| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTA4151PT1 | ONSEMI |
0521 |
на замовлення 1288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NTGD1100LT1G | ONSEMI |
2009 SC-74 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NTS4101P | ONSEMI | 0524 |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NUP4103FCTI | ONSEMI | 0518 |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NZQA5V6XV5T2 | Onsemi | SOT353 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SMBF1035LT1G | Onsemi | SOT23 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SMBF8806LT1G | Onsemi | SOT23 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| SMSD1002T1 | Onsemi | SOD123 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| TL431BIDR2 | ONSEMI |
0712 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| UN2212 | Onsemi | SOT23 |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Діод BAS21AHT1G | onsemi | Діод ММ SOD-323-2 Urpeak=250 V, If=0,2 A trr=50 ns |
на замовлення 470 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Діод ESD8472MUT5G | onsemi | TVS DIODE SMD/SMT X3DFN-2; 5,3V Bidirectional |
на замовлення 288 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Діод MMSZ5244BT1G | onsemi | Zener Diodes 0,5Вт; 14В; SMD; SOD123 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Діод TVS8501V5MUT5G | onsemi | Діоди захисту від електростатичного розряду / діоди TVS 5V TVS IN UDFN2 |
на замовлення 498 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Діод NRVA4007T3G | onsemi | Діод: випрямний; (1N4007) SMD; 1000В; 1А; SMA(DO214-AC); Ufmax: 1,18В; Ifsm: 30А |
на замовлення 3036 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Стабілітрон 1N5934BG | onsemi | Стабілітрон DO-41-2 3 W 24 V 5 % |
на замовлення 75 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Стабілітрон MM3Z18VST1G | onsemi | Стабилитрон SOD323 U=18 V 5% 0,2 W |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор MJE171G | onsemi | Транзистор біполярний TO-225 PNP 3A 60V (аудіо) (пара MJE181G) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор MJE181G | onsemi | Транзистор біполярний TO-225 NPN 3A 60V (аудіо) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор BC640TA | onsemi | Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92-3 |
на замовлення 76 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор BC807-40LT1G | onsemi | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/600 |
на замовлення 10719 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор BC846BDW1T1G | onsemi | SOT-363/SC-88 Dual General Purpose NPN Transistors 65 V 100 mA |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор BC857BDW1T1G | onsemi | Транз. Бипол. ММ PNP SOT-363/SC-88 Uceo=-45V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=150/475 |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор BCP68T1G | onsemi | Транз. Бипол. ММ NPN SOT223 Uceo=20V; Ic=1A; f=40MHz; Pdmax=1,37W; hfe=85/375 |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор NZT660A | onsemi | Транз. Бипол. ММ PNP SOT-223-4 Uceo=-60V; Ic=3A; ft=75MHz; Pdmax=2W; hfe=250/550 |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор FDBL86062-F085 | onsemi | Транзистор польовий TO-LL8-8 N-MOSFET Vds=100 V, Id=300 A, Rds=1,5 mOhms, Pd=429 W |
на замовлення 226 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор FDBL9401L-F085 | onsemi | MOSFET NMOS LL TOLL 40V 0. 55 MOH |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор FDMC89521L | onsemi | Транз. Пол.2 N-Channel (Dual) MOSFET 8-Power33 (3x3) Udss=60V; Id=8,2 A; Pd=1,9 W; Rds=17 mOhm |
на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор 2N7002W | onsemi | Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT-323-3 Vds=60V, Id=0.115A, Rds=7,5Ohm, Vgs=+/-20V, P=0.2W |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор FDG6332C | onsemi | Транз. сборка пол. SOT-363 N/P-Channel MOSFET Vdss=20 V, Id=700 mA, Rdson=0,3 Ohm, Pd=0,3 W |
на замовлення 75 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор MMBFJ310LT3G | onsemi | Транз. Пол. ММ N-FET Low noise SOT23 Udss=25V; Idssmax=0,06A; Pdmax=0,25W; Yfsmin=10mS |
на замовлення 95 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Транзистор 2SC3648T-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема FXLA0104QFX | onsemi | ІМС uMLP-12 Translation - Voltage Levels Data Rate:100 Mb/s Vs=1,1-3,6 V |
на замовлення 80 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC14504BDTR2G | onsemi | ІМС цифровий перемикач рівня Ch 6 CMOS 3-18ВDC TSSOP16 |
