| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FODM8071 | ONSEMI |
FODM8071 Optocouplers - analog output |
на замовлення 105 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM8071R2 | ONSEMI |
FODM8071R2 Optocouplers - digital output |
на замовлення 959 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FODM8801B | ONSEMI |
FODM8801B Optocouplers - analog output |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FPF1003A | ONSEMI |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP6 Type of integrated circuit: power switch Output current: 2A Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Mounting: SMD Case: WLCSP6 On-state resistance: 42mΩ Supply voltage: 1.2...5.5V DC Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: high-side кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 440 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA140N10 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 99A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQA36P15 | ONSEMI |
FQA36P15 THT P channel transistors |
на замовлення 529 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQA40N25 | ONSEMI |
FQA40N25 THT N channel transistors |
на замовлення 441 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQA70N10 | ONSEMI |
FQA70N10 THT N channel transistors |
на замовлення 69 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB12P20TM | ONSEMI |
FQB12P20TM SMD P channel transistors |
на замовлення 306 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB19N20LTM | ONSEMI |
FQB19N20LTM SMD N channel transistors |
на замовлення 620 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB22P10TM | ONSEMI |
FQB22P10TM SMD P channel transistors |
на замовлення 3447 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB34P10TM | ONSEMI |
FQB34P10TM SMD P channel transistors |
на замовлення 343 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI |
FQB47P06TM-AM002 SMD P channel transistors |
на замовлення 735 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB55N10TM | ONSEMI |
FQB55N10TM SMD N channel transistors |
на замовлення 248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQB5N90TM | ONSEMI |
FQB5N90TM SMD N channel transistors |
на замовлення 715 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD11P06TM | ONSEMI |
FQD11P06TM SMD P channel transistors |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQD12N20LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 55W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC On-state resistance: 0.32Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 5.7A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Technology: QFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1382 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD13N06LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2068 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQD13N10LTM | ONSEMI |
FQD13N10LTM SMD N channel transistors |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD17P06TM | ONSEMI |
FQD17P06TM SMD P channel transistors |
на замовлення 1277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD18N20V2TM | ONSEMI |
FQD18N20V2TM SMD N channel transistors |
на замовлення 122 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD19N10LTM | ONSEMI |
FQD19N10LTM SMD N channel transistors |
на замовлення 2094 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD30N06TM | ONSEMI |
FQD30N06TM SMD N channel transistors |
на замовлення 1826 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD3P50TM | ONSEMI |
FQD3P50TM SMD P channel transistors |
на замовлення 675 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQD5P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1243 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQD6N40CTM | ONSEMI |
FQD6N40CTM SMD N channel transistors |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD7N20LTM | ONSEMI |
FQD7N20LTM SMD N channel transistors |
на замовлення 1959 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD7P20TM | ONSEMI |
FQD7P20TM SMD P channel transistors |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQD8P10TM | ONSEMI |
FQD8P10TM SMD P channel transistors |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQP11N40C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.6A Power dissipation: 135W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQP17P06 | ONSEMI |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB Technology: QFET® Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 79W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQP27P06 | ONSEMI |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -27A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 429 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQP45N15V2 | ONSEMI |
FQP45N15V2 THT N channel transistors |
на замовлення 93 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQP47P06 | ONSEMI |
FQP47P06 THT P channel transistors |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQP4N80 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.47A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQP6N80C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Power dissipation: 158W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQP9N90C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQPF13N50CF | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQPF19N20C | ONSEMI |
