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BDX54CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 MSL: - Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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BDX54BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 750 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQS4900TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCP1091DRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schaltfrequenz, max.: - PoE-Standard: IEEE 802.3af IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Tastverhältnis (%): - Leistung, max.: 15W Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 57V Ausgangsstrom, max.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) UVLO: 31V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code PoE-Controller: PD-Controller Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HGTG30N60A4D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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GBU4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU4B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLEtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Through Hole Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU4J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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GBU4D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU4D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDC658AP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 43286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BS170"D27Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC546ABU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC548BTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC546CTA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC546C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP41AG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TIP41BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CAT9532YI-T2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 400kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 25mA Eingangsspannung, min.: 2.3V Topologie: - Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS35 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS35 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 120V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS35 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS35 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 120V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS31 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 90V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP3065DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8tariffCode: 85044095 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 250kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: 3V Topologie: Boost, Buck Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDT014L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85331000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 10709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDP6060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NDP7060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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NDC7001C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 31193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDP6060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS9948 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 AtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDS9945. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDP6020P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 60 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
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NDP7060.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: Lead |
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NDB6060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDB6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.02 ohm, TO-263AB, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 48 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 100 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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NDS351N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.6 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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NDP7060. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP7060. - MOSFET, DRAIN-SOURCE-SPANNUNG, 60VTransistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: Lead |
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NCV321SN3T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz Eingangsoffsetspannung: 1.7mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 1nA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BDX53CG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDX53CG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV78L08ABDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV78L08ABDR2G - VOLT REG, FIXED, 8V, 0.1A, -40TO125DEG CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Nennausgangsspannung: 8V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Eingangsspannung, min.: 9.7V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8V 100mA Linear Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV14504BDTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14504BDTR2G - HEX LEVEL SHIFTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLV14504BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14504BDR2G - HEX LEVEL SHIFTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NLV14504BDTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14504BDTG - HEX LEVEL SHIFTERMSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SZESD1L001W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD1L001W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SC-88, 6 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-88 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZESD1L001W1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD1L001W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SC-88, 6 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-88 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817DS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817DS - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 300% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD817BS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD817BS - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES CTR, min.: 130% usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV Durchlassstrom If, max.: 50mA euEccn: NLR Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0134CSSC00SUEA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0134CSSC00SUEA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DPBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0134CSSC00SPCA0-DRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-DRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden Produktpalette: DRB Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0134CSSC00SUEA0-DPBR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0134CSSC00SUEA0-TPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-TPBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0134CSSC00SPCA0-DPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-DPBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0134CSSC00SPCA0-TPBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-TPBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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AR0134CSSC00SPCA0-TRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-TRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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AR0134CSSC00SUEA0-TRBR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-TRBR - IMAGE SENSORMSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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FOD3182 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD3182 - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kVtariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD3182TSR2V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD3182TSR2V - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV, FOD3182Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 Isolationsspannung: 5 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Produktpalette: FOD3182 