на замовлення 88 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC74AC132DG | onsemi | IМC NAND Ch 4 IN 2 CMOS SO14 AC 2÷6ВDC -40÷85°C |
на замовлення 60 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC74AC240DWR2G | onsemi | ІМС цифровий буфер відвертаючий контролер лінії Ch 8 SOIC-20 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC74AC273DWR2G | onsemi | ІМС цифровий тригер D Ch 8 SOIC-20 WB |
на замовлення 25 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC74ACT240DWR2G | onsemi | ІМС цифровий 3-позиційний буфер octal контролер лінії Ch: 8 SOIC-20 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC74HC138ADG | onsemi | ИМС Лог. SO16(3,9mm) Деш-демультип 3х8 с инверсией (ИД7) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC74HC1G04DFT1G-Q | onsemi | ІМС лог., NOT, Ch 1, IN 1, CMOS, SC70-5, 2-6ВDC -55...+125°C AEC-Q100 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема LM201AVDR2G | onsemi | SOIC-8 Precision Amplifiers Precision Single Chnl -40 to 105deg C |
на замовлення 440 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC33275ST-5.0T3G | onsemi | ИМС SOT-223 LOW DROPOUT MICROPOWER VOLTAGE REGULATOR |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема NCS333ASN2T1G | onsemi | ІМС операційний підсилювач 350 kHz Ch: 1; TSOP-5; 5,5В |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема NCV833DR2G | onsemi | ІМС Audio Amplifiers Dual High-Speed SOIC-8; low noise; 36 V, +/- 18 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема 74VHC595MX | onsemi | IМC Ch 8 SO16 VHC 2÷5,5ВDC -40÷85°C защілка |
на замовлення 78 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема H11L1SR2M | onsemi | ИМС Optoisolator logic output SMT 6−Pin (Lead Bend) |
на замовлення 721 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема LP2951ACDR2G | onsemi | ИМС SOIC8 100 mA, Low Power LDO Voltage Regulator, Output Programmable from 1.25 V to 29 V with 1% tolerance, -40...+125C |
на замовлення 2285 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC33375D-5.0R2G | onsemi | ІМС SO-8 LDO Voltage Regulator Iout=300 mA, Vout=5 V, Vinmax=13 V (- 40C + 125 C) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC7818CD2TR4G | onsemi | ІМС стабілізатор напруги, лінійний,нерегульований, 18В, 1А, TO-263-3 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема MC79M15BDTRKG | onsemi | IМС стабілізатор напруги, лінійний, нерегульований, ±4%, -15В, 0,5А, DPAK |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема NCP730ASNADJT1G | onsemi | ИМС стабилизатор напряжения; LDO,линейный,регулируемый; 1,2÷37В |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Мікросхема TL431BIDR2G | onsemi | ІМС SOIC8 Adjustable Precision Shunt Regulator 0.4 %, 100 mA , (-40 +85C) |
на замовлення 882 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| Фототранзистор MOCD217M | onsemi | 8-Pin SOIC Dual Channel Low Input Current Phototransistor Output Optocoupler |
на замовлення 428 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
NCP163ASN500T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP163ASN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 5V/250mAout, SOT23-5Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 250 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: SOT-23 Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 5.5 Eingangsspannung, min.: 2.2 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 5V 250mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: - Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2N6036G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N6036G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 1.5 W, TO-225, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 1.5 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SK932-23-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK932-23-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 17 mA, -600 mV, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 17mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -600mV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC846ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC846ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 78975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| BSR16.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSR16.. - TRANSISTOR, PNP, 60V, 0.8A, SOT23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
