| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTGS4141NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTH4L040N65S3F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar On-state resistance: 32mΩ Drain current: 45A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTH4L080N120SC1 | ONSEMI |
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | ONSEMI |
NTHD3100CT1G Multi channel transistors |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTHL041N60S5H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTJD1155LT1G | ONSEMI |
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits |
на замовлення 647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTJD4001NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTJD4401NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.46A Gate charge: 1.3nC On-state resistance: 445mΩ Power dissipation: 0.27W Gate-source voltage: ±12V Case: SC70-6; SC88; SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTJD5121NT1G | ONSEMI |
NTJD5121NT1G Multi channel transistors |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTJS4151PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTK3043NT1G | ONSEMI |
NTK3043NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTK3134NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.64A Power dissipation: 0.45W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTK3139PT1G | ONSEMI |
NTK3139PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTMFS5C426NT1G | ONSEMI |
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTMFS5C604NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 203A Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.2mΩ Power dissipation: 100W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C628NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: 50A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 20nC Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 8.8mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1654 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTP165N65S3H | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 142W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTP360N80S3Z | ONSEMI |
NTP360N80S3Z THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTP6412ANG | ONSEMI |
NTP6412ANG THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR0202PLT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A Gate charge: 2.18nC Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 0.55Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR1P02LT1G | ONSEMI |
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR1P02T1G | ONSEMI |
NTR1P02T1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR2101PT1G | ONSEMI |
NTR2101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 1971 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ONSEMI |
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ONSEMI |
NTR4003NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 905 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ONSEMI |
NTR4101PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR4170NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.7A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR4171PT1G | ONSEMI |
NTR4171PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8181 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4502PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.56A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR4503NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.73W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTR5103NT1G | ONSEMI |
NTR5103NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTR5105PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A Power dissipation: 0.347W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTR5198NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 155mΩ Power dissipation: 0.6W Drain current: 1.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2809 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4001NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.33W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTS4101PT1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Gate charge: 6.4nC On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 0.329W Gate-source voltage: ±8V Case: SC70; SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3083 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTS4173PT1G | ONSEMI |
NTS4173PT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTS4409NT1G | ONSEMI |
NTS4409NT1G SMD N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NTZD3152PT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.43A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3154NT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.54A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±7V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3155CT1G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 400/500mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5/1.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3473 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTZD3155CT2G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.39/-0.31A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.55/0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUD4001DR2G | ONSEMI |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM Mounting: SMD Case: SO8 Operating temperature: -40...125°C Output current: 0.5A Output voltage: 28V Kind of integrated circuit: LED driver Integrated circuit features: PWM Number of channels: 1 Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NUF2042XV6T1G | ONSEMI |
