Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142586) > Сторінка 1844 з 2377

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1839 1840 1841 1842 1843 1844 1845 1846 1847 1848 1849 1896 2133 2370 2377  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NC7SV19L6X NC7SV19L6X ONSEMI NC7SV19-D.pdf Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGF23N60UFTU. ONSEMI SGF23N60UF-D.pdf Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSAL200QSCX FSAL200QSCX ONSEMI 2299862.pdf Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.70 грн
10+99.28 грн
100+78.03 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.94 грн
50+30.74 грн
100+21.77 грн
500+16.09 грн
1500+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.89 грн
500+168.20 грн
1000+154.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 ONSEMI fdbl9406-f085t6-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.63 грн
10+183.76 грн
100+182.89 грн
500+168.20 грн
1000+154.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+32.22 грн
36+24.38 грн
100+15.24 грн
500+7.93 грн
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.93 грн
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5109BDR2G NCP5109BDR2G ONSEMI NCP5109-D.PDF Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV333ASN2T1G NCV333ASN2T1G ONSEMI ncs333-d.pdf Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.21 грн
50+58.09 грн
100+45.02 грн
500+32.19 грн
1500+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20091SQ3T2G NCV20091SQ3T2G ONSEMI ncs2009-d.pdf Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.53 грн
33+26.82 грн
100+22.38 грн
500+17.22 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L ONSEMI 2729208.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.66 грн
250+32.92 грн
1000+28.87 грн
2000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5333ASX FAN5333ASX ONSEMI 2572368.pdf Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.91 грн
250+76.89 грн
500+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S ONSEMI 3750900.pdf Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5598.03 грн
5+5564.94 грн
10+5532.72 грн
50+5106.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0530P2T5G NSR0530P2T5G ONSEMI 2354111.pdf Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+20.81 грн
61+14.46 грн
250+10.10 грн
1000+4.88 грн
4000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ9F5V1T5G SZNZ9F5V1T5G ONSEMI ONSM-S-A0013713808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+26.39 грн
43+20.47 грн
100+12.37 грн
500+8.73 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363ZR ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.32 грн
34+26.30 грн
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34GR QSB34GR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.15 грн
15+58.78 грн
50+55.74 грн
200+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363ZR ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363 QSB363 ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34CZR QSB34CZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34ZR QSB34ZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V6LT1G BZX84C3V6LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+8.44 грн
176+4.97 грн
304+2.87 грн
500+2.58 грн
1500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
UC3525AN UC3525AN ONSEMI 1506477.pdf description Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.48 грн
17+54.26 грн
100+41.54 грн
500+32.75 грн
1000+25.75 грн
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G SL05T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.70 грн
47+18.90 грн
100+13.50 грн
500+9.38 грн
1000+7.76 грн
5000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G SL05T1G ONSEMI 2578376.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.50 грн
500+9.38 грн
1000+7.76 грн
5000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S ONSEMI 3750906.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2003.90 грн
5+1609.39 грн
10+1214.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S UF3C065040K4S ONSEMI 3750887.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1370.77 грн
5+1119.08 грн
10+867.40 грн
50+740.75 грн
100+647.19 грн
250+610.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S UF3C065040K3S ONSEMI 3750886.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1494.43 грн
5+1219.24 грн
10+943.17 грн
50+843.45 грн
100+749.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S ONSEMI 3750905.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1683.42 грн
5+1483.98 грн
10+1284.55 грн
50+1164.49 грн
100+1049.54 грн
250+1023.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030T3S UF3C065030T3S ONSEMI 3750884.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1845.40 грн
5+1531.01 грн
10+1216.62 грн
50+1118.40 грн
100+1021.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3S UF3C120080K3S ONSEMI 3750895.pdf Description: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1406.48 грн
5+1169.60 грн
10+931.84 грн
50+848.30 грн
100+766.63 грн
250+750.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S ONSEMI 3750902.pdf Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4255.13 грн
5+3914.62 грн
10+2869.56 грн
50+2611.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+21.86 грн
67+13.15 грн
106+8.29 грн
500+5.22 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013297250-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.94 грн
73+11.93 грн
125+6.97 грн
500+5.95 грн
1000+5.17 грн
5000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAG NTTFS5C453NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K4S UF3SC120016K4S ONSEMI 3750903.pdf Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4636.58 грн
5+4472.85 грн
10+4308.26 грн
50+3848.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085 ONSEMI FFSP1065B-F085-D.PDF Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25 ONSEMI FDA69N25-D.PDF Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.041 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+284.78 грн
10+195.95 грн
100+195.08 грн
500+180.33 грн
1000+163.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05T30XV2T5G NSR05T30XV2T5G ONSEMI 2339385.pdf Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+16.81 грн
78+11.23 грн
112+7.84 грн
500+5.09 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 FDS3890 ONSEMI fds3890-d.pdf Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.50 грн
10+137.60 грн
100+94.06 грн
500+69.95 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3 HUFA76429D3 ONSEMI HUFA76429D3ST-F085-D.PDF Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS FDS6982AS ONSEMI 2304316.pdf Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ02USG NL27WZ02USG ONSEMI 1878616.pdf Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.89 грн