BC817-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 52191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FUSB302BGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FUSB302BGEVB - Evaluationsboard FUSB302BMPX, USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ CtariffCode: 84733020 Prozessorkern: FUSB302BMPX Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB302BMPX euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NTA4151PT1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
0521
0521
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTGD1100LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
2009 SC-74
2009 SC-74
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTS4101P |
Виробник: ONSEMI
0524
0524
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NUP4103FCTI |
Виробник: ONSEMI
0518
0518
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NZQA5V6XV5T2 |
Виробник: Onsemi
SOT353
SOT353
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SMBF1035LT1G |
Виробник: Onsemi
SOT23
SOT23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SMBF8806LT1G |
Виробник: Onsemi
SOT23
SOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SMSD1002T1 |
Виробник: Onsemi
SOD123
SOD123
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TL431BIDR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
0712
0712
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| UN2212 |
Виробник: Onsemi
SOT23
SOT23
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Діод BAS21AHT1G |
Виробник: onsemi
Діод ММ SOD-323-2 Urpeak=250 V, If=0,2 A trr=50 ns
Діод ММ SOD-323-2 Urpeak=250 V, If=0,2 A trr=50 ns
на замовлення 470 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Діод ESD8472MUT5G |
Виробник: onsemi
TVS DIODE SMD/SMT X3DFN-2; 5,3V Bidirectional
TVS DIODE SMD/SMT X3DFN-2; 5,3V Bidirectional
на замовлення 288 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Діод MMSZ5244BT1G |
Виробник: onsemi
Zener Diodes 0,5Вт; 14В; SMD; SOD123
Zener Diodes 0,5Вт; 14В; SMD; SOD123
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Діод TVS8501V5MUT5G |
Виробник: onsemi
Діоди захисту від електростатичного розряду / діоди TVS 5V TVS IN UDFN2
Діоди захисту від електростатичного розряду / діоди TVS 5V TVS IN UDFN2
на замовлення 498 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Діод NRVA4007T3G |
Виробник: onsemi
Діод: випрямний; (1N4007) SMD; 1000В; 1А; SMA(DO214-AC); Ufmax: 1,18В; Ifsm: 30А
Діод: випрямний; (1N4007) SMD; 1000В; 1А; SMA(DO214-AC); Ufmax: 1,18В; Ifsm: 30А
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Стабілітрон 1N5934BG |
Виробник: onsemi
Стабілітрон DO-41-2 3 W 24 V 5 %
Стабілітрон DO-41-2 3 W 24 V 5 %
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Стабілітрон MM3Z18VST1G |
Виробник: onsemi
Стабилитрон SOD323 U=18 V 5% 0,2 W
Стабилитрон SOD323 U=18 V 5% 0,2 W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор MJE171G |
Виробник: onsemi
Транзистор біполярний TO-225 PNP 3A 60V (аудіо) (пара MJE181G)
Транзистор біполярний TO-225 PNP 3A 60V (аудіо) (пара MJE181G)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор MJE181G |
Виробник: onsemi
Транзистор біполярний TO-225 NPN 3A 60V (аудіо)
Транзистор біполярний TO-225 NPN 3A 60V (аудіо)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор BC640TA |
Виробник: onsemi
Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92-3
Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 0.8W; TO92-3
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор BC807-40LT1G |
Виробник: onsemi
Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/600
Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-45V; Ic=-0,5A; f=80MHz; Pdmax=0,25W; hfe=250/600
на замовлення 10719 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор BC846BDW1T1G |
Виробник: onsemi
SOT-363/SC-88 Dual General Purpose NPN Transistors 65 V 100 mA
SOT-363/SC-88 Dual General Purpose NPN Transistors 65 V 100 mA
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор BC857BDW1T1G |
Виробник: onsemi
Транз. Бипол. ММ PNP SOT-363/SC-88 Uceo=-45V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=150/475
Транз. Бипол. ММ PNP SOT-363/SC-88 Uceo=-45V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=150/475
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор BCP68T1G |
Виробник: onsemi
Транз. Бипол. ММ NPN SOT223 Uceo=20V; Ic=1A; f=40MHz; Pdmax=1,37W; hfe=85/375
Транз. Бипол. ММ NPN SOT223 Uceo=20V; Ic=1A; f=40MHz; Pdmax=1,37W; hfe=85/375
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор NZT660A |
Виробник: onsemi
Транз. Бипол. ММ PNP SOT-223-4 Uceo=-60V; Ic=3A; ft=75MHz; Pdmax=2W; hfe=250/550
Транз. Бипол. ММ PNP SOT-223-4 Uceo=-60V; Ic=3A; ft=75MHz; Pdmax=2W; hfe=250/550