FQPF19N20C THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQPF27P06 | ONSEMI |
FQPF27P06 THT P channel transistors |
на замовлення 139 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQPF3N80C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® Gate charge: 16.5nC Power dissipation: 39W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQPF47P06 | ONSEMI |
FQPF47P06 THT P channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQPF9N90CT | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQT4N20LTF | ONSEMI |
FQT4N20LTF SMD N channel transistors |
на замовлення 3248 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQT7N10LTF | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.36A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3694 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FSA2567MPX | ONSEMI |
FSA2567MPX Analog multiplexers and switches |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FSA4157AP6X | ONSEMI |
FSA4157AP6X Analog multiplexers and switches |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FSBB30CH60C | ONSEMI |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMEC-027 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT three-phase bridge Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM Technology: Motion SPM® 3 Case: SPMEC-027 Output current: 30A Number of channels: 6 Mounting: THT Operating temperature: -40...150°C Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC Power dissipation: 106W Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FSQ0765RSUDTU | ONSEMI |
FSQ0765RSUDTU Voltage regulators - PWM circuits |
на замовлення 310 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FSUSB42MUX | ONSEMI |
Category: Analog multiplexers and switchesDescription: IC: analog switch; USB switch; Ch: 2; MSOP10; 2.4÷4.4VDC; OUT: DPDT Type of integrated circuit: analog switch Kind of integrated circuit: USB switch Number of channels: 2 Case: MSOP10 Supply voltage: 2.4...4.4V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of output: DPDT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FSV1060V | ONSEMI |
FSV1060V SMD Schottky diodes |
на замовлення 4932 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FSV15100V | ONSEMI |
FSV15100V SMD Schottky diodes |
на замовлення 3454 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FXL4TD245BQX | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting Number of channels: 4 Case: DQFN16 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.1...3.6V DC Number of outputs: 4 Number of inputs: 4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FXL5T244BQX | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting Number of channels: 5 Case: DQFN14 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.1...3.6V DC Number of outputs: 5 Number of inputs: 5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FXMA2102UMX | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; UQFN8; -40÷85°C; reel,tape Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Case: UQFN8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.65...5.5V DC Number of outputs: 2 Number of inputs: 2 Frequency: 37MHz Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; open drain output кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1353 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FXMA2104UMX | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 4 Case: MLP12 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.65...5.5V DC Number of outputs: 4 Number of inputs: 4 Frequency: 26MHz Kind of output: open drain Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3636 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FXMAR2102UMX | ONSEMI |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP8; -40÷85°C; reel,tape; IN: 2 Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator Number of channels: 2 Case: MLP8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.65...5.5V DC Number of outputs: 2 Number of inputs: 2 Frequency: 50MHz Kind of output: open drain Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4681 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GBU6K | ONSEMI |
GBU6K-ONS Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 797 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
GBU6M | ONSEMI |
Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 175A; flat Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1kV Load current: 6A Max. forward impulse current: 175A Version: flat Case: GBU Electrical mounting: THT Leads: flat pin Kind of package: tube Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 726 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| FODM8071 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM8071 Optocouplers - analog output
FODM8071 Optocouplers - analog output
на замовлення 105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.72 грн |
| 8+ | 166.11 грн |
| 20+ | 157.21 грн |
| FODM8071R2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM8071R2 Optocouplers - digital output
FODM8071R2 Optocouplers - digital output
