| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86252L | ONSEMI |
FDMS86252L SMD N channel transistors |
на замовлення 2703 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDMS86520L | ONSEMI |
FDMS86520L SMD N channel transistors |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN028N20 | ONSEMI |
FDN028N20 SMD N channel transistors |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN302P | ONSEMI |
FDN302P SMD P channel transistors |
на замовлення 1514 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN304P | ONSEMI |
FDN304P SMD P channel transistors |
на замовлення 5565 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN304PZ | ONSEMI |
FDN304PZ SMD P channel transistors |
на замовлення 2094 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDN306P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.6A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3032 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDN327N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2305 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDN335N | ONSEMI |
FDN335N SMD N channel transistors |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN336P | ONSEMI |
FDN336P SMD P channel transistors |
на замовлення 479 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN337N | ONSEMI |
FDN337N SMD N channel transistors |
на замовлення 6359 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN338P | ONSEMI |
FDN338P SMD P channel transistors |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN339AN | ONSEMI |
FDN339AN SMD N channel transistors |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN340P | ONSEMI |
FDN340P SMD P channel transistors |
на замовлення 5108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDN352AP | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDN357N | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Gate charge: 5.9nC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.5W Technology: PowerTrench® Drain current: 1.9A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDN358P | ONSEMI |
FDN358P SMD P channel transistors |
на замовлення 233 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN360P | ONSEMI |
FDN360P SMD P channel transistors |
на замовлення 7313 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN537N | ONSEMI |
FDN537N SMD N channel transistors |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN5630 | ONSEMI |
FDN5630 SMD N channel transistors |
на замовлення 3166 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDN5632N-F085 | ONSEMI |
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors |
на замовлення 720 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP038AN06A0 | ONSEMI |
FDP038AN06A0 THT N channel transistors |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDP047AN08A0 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP060AN08A0 | ONSEMI |
FDP060AN08A0 THT N channel transistors |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP070AN06A0 | ONSEMI |
FDP070AN06A0 THT N channel transistors |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDP075N15A-F102 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 92A Power dissipation: 333W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP083N15A-F102 | ONSEMI |
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDP20N50F | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDP22N50N | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13.2A Power dissipation: 312.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDP2532 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Technology: PowerTrench® Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 107nC On-state resistance: 14mΩ Drain current: 56A Power dissipation: 310W Drain-source voltage: 150V Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP2614 | ONSEMI |
FDP2614 THT N channel transistors |
на замовлення 65 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP33N25 | ONSEMI |
FDP33N25 THT N channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP3632 | ONSEMI |
FDP3632 THT N channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP3652 | ONSEMI |
FDP3652 THT N channel transistors |
на замовлення 700 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDP42AN15A0 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB Mounting: THT Gate charge: 39nC On-state resistance: 0.107Ω Gate-source voltage: ±20V Drain current: 24A Power dissipation: 150W Drain-source voltage: 150V Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDP51N25 | ONSEMI |
FDP51N25 THT N channel transistors |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP52N20 | ONSEMI |
FDP52N20 THT N channel transistors |
на замовлення 158 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDP61N20 | ONSEMI |
FDP61N20 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDPC5030SG | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 17/39nC On-state resistance: 5/2.4mΩ Gate-source voltage: ±20/±12V Power dissipation: 23/25W Drain-source voltage: 30V Drain current: 56/84A Semiconductor structure: asymmetric Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: PQFN8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