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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FOD3182V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD3182V - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kVtariffCode: 85414900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD3182SDV | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD3182SDV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kVtariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD3182SDV | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD3182SDV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kVtariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 1 Kanal hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD3182TV | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD3182TV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kVAnzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 Isolationsspannung: 5 Bauform - Optokoppler: DIP Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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FOD3182SV | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD3182SV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kVAnzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 Isolationsspannung: 5 Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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SS32 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SS32 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BDX54CG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BDX54CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 8 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: -
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| BDX54BG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BDX54BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 65 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.22 грн |
| FQS4900TF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQS4900TF - DUAL N & P CHANNEL, LOGIC LEVEL MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NCP1091DRG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 31V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP1091DRG - Power over Ethernet (PoE)-Controller, 57V Eingangsspannung, 31V UVLO, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Leistung, max.: 15W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 57V
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
UVLO: 31V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.16 грн |
| 12+ | 70.46 грн |
| 50+ | 63.87 грн |
| 100+ | 49.89 грн |
| 250+ | 43.23 грн |
| 500+ | 41.49 грн |
| 1000+ | 37.00 грн |
| 2500+ | 36.28 грн |
| HGTG30N60A4D | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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| GBU4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBU4G - Brückengleichrichter, Eine Phase, 400 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 173.19 грн |
| 10+ | 98.00 грн |
| 100+ | 68.94 грн |
| GBU4B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLE
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Through Hole
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - GBU4B - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 4A, 100V THOUGH HOLE
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Through Hole
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GBU4J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - GBU4J - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4J
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 209.52 грн |
| 12+ | 75.44 грн |
| 100+ | 70.80 грн |
| 500+ | 65.50 грн |
| GBU4D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - GBU4D - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 4 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU4D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 165.59 грн |
| 10+ | 94.62 грн |
| 100+ | 72.32 грн |
| 500+ | 50.99 грн |
| 1000+ | 44.61 грн |
| FDC658AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 43286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 66.57 грн |
| 50+ | 45.28 грн |
| 100+ | 30.16 грн |
| 500+ | 21.49 грн |
| 1500+ | 17.81 грн |
| BS170"D27Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC546ABU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC546ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 21.04 грн |
| 67+ | 12.67 грн |
| 107+ | 7.91 грн |
| 500+ | 5.62 грн |
| 1000+ | 4.18 грн |
| 5000+ | 3.53 грн |
| BC548BTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC548BTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 21.88 грн |
| 63+ | 13.60 грн |
| 100+ | 8.53 грн |
| 500+ | 5.86 грн |
| 1000+ | 4.97 грн |
| BC546CTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC546C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC546CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC546C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 14.87 грн |
| 88+ | 9.63 грн |
| 132+ | 6.45 грн |
| 500+ | 4.53 грн |
| 1000+ | 3.97 грн |
| TIP41AG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - TIP41AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 86.17 грн |
| 13+ | 68.60 грн |
| 100+ | 49.08 грн |
| TIP41BG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TIP41BG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.98 грн |
| CAT9532YI-T2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 400kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - CAT9532YI-T2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 2.3V bis 5.5Vin, 25mAout, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 400kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 25mA
Eingangsspannung, min.: 2.3V
Topologie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 194.31 грн |
| 10+ | 142.78 грн |
| 50+ | 129.26 грн |
| 100+ | 107.47 грн |
| 250+ | 86.90 грн |
| 500+ | 84.72 грн |
| 1000+ | 74.59 грн |
| BAS35 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.81 грн |
| 500+ | 8.71 грн |
| 1000+ | 7.31 грн |
| BAS35 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS35 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 120 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 18.67 грн |
| 69+ | 12.25 грн |
| 100+ | 10.81 грн |
| 500+ | 8.71 грн |
| 1000+ | 7.31 грн |
| BAS31 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 90V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAS31 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 90 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 90V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 15.71 грн |
| 80+ | 10.56 грн |
| 105+ | 8.10 грн |
| 500+ | 6.83 грн |
| 1000+ | 5.67 грн |
| 5000+ | 4.32 грн |
| NCP3065DR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85044095
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCP3065DR2G - LED-Treiber, 1 Ausgang, Buck, Boost, 3V-40Vin, 250kHz Schaltfrequenz,1.5Aout, SOIC-8
tariffCode: 85044095
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 250kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: 3V
Topologie: Boost, Buck
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.41 грн |
| 10+ | 94.62 грн |
| 50+ | 85.33 грн |
| 100+ | 70.29 грн |
| 250+ | 60.97 грн |
| 500+ | 58.66 грн |
| NDT014L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 102.22 грн |
| 50+ | 68.01 грн |
| 250+ | 51.53 грн |
| 1000+ | 33.65 грн |
| 2000+ | 30.34 грн |
| NDP6060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDP6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 233.17 грн |
| 10+ | 144.47 грн |
| 100+ | 140.24 грн |
| NDP7060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - NDP7060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| NDC7001C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDC7001C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.39 грн |
| 26+ | 32.61 грн |
| 100+ | 21.37 грн |
| 500+ | 13.96 грн |
| 1000+ | 11.37 грн |
| 5000+ | 9.85 грн |
| NDP6060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 276.26 грн |
| 10+ | 147.84 грн |
| 100+ | 141.93 грн |
| NDS9948 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 87.86 грн |
| 50+ | 53.98 грн |
| 100+ | 35.57 грн |
| 500+ | 25.81 грн |
| 1000+ | 21.29 грн |
| NDS9945. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 149.53 грн |
| 50+ | 105.60 грн |
| 100+ | 86.17 грн |
| 500+ | 66.92 грн |
| 1000+ | 56.56 грн |
| NDP6020P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDP6020P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 24 A, 0.041 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NDP7060.. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - NDP7060.. - N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
