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FJE5304DTU FJE5304DTU ONSEMI FJE5304D-D.pdf Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB9503L-F085 FDB9503L-F085 ONSEMI 2907357.pdf Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FDB9503L-F085 FDB9503L-F085 ONSEMI 2907357.pdf Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP4620DSN50T1G. NCP4620DSN50T1G. ONSEMI 1878393.pdf Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NCP4620DSN50T1G. NCP4620DSN50T1G. ONSEMI 1878393.pdf Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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SZESD5Z2.5T5G SZESD5Z2.5T5G ONSEMI ESD5Z2.5T1-D.PDF Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FAN4146SX FAN4146SX ONSEMI FAN4146-D.PDF Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FPF2286UCX FPF2286UCX ONSEMI fpf2286ucx-d.pdf Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.025ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.24 грн
36+22.86 грн
100+18.95 грн
500+16.09 грн
1000+14.22 грн
2500+13.94 грн
5000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 27
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FJD5304DTF FJD5304DTF ONSEMI fjd5304d-d.pdf Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.82 грн
100+31.64 грн
500+23.04 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
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FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.68 грн
19+43.76 грн
100+28.55 грн
500+20.32 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
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SZHBL5006XV2T5G SZHBL5006XV2T5G ONSEMI HBL5006-D.PDF Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SZHBL5006HT1G SZHBL5006HT1G ONSEMI HBL5006-D.PDF Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-323
Durchlassstrom, max.: 250
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SZHBL5006XV2T1G SZHBL5006XV2T1G ONSEMI HBL5006-D.PDF Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FSB660A FSB660A ONSEMI fsb660a-d.pdf Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FSB660A FSB660A ONSEMI fsb660a-d.pdf Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.50 грн
50+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
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FDB047N10 FDB047N10 ONSEMI 2304411.pdf Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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BDW47G BDW47G ONSEMI 1912248.pdf Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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DFB2060 DFB2060 ONSEMI DFB2080-D.pdf Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.32 грн
10+179.77 грн
100+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
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DFB2080 DFB2080 ONSEMI DFB2080-D.pdf Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
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DFB2580 DFB2580 ONSEMI DFB2505-D.PDF Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FOD8318 FOD8318 ONSEMI FOD8318-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD8318R2V FOD8318R2V ONSEMI FOD8318-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD8318V FOD8318V ONSEMI FOD8318-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD8318R2 FOD8318R2 ONSEMI FOD8318-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD8316V FOD8316V ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD8316R2V FOD8316R2V ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD8316 FOD8316 ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD8316R2 FOD8316R2 ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD8316R2 ONSEMI FOD8316-D.PDF Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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KSD363RTU KSD363RTU ONSEMI KSD363-D.pdf Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCV47722PAAJR2G NCV47722PAAJR2G ONSEMI ONSM-S-A0013749985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 350mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.88 грн
250+56.48 грн
500+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP1236BD65R2G NCP1236BD65R2G ONSEMI 2236900.pdf Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.45 грн
500+40.79 грн
1000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NVBLS0D5N04CTXG NVBLS0D5N04CTXG ONSEMI 3168495.pdf Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G ONSEMI 704146.pdf Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.78 грн
500+37.09 грн
1500+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013670025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.95 грн
50+57.51 грн
100+47.99 грн
500+30.82 грн
1500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
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NTHD3100CT1G NTHD3100CT1G ONSEMI 704146.pdf Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.63 грн
50+71.83 грн
100+49.78 грн
500+37.09 грн
1500+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
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NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G ONSEMI NTHD4P02F-D.PDF Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDC637AN FDC637AN ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.22 грн
15+54.66 грн
100+36.20 грн
500+26.51 грн
1000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FDC637AN FDC637AN ONSEMI ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.20 грн
500+26.51 грн
1000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NSR0170HT1G NSR0170HT1G ONSEMI 2578356.pdf Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.88 грн
116+7.05 грн
172+4.75 грн
500+3.16 грн
1000+2.58 грн
5000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 69
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NSR0170P2T5G NSR0170P2T5G ONSEMI ONSM-S-A0013749857-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.22 грн
70+11.71 грн
250+9.68 грн
1000+5.23 грн
4000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 45
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US2KA US2KA ONSEMI US2AA-D.PDF Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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SB350 SB350 ONSEMI SB380-D.pdf Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 740
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.55 грн