FDPF12N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 42W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC On-state resistance: 0.65Ω Drain current: 6.9A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement Technology: UniFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF12N60NZ | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.2A Power dissipation: 240W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF15N65 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 278 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF18N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF20N50FT | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDPF20N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 59.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDPF2D3N10C | ONSEMI |
FDPF2D3N10C THT N channel transistors |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDPF390N15A | ONSEMI |
FDPF390N15A THT N channel transistors |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDPF51N25 | ONSEMI |
FDPF51N25 THT N channel transistors |
на замовлення 71 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDPF55N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.8A Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS2572 | ONSEMI |
FDS2572 SMD N channel transistors |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS2582 | ONSEMI |
FDS2582 SMD N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS2734 | ONSEMI |
FDS2734 SMD N channel transistors |
на замовлення 2098 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS3590 | ONSEMI |
FDS3590 SMD N channel transistors |
на замовлення 441 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS3672 | ONSEMI |
FDS3672 SMD N channel transistors |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS4435BZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS4465 | ONSEMI |
FDS4465 SMD P channel transistors |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS4470 | ONSEMI |
FDS4470 SMD N channel transistors |
на замовлення 386 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS4480 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W On-state resistance: 21mΩ Drain current: 10.8A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 45A Gate charge: 41nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| FDMS86252L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86252L SMD N channel transistors
FDMS86252L SMD N channel transistors
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.84 грн |
| 11+ | 107.78 грн |
| 30+ | 101.84 грн |
| FDMS86520L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDMS86520L SMD N channel transistors
FDMS86520L SMD N channel transistors
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 203.38 грн |
| 12+ | 104.81 грн |
| 31+ | 98.88 грн |
| FDN028N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN028N20 SMD N channel transistors
FDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.63 грн |
| 62+ | 18.98 грн |
| 170+ | 18.00 грн |
| 3000+ | 17.97 грн |
| FDN302P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN302P SMD P channel transistors
FDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.63 грн |
| 79+ | 14.83 грн |
| 218+ | 14.04 грн |
| 3000+ | 13.96 грн |
| FDN304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN304P SMD P channel transistors
FDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 5565 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.48 грн |
| 105+ | 11.17 грн |
| 288+ | 10.58 грн |
| FDN304PZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN304PZ SMD P channel transistors
FDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.37 грн |
| 50+ | 23.43 грн |
| 138+ | 22.15 грн |
| FDN306P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.07 грн |
| 13+ | 24.13 грн |
| 50+ | 17.90 грн |
| 100+ | 15.82 грн |
| 250+ | 13.45 грн |
| 500+ | 11.67 грн |
| 1000+ | 9.99 грн |
| FDN327N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.27 грн |
| 12+ | 26.70 грн |
| 14+ | 21.85 грн |
| 50+ | 15.03 грн |
| 100+ | 13.15 грн |
| 500+ | 10.28 грн |
| 1000+ | 9.69 грн |
| FDN335N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN335N SMD N channel transistors
FDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.94 грн |
| 73+ | 16.12 грн |
| 200+ | 15.33 грн |
| FDN336P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN336P SMD P channel transistors
FDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.52 грн |
| 72+ | 16.31 грн |
| 198+ | 15.42 грн |
| FDN337N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN337N SMD N channel transistors
FDN337N SMD N channel transistors
на замовлення 6359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.17 грн |
| 180+ | 6.53 грн |
| 495+ | 6.13 грн |
| FDN338P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN338P SMD P channel transistors
FDN338P SMD P channel transistors