на замовлення 959 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.34 грн |
| 7+ | 176.00 грн |
| 19+ | 166.11 грн |
| FODM8801B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FODM8801B Optocouplers - analog output
FODM8801B Optocouplers - analog output
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.17 грн |
| 16+ | 75.15 грн |
| 43+ | 71.19 грн |
| 600+ | 70.85 грн |
| FPF1003A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: WLCSP6
On-state resistance: 42mΩ
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD; WLCSP6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: WLCSP6
On-state resistance: 42mΩ
Supply voltage: 1.2...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.59 грн |
| 25+ | 20.76 грн |
| 100+ | 19.78 грн |
| FQA140N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 625.05 грн |
| 10+ | 494.91 грн |
| 30+ | 414.29 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 498.34 грн |
| FQA36P15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQA36P15 THT P channel transistors
FQA36P15 THT P channel transistors
на замовлення 529 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 432.32 грн |
| 5+ | 251.15 грн |
| 13+ | 237.30 грн |
| FQA40N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQA40N25 THT N channel transistors
FQA40N25 THT N channel transistors
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 419.54 грн |
| 5+ | 244.22 грн |
| 14+ | 231.37 грн |
| FQA70N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQA70N10 THT N channel transistors
FQA70N10 THT N channel transistors
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 278.98 грн |
| 7+ | 176.99 грн |
| 19+ | 167.10 грн |
| FQB12P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQB12P20TM SMD P channel transistors
FQB12P20TM SMD P channel transistors
на замовлення 306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.87 грн |
| 11+ | 108.76 грн |
| 30+ | 102.83 грн |
| FQB19N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQB19N20LTM SMD N channel transistors
FQB19N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.69 грн |
| 13+ | 92.94 грн |
| 35+ | 87.01 грн |
| FQB22P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQB22P10TM SMD P channel transistors
FQB22P10TM SMD P channel transistors
на замовлення 3447 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.39 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 32+ | 96.90 грн |
| FQB34P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQB34P10TM SMD P channel transistors
FQB34P10TM SMD P channel transistors
на замовлення 343 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.53 грн |
| 7+ | 170.07 грн |
| 19+ | 160.18 грн |
| FQB47P06TM-AM002 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQB47P06TM-AM002 SMD P channel transistors
FQB47P06TM-AM002 SMD P channel transistors
на замовлення 735 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.00 грн |
| 6+ | 209.62 грн |
| 16+ | 197.75 грн |
| FQB55N10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQB55N10TM SMD N channel transistors
FQB55N10TM SMD N channel transistors
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.35 грн |
| 10+ | 129.53 грн |
| 25+ | 121.62 грн |
| FQB5N90TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQB5N90TM SMD N channel transistors
FQB5N90TM SMD N channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.72 грн |
| 8+ | 166.11 грн |
| 20+ | 157.21 грн |
| FQD11P06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD11P06TM SMD P channel transistors
FQD11P06TM SMD P channel transistors
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.58 грн |
| 23+ | 52.40 грн |
| 62+ | 49.54 грн |
| FQD12N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.32Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.32Ω
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.70 грн |
| 5+ | 72.90 грн |
| 10+ | 61.30 грн |
| 25+ | 50.82 грн |
| 50+ | 44.10 грн |
| 100+ | 38.56 грн |
| 500+ | 33.02 грн |
| FQD13N06LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.54 грн |
| 10+ | 49.39 грн |
| 25+ | 41.03 грн |
| 100+ | 33.02 грн |
| 250+ | 28.67 грн |
| 500+ | 27.59 грн |
| FQD13N10LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD13N10LTM SMD N channel transistors
FQD13N10LTM SMD N channel transistors
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.30 грн |
| 42+ | 28.18 грн |
| 115+ | 26.60 грн |
| FQD17P06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD17P06TM SMD P channel transistors
FQD17P06TM SMD P channel transistors
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.55 грн |
| 23+ | 50.92 грн |
| 64+ | 48.15 грн |
| FQD18N20V2TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD18N20V2TM SMD N channel transistors
FQD18N20V2TM SMD N channel transistors
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.08 грн |
| 19+ | 63.28 грн |
| 51+ | 60.31 грн |
| FQD19N10LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD19N10LTM SMD N channel transistors
FQD19N10LTM SMD N channel transistors
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.17 грн |
| 25+ | 48.15 грн |
| 67+ | 45.58 грн |
| FQD30N06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD30N06TM SMD N channel transistors
FQD30N06TM SMD N channel transistors