500+20.32 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NLAS4599DTT1G NLAS4599DTT1G ONSEMI 1712834.pdf Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 25ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCS20064DTBR2G NCS20064DTBR2G ONSEMI 3213426.pdf Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.48 грн
12+73.21 грн
50+57.51 грн
100+38.82 грн
250+35.14 грн
500+34.44 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
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NCS20064DTBR2G NCS20064DTBR2G ONSEMI 3213426.pdf Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.82 грн
250+35.14 грн
500+34.44 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV20064DTBR2G NCV20064DTBR2G ONSEMI 3213426.pdf Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.97 грн
250+31.17 грн
500+30.12 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV20064DTBR2G NCV20064DTBR2G ONSEMI 3213426.pdf Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.62 грн
21+40.10 грн
50+38.88 грн
100+34.97 грн
250+31.17 грн
500+30.12 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
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FSB50550AT FSB50550AT ONSEMI FSB50550A-D.pdf Description: ONSEMI - FSB50550AT - INTELLIGENT POWER MODULES
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FSB50550A FSB50550A ONSEMI FSB50550A-D.pdf Description: ONSEMI - FSB50550A - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NVHL020N120SC1 NVHL020N120SC1 ONSEMI 2913027.pdf Description: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NVTFS003N04CTAG NVTFS003N04CTAG ONSEMI nvtfs003n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
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NVTFWS003N04CTAG NVTFWS003N04CTAG ONSEMI NVTFS003N04C-D.PDF Description: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG ONSEMI nttfs3d7n06hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0039 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.45 грн
10+123.64 грн
100+89.48 грн
500+71.23 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
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NCS20081SN3T1G NCS20081SN3T1G ONSEMI 2907099.pdf Description: ONSEMI - NCS20081SN3T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.84 грн
500+13.75 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
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QED223A4R0 QED223A4R0 ONSEMI qed223-d.pdf Description: ONSEMI - QED223A4R0 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 15 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 15°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.13 грн
25+33.84 грн
50+29.20 грн
200+22.81 грн
500+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
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NCID9401 NCID9401 ONSEMI NCID9401-D.PDF Description: ONSEMI - NCID9401 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.80 грн
10+323.75 грн
25+294.47 грн
50+246.24 грн
100+213.35 грн
250+212.66 грн
500+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
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NCID9401R2 NCID9401R2 ONSEMI 3191474.pdf Description: ONSEMI - NCID9401R2 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 117ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler High-Speed-Isolator
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+221.72 грн
250+212.66 грн
500+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCID9401R2 NCID9401R2 ONSEMI 3191474.pdf Description: ONSEMI - NCID9401R2 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler High-Speed-Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.43 грн
10+325.38 грн
25+300.16 грн
50+259.84 грн
100+221.72 грн
250+212.66 грн
500+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
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FJE5304DTU FJE5304D-D.pdf
FJE5304DTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJE5304DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FDB9503L-F085 2907357.pdf
FDB9503L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 333
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FDB9503L-F085 2907357.pdf
FDB9503L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB9503L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NCP4620DSN50T1G. 1878393.pdf
NCP4620DSN50T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
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NCP4620DSN50T1G. 1878393.pdf
NCP4620DSN50T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP4620DSN50T1G. - LDO-Festspannungsregler, 2.6V bis 10V, 250mV Dropout, 5Vout, 150mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
hazardous: false
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 10
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.6
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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SZESD5Z2.5T5G ESD5Z2.5T1-D.PDF
SZESD5Z2.5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FAN4146SX FAN4146-D.PDF
FAN4146SX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN4146SX - GROUND FAULT INTERUPTER
tariffCode: 85423990
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FPF2286UCX fpf2286ucx-d.pdf
FPF2286UCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2286UCX - Überspannungsschutzbaustein für Akku, 2.8V bis 23V, 4A, niedriger Betriebswiderstand, WLCSP6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.025ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 4A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 23V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+31.24 грн
36+22.86 грн
100+18.95 грн
500+16.09 грн
1000+14.22 грн
2500+13.94 грн
5000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FJD5304DTF fjd5304d-d.pdf
FJD5304DTF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FJD5304DTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 30 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.82 грн
100+31.64 грн
500+23.04 грн
1000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
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FDN304PZ ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.68 грн
19+43.76 грн
100+28.55 грн
500+20.32 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
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SZHBL5006XV2T5G HBL5006-D.PDF
