| 500+ | 14.36 грн |
| PZT3904T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.67 грн |
| 12+ | 25.39 грн |
| 50+ | 17.47 грн |
| 100+ | 15.24 грн |
| 500+ | 11.16 грн |
| 1000+ | 10.29 грн |
| PZTA06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
PZTA06 NPN SMD transistors
PZTA06 NPN SMD transistors
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.22 грн |
| 41+ | 28.34 грн |
| 112+ | 26.79 грн |
| 4000+ | 26.70 грн |
| PZTA42T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.40 грн |
| 15+ | 21.16 грн |
| 50+ | 15.33 грн |
| 100+ | 13.59 грн |
| 250+ | 11.74 грн |
| 500+ | 10.58 грн |
| 1000+ | 9.61 грн |
| PZTA92T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.80 грн |
| 10+ | 31.14 грн |
| 50+ | 21.15 грн |
| 100+ | 18.05 грн |
| 107+ | 10.67 грн |
| 294+ | 10.09 грн |
| 3000+ | 9.70 грн |
| QED123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 70mW
Viewing angle: 16°
Mounting: THT
Shape: round
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
LED diameter: 5mm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED lens: diffused; orange
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,orange; 70mW; 16°; 1.7VDC
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 70mW
Viewing angle: 16°
Mounting: THT
Shape: round
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
LED diameter: 5mm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED lens: diffused; orange
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.85 грн |
| 11+ | 29.73 грн |
| 25+ | 24.26 грн |
| 100+ | 18.83 грн |
| 250+ | 16.59 грн |
| QED123A4R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED123A4R0 IR LEDs
QED123A4R0 IR LEDs
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.57 грн |
| 53+ | 21.64 грн |
| 146+ | 20.38 грн |
| QED223 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,violet; 25mW; 30°; 1.7VDC
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 25mW
Viewing angle: 30°
Mounting: THT
Shape: round
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
LED diameter: 5mm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED lens: diffused; violet
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 5mm; 880nm; diffused,violet; 25mW; 30°; 1.7VDC
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 25mW
Viewing angle: 30°
Mounting: THT
Shape: round
Wavelength of peak sensitivity: 890nm
LED diameter: 5mm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED lens: diffused; violet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.08 грн |
| 18+ | 17.23 грн |
| 50+ | 13.29 грн |
| 100+ | 12.23 грн |
| QED234 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QED234 IR LEDs
QED234 IR LEDs
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.11 грн |
| 112+ | 10.19 грн |
| 308+ | 9.70 грн |
| QEE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 940nm
LED lens: transparent
Radiant power: 7.5mW
Viewing angle: 50°
Operating voltage: 1.5V DC
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
LED current: 100mA
LED version: angular
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 940nm; transparent; 7.5mW; 50°; 1.5VDC; THT; 100mA
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 940nm
LED lens: transparent
Radiant power: 7.5mW
Viewing angle: 50°
Operating voltage: 1.5V DC
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
LED current: 100mA
LED version: angular
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 940nm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.07 грн |
| 8+ | 40.11 грн |
| 10+ | 34.84 грн |
| 25+ | 29.50 грн |
| 50+ | 25.13 грн |
| 100+ | 20.96 грн |
| QEE123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 880nm; transparent; 9mW; 50°; 1.7VDC; λp max: 880nm
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 9mW
Viewing angle: 50°
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED version: angular
LED lens: transparent
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 880nm; transparent; 9mW; 50°; 1.7VDC; λp max: 880nm
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 880nm
Radiant power: 9mW
Viewing angle: 50°
Mounting: THT
Dimensions: 4.44x2.54x5.08mm
Shape: rectangular
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED current: 100mA
Operating voltage: 1.7V DC
LED version: angular
LED lens: transparent
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.78 грн |
| 10+ | 60.56 грн |
| 50+ | 48.71 грн |
| 100+ | 44.64 грн |
| 250+ | 41.15 грн |
| QRD1114 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; diffuse-reflective; NPN; Usup: 5VDC; PCB
Type of sensor: photoelectric
Operation mode: diffuse-reflective
Output configuration: NPN
Supply voltage: 5V DC
Mounting: PCB
Body dimensions: 4.39x6.1x4.65mm
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.41 грн |
| 5+ | 112.87 грн |
| 10+ | 107.72 грн |
| QSD123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
LED lens: black with IR filter
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Collector-emitter voltage: 30V
Viewing angle: 24°
LED lens: black with IR filter
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.12 грн |
| 10+ | 31.64 грн |
| 25+ | 22.90 грн |
| 50+ | 19.89 грн |
| QSD2030 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Type of photoelement: photodiode
Wavelength: 400...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
LED lens: transparent
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Type of photoelement: photodiode
Wavelength: 400...1100nm
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 40°
LED lens: transparent
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.98 грн |
| 10+ | 31.44 грн |
| 25+ | 26.78 грн |
| 100+ | 22.51 грн |
| 250+ | 20.18 грн |
| 1000+ | 19.41 грн |
| QSE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Collector-emitter voltage: 5V
Viewing angle: 50°
LED lens: black with IR filter
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; THT; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50°
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
LED diameter: 5mm
Collector-emitter voltage: 5V
Viewing angle: 50°
LED lens: black with IR filter
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.79 грн |
| 10+ | 47.67 грн |
| 25+ | 39.59 грн |
| 50+ | 34.74 грн |
| 100+ | 29.89 грн |
| RB520S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 55+ | 5.54 грн |
| 79+ | 3.69 грн |
| 100+ | 3.13 грн |
| 500+ | 2.16 грн |
| 1000+ | 1.85 грн |
| 3000+ | 1.47 грн |
| RB520S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 67+ | 4.53 грн |
| 89+ | 3.30 грн |
| 113+ | 2.59 грн |
| 500+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.56 грн |
| 2000+ | 1.36 грн |
| RB521S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.32 грн |
| 52+ | 5.84 грн |
| 71+ | 4.11 грн |
| 100+ | 3.52 грн |
| 500+ | 2.46 грн |
| 1000+ | 2.12 грн |
| 1500+ | 1.94 грн |
| RB751S40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.41 грн |