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор FDBL86062-F085 |
Виробник: onsemi
Транзистор польовий TO-LL8-8 N-MOSFET Vds=100 V, Id=300 A, Rds=1,5 mOhms, Pd=429 W
Транзистор польовий TO-LL8-8 N-MOSFET Vds=100 V, Id=300 A, Rds=1,5 mOhms, Pd=429 W
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор FDBL9401L-F085 |
Виробник: onsemi
MOSFET NMOS LL TOLL 40V 0. 55 MOH
MOSFET NMOS LL TOLL 40V 0. 55 MOH
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор FDMC89521L |
Виробник: onsemi
Транз. Пол.2 N-Channel (Dual) MOSFET 8-Power33 (3x3) Udss=60V; Id=8,2 A; Pd=1,9 W; Rds=17 mOhm
Транз. Пол.2 N-Channel (Dual) MOSFET 8-Power33 (3x3) Udss=60V; Id=8,2 A; Pd=1,9 W; Rds=17 mOhm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор 2N7002W |
Виробник: onsemi
Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT-323-3 Vds=60V, Id=0.115A, Rds=7,5Ohm, Vgs=+/-20V, P=0.2W
Транз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT-323-3 Vds=60V, Id=0.115A, Rds=7,5Ohm, Vgs=+/-20V, P=0.2W
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор FDG6332C |
Виробник: onsemi
Транз. сборка пол. SOT-363 N/P-Channel MOSFET Vdss=20 V, Id=700 mA, Rdson=0,3 Ohm, Pd=0,3 W
Транз. сборка пол. SOT-363 N/P-Channel MOSFET Vdss=20 V, Id=700 mA, Rdson=0,3 Ohm, Pd=0,3 W
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор MMBFJ310LT3G |
Виробник: onsemi
Транз. Пол. ММ N-FET Low noise SOT23 Udss=25V; Idssmax=0,06A; Pdmax=0,25W; Yfsmin=10mS
Транз. Пол. ММ N-FET Low noise SOT23 Udss=25V; Idssmax=0,06A; Pdmax=0,25W; Yfsmin=10mS
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Транзистор 2SC3648T-TD-E |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 160V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема FXLA0104QFX |
Виробник: onsemi
ІМС uMLP-12 Translation - Voltage Levels Data Rate:100 Mb/s Vs=1,1-3,6 V
ІМС uMLP-12 Translation - Voltage Levels Data Rate:100 Mb/s Vs=1,1-3,6 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC14504BDTR2G |
Виробник: onsemi
ІМС цифровий перемикач рівня Ch 6 CMOS 3-18ВDC TSSOP16
ІМС цифровий перемикач рівня Ch 6 CMOS 3-18ВDC TSSOP16
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC74AC132DG |
Виробник: onsemi
IМC NAND Ch 4 IN 2 CMOS SO14 AC 2÷6ВDC -40÷85°C
IМC NAND Ch 4 IN 2 CMOS SO14 AC 2÷6ВDC -40÷85°C
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC74AC240DWR2G |
Виробник: onsemi
ІМС цифровий буфер відвертаючий контролер лінії Ch 8 SOIC-20
ІМС цифровий буфер відвертаючий контролер лінії Ch 8 SOIC-20
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC74AC273DWR2G |
Виробник: onsemi
ІМС цифровий тригер D Ch 8 SOIC-20 WB
ІМС цифровий тригер D Ch 8 SOIC-20 WB
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC74ACT240DWR2G |
Виробник: onsemi
ІМС цифровий 3-позиційний буфер octal контролер лінії Ch: 8 SOIC-20
ІМС цифровий 3-позиційний буфер octal контролер лінії Ch: 8 SOIC-20
на замовлення 980 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC74HC138ADG |
Виробник: onsemi
ИМС Лог. SO16(3,9mm) Деш-демультип 3х8 с инверсией (ИД7)
ИМС Лог. SO16(3,9mm) Деш-демультип 3х8 с инверсией (ИД7)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC74HC1G04DFT1G-Q |
Виробник: onsemi
ІМС лог., NOT, Ch 1, IN 1, CMOS, SC70-5, 2-6ВDC -55...+125°C AEC-Q100
ІМС лог., NOT, Ch 1, IN 1, CMOS, SC70-5, 2-6ВDC -55...+125°C AEC-Q100
на замовлення 950 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема LM201AVDR2G |
Виробник: onsemi
SOIC-8 Precision Amplifiers Precision Single Chnl -40 to 105deg C
SOIC-8 Precision Amplifiers Precision Single Chnl -40 to 105deg C
на замовлення 440 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC33275ST-5.0T3G |
Виробник: onsemi
ИМС SOT-223 LOW DROPOUT MICROPOWER VOLTAGE REGULATOR
ИМС SOT-223 LOW DROPOUT MICROPOWER VOLTAGE REGULATOR
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема NCS333ASN2T1G |
Виробник: onsemi
ІМС операційний підсилювач 350 kHz Ch: 1; TSOP-5; 5,5В
ІМС операційний підсилювач 350 kHz Ch: 1; TSOP-5; 5,5В
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема NCV833DR2G |
Виробник: onsemi
ІМС Audio Amplifiers Dual High-Speed SOIC-8; low noise; 36 V, +/- 18 V
ІМС Audio Amplifiers Dual High-Speed SOIC-8; low noise; 36 V, +/- 18 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема 74VHC595MX |
Виробник: onsemi
IМC Ch 8 SO16 VHC 2÷5,5ВDC -40÷85°C защілка
IМC Ch 8 SO16 VHC 2÷5,5ВDC -40÷85°C защілка
на замовлення 78 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема H11L1SR2M |
Виробник: onsemi
ИМС Optoisolator logic output SMT 6−Pin (Lead Bend)
ИМС Optoisolator logic output SMT 6−Pin (Lead Bend)