SZHBL5006XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T5G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SZHBL5006HT1G HBL5006-D.PDF
SZHBL5006HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006HT1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 250 mA, SOD-323, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-323
Durchlassstrom, max.: 250
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SZHBL5006XV2T1G HBL5006-D.PDF
SZHBL5006XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZHBL5006XV2T1G - TVS-Thyristor, HBL5006, 1.3 V, 300 mA, SOD-523, 2 Pin(s), -40 °C
tariffCode: 85413000
Durchlassspannung (VT), max.: 1.3
Anzahl der Pins: 2
euEccn: NLR
Bauform - LED-Shunt: SOD-523
Durchlassstrom, max.: 300
hazardous: false
Periodische Spitzen-Sperrspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 150
usEccn: EAR99
Produktpalette: HBL5006
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FSB660A fsb660a-d.pdf
FSB660A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FSB660A fsb660a-d.pdf
FSB660A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+54.50 грн
50+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
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FDB047N10 2304411.pdf
FDB047N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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BDW47G 1912248.pdf
BDW47G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDW47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 15 A, 85 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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DFB2060 DFB2080-D.pdf
DFB2060
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2060 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+273.32 грн
10+179.77 грн
100+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
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DFB2080 DFB2080-D.pdf
DFB2080
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2080 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 20 A, SIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 250A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
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DFB2580 DFB2505-D.PDF
DFB2580
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFB2580 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 25 A, TS-6P, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1
Bauform - Brückengleichrichter: TS-6P
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FOD8318 FOD8318-D.PDF
FOD8318
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD8318R2V FOD8318-D.PDF
FOD8318R2V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD8318V FOD8318-D.PDF
FOD8318V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD8318R2 FOD8318-D.PDF
FOD8318R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8318R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD8316V FOD8316-D.PDF
FOD8316V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD8316R2V FOD8316-D.PDF
FOD8316R2V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8316
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: FOD8316
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD8316 FOD8316-D.PDF
FOD8316
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85415000
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FOD8316R2 FOD8316-D.PDF
FOD8316R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SOIC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FOD8316R2 FOD8316-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8316R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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KSD363RTU KSD363-D.pdf
KSD363RTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCV47722PAAJR2G ONSM-S-A0013749985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV47722PAAJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 350mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 40V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.88 грн
250+56.48 грн
500+51.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCP1236BD65R2G 2236900.pdf
NCP1236BD65R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1236BD65R2G - AC/DC-Flyback-Wandler, feste Frequenz, Current-Mode-Controller, 85V AC bis 265V AC, SOIC-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 65kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: -
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Maximale Nennleistung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.45 грн
500+40.79 грн
1000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NVBLS0D5N04CTXG 3168495.pdf
NVBLS0D5N04CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NTHD3100CT1G 704146.pdf
NTHD3100CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.78 грн
500+37.09 грн
1500+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NTHD4102PT1G ONSM-S-A0013670025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHD4102PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.95 грн
50+57.51 грн
100+47.99 грн
500+30.82 грн
1500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
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NTHD3100CT1G 704146.pdf
NTHD3100CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.63 грн
50+71.83 грн
100+49.78 грн
500+37.09 грн
1500+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
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NTHD4P02FT1G NTHD4P02F-D.PDF
NTHD4P02FT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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FDC637AN ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.22 грн
15+54.66 грн
100+36.20 грн
500+26.51 грн
1000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
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FDC637AN ONSM-S-A0013178569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC637AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.024 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.20 грн
500+26.51 грн
1000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NSR0170HT1G 2578356.pdf
NSR0170HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170HT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 100 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+11.88 грн
116+7.05 грн
172+4.75 грн
500+3.16 грн
1000+2.58 грн