Category: Filters - integrated circuitsDescription: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2 Case: SOT563 Mounting: SMD Number of channels: 2 Application: USB port ESD protection Kind of integrated circuit: line terminator Type of filter: digital Kind of filter: EMI; lowpass кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUF2101MT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape Kind of package: reel; tape Case: TSOP6 Type of diode: TVS array Mounting: SMD Number of channels: 3 Application: USB Semiconductor structure: bidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP1301ML3T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; double series; SOT23; Ch: 1; reel,tape; ESD Type of diode: TVS array Semiconductor structure: double series Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 70V Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP2105LT1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23 Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 26.2...32V Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: bidirectional; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP2114UPXV5T1G | ONSEMI |
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NUP2201MR6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 5µA Number of channels: 2 Max. forward impulse current: 25A Breakdown voltage: 6V Peak pulse power dissipation: 0.5kW Case: TSOP6 Application: universal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP2301MW6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD Type of diode: diode arrays Mounting: SMD Case: SC88 Max. off-state voltage: 70V Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP4114UCLW1T2G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape Case: SC88 Version: ESD Application: universal Mounting: SMD Type of diode: TVS array Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Number of channels: 4 Max. off-state voltage: 5.5V Breakdown voltage: 6.5V Max. forward impulse current: 12A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP4114UCW1T2G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 6.5V Max. forward impulse current: 12A Semiconductor structure: unidirectional Mounting: SMD Case: SC88 Max. off-state voltage: 5.5V Leakage current: 1µA Number of channels: 4 Kind of package: reel; tape Application: universal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1493 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP4301MR6T1G | ONSEMI |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD Type of diode: diode arrays Mounting: SMD Case: SC74 Number of channels: 4 Kind of package: reel; tape Version: ESD Max. off-state voltage: 70V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVD5C688NLT4G | ONSEMI |
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVF2955T1G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223 Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.6A Gate charge: 14.3nC On-state resistance: 154mΩ Power dissipation: 2.3W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVJD5121NT1G | ONSEMI |
NVJD5121NT1G Multi channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVR4501NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVR5124PLT1G | ONSEMI |
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NVR5198NLT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Gate charge: 5.1nC On-state resistance: 0.205Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1493 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NTGS4141NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 13+ | 23.38 грн |
| 15+ | 20.57 грн |
| 100+ | 18.83 грн |
| NTH4L040N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1848.71 грн |
| 5+ | 1605.32 грн |
| 30+ | 1366.34 грн |
| 120+ | 1236.30 грн |
| NTH4L080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
NTH4L080N120SC1 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1033.56 грн |
| 3+ | 997.58 грн |
| NTHD3100CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.28 грн |
| 25+ | 47.45 грн |
| 67+ | 44.83 грн |
| NTHL041N60S5H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 684.51 грн |
| NTJD1155LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
NTJD1155LT1G Power switches - integrated circuits
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.22 грн |
| 65+ | 17.76 грн |
| 178+ | 16.79 грн |
| NTJD4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.40 грн |
| 14+ | 22.47 грн |
| 50+ | 14.85 грн |
| 100+ | 12.52 грн |
| 500+ | 9.02 грн |
| NTJD4401NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
On-state resistance: 445mΩ
Power dissipation: 0.27W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W; ESD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Gate charge: 1.3nC
On-state resistance: 445mΩ
Power dissipation: 0.27W
Gate-source voltage: ±12V
Case: SC70-6; SC88; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 11+ | 28.02 грн |
| 13+ | 23.58 грн |
| 100+ | 13.68 грн |
| 500+ | 9.61 грн |
| 1000+ | 8.54 грн |
| NTJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTJD5121NT1G Multi channel transistors
NTJD5121NT1G Multi channel transistors
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.45 грн |
| 232+ | 4.94 грн |
| 638+ | 4.67 грн |
| NTJS4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.08 грн |
| 18+ | 17.33 грн |
| 50+ | 13.29 грн |
| 100+ | 12.13 грн |
| 500+ | 9.90 грн |
| 1000+ | 9.12 грн |
| 1500+ | 9.02 грн |
| NTK3043NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
NTK3043NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.96 грн |
| 343+ | 3.34 грн |
| 944+ | 3.15 грн |
| NTK3134NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.64A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.64A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.44 грн |
| 15+ | 21.36 грн |
| 100+ | 15.72 грн |
| 250+ | 14.17 грн |
| NTK3139PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
NTK3139PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.73 грн |
| 268+ | 4.27 грн |
| 737+ | 4.04 грн |
| NTMFS5C426NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
NTMFS5C426NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.14 грн |
| 22+ | 52.40 грн |
| 60+ | 49.49 грн |
| NTMFS5C604NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 203A
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 203A
