| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS4675 | ONSEMI |
FDS4675 SMD P channel transistors |
на замовлення 194 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS4685 | ONSEMI |
FDS4685 SMD P channel transistors |
на замовлення 755 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS4935A | ONSEMI |
FDS4935A SMD P channel transistors |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS4935BZ | ONSEMI |
FDS4935BZ Multi channel transistors |
на замовлення 3448 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS5351 | ONSEMI |
FDS5351 SMD N channel transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS5670 | ONSEMI |
FDS5670 SMD N channel transistors |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6375 | ONSEMI |
FDS6375 SMD P channel transistors |
на замовлення 768 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6673BZ | ONSEMI |
FDS6673BZ SMD P channel transistors |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6675BZ | ONSEMI |
FDS6675BZ SMD P channel transistors |
на замовлення 2331 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS6679AZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 262 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS6680A | ONSEMI |
FDS6680A SMD N channel transistors |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6681Z | ONSEMI |
FDS6681Z SMD P channel transistors |
на замовлення 2622 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6690A | ONSEMI |
FDS6690A SMD N channel transistors |
на замовлення 736 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6898A | ONSEMI |
FDS6898A Multi channel transistors |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6912A | ONSEMI |
FDS6912A Multi channel transistors |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8447 | ONSEMI |
FDS8447 SMD N channel transistors |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8880 | ONSEMI |
FDS8880 SMD N channel transistors |
на замовлення 294 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS89141 | ONSEMI |
FDS89141 Multi channel transistors |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS89161 | ONSEMI |
FDS89161 Multi channel transistors |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS8949 | ONSEMI |
FDS8949 Multi channel transistors |
на замовлення 340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS9435A | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS9926A | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 452 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
fds9945 | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 324 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDT3612 | ONSEMI |
FDT3612 SMD N channel transistors |
на замовлення 2792 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT458P | ONSEMI |
FDT458P SMD P channel transistors |
на замовлення 3060 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDT86113LZ | ONSEMI |
FDT86113LZ SMD N channel transistors |
на замовлення 956 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDV301N | ONSEMI |
FDV301N SMD N channel transistors |
на замовлення 6964 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDV303N | ONSEMI |
FDV303N SMD N channel transistors |
на замовлення 22308 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDV304P | ONSEMI |
FDV304P SMD P channel transistors |
на замовлення 17210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDV305N | ONSEMI |
FDV305N SMD N channel transistors |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDY300NZ | ONSEMI |
FDY300NZ SMD N channel transistors |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FFSH40120ADN-F085 | ONSEMI |
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FFSH4065ADN-F155 | ONSEMI |
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FGA60N65SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN Type of transistor: IGBT Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 300W Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 284nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGB3040G2-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 25.6A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD Gate-emitter voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 717 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGB40T65SPD-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 120A Application: ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 36nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 735 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGD3245G2-F085 | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 23A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Application: ignition systems кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGD5T120SH | ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 12.5A Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40T120SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40T120SMD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH50T65SQD-F155 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Type of transistor: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 200A Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 99nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH60N60SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 284nC Kind of package: tube Collector current: 60A Pulsed collector current: 180A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 288 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FGY160T65SPD-F085 | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 160A Power dissipation: 441W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY60T120SQDN | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 60A Power dissipation: 259W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 311nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGY75T120SQDN | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 395W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 399nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FIN1001M5X | ONSEMI |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC Technology: LVDS Type of integrated circuit: digital Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 3.6V DC Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator Case: SOT23-5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5636 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FIN1002M5X | ONSEMI |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD Technology: LVDS Type of integrated circuit: digital Kind of package: tube Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 3...3.6V DC Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator Case: SOT23-5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJB102TM | ONSEMI |
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 199 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FJI5603DTU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK Case: I2PAK Type of transistor: NPN Kind of package: tube Mounting: THT Collector current: 3A Current gain: 20...35 Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 800V Frequency: 5MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJL6920TU | ONSEMI |
