Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HUF75345G3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF75345P3 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HUF75345S3ST | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF75542P3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
HUF75545P3 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Drain-source voltage: 80V Drain current: 73A On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 270W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 235nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HUF75631S3ST | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF75639G3 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
HUF75639P3 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 130nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HUF75639S3 | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
HUF75639S3ST | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 130nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
HUF75645P3 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HUF75652G3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF75852G3 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF76407D3ST | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF76423P3 | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HUF76429S3ST | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF76439S3ST | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF76629D3ST | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUF76639S3ST | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUFA75645S3S | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
HUFA76407DK8T-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFM120ATF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.3A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Case: SOT223 кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ISL9V3040D3ST | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ISL9V3040S3ST | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 430V Collector current: 17A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ISL9V5036S3ST | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J109-D26Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J109 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
J111 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Case: TO92 Gate current: 50mA Drain current: 20mA On-state resistance: 30Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
J111-D26Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J111-D74Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
J112 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA Case: TO92 Gate current: 50mA Drain current: 5mA On-state resistance: 50Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.625W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Gate-source voltage: -35V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
J112-D26Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J112-D27Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J112-D74Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J113 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J175-D26Z | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J176-D74Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 2mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 250Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
J211-D74Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KA1H0165RTU | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KA1M0565RYDTU | ONSEMI |
![]() Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 3.5A Output voltage: 650V Frequency: 67kHz Number of channels: 1 Case: TO220F-4FL Mounting: THT Operating temperature: -25...85°C Topology: flyback; forward On-state resistance: 2.2Ω Duty cycle factor: 74...80% Kind of package: tube Power: 140W Operating voltage: 10...25V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
KA431AZTA | ONSEMI |
![]() Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; Ammo Pack; 100mA Type of integrated circuit: voltage reference source Reference voltage: 2.495V Tolerance: ±1% Mounting: THT Case: TO92 Operating temperature: -25...85°C Operating voltage: 2.495...36V Kind of package: Ammo Pack Maximum output current: 0.1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
KA5H0365RTU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KA5H0380RYDTU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KA5L0565RYDTU | ONSEMI |
![]() Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 50kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 3.5A Output voltage: 650V Frequency: 50kHz Number of channels: 1 Case: TO220F-4FL Mounting: THT Operating temperature: -25...85°C Topology: flyback; forward On-state resistance: 2.2Ω Duty cycle factor: 72...82% Kind of package: tube Power: 38W Operating voltage: 9...27V DC кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KA5M0365RYDTU | ONSEMI |
![]() Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.4A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 4.5Ω Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output current: 2.4A Output voltage: 650V Frequency: 67kHz Number of channels: 1 Case: TO220F-4FL Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Topology: flyback; forward On-state resistance: 4.5Ω Duty cycle factor: 72...82% Kind of package: tube Power: 75W Operating voltage: 9...27V DC кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
KA7552A | ONSEMI |
![]() Description: IC: PMIC; PWM controller; Uout: 1.3÷18VDC; DIP8; tube Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: PWM controller Output voltage: 1.3...18V DC Output current: 1.5A Frequency: 0.6MHz Mounting: THT Case: DIP8 Number of channels: 1 Kind of package: tube Operating voltage: 8.7...30V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KDT00030TR | ONSEMI |
![]() Description: Phototransistor; SMD; 630nm; 6V Type of photoelement: phototransistor Mounting: SMD Wavelength of peak sensitivity: 630nm Collector-emitter voltage: 6V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
KSA1010YTU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KSA1013YBU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 160...320 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.9W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Case: TO92 Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
KSA1013YTA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 160...320 Collector current: 1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.9W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Case: TO92 Formed Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
KSA1015YTA | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSA1156YS | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KSA1281YTA | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
KSA1298YMTF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Frequency: 120MHz Collector-emitter voltage: 25V Current gain: 100...320 Collector current: 0.8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSA708YBU | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 120...240 Collector current: 0.7A Type of transistor: PNP Case: TO92 Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9908 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