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.03 грн |
| 81+ | 14.53 грн |
| 223+ | 13.74 грн |
| 3000+ | 13.66 грн |
| FDN339AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN339AN SMD N channel transistors
FDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.18 грн |
| 60+ | 19.58 грн |
| 165+ | 18.49 грн |
| FDN340P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN340P SMD P channel transistors
FDN340P SMD P channel transistors
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.19 грн |
| 129+ | 9.10 грн |
| 355+ | 8.60 грн |
| FDN352AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.72 грн |
| 10+ | 32.04 грн |
| 50+ | 23.33 грн |
| 100+ | 20.67 грн |
| 250+ | 17.50 грн |
| 500+ | 15.52 грн |
| 1000+ | 13.74 грн |
| FDN357N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.01 грн |
| 12+ | 26.29 грн |
| 13+ | 23.04 грн |
| 50+ | 20.57 грн |
| 100+ | 19.58 грн |
| 250+ | 17.70 грн |
| 500+ | 16.81 грн |
| FDN358P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN358P SMD P channel transistors
FDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 233 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.52 грн |
| 68+ | 17.40 грн |
| 186+ | 16.41 грн |
| FDN360P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN360P SMD P channel transistors
FDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 7313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.20 грн |
| 112+ | 10.48 грн |
| 308+ | 9.89 грн |
| FDN537N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN537N SMD N channel transistors
FDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.70 грн |
| 40+ | 29.47 грн |
| 110+ | 27.88 грн |
| 1000+ | 27.83 грн |
| FDN5630 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN5630 SMD N channel transistors
FDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.69 грн |
| 85+ | 13.84 грн |
| 233+ | 13.05 грн |
| FDN5632N-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.02 грн |
| 41+ | 28.77 грн |
| 113+ | 27.19 грн |
| 1000+ | 27.11 грн |
| FDP038AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
FDP038AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 333.29 грн |
| 6+ | 229.39 грн |
| 15+ | 217.53 грн |
| FDP047AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.80 грн |
| 10+ | 225.89 грн |
| 50+ | 178.97 грн |
| FDP060AN08A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
FDP060AN08A0 THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 329.03 грн |
| 7+ | 171.06 грн |
| 19+ | 161.17 грн |
| FDP070AN06A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
FDP070AN06A0 THT N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.79 грн |
| 10+ | 127.55 грн |
| 26+ | 120.63 грн |
| FDP075N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.73 грн |
| 10+ | 266.97 грн |
| 50+ | 227.42 грн |
| 100+ | 203.69 грн |
| 250+ | 192.81 грн |
| FDP083N15A-F102 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors
FDP083N15A-F102 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 502.60 грн |
| 4+ | 298.61 грн |
| 11+ | 281.80 грн |
| FDP18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.08 грн |
| 3+ | 207.41 грн |
| 10+ | 165.12 грн |
| FDP20N50F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 280.31 грн |
| 3+ | 253.12 грн |
| 4+ | 240.27 грн |
| 10+ | 197.75 грн |
| 30+ | 167.10 грн |
| FDP22N50N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 360.98 грн |
| 10+ | 215.63 грн |
| 30+ | 201.71 грн |
| FDP2532 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: PowerTrench®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 107nC
On-state resistance: 14mΩ
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 320.51 грн |
| 10+ | 209.47 грн |
| FDP2614 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP2614 THT N channel transistors
FDP2614 THT N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 362.04 грн |
| 4+ | 300.58 грн |
| 11+ | 284.76 грн |
| FDP33N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP33N25 THT N channel transistors
FDP33N25 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.42 грн |
| 10+ | 160.18 грн |
| 11+ | 113.71 грн |
| 29+ | 107.78 грн |
| FDP3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3632 THT N channel transistors
FDP3632 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 390.79 грн |
| 6+ | 207.64 грн |
| 16+ | 195.78 грн |
| FDP3652 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP3652 THT N channel transistors
FDP3652 THT N channel transistors
на замовлення 700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.61 грн |
| 13+ | 90.97 грн |
| 36+ | 86.02 грн |
| FDP42AN15A0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.107Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.107Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 245.97 грн |
| 5+ | 186.88 грн |
| 10+ | 157.21 грн |
| 50+ | 127.55 грн |
| FDP51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP51N25 THT N channel transistors
FDP51N25 THT N channel transistors
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.08 грн |