| 49+ | 6.25 грн |
| 65+ | 4.48 грн |
| 100+ | 3.94 грн |
| 500+ | 2.97 грн |
| 1000+ | 2.64 грн |
| 1500+ | 2.47 грн |
| RB751V40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RB751V40T1G SMD Schottky diodes
RB751V40T1G SMD Schottky diodes
на замовлення 2093 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 9.84 грн |
| 537+ | 2.13 грн |
| 1476+ | 2.02 грн |
| RFD12N06RLESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.31 грн |
| 22+ | 53.28 грн |
| 60+ | 50.36 грн |
| 500+ | 50.29 грн |
| RFD14N05LSM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.93 грн |
| 10+ | 42.63 грн |
| RFD14N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.11 грн |
| 10+ | 49.48 грн |
| 100+ | 33.38 грн |
| 250+ | 31.54 грн |
| RFD14N05SM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.98 грн |
| 8+ | 40.91 грн |
| 25+ | 37.55 грн |
| 100+ | 36.58 грн |
| RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 56mΩ
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 60W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 16A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 56mΩ
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 60W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.15 грн |
| 5+ | 74.98 грн |
| 10+ | 64.82 грн |
| 50+ | 52.40 грн |
| RFD16N06LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Case: DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 47mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 90W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Case: DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 47mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 16A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 90W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.55 грн |
| 5+ | 100.77 грн |
| RFD3055LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD3055LESM9A SMD N channel transistors
RFD3055LESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 313.52 грн |
| 34+ | 33.67 грн |
| 94+ | 31.83 грн |
| RFP12N10L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.92 грн |
| 10+ | 54.42 грн |
| RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.82 грн |
| RFP70N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.98 грн |
| 10+ | 130.00 грн |
| 50+ | 116.45 грн |
| RGF1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8.5pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Power dissipation: 1.76W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.13 грн |
| 15+ | 20.86 грн |
| 100+ | 16.01 грн |
| 500+ | 14.17 грн |
| RHRG3060-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 45ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 45ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 45ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 45ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 249.77 грн |
| 3+ | 216.66 грн |
| 10+ | 184.38 грн |
| 30+ | 171.76 грн |
| 150+ | 165.94 грн |
| 450+ | 159.15 грн |
| RS1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RS1A SMD universal diodes
RS1A SMD universal diodes
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.32 грн |
| 203+ | 5.63 грн |
| 558+ | 5.34 грн |
| RS1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RS1D SMD universal diodes
RS1D SMD universal diodes
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.86 грн |
| 112+ | 10.29 грн |
| 308+ | 9.70 грн |
| 500+ | 9.67 грн |
| RS1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO214AC; SMA
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Load current: 1A
Power dissipation: 1.19W
Max. forward voltage: 1.3V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.99 грн |
| 20+ | 15.62 грн |
| 25+ | 11.84 грн |
| 50+ | 9.90 грн |
| 100+ | 8.35 грн |
| 250+ | 7.86 грн |
| RS1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.90 грн |
| 22+ | 14.31 грн |
| 50+ | 10.19 грн |
| 100+ | 8.93 грн |
| 250+ | 7.38 грн |
| 500+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 6.11 грн |
| RURG3060-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 80ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 80ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 90A; TO247-2; 80ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 90A
Case: TO247-2
Reverse recovery time: 80ns
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 322.92 грн |
| 3+ | 284.18 грн |
| 10+ | 216.40 грн |
| 30+ | 211.55 грн |
| S1AFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1AFL-ONS SMD universal diodes
S1AFL-ONS SMD universal diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 137+ | 8.44 грн |
| 375+ | 7.96 грн |
| S1B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1B-ONS SMD universal diodes
S1B-ONS SMD universal diodes
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.85 грн |
| 196+ | 5.87 грн |
| 537+ | 5.55 грн |
| S1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1D-ONS SMD universal diodes
S1D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.04 грн |
| 202+ | 5.69 грн |
| 554+ | 5.38 грн |
| 5000+ | 5.36 грн |
| S1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1G-FAI SMD universal diodes
S1G-FAI SMD universal diodes
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.16 грн |
| 191+ | 6.02 грн |
| 525+ | 5.73 грн |
| S1K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1K-ONS SMD universal diodes
S1K-ONS SMD universal diodes
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.98 грн |
| 176+ | 6.52 грн |
| 483+ | 6.16 грн |
| S1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1M-FAI SMD universal diodes
S1M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 6462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.22 грн |
| 245+ | 4.67 грн |
| 674+ | 4.42 грн |
| S1MFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 4pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 2us; SOD123F; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 2µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 4pF
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 25+ | 12.29 грн |
| 50+ | 9.43 грн |
| 100+ | 8.38 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 4.98 грн |
| 3000+ | 4.66 грн |
| S2M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S2M-FAI SMD universal diodes
S2M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.11 грн |
| 137+ | 8.44 грн |
| 375+ | 7.96 грн |
| S3D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; SMC; Ifsm: 100A; 2.6W; reel,tape
Type of diode: rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 60pF
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; SMC; Ifsm: 100A; 2.6W; reel,tape
Type of diode: rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 60pF
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 14+ | 22.07 грн |
| 50+ | 17.76 грн |
| 73+ | 15.72 грн |
| 200+ | 14.85 грн |
| 500+ | 14.36 грн |




