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| NDB6060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDB6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - NDB6060L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| NDS351N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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| NDP7060. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP7060. - MOSFET, DRAIN-SOURCE-SPANNUNG, 60V
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - NDP7060. - MOSFET, DRAIN-SOURCE-SPANNUNG, 60V
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.8
SVHC: Lead
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| NCV321SN3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.7mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1nA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV321SN3T1G - Operationsverstärker, RRO, 1 Kanäle, 1 MHz, 1 V/µs, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.7mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1nA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 51.28 грн |
| 24+ | 36.16 грн |
| 100+ | 28.47 грн |
| 500+ | 21.65 грн |
| 1000+ | 18.25 грн |
| BDX53CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDX53CG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BDX53CG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.21 грн |
| 15+ | 59.90 грн |
| 100+ | 53.22 грн |
| 500+ | 36.87 грн |
| 1000+ | 29.62 грн |
| 5000+ | 29.40 грн |
| NCV78L08ABDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV78L08ABDR2G - VOLT REG, FIXED, 8V, 0.1A, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Nennausgangsspannung: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 9.7V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8V 100mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NCV78L08ABDR2G - VOLT REG, FIXED, 8V, 0.1A, -40TO125DEG C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Nennausgangsspannung: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 9.7V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8V 100mA Linear Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 21.88 грн |
| 57+ | 14.95 грн |
| 100+ | 11.41 грн |
| 500+ | 9.26 грн |
| 1000+ | 7.97 грн |
| NLV14504BDTR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14504BDTR2G - HEX LEVEL SHIFTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV14504BDTR2G - HEX LEVEL SHIFTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLV14504BDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14504BDR2G - HEX LEVEL SHIFTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLV14504BDR2G - HEX LEVEL SHIFTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| NLV14504BDTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14504BDTG - HEX LEVEL SHIFTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14504BDTG - HEX LEVEL SHIFTER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| SZESD1L001W1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD1L001W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SC-88, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZESD1L001W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SC-88, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 50.94 грн |
| 18+ | 47.39 грн |
| 100+ | 31.85 грн |
| 500+ | 23.77 грн |
| 1000+ | 19.33 грн |
| SZESD1L001W1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD1L001W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SC-88, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SZESD1L001W1T2G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SC-88, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-88
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.85 грн |
| 500+ | 23.77 грн |
| 1000+ | 19.33 грн |
| FOD817DS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817DS - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817DS - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 300 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 300%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 31.34 грн |
| 39+ | 21.71 грн |
| 100+ | 15.54 грн |
| 500+ | 11.77 грн |
| 1000+ | 10.07 грн |
| FOD817BS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817BS - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD817BS - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 37.17 грн |
| 34+ | 25.60 грн |
| 100+ | 18.33 грн |
| 500+ | 13.89 грн |
| 1000+ | 11.95 грн |
| AR0134CSSC00SUEA0-DRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0134CSSC00SUEA0-DPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0134CSSC00SPCA0-DRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-DRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Produktpalette: DRB Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0134CSSC00SUEA0-DPBR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-DPBR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0134CSSC00SUEA0-TPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-TPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-TPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0134CSSC00SPCA0-DPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-DPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| AR0134CSSC00SPCA0-TPBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-TPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-TPBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| AR0134CSSC00SPCA0-TRBR |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-TRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SPCA0-TRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| AR0134CSSC00SUEA0-TRBR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-TRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - AR0134CSSC00SUEA0-TRBR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| FOD3182 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD3182 - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD3182 - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 245.00 грн |
| 10+ | 134.33 грн |
| 25+ | 127.57 грн |
| 50+ | 112.97 грн |
| 100+ | 98.48 грн |
| 500+ | 83.28 грн |
| FOD3182TSR2V |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD3182TSR2V - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV, FOD3182
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Produktpalette: FOD3182
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FOD3182TSR2V - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV, FOD3182
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Produktpalette: FOD3182
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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| FOD3182V |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD3182V - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD3182V - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 265.28 грн |
| 10+ | 163.05 грн |
| 25+ | 159.67 грн |
| 50+ | 144.34 грн |
| 100+ | 130.34 грн |
| 500+ | 114.41 грн |
| FOD3182SDV |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD3182SDV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD3182SDV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 193.47 грн |
| 10+ | 161.36 грн |
| 25+ | 159.67 грн |
| 50+ | 139.64 грн |
| 100+ | 120.21 грн |
| FOD3182SDV |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD3182SDV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD3182SDV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.21 грн |
| FOD3182TV |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD3182TV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: DIP
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FOD3182TV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: DIP
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| FOD3182SV |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD3182SV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FOD3182SV - Optokoppler, Gate-Treiber-Ausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 8 Pin(s), 5 kV
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 5
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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| SS32 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SS32 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 3 A, Einfach, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 34.05 грн |
| 26+ | 33.46 грн |
| 100+ | 30.41 грн |
| 500+ | 25.57 грн |
| 1000+ | 23.46 грн |





