| 8+ | 153.26 грн |
| 22+ | 145.35 грн |
| FDP52N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP52N20 THT N channel transistors
FDP52N20 THT N channel transistors
на замовлення 158 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.40 грн |
| 9+ | 130.52 грн |
| 25+ | 123.60 грн |
| FDP61N20 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDP61N20 THT N channel transistors
FDP61N20 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.61 грн |
| 9+ | 135.46 грн |
| 24+ | 128.54 грн |
| FDPC5030SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17/39nC
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20/±12V
Power dissipation: 23/25W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/84A; 23/25W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17/39nC
On-state resistance: 5/2.4mΩ
Gate-source voltage: ±20/±12V
Power dissipation: 23/25W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/84A
Semiconductor structure: asymmetric
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDPF12N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.9A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.24 грн |
| 3+ | 145.80 грн |
| 10+ | 123.60 грн |
| 50+ | 111.73 грн |
| 250+ | 104.81 грн |
| FDPF12N60NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.24 грн |
| 10+ | 119.11 грн |
| FDPF15N65 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 278 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.71 грн |
| 50+ | 150.94 грн |
| FDPF18N50 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.79 грн |
| 3+ | 235.14 грн |
| 10+ | 175.01 грн |
| 50+ | 168.09 грн |
| FDPF18N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 319.45 грн |
| 10+ | 228.98 грн |
| 25+ | 189.84 грн |
| 50+ | 186.88 грн |
| FDPF20N50FT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 327.97 грн |
| 2+ | 260.81 грн |
| 10+ | 192.81 грн |
| 20+ | 175.01 грн |
| 50+ | 171.06 грн |
| FDPF20N50T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 323.71 грн |
| 3+ | 284.42 грн |
| 10+ | 244.22 грн |
| 50+ | 206.65 грн |
| 100+ | 195.78 грн |
| FDPF2D3N10C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF2D3N10C THT N channel transistors
FDPF2D3N10C THT N channel transistors
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 634.63 грн |
| 4+ | 379.69 грн |
| 9+ | 358.92 грн |
| FDPF390N15A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF390N15A THT N channel transistors
FDPF390N15A THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.54 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 32+ | 97.89 грн |
| FDPF51N25 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDPF51N25 THT N channel transistors
FDPF51N25 THT N channel transistors
на замовлення 71 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.27 грн |
| 10+ | 121.62 грн |
| 27+ | 115.69 грн |
| FDPF55N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.80 грн |
| 10+ | 157.10 грн |
| 50+ | 107.78 грн |
| 100+ | 94.92 грн |
| FDS2572 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2572 SMD N channel transistors
FDS2572 SMD N channel transistors
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.70 грн |
| 13+ | 92.94 грн |
| 35+ | 88.00 грн |
| FDS2582 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2582 SMD N channel transistors
FDS2582 SMD N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.69 грн |
| 19+ | 63.28 грн |
| 51+ | 59.33 грн |
| FDS2734 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS2734 SMD N channel transistors
FDS2734 SMD N channel transistors
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.71 грн |
| 12+ | 104.81 грн |
| 31+ | 98.88 грн |
| FDS3590 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3590 SMD N channel transistors
FDS3590 SMD N channel transistors
на замовлення 441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.95 грн |
| 26+ | 46.08 грн |
| 70+ | 43.51 грн |
| FDS3672 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS3672 SMD N channel transistors
FDS3672 SMD N channel transistors
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.20 грн |
| 20+ | 61.30 грн |
| 53+ | 58.34 грн |
| FDS4435BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 10+ | 42.41 грн |
| 50+ | 32.73 грн |
| 100+ | 29.86 грн |
| 250+ | 26.50 грн |
| 500+ | 25.21 грн |
| FDS4465 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4465 SMD P channel transistors
FDS4465 SMD P channel transistors
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.59 грн |
| 15+ | 81.08 грн |
| 40+ | 77.12 грн |
| FDS4470 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4470 SMD N channel transistors
FDS4470 SMD N channel transistors
на замовлення 386 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.31 грн |
| 12+ | 101.84 грн |
| 32+ | 95.91 грн |
| FDS4480 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 10.8A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 41nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.19 грн |
| 5+ | 72.29 грн |
| 25+ | 61.40 грн |
| 100+ | 55.17 грн |
| 500+ | 52.31 грн |