5000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 69
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NSR0170P2T5G ONSM-S-A0013749857-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSR0170P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0170P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 730 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 730mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR01
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 25456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.22 грн
70+11.71 грн
250+9.68 грн
1000+5.23 грн
4000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 45
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US2KA US2AA-D.PDF
US2KA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US2KA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 75
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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SB350 SB380-D.pdf
SB350
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB350 - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 740 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 740
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FDN304PZ ONSM-S-A0003584384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.55 грн
500+20.32 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NLAS4599DTT1G 1712834.pdf
NLAS4599DTT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4599DTT1G - ANALOG SCHALTER,SPDT, SMD
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, max.: 25ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 25ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCS20064DTBR2G 3213426.pdf
NCS20064DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.48 грн
12+73.21 грн
50+57.51 грн
100+38.82 грн
250+35.14 грн
500+34.44 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
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NCS20064DTBR2G 3213426.pdf
NCS20064DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.82 грн
250+35.14 грн
500+34.44 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV20064DTBR2G 3213426.pdf
NCV20064DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.97 грн
250+31.17 грн
500+30.12 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCV20064DTBR2G 3213426.pdf
NCV20064DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20064DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.2V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.62 грн
21+40.10 грн
50+38.88 грн
100+34.97 грн
250+31.17 грн
500+30.12 грн
1000+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
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FSB50550AT FSB50550A-D.pdf
FSB50550AT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550AT - INTELLIGENT POWER MODULES
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FSB50550A FSB50550A-D.pdf
FSB50550A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB50550A - INTELLIGENT POWER MODULE, 500V, 5A
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NVHL020N120SC1 2913027.pdf
NVHL020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 535
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NVTFS003N04CTAG nvtfs003n04c-d.pdf
NVTFS003N04CTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
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NVTFWS003N04CTAG NVTFS003N04C-D.PDF
NVTFWS003N04CTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTTFS3D7N06HLTWG nttfs3d7n06hl-d.pdf
NTTFS3D7N06HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0039 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.45 грн
10+123.64 грн
100+89.48 грн
500+71.23 грн
1000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
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NCS20081SN3T1G 2907099.pdf
NCS20081SN3T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SN3T1G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.84 грн
500+13.75 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
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QED223A4R0 qed223-d.pdf
QED223A4R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QED223A4R0 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 15 °, T-1 3/4 (5mm), 25 mW/Sr, 900 ns, 800 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.7V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 800ns
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 890nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 25mW/Sr
Halbwertswinkel: 15°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 900ns
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.13 грн
25+33.84 грн
50+29.20 грн
200+22.81 грн
500+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 17
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NCID9401 NCID9401-D.PDF
NCID9401
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9401 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.80 грн
10+323.75 грн
25+294.47 грн
50+246.24 грн
100+213.35 грн
250+212.66 грн
500+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
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NCID9401R2 3191474.pdf
NCID9401R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9401R2 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
Anzahl der Kanäle: 4 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 117ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler High-Speed-Isolator
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+221.72 грн
250+212.66 грн
500+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCID9401R2 3191474.pdf
NCID9401R2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCID9401R2 - Digitaler Isolator, 4 Kanäle, 2.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 Pin(s), 10 Mbps
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Isolation: Galvanisch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangspegel: -
Eingangspegel: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Isolationsspannung: 5kV
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbps
Produktpalette: -
Isolations-IC: Digitaler High-Speed-Isolator
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+425.43 грн
10+325.38 грн
25+300.16 грн
50+259.84 грн
100+221.72 грн
250+212.66 грн
500+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
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