KSA916YTA | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KSA928AYTA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 1W Case: TO92 Formed Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 120MHz Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 160...320 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KSA940TU | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KSA992FATA | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed Case: TO92 Formed Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 120V Current gain: 300...470 Collector current: 50mA Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
KSA992FBTA | ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 538 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
HUF75345G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75345G3 THT N channel transistors
HUF75345G3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF75345P3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75345P3 THT N channel transistors
HUF75345P3 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.42 грн |
8+ | 147.90 грн |
21+ | 140.46 грн |
HUF75345S3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75345S3ST SMD N channel transistors
HUF75345S3ST SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF75542P3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75542P3 THT N channel transistors
HUF75542P3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF75545P3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 270W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 235nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 270W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 235nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 241.42 грн |
8+ | 159.38 грн |
20+ | 145.11 грн |
250+ | 139.53 грн |
HUF75631S3ST |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75631S3ST SMD N channel transistors
HUF75631S3ST SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF75639G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF75639P3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 207.36 грн |
9+ | 139.10 грн |
23+ | 126.50 грн |
250+ | 121.85 грн |
HUF75639S3 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75639S3 THT N channel transistors
HUF75639S3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF75639S3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF75645P3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75645P3 THT N channel transistors
HUF75645P3 THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.42 грн |
7+ | 166.50 грн |
19+ | 157.20 грн |
HUF75652G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75652G3 THT N channel transistors
HUF75652G3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF75852G3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF75852G3 THT N channel transistors
HUF75852G3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF76407D3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF76407D3ST SMD N channel transistors
HUF76407D3ST SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF76423P3 |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF76423P3 THT N channel transistors
HUF76423P3 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.25 грн |
16+ | 71.62 грн |
42+ | 67.90 грн |
250+ | 67.62 грн |
HUF76429S3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF76429S3ST SMD N channel transistors
HUF76429S3ST SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF76439S3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF76439S3ST SMD N channel transistors
HUF76439S3ST SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF76629D3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF76629D3ST SMD N channel transistors
HUF76629D3ST SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUF76639S3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUF76639S3ST SMD N channel transistors
HUF76639S3ST SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUFA75645S3S |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
HUFA75645S3S SMD N channel transistors
HUFA75645S3S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HUFA76407DK8T-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
HUFA76407DK8T-F085 SMD N channel transistors
HUFA76407DK8T-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFM120ATF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT223
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT223
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ISL9V3040D3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ISL9V3040S3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ISL9V5036S3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
ISL9V5036S3ST SMD IGBT transistors
ISL9V5036S3ST SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J109-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J109-D26Z THT N channel transistors
J109-D26Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J109 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J109-ONS THT N channel transistors
J109-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J111 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Case: TO92
Gate current: 50mA
Drain current: 20mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.06 грн |
12+ | 25.89 грн |
50+ | 15.91 грн |
100+ | 13.02 грн |
110+ | 9.95 грн |
301+ | 9.39 грн |
500+ | 9.12 грн |
J111-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J111-D26Z THT N channel transistors
J111-D26Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J111-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J111-D74Z THT N channel transistors
J111-D74Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J112 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Case: TO92
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 5mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Case: TO92
Gate current: 50mA
Drain current: 5mA
On-state resistance: 50Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: -35V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.08 грн |
11+ | 28.88 грн |
50+ | 18.32 грн |
95+ | 11.63 грн |
261+ | 10.98 грн |
1000+ | 10.51 грн |
J112-D26Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J112-D26Z THT N channel transistors
J112-D26Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J112-D27Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J112-D27Z THT N channel transistors
J112-D27Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J112-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J112-D74Z THT N channel transistors
J112-D74Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J113-ONS THT N channel transistors
J113-ONS THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J175-D26Z |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
J175-D26Z THT P channel transistors
J175-D26Z THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J176-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 2mA; 0.35W; TO92; Igt: 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 2mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 250Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
J211-D74Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
J211-D74Z THT N channel transistors
J211-D74Z THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KA1H0165RTU |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
KA1H0165RTU Voltage regulators - PWM circuits
KA1H0165RTU Voltage regulators - PWM circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KA1M0565RYDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 74...80%
Kind of package: tube