на замовлення 721 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема LP2951ACDR2G |
Виробник: onsemi
ИМС SOIC8 100 mA, Low Power LDO Voltage Regulator, Output Programmable from 1.25 V to 29 V with 1% tolerance, -40...+125C
ИМС SOIC8 100 mA, Low Power LDO Voltage Regulator, Output Programmable from 1.25 V to 29 V with 1% tolerance, -40...+125C
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC33375D-5.0R2G |
Виробник: onsemi
ІМС SO-8 LDO Voltage Regulator Iout=300 mA, Vout=5 V, Vinmax=13 V (- 40C + 125 C)
ІМС SO-8 LDO Voltage Regulator Iout=300 mA, Vout=5 V, Vinmax=13 V (- 40C + 125 C)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC7818CD2TR4G |
Виробник: onsemi
ІМС стабілізатор напруги, лінійний,нерегульований, 18В, 1А, TO-263-3
ІМС стабілізатор напруги, лінійний,нерегульований, 18В, 1А, TO-263-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема MC79M15BDTRKG |
Виробник: onsemi
IМС стабілізатор напруги, лінійний, нерегульований, ±4%, -15В, 0,5А, DPAK
IМС стабілізатор напруги, лінійний, нерегульований, ±4%, -15В, 0,5А, DPAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема NCP730ASNADJT1G |
Виробник: onsemi
ИМС стабилизатор напряжения; LDO,линейный,регулируемый; 1,2÷37В
ИМС стабилизатор напряжения; LDO,линейный,регулируемый; 1,2÷37В
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TL431BIDR2G |
Виробник: onsemi
ІМС SOIC8 Adjustable Precision Shunt Regulator 0.4 %, 100 mA , (-40 +85C)
ІМС SOIC8 Adjustable Precision Shunt Regulator 0.4 %, 100 mA , (-40 +85C)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Фототранзистор MOCD217M |
Виробник: onsemi
8-Pin SOIC Dual Channel Low Input Current Phototransistor Output Optocoupler
8-Pin SOIC Dual Channel Low Input Current Phototransistor Output Optocoupler
на замовлення 428 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NCP163ASN500T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP163ASN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 5V/250mAout, SOT23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 250
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 250mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP163ASN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5Vin, 5V/250mAout, SOT23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 250
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.2
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 250mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N6036G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N6036G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N6036G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SK932-23-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK932-23-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 17 mA, -600 mV, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 17mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -600mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2SK932-23-TB-E - JFET-Transistor, -15 V, 17 mA, -600 mV, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 17mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -600mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.42 грн |
| 50+ | 31.40 грн |
| 100+ | 17.73 грн |
| 500+ | 14.28 грн |
| 1500+ | 11.78 грн |
| BC846ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC846ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 78975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 78+ | 10.49 грн |
| 135+ | 6.07 грн |
| 219+ | 3.73 грн |
| 500+ | 2.48 грн |
| 1500+ | 2.01 грн |
| BSR16.. |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSR16.. - TRANSISTOR, PNP, 60V, 0.8A, SOT23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BSR16.. - TRANSISTOR, PNP, 60V, 0.8A, SOT23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 37.99 грн |
| 50+ | 23.51 грн |
| 100+ | 14.89 грн |
| 500+ | 10.35 грн |
| 1500+ | 8.58 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 11.31 грн |
| 116+ | 7.04 грн |
| 183+ | 4.45 грн |
| 500+ | 2.78 грн |
| 1500+ | 2.22 грн |
| FUSB302BGEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB302BGEVB - Evaluationsboard FUSB302BMPX, USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: FUSB302BMPX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB302BMPX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: ONSEMI - FUSB302BGEVB - Evaluationsboard FUSB302BMPX, USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: FUSB302BMPX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB302BMPX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4722.03 грн |





