Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141174) > Сторінка 1768 з 2353

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1771 1772 1773 1880 2115 2350 2353  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCD4N60TM FCD4N60TM ONSEMI fcd4n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.83 грн
5+137.59 грн
10+114.70 грн
50+80.09 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+136.30 грн
5+118.08 грн
10+102.83 грн
25+88.00 грн
100+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z ONSEMI fcd900n60z-d.pdf FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.83 грн
14+86.02 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F FCH104N60F ONSEMI fch104n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+534.54 грн
3+470.27 грн
10+382.65 грн
30+360.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 ONSEMI FCH47N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+842.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133
+1
 		FCH47N60F-F133 ONSEMI fch47n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+982.83 грн
10+838.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+306.67 грн
3+261.83 грн
10+203.69 грн
50+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 FCP16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+355.65 грн
3+312.15 грн
10+250.16 грн
50+216.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+386.53 грн
3+341.92 грн
10+291.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 FCPF11N60 ONSEMI FCP11N60.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+210.84 грн
50+146.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F FCPF11N60F ONSEMI fcpf11n60f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+352.46 грн
10+215.63 грн
50+183.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+453.61 грн
3+407.64 грн
10+324.31 грн
50+278.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z ONSEMI FCPF400N80Z-D.PDF FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+339.68 грн
11+115.69 грн
28+108.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 ONSEMI fda032n08-d.pdf FDA032N08 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+434.45 грн
5+257.08 грн
13+242.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F ONSEMI fda24n40f-d.pdf FDA24N40F THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+293.89 грн
5+257.08 грн
13+242.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F FDA24N50F ONSEMI fda24n50f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+282.18 грн
30+244.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 FDA28N50 ONSEMI fda28n50-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+432.32 грн
10+254.64 грн
30+243.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30 ONSEMI FDA59N30-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+403.57 грн
5+337.82 грн
10+281.80 грн
30+216.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+352.46 грн
5+289.71 грн
12+272.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 778 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+376.95 грн
4+358.92 грн
5+342.95 грн
9+339.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 ONSEMI fdb035an06a0-d.pdf FDB035AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+472.78 грн
4+357.93 грн
9+339.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 ONSEMI fdb13an06a0-d.pdf FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 756 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+174.63 грн
10+119.64 грн
27+112.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50 ONSEMI FDB15N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+323.71 грн
10+235.14 грн
25+203.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 602 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+285.37 грн
10+219.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 ONSEMI fdb2572-d.pdf FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 692 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+183.15 грн
11+116.67 грн
28+110.74 грн
200+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 ONSEMI fdb2710-d.pdf FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 784 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+413.15 грн
5+279.82 грн
12+264.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM ONSEMI fdb28n30tm-d.pdf FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 803 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.70 грн
10+137.59 грн
11+112.72 грн
29+106.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM ONSEMI FDB33N25-D.PDF FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 532 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+223.61 грн
10+122.61 грн
27+115.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf FDB3652 SMD N channel transistors
на замовлення 213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+252.36 грн
10+121.62 грн
27+114.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+206.39 грн
10+160.18 грн
20+144.36 грн
100+125.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+203.38 грн
9+138.43 грн
24+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+347.13 грн
7+184.90 грн
18+174.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 ONSEMI fdc2612-d.pdf FDC2612 SMD N channel transistors
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+98.07 грн
38+31.15 грн
104+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+60.69 грн
10+43.84 грн
100+27.98 грн
250+23.83 грн
500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 ONSEMI fdc3612-d.pdf FDC3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+59.10 грн
46+25.51 грн
127+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 ONSEMI fdc5612-d.pdf FDC5612 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+56.97 грн
53+22.25 грн
145+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+77.63 грн
59+19.97 грн
162+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P ONSEMI fdc602p-d.pdf FDC602P SMD P channel transistors
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.33 грн
46+25.81 грн
125+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P ONSEMI fdc604p-d.pdf FDC604P SMD P channel transistors
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.77 грн
56+21.16 грн
153+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P ONSEMI fdc606p-d.pdf FDC606P SMD P channel transistors
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.91 грн
28+42.32 грн
77+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ ONSEMI fdc608pz-d.pdf FDC608PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.77 грн
56+21.16 грн
153+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ ONSEMI fdc610pz-d.pdf FDC610PZ SMD P channel transistors
на замовлення 359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.88 грн
57+20.76 грн
155+19.68 грн
9000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N ONSEMI FDC6301N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+40.46 грн
11+29.37 грн
50+20.96 грн
100+18.19 грн
500+12.66 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N ONSEMI fdc6303n-d.pdf FDC6303N Multi channel transistors
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+62.72 грн
71+16.51 грн
195+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N ONSEMI fdc6305n-d.pdf FDC6305N Multi channel transistors
на замовлення 247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+74.11 грн
49+24.13 грн