Power: 140W
Operating voltage: 10...25V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 74...80%
Kind of package: tube
Power: 140W
Operating voltage: 10...25V DC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KA431AZTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; Ammo Pack; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -25...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: Ammo Pack
Maximum output current: 0.1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; TO92; Ammo Pack; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: THT
Case: TO92
Operating temperature: -25...85°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: Ammo Pack
Maximum output current: 0.1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.07 грн |
11+ | 27.14 грн |
25+ | 19.91 грн |
100+ | 12.28 грн |
147+ | 7.53 грн |
402+ | 7.07 грн |
1000+ | 6.88 грн |
KA5H0365RTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
KA5H0365RTU Voltage regulators - PWM circuits
KA5H0365RTU Voltage regulators - PWM circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KA5H0380RYDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
KA5H0380RYDTU Voltage regulators - PWM circuits
KA5H0380RYDTU Voltage regulators - PWM circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KA5L0565RYDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 50kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 50kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 72...82%
Kind of package: tube
Power: 38W
Operating voltage: 9...27V DC
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 3.5A; 650V; 50kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 2.2Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 3.5A
Output voltage: 650V
Frequency: 50kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -25...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 2.2Ω
Duty cycle factor: 72...82%
Kind of package: tube
Power: 38W
Operating voltage: 9...27V DC
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KA5M0365RYDTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.4A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 4.5Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 2.4A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 4.5Ω
Duty cycle factor: 72...82%
Kind of package: tube
Power: 75W
Operating voltage: 9...27V DC
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.4A; 650V; 67kHz; Ch: 1; TO220F-4FL; 4.5Ω
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 2.4A
Output voltage: 650V
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: TO220F-4FL
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Topology: flyback; forward
On-state resistance: 4.5Ω
Duty cycle factor: 72...82%
Kind of package: tube
Power: 75W
Operating voltage: 9...27V DC
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KA7552A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Uout: 1.3÷18VDC; DIP8; tube
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output voltage: 1.3...18V DC
Output current: 1.5A
Frequency: 0.6MHz
Mounting: THT
Case: DIP8
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Operating voltage: 8.7...30V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Uout: 1.3÷18VDC; DIP8; tube
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output voltage: 1.3...18V DC
Output current: 1.5A
Frequency: 0.6MHz
Mounting: THT
Case: DIP8
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Operating voltage: 8.7...30V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.91 грн |
25+ | 28.46 грн |
100+ | 27.25 грн |
105+ | 27.07 грн |
500+ | 26.04 грн |
KDT00030TR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; SMD; 630nm; 6V
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: SMD
Wavelength of peak sensitivity: 630nm
Collector-emitter voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; SMD; 630nm; 6V
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: SMD
Wavelength of peak sensitivity: 630nm
Collector-emitter voltage: 6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.14 грн |
7+ | 41.73 грн |
41+ | 26.88 грн |
100+ | 26.70 грн |
113+ | 25.39 грн |
200+ | 24.46 грн |
KSA1010YTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
KSA1010YTU PNP THT transistors
KSA1010YTU PNP THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSA1013YBU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO92
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO92
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSA1013YTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92 Formed
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.9W; TO92 Formed
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 160...320
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92 Formed
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.08 грн |
10+ | 31.78 грн |
77+ | 14.23 грн |
212+ | 13.39 грн |
1000+ | 12.93 грн |
KSA1015YTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
KSA1015YTA PNP THT transistors
KSA1015YTA PNP THT transistors
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.64 грн |
148+ | 7.44 грн |
405+ | 6.98 грн |
KSA1156YS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
KSA1156YS PNP THT transistors
KSA1156YS PNP THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSA1281YTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
KSA1281YTA PNP THT transistors
KSA1281YTA PNP THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSA1298YMTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 100...320
Collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 0.8A; 0.2W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 120MHz
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 100...320
Collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.03 грн |
28+ | 10.72 грн |
100+ | 6.79 грн |
393+ | 2.79 грн |
1078+ | 2.63 грн |
KSA708YBU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Collector current: 0.7A
Type of transistor: PNP
Case: TO92
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Collector current: 0.7A
Type of transistor: PNP
Case: TO92
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.04 грн |
24+ | 12.07 грн |
35+ | 8.19 грн |
100+ | 7.13 грн |
197+ | 5.55 грн |
542+ | 5.26 грн |
5000+ | 5.13 грн |
KSA916YTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
KSA916YTA PNP THT transistors
KSA916YTA PNP THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSA928AYTA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 120MHz
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 160...320
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 2A; 1W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 120MHz
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 160...320
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSA940TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
KSA940TU PNP THT transistors
KSA940TU PNP THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSA992FATA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 300...470
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Formed
Case: TO92 Formed
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 120V
Current gain: 300...470
Collector current: 50mA
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KSA992FBTA |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
KSA992FBTA PNP THT transistors
KSA992FBTA PNP THT transistors
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.21 грн |
226+ | 4.84 грн |
619+ | 4.58 грн |