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.26 грн |
| 25+ | 47.46 грн |
| 68+ | 44.89 грн |
| FQD3P50TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD3P50TM SMD P channel transistors
FQD3P50TM SMD P channel transistors
на замовлення 675 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.01 грн |
| 18+ | 66.25 грн |
| 49+ | 62.29 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.27 грн |
| FQD6N40CTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD6N40CTM SMD N channel transistors
FQD6N40CTM SMD N channel transistors
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.61 грн |
| 19+ | 62.29 грн |
| 52+ | 58.34 грн |
| FQD7N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
FQD7N20LTM SMD N channel transistors
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.09 грн |
| 35+ | 33.91 грн |
| 96+ | 32.04 грн |
| FQD7P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD7P20TM SMD P channel transistors
FQD7P20TM SMD P channel transistors
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.69 грн |
| 21+ | 57.35 грн |
| 57+ | 53.39 грн |
| FQD8P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQD8P10TM SMD P channel transistors
FQD8P10TM SMD P channel transistors
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.46 грн |
| 35+ | 33.91 грн |
| 95+ | 32.04 грн |
| FQP11N40C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.83 грн |
| 3+ | 159.15 грн |
| 10+ | 139.42 грн |
| 50+ | 123.60 грн |
| 100+ | 111.73 грн |
| 250+ | 107.78 грн |
| FQP17P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 79W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 79W; TO220AB
Technology: QFET®
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 79W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.16 грн |
| FQP27P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.09 грн |
| 10+ | 108.84 грн |
| 50+ | 99.87 грн |
| FQP45N15V2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQP45N15V2 THT N channel transistors
FQP45N15V2 THT N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.05 грн |
| 9+ | 134.47 грн |
| 24+ | 126.56 грн |
| FQP47P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQP47P06 THT P channel transistors
FQP47P06 THT P channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.08 грн |
| 7+ | 182.92 грн |
| 18+ | 173.03 грн |
| FQP4N80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; Idm: 15.6A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.11 грн |
| 10+ | 101.84 грн |
| 50+ | 90.97 грн |
| 250+ | 89.98 грн |
| FQP6N80C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.15 грн |
| 10+ | 146.83 грн |
| 50+ | 119.64 грн |
| FQP9N90C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 379.08 грн |
| 10+ | 276.21 грн |
| FQPF13N50CF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.54 грн |
| 10+ | 167.37 грн |
| FQPF19N20C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQPF19N20C THT N channel transistors
FQPF19N20C THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.93 грн |
| 15+ | 81.08 грн |
| 40+ | 77.12 грн |
| FQPF27P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQPF27P06 THT P channel transistors
FQPF27P06 THT P channel transistors
на замовлення 139 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.99 грн |
| 12+ | 98.88 грн |
| 33+ | 93.93 грн |
| FQPF3N80C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 16.5nC
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 16.5nC
Power dissipation: 39W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.14 грн |
| 50+ | 100.63 грн |
| FQPF47P06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQPF47P06 THT P channel transistors
FQPF47P06 THT P channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 362.04 грн |
| 7+ | 188.85 грн |
| 18+ | 177.98 грн |
| FQPF9N90CT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 411.02 грн |
| 5+ | 289.56 грн |
| 10+ | 236.31 грн |
| 25+ | 227.42 грн |
| FQT4N20LTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FQT4N20LTF SMD N channel transistors
FQT4N20LTF SMD N channel transistors
на замовлення 3248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.88 грн |
| 36+ | 33.42 грн |
| 97+ | 31.54 грн |
| FQT7N10LTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.60 грн |
| 10+ | 50.11 грн |
| 25+ | 41.53 грн |
| 50+ | 37.18 грн |
| 100+ | 33.22 грн |
| 250+ | 28.67 грн |
| 500+ | 28.48 грн |
| FSA2567MPX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA2567MPX Analog multiplexers and switches
FSA2567MPX Analog multiplexers and switches
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.24 грн |
| 29+ | 41.13 грн |
| 79+ | 38.86 грн |
| FSA4157AP6X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSA4157AP6X Analog multiplexers and switches
FSA4157AP6X Analog multiplexers and switches
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.72 грн |
| 111+ | 10.58 грн |
| 304+ | 9.99 грн |
| FSBB30CH60C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMEC-027
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 3
Case: SPMEC-027
Output current: 30A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 106W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; Motion SPM® 3; SPMEC-027
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: Motion SPM® 3
Case: SPMEC-027