134+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P ONSEMI fdc6312p-d.pdf FDC6312P Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+96.15 грн
39+30.26 грн
107+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSEMI fdc6318p-d.pdf FDC6318P Multi channel transistors
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+75.92 грн
30+39.16 грн
83+36.98 грн
500+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C ONSEMI fdc6321c-d.pdf FDC6321C Multi channel transistors
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+61.23 грн
47+25.31 грн
128+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L ONSEMI FDC6324L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+32.04 грн
11+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C ONSEMI fdc6327c-d.pdf FDC6327C Multi channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.72 грн
38+31.64 грн
102+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L FDC6330L ONSEMI fdc6330l-d.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+48.98 грн
10+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L FDC6331L ONSEMI FDC6331L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+45.79 грн
10+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C ONSEMI fdc6333c-d.pdf FDC6333C Multi channel transistors
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.24 грн
60+19.68 грн
164+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN ONSEMI FDC637AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+75.60 грн
10+47.54 грн
100+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ ONSEMI fdc637bnz-d.pdf FDC637BNZ SMD N channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+38.44 грн
118+9.89 грн
325+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ ONSEMI fdc638apz-d.pdf FDC638APZ SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.24 грн
68+17.20 грн
187+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P ONSEMI fdc638p-d.pdf FDC638P SMD P channel transistors
на замовлення 269 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.71 грн
52+22.94 грн
141+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI FDC6401N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.89 грн
10+51.34 грн
25+42.12 грн
50+36.49 грн
100+31.44 грн
500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C ONSEMI FDC6420C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+78.80 грн
10+49.80 грн
25+37.28 грн
50+30.85 грн
100+25.91 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N ONSEMI FDC645N-D.pdf FDC645N SMD N channel transistors
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+76.45 грн
42+28.28 грн
115+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCD4N60TM fcd4n60-d.pdf
FCD4N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
5+137.59 грн
10+114.70 грн
50+80.09 грн
100+72.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.30 грн
5+118.08 грн
10+102.83 грн
25+88.00 грн
100+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCD900N60Z fcd900n60z-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FCD900N60Z SMD N channel transistors
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.83 грн
14+86.02 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCH104N60F fch104n60f-d.pdf
FCH104N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 357W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.54 грн
3+470.27 грн
10+382.65 грн
30+360.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60-F133 FCH47N60.pdf
FCH47N60-F133
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+842.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCH47N60F-F133 fch47n60f-d.pdf
FCH47N60F-F133
+1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+982.83 грн
10+838.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60.pdf
FCP11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.67 грн
3+261.83 грн
10+203.69 грн
50+163.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.65 грн
3+312.15 грн
10+250.16 грн
50+216.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60.pdf
FCP20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.53 грн
3+341.92 грн
10+291.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60 description FCP11N60.pdf
FCPF11N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.84 грн
50+146.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60F fcpf11n60f-d.pdf
FCPF11N60F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.46 грн
10+215.63 грн
50+183.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60 FCP20N60.pdf
FCPF20N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.61 грн
3+407.64 грн
10+324.31 грн
50+278.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80Z FCPF400N80Z-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FCPF400N80Z THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.68 грн
11+115.69 грн
28+108.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA032N08 fda032n08-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDA032N08 THT N channel transistors
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.45 грн
5+257.08 грн
13+242.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N40F fda24n40f-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDA24N40F THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.89 грн
5+257.08 грн
13+242.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA24N50F fda24n50f-d.pdf
FDA24N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 96A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 96A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.18 грн
30+244.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDA28N50 fda28n50-d.pdf
FDA28N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.32 грн
10+254.64 грн
30+243.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA59N30 FDA59N30-D.pdf
FDA59N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 35A; Idm: 236A; 500W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 236A
Power dissipation: 500W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.57 грн
5+337.82 грн
10+281.80 грн
30+216.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDA69N25 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.46 грн
5+289.71 грн
12+272.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB0190N807L SMD N channel transistors
на замовлення 778 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+376.95 грн
4+358.92 грн
5+342.95 грн
9+339.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB035AN06A0 fdb035an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB035AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.78 грн
4+357.93 грн
9+339.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB13AN06A0 fdb13an06a0-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB13AN06A0 SMD N channel transistors
на замовлення 756 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.63 грн
10+119.64 грн
27+112.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB15N50 FDB15N50.pdf
FDB15N50
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 767 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.71 грн
10+235.14 грн
25+203.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDX2532-DTE.pdf
FDB2532
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 602 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.37 грн
10+219.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2572 fdb2572-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2572 SMD N channel transistors
на замовлення 692 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.15 грн