FJL6920TU NPN THT transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FJP13007H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 5...60 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13009H2TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 15...40 Collector current: 12A Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 400V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FJP13009TU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 100W Collector-emitter voltage: 400V Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FJV992FMTF | ONSEMI |
FJV992FMTF PNP SMD transistors |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FL7701MX | ONSEMI |
FL7701MX LED drivers |
на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FMBA14 | ONSEMI |
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FNA41560 | ONSEMI |
FNA41560 Motor and PWM drivers |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FNB41060 | ONSEMI |
FNB41060 Motor and PWM drivers |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FNB41560 | ONSEMI |
FNB41560 Motor and PWM drivers |
на замовлення 51 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| FDS4675 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4675 SMD P channel transistors
FDS4675 SMD P channel transistors
на замовлення 194 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.36 грн |
| 18+ | 67.24 грн |
| 49+ | 63.28 грн |
| FDS4685 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4685 SMD P channel transistors
FDS4685 SMD P channel transistors
на замовлення 755 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.38 грн |
| 21+ | 57.94 грн |
| 50+ | 54.73 грн |
| FDS4935A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4935A SMD P channel transistors
FDS4935A SMD P channel transistors
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.80 грн |
| 24+ | 49.73 грн |
| 65+ | 47.07 грн |
| FDS4935BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS4935BZ Multi channel transistors
FDS4935BZ Multi channel transistors
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.78 грн |
| 36+ | 32.53 грн |
| 99+ | 30.85 грн |
| FDS5351 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5351 SMD N channel transistors
FDS5351 SMD N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.03 грн |
| 34+ | 35.30 грн |
| 92+ | 33.42 грн |
| 1000+ | 33.37 грн |
| FDS5670 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS5670 SMD N channel transistors
FDS5670 SMD N channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 228.94 грн |
| 12+ | 101.84 грн |
| 32+ | 95.91 грн |
| FDS6375 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6375 SMD P channel transistors
FDS6375 SMD P channel transistors
на замовлення 768 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.51 грн |
| 26+ | 46.18 грн |
| 70+ | 43.60 грн |
| FDS6673BZ | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6673BZ SMD P channel transistors
FDS6673BZ SMD P channel transistors
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.32 грн |
| 24+ | 49.83 грн |
| 65+ | 47.07 грн |
| FDS6675BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6675BZ SMD P channel transistors
FDS6675BZ SMD P channel transistors
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.10 грн |
| 31+ | 38.66 грн |
| 84+ | 36.58 грн |
| FDS6679AZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.61 грн |
| 10+ | 76.50 грн |
| 25+ | 60.71 грн |
| 50+ | 52.31 грн |
| 100+ | 45.48 грн |
| 500+ | 42.12 грн |
| FDS6680A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6680A SMD N channel transistors
FDS6680A SMD N channel transistors
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.07 грн |
| 27+ | 43.41 грн |
| 75+ | 41.03 грн |
| FDS6681Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6681Z SMD P channel transistors
FDS6681Z SMD P channel transistors
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.25 грн |
| 15+ | 83.06 грн |
| 39+ | 78.11 грн |
| FDS6690A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6690A SMD N channel transistors
FDS6690A SMD N channel transistors
на замовлення 736 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.85 грн |
| 58+ | 20.47 грн |
| 158+ | 19.28 грн |
| FDS6898A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6898A Multi channel transistors
FDS6898A Multi channel transistors
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.80 грн |
| 23+ | 52.60 грн |
| 62+ | 49.73 грн |
| FDS6912A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS6912A Multi channel transistors
FDS6912A Multi channel transistors
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 122.35 грн |
| 34+ | 35.30 грн |
| 92+ | 33.42 грн |
| FDS8447 | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8447 SMD N channel transistors
FDS8447 SMD N channel transistors
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.33 грн |
| 16+ | 76.13 грн |
| 43+ | 72.18 грн |
| FDS8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8880 SMD N channel transistors
FDS8880 SMD N channel transistors
на замовлення 294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.41 грн |
| 36+ | 32.53 грн |
| 99+ | 30.75 грн |
| FDS89141 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89141 Multi channel transistors
FDS89141 Multi channel transistors
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.90 грн |
| 7+ | 176.99 грн |
| 19+ | 167.10 грн |
| 1000+ | 166.34 грн |
| FDS89161 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS89161 Multi channel transistors
FDS89161 Multi channel transistors
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.29 грн |
| 13+ | 90.97 грн |
| 36+ | 86.02 грн |
| FDS8949 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDS8949 Multi channel transistors
FDS8949 Multi channel transistors
на замовлення 340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.85 грн |
| 33+ | 35.99 грн |
| 90+ | 34.01 грн |
| FDS9435A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.80 грн |
| 10+ | 52.98 грн |
| 50+ | 37.87 грн |
| 100+ | 33.02 грн |
| 500+ | 24.22 грн |
| FDS9926A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 452 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.69 грн |
| 8+ | 41.28 грн |
| 10+ | 35.20 грн |
| 50+ | 26.99 грн |
| 100+ | 24.32 грн |
| 250+ | 21.16 грн |
| 500+ | 20.27 грн |
| fds9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.24 грн |
| 10+ | 44.67 грн |
| 25+ | 38.17 грн |
| 50+ | 34.11 грн |
| 100+ | 30.36 грн |
| 500+ | 27.19 грн |
| FDT3612 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT3612 SMD N channel transistors
FDT3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.00 грн |
| 42+ | 28.48 грн |
| 113+ | 26.99 грн |
| FDT458P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT458P SMD P channel transistors
FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.33 грн |
| 38+ | 30.85 грн |
| 105+ | 29.17 грн |