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2mΩ
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.34 грн |
| 10+ | 157.21 грн |
| 100+ | 113.54 грн |
| 500+ | 97.04 грн |
| NTMFS5C628NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.11 грн |
| 10+ | 62.48 грн |
| 100+ | 55.31 грн |
| 250+ | 53.37 грн |
| 500+ | 47.55 грн |
| 1000+ | 44.64 грн |
| NTMFS5C670NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.28 грн |
| 5+ | 131.01 грн |
| 25+ | 114.51 грн |
| 100+ | 98.98 грн |
| 500+ | 90.25 грн |
| NTP165N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 53A; 142W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 142W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.94 грн |
| 10+ | 229.02 грн |
| NTP360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTP360N80S3Z THT N channel transistors
NTP360N80S3Z THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 375.18 грн |
| 7+ | 186.32 грн |
| 17+ | 176.61 грн |
| NTP6412ANG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTP6412ANG THT N channel transistors
NTP6412ANG THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.55 грн |
| 11+ | 108.69 грн |
| 30+ | 101.89 грн |
| NTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Gate charge: 2.18nC
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 0.55Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 43+ | 7.05 грн |
| 54+ | 5.47 грн |
| 100+ | 4.95 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 3.74 грн |
| 1500+ | 3.59 грн |
| NTR1P02LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.31 грн |
| 183+ | 6.31 грн |
| 502+ | 5.92 грн |
| NTR1P02T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.63 грн |
| 183+ | 6.31 грн |
| 502+ | 5.92 грн |
| NTR2101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR2101PT1G SMD P channel transistors
NTR2101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.90 грн |
| 137+ | 8.44 грн |
| 375+ | 7.96 грн |
| NTR3C21NZT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
NTR3C21NZT1G SMD N channel transistors
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.47 грн |
| 108+ | 10.67 грн |
| 295+ | 10.09 грн |
| NTR4003NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4003NT1G SMD N channel transistors
NTR4003NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 51+ | 6.25 грн |
| 429+ | 2.67 грн |
| 1180+ | 2.52 грн |
| NTR4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
NTR4101PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.90 грн |
| 245+ | 4.68 грн |
| 673+ | 4.43 грн |
| NTR4170NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 14+ | 22.37 грн |
| 16+ | 18.24 грн |
| 50+ | 12.52 грн |
| 100+ | 11.06 грн |
| 500+ | 10.29 грн |
| NTR4171PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR4171PT1G SMD P channel transistors
NTR4171PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.19 грн |
| 139+ | 8.25 грн |
| 381+ | 7.86 грн |
| NTR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.72 грн |
| 27+ | 11.29 грн |
| 50+ | 8.11 грн |
| 100+ | 7.17 грн |
| 500+ | 5.46 грн |
| 1000+ | 4.95 грн |
| 1500+ | 4.61 грн |
| NTR4502PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.99 грн |
| 19+ | 16.63 грн |
| 50+ | 12.42 грн |
| 100+ | 11.06 грн |
| 500+ | 8.64 грн |
| 1000+ | 7.67 грн |
| 3000+ | 6.60 грн |
| NTR4503NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 730mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.73W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 28+ | 11.19 грн |
| 50+ | 8.93 грн |
| 100+ | 8.15 грн |
| 250+ | 7.38 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| 1000+ | 6.40 грн |
| NTR5103NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
NTR5103NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.02 грн |
| 409+ | 2.80 грн |
| 1124+ | 2.65 грн |
| NTR5105PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
Power dissipation: 0.347W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 33+ | 9.27 грн |
| 50+ | 6.21 грн |
| 100+ | 5.36 грн |
| 500+ | 5.08 грн |
| NTR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 155mΩ
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 20+ | 15.82 грн |
| 25+ | 12.42 грн |
| 100+ | 9.41 грн |
| 250+ | 8.15 грн |
| 500+ | 7.47 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| NTS4001NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.33W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 31+ | 9.88 грн |
| 36+ | 8.15 грн |
| 53+ | 5.51 грн |
| 100+ | 4.80 грн |
| 250+ | 4.22 грн |
| 500+ | 3.95 грн |
| NTS4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Gate charge: 6.4nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 0.329W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.31 грн |
| 16+ | 19.65 грн |
| 50+ | 12.13 грн |
| 100+ | 10.09 грн |
| 500+ | 7.08 грн |
| 1000+ | 6.31 грн |
| NTS4173PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTS4173PT1G SMD P channel transistors
NTS4173PT1G SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.72 грн |
| 182+ | 6.31 грн |
| 500+ | 5.92 грн |
| NTS4409NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTS4409NT1G SMD N channel transistors
NTS4409NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.25 грн |
| 161+ | 7.18 грн |
| 441+ | 6.79 грн |
| NTZD3152PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 18+ | 17.33 грн |
| 25+ | 13.29 грн |
| 100+ | 9.51 грн |
| NTZD3154NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 15+ | 21.36 грн |
| 17+ | 17.18 грн |
| 50+ | 10.48 грн |
| 100+ | 8.64 грн |
| 500+ | 6.60 грн |
| NTZD3155CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 13+ | 23.58 грн |
| 50+ | 14.75 грн |
| 100+ | 12.23 грн |
| 250+ | 9.80 грн |
| 500+ | 8.73 грн |
| NTZD3155CT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.40 грн |
| 15+ | 20.15 грн |
| 25+ | 14.94 грн |
| 100+ | 10.29 грн |
| 500+ | 8.05 грн |
| NUD4001DR2G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.5A
Output voltage: 28V
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: PWM