11+116.67 грн
28+110.74 грн
200+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2710 fdb2710-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB2710 SMD N channel transistors
на замовлення 784 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.15 грн
5+279.82 грн
12+264.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB28N30TM fdb28n30tm-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB28N30TM SMD N channel transistors
на замовлення 803 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.70 грн
10+137.59 грн
11+112.72 грн
29+106.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB33N25TM FDB33N25-D.PDF
Виробник: ONSEMI
FDB33N25TM SMD N channel transistors
на замовлення 532 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.61 грн
10+122.61 грн
27+115.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 fdp3652-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB3652 SMD N channel transistors
на замовлення 213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.36 грн
10+121.62 грн
27+114.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±30V
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 560 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.39 грн
10+160.18 грн
20+144.36 грн
100+125.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.38 грн
9+138.43 грн
24+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 fdb5800-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 689 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.13 грн
7+184.90 грн
18+174.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 fdc2612-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC2612 SMD N channel transistors
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.07 грн
38+31.15 грн
104+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.69 грн
10+43.84 грн
100+27.98 грн
250+23.83 грн
500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC3612 SMD N channel transistors
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.10 грн
46+25.51 грн
127+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5612 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.97 грн
53+22.25 грн
145+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.63 грн
59+19.97 грн
162+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC602P SMD P channel transistors
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.33 грн
46+25.81 грн
125+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P fdc604p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC604P SMD P channel transistors
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.77 грн
56+21.16 грн
153+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P fdc606p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC606P SMD P channel transistors
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.91 грн
28+42.32 грн
77+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC608PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.77 грн
56+21.16 грн
153+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC610PZ fdc610pz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC610PZ SMD P channel transistors
на замовлення 359 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.88 грн
57+20.76 грн
155+19.68 грн
9000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N.pdf
FDC6301N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.9W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Gate charge: 0.7nC
On-state resistance: 9Ω
Gate-source voltage: ±0.5V; ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.46 грн
11+29.37 грн
50+20.96 грн
100+18.19 грн
500+12.66 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6303N Multi channel transistors
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.72 грн
71+16.51 грн
195+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N fdc6305n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6305N Multi channel transistors
на замовлення 247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.11 грн
49+24.13 грн
134+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P fdc6312p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6312P Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.15 грн
39+30.26 грн
107+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P fdc6318p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6318P Multi channel transistors
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.92 грн
30+39.16 грн
83+36.98 грн
500+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6321C Multi channel transistors
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.23 грн
47+25.31 грн
128+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6324L FDC6324L.pdf
FDC6324L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.04 грн
11+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6327C fdc6327c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6327C Multi channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.72 грн
38+31.64 грн
102+29.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6330L fdc6330l-d.pdf
FDC6330L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.125Ω
Supply voltage: 3...20V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.98 грн
10+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6331L FDC6331L.pdf
FDC6331L
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.8A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SuperSOT-6
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2.8A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.1Ω
Supply voltage: -8...8V DC
Control voltage: -0.5...8V DC
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.79 грн
10+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C fdc6333c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC6333C Multi channel transistors
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.24 грн
60+19.68 грн
164+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637AN FDC637AN.pdf
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.60 грн
10+47.54 грн
100+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ fdc637bnz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC637BNZ SMD N channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.44 грн
118+9.89 грн
325+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ fdc638apz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC638APZ SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.24 грн
68+17.20 грн
187+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P fdc638p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC638P SMD P channel transistors
на замовлення 269 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.71 грн
52+22.94 грн
141+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 106mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.89 грн
10+51.34 грн
25+42.12 грн
50+36.49 грн
100+31.44 грн
500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C FDC6420C.pdf
FDC6420C
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.80 грн
10+49.80 грн
25+37.28 грн
50+30.85 грн
100+25.91 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N FDC645N-D.pdf
Виробник: ONSEMI
FDC645N SMD N channel transistors
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.45 грн
42+28.28 грн
115+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1763 1764 1765 1766 1767 1768 1769 1770 1771 1772 1773 1880 2115 2350 2353  [ Наступна Сторінка >> ]