| FDT86113LZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDT86113LZ SMD N channel transistors
FDT86113LZ SMD N channel transistors
на замовлення 956 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.46 грн |
| 28+ | 43.21 грн |
| 75+ | 40.84 грн |
| FDV301N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV301N SMD N channel transistors
FDV301N SMD N channel transistors
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.65 грн |
| 561+ | 2.09 грн |
| 1541+ | 1.98 грн |
| FDV303N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV303N SMD N channel transistors
FDV303N SMD N channel transistors
на замовлення 22308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.90 грн |
| 381+ | 3.08 грн |
| 1047+ | 2.91 грн |
| FDV304P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV304P SMD P channel transistors
FDV304P SMD P channel transistors
на замовлення 17210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 9.72 грн |
| 568+ | 2.07 грн |
| 1561+ | 1.95 грн |
| FDV305N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDV305N SMD N channel transistors
FDV305N SMD N channel transistors
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.94 грн |
| 209+ | 5.62 грн |
| 574+ | 5.31 грн |
| FDY300NZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FDY300NZ SMD N channel transistors
FDY300NZ SMD N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.01 грн |
| 47+ | 24.92 грн |
| 130+ | 23.53 грн |
| FFSH40120ADN-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
FFSH40120ADN-F085 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1574.11 грн |
| 3+ | 1488.09 грн |
| FFSH4065ADN-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
FFSH4065ADN-F155 THT Schottky diodes
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1021.17 грн |
| 2+ | 738.61 грн |
| 5+ | 699.06 грн |
| FGA60N65SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 284nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 300W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 284nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.40 грн |
| 3+ | 346.03 грн |
| 10+ | 290.70 грн |
| FGB3040G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Gate-emitter voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Gate-emitter voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 717 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.71 грн |
| 10+ | 209.47 грн |
| 100+ | 187.87 грн |
| 250+ | 186.88 грн |
| FGB40T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 470.65 грн |
| 5+ | 370.67 грн |
| 10+ | 315.42 грн |
| 25+ | 264.99 грн |
| FGD3245G2-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 23A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.57 грн |
| 5+ | 155.05 грн |
| 10+ | 139.42 грн |
| 25+ | 123.60 грн |
| 50+ | 113.71 грн |
| FGD5T120SH |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.21 грн |
| 10+ | 113.97 грн |
| 100+ | 77.12 грн |
| FGH40N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.22 грн |
| 3+ | 293.66 грн |
| 10+ | 242.25 грн |
| 30+ | 237.30 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 749.64 грн |
| 10+ | 621.21 грн |
| FGH40T120SMD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1041.40 грн |
| FGH50T65SQD-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.43 грн |
| 3+ | 319.33 грн |
| 10+ | 271.91 грн |
| 30+ | 245.21 грн |
| 120+ | 228.40 грн |
| FGH60N60SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.19 грн |
| 10+ | 327.55 грн |
| FGY160T65SPD-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 160A; 441W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 160A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1227.74 грн |
| 5+ | 1062.73 грн |
| FGY60T120SQDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 259W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Power dissipation: 259W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 311nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 900.84 грн |
| 3+ | 827.60 грн |
| FGY75T120SQDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 399nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 890.19 грн |
| FIN1001M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; differential,line driver,translator; LVDS; 3.6VDC
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line driver; translator
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5636 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.87 грн |
| 10+ | 73.93 грн |
| 25+ | 64.27 грн |
| 50+ | 59.33 грн |
| FIN1002M5X |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; line receiver,differential,translator; LVDS; SMD
Technology: LVDS
Type of integrated circuit: digital
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.6V DC
Kind of integrated circuit: differential; line receiver; translator
Case: SOT23-5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.22 грн |
| 10+ | 66.84 грн |
| 25+ | 52.70 грн |
| 100+ | 39.65 грн |
| 250+ | 35.69 грн |
| FJB102TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
FJB102TM NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.71 грн |
| 22+ | 55.67 грн |
| 58+ | 52.60 грн |
| FJI5603DTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Case: I2PAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 3A
Current gain: 20...35
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 800V
Frequency: 5MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Case: I2PAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 3A
Current gain: 20...35
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 800V
Frequency: 5MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.58 грн |
| 10+ | 106.79 грн |
| 50+ | 94.92 грн |
| FJL6920TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJL6920TU NPN THT transistors
FJL6920TU NPN THT transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 660.19 грн |
| 3+ | 393.53 грн |
| 9+ | 372.76 грн |
| FJP13007H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.87 грн |
| 10+ | 92.94 грн |
| 50+ | 89.98 грн |
| FJP13009H2TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.05 грн |
| 10+ | 101.65 грн |
| FJP13009TU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.36 грн |
| 10+ | 62.63 грн |
| FJV992FMTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FJV992FMTF PNP SMD transistors
FJV992FMTF PNP SMD transistors
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.72 грн |
| 298+ | 3.94 грн |
| 819+ | 3.72 грн |
| FL7701MX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FL7701MX LED drivers
FL7701MX LED drivers
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.13 грн |
| 15+ | 79.10 грн |
| 42+ | 74.16 грн |
| FMBA14 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors
FMBA14 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 4.49 грн |
| 705+ | 4.32 грн |
| 1000+ | 4.31 грн |
| FNA41560 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
FNA41560 Motor and PWM drivers
FNA41560 Motor and PWM drivers
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1778.26 грн |
| 2+ | 1075.78 грн |
| 3+ | 1017.44 грн |