Number of channels: 1
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SO8; 500mA; 28V; Ch: 1; PWM
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.5A
Output voltage: 28V
Kind of integrated circuit: LED driver
Integrated circuit features: PWM
Number of channels: 1
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NUF2042XV6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
Kind of integrated circuit: line terminator
Type of filter: digital
Kind of filter: EMI; lowpass
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Filters - integrated circuits
Description: Filter: digital; line terminator; lowpass,EMI; SOT563; Ch: 2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: USB port ESD protection
Kind of integrated circuit: line terminator
Type of filter: digital
Kind of filter: EMI; lowpass
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.44 грн |
| 11+ | 26.98 грн |
| 50+ | 22.80 грн |
| 250+ | 21.83 грн |
| NUF2101MT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Application: USB
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; bidirectional; TSOP6; Ch: 3; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Number of channels: 3
Application: USB
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.67 грн |
| 10+ | 30.84 грн |
| 25+ | 26.98 грн |
| 50+ | 25.04 грн |
| 100+ | 23.29 грн |
| 250+ | 22.03 грн |
| NUP1301ML3T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; double series; SOT23; Ch: 1; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 70V
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; double series; SOT23; Ch: 1; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 70V
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.99 грн |
| 20+ | 15.32 грн |
| 29+ | 10.38 грн |
| 44+ | 6.70 грн |
| NUP2105LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷32V; 350W; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 26.2...32V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Application: CAN
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 27+ | 11.29 грн |
| 50+ | 9.10 грн |
| 100+ | 8.41 грн |
| 500+ | 7.00 грн |
| 1000+ | 6.44 грн |
| 1500+ | 6.14 грн |
| NUP2114UPXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
NUP2114UPXV5T1G Protection diodes - arrays
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.31 грн |
| 101+ | 11.35 грн |
| 277+ | 10.77 грн |
| NUP2201MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 25A
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Case: TSOP6
Application: universal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 25A; 500W; unidirectional; TSOP6; Ch: 2; ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 25A
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Case: TSOP6
Application: universal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.25 грн |
| 10+ | 35.88 грн |
| 30+ | 29.11 грн |
| 50+ | 26.78 грн |
| 100+ | 23.97 грн |
| 500+ | 19.41 грн |
| NUP2301MW6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 70V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC88; Ch: 2; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 70V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 15+ | 21.16 грн |
| 50+ | 17.27 грн |
| 100+ | 16.21 грн |
| NUP4114UCLW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Case: SC88
Version: ESD
Application: universal
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Case: SC88
Version: ESD
Application: universal
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.31 грн |
| 13+ | 23.58 грн |
| 15+ | 20.28 грн |
| 50+ | 15.24 грн |
| 100+ | 13.49 грн |
| 250+ | 11.26 грн |
| 500+ | 9.80 грн |
| NUP4114UCW1T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: universal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6.5V; 12A; unidirectional; SC88; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6.5V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SC88
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Application: universal
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 15+ | 20.56 грн |
| 50+ | 14.85 грн |
| 100+ | 13.10 грн |
| 500+ | 9.80 грн |
| 1000+ | 9.32 грн |
| NUP4301MR6T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Mounting: SMD
Case: SC74
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Max. off-state voltage: 70V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays; SC74; Ch: 4; reel,tape; ESD
Type of diode: diode arrays
Mounting: SMD
Case: SC74
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Max. off-state voltage: 70V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.99 грн |
| 16+ | 19.35 грн |
| 19+ | 16.01 грн |
| 25+ | 12.23 грн |
| 100+ | 8.05 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| NVD5C688NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.92 грн |
| 13+ | 89.28 грн |
| 25+ | 83.64 грн |
| NVF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 14.3nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 14.3nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.65 грн |
| 10+ | 61.47 грн |
| NVJD5121NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVJD5121NT1G Multi channel transistors
NVJD5121NT1G Multi channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.17 грн |
| 143+ | 8.05 грн |
| 393+ | 7.57 грн |
| 1000+ | 7.56 грн |
| NVR4501NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.52 грн |
| 10+ | 34.57 грн |
| 100+ | 21.74 грн |
| 250+ | 18.63 грн |
| 500+ | 16.69 грн |
| 1000+ | 15.04 грн |
| 3000+ | 14.56 грн |
| NVR5124PLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
NVR5124PLT1G SMD P channel transistors
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.21 грн |
| 71+ | 16.11 грн |
| 195+ | 15.24 грн |
| NVR5198NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 27A; 0.4W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 0.205Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 14+ | 22.57 грн |
| 19+ | 16.11 грн |
| 25+ | 12.23 грн |