Output current: 30A
Number of channels: 6
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 13.5...16.5/0...400V DC
Power dissipation: 106W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FSQ0765RSUDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSQ0765RSUDTU Voltage regulators - PWM circuits
FSQ0765RSUDTU Voltage regulators - PWM circuits
на замовлення 310 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.58 грн |
| 8+ | 164.13 грн |
| 20+ | 155.24 грн |
| 100+ | 155.05 грн |
| FSUSB42MUX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; USB switch; Ch: 2; MSOP10; 2.4÷4.4VDC; OUT: DPDT
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Number of channels: 2
Case: MSOP10
Supply voltage: 2.4...4.4V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: DPDT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: analog switch; USB switch; Ch: 2; MSOP10; 2.4÷4.4VDC; OUT: DPDT
Type of integrated circuit: analog switch
Kind of integrated circuit: USB switch
Number of channels: 2
Case: MSOP10
Supply voltage: 2.4...4.4V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of output: DPDT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 11+ | 28.13 грн |
| 25+ | 23.33 грн |
| 50+ | 20.86 грн |
| 100+ | 18.98 грн |
| 250+ | 17.11 грн |
| 500+ | 16.22 грн |
| FSV1060V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSV1060V SMD Schottky diodes
FSV1060V SMD Schottky diodes
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.89 грн |
| 29+ | 41.33 грн |
| 78+ | 39.06 грн |
| FSV15100V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FSV15100V SMD Schottky diodes
FSV15100V SMD Schottky diodes
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.18 грн |
| 31+ | 37.77 грн |
| 86+ | 35.69 грн |
| FXL4TD245BQX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Case: DQFN16
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 4
Case: DQFN16
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 5+ | 81.12 грн |
| 25+ | 76.13 грн |
| FXL5T244BQX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Case: DQFN14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 5
Number of inputs: 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 5; 1.1÷3.6VDC; SMD; DQFN14; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; logic level voltage translator; non-inverting
Number of channels: 5
Case: DQFN14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.1...3.6V DC
Number of outputs: 5
Number of inputs: 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.25 грн |
| 10+ | 75.98 грн |
| 25+ | 67.24 грн |
| 100+ | 64.27 грн |
| FXMA2102UMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; UQFN8; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: UQFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Frequency: 37MHz
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; open drain output
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; UQFN8; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: UQFN8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Frequency: 37MHz
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; open drain output
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.54 грн |
| 10+ | 44.67 грн |
| 20+ | 36.78 грн |
| 25+ | 35.10 грн |
| 100+ | 32.33 грн |
| FXMA2104UMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 4
Case: MLP12
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
Frequency: 26MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 4; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP12; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 4
Case: MLP12
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 4
Number of inputs: 4
Frequency: 26MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.50 грн |
| 10+ | 52.88 грн |
| 50+ | 49.93 грн |
| FXMAR2102UMX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP8; -40÷85°C; reel,tape; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: MLP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Frequency: 50MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 2; 1.65÷5.5VDC; SMD; MLP8; -40÷85°C; reel,tape; IN: 2
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bidirectional; logic level voltage translator
Number of channels: 2
Case: MLP8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Number of outputs: 2
Number of inputs: 2
Frequency: 50MHz
Kind of output: open drain
Integrated circuit features: 5V tolerant on inputs/outputs; auto-direction sensing
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.64 грн |
| 10+ | 83.17 грн |
| 25+ | 76.13 грн |
| 100+ | 69.21 грн |
| 250+ | 63.28 грн |
| 500+ | 61.30 грн |
| 1000+ | 59.33 грн |
| GBU6K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
GBU6K-ONS Flat single phase diode bridge rectif.
GBU6K-ONS Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 797 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 172.50 грн |
| 17+ | 69.21 грн |
| 40+ | 67.77 грн |
| 47+ | 65.26 грн |
| GBU6M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 175A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 175A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 726 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.99 грн |
| 10+ | 71.88 грн |
| 100+ | 67.24 грн |
