36+24.82 грн
100+14.20 грн
500+11.00 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1393BDR2G NCP1393BDR2G ONSEMI 2255259.pdf Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1393BDR2G NCP1393BDR2G ONSEMI 2255259.pdf Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1 NTH4L060N090SC1 ONSEMI NTH4L060N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+986.71 грн
5+957.97 грн
10+928.36 грн
50+714.06 грн
100+639.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1 NTHL020N090SC1 ONSEMI ONSM-S-A0017607183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2035.25 грн
5+1872.40 грн
10+1335.06 грн
50+1214.63 грн
100+1098.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90 FQP2N90 ONSEMI ONSM-S-A0003585270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.86 грн
11+86.13 грн
100+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 FDB86363-F085 ONSEMI 2729317.pdf Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.36 грн
10+229.04 грн
100+204.66 грн
500+180.33 грн
1000+165.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86360-F085 FDB86360-F085 ONSEMI FDB86360_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085 FDB86566-F085 ONSEMI 2907356.pdf Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085 FDB86563-F085 ONSEMI FDB86563_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085 ONSEMI 2907356.pdf Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86366-F085 FDB86366-F085 ONSEMI FDB86366_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 ONSEMI 2265054.pdf Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86569-F085 FDB86569-F085 ONSEMI FDB86569_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141 FDS4141 ONSEMI 2303916.pdf Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV19L6X NC7SV19-D.pdf
NC7SV19L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGF23N60UFTU. SGF23N60UF-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSAL200QSCX 2299862.pdf
FSAL200QSCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.70 грн
10+99.28 грн
100+78.03 грн
500+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P 2304102.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.94 грн
50+30.74 грн
100+21.77 грн
500+16.09 грн
1500+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
FDBL9406-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+182.89 грн
500+168.20 грн
1000+154.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 fdbl9406-f085t6-d.pdf
FDBL9406-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.63 грн
10+183.76 грн
100+182.89 грн
500+168.20 грн
1000+154.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E 2907275.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+32.22 грн
36+24.38 грн
100+15.24 грн
500+7.93 грн
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E 2907275.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.93 грн
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5109BDR2G NCP5109-D.PDF
NCP5109BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV333ASN2T1G ncs333-d.pdf
NCV333ASN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.21 грн
50+58.09 грн
100+45.02 грн
500+32.19 грн
1500+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20091SQ3T2G ncs2009-d.pdf
NCV20091SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.53 грн
33+26.82 грн
100+22.38 грн
500+17.22 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L 2729208.pdf
FDT86246L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.66 грн
250+32.92 грн
1000+28.87 грн
2000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5333ASX 2572368.pdf
FAN5333ASX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.91 грн
250+76.89 грн
500+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065007K4S 3750900.pdf
UF3SC065007K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5598.03 грн
5+5564.94 грн
10+5532.72 грн
50+5106.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0530P2T5G 2354111.pdf
NSR0530P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+20.81 грн
61+14.46 грн
250+10.10 грн
1000+4.88 грн
4000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ9F5V1T5G ONSM-S-A0013713808-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZNZ9F5V1T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.39 грн
43+20.47 грн
100+12.37 грн
500+8.73 грн
1000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363-D.pdf
QSB363ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.32 грн
34+26.30 грн
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34GR QSB34-D.PDF
QSB34GR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.15 грн
15+58.78 грн
50+55.74 грн
200+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363-D.pdf
QSB363ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363 QSB363-D.pdf
QSB363
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34CZR QSB34-D.PDF
QSB34CZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34ZR QSB34-D.PDF
QSB34ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V6LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C3V6LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+8.44 грн
176+4.97 грн
304+2.87 грн
500+2.58 грн
1500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
UC3525AN description 1506477.pdf
UC3525AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.48 грн
17+54.26 грн
100+41.54 грн
500+32.75 грн
1000+25.75 грн
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G sl05t1-d.pdf
SL05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+31.70 грн
47+18.90 грн
100+13.50 грн
500+9.38 грн
1000+7.76 грн
5000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G 2578376.pdf
SL05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.50 грн
500+9.38 грн
1000+7.76 грн
5000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S 3750906.pdf
UJ3C065030T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2003.90 грн
5+1609.39 грн
10+1214.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S 3750887.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1370.77 грн
5+1119.08 грн
10+867.40 грн
50+740.75 грн
100+647.19 грн
250+610.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S 3750886.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1494.43 грн
5+1219.24 грн
10+943.17 грн
50+843.45 грн
100+749.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S 3750905.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1683.42 грн
5+1483.98 грн
10+1284.55 грн
50+1164.49 грн
100+1049.54 грн
250+1023.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030T3S 3750884.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1845.40 грн
5+1531.01 грн
10+1216.62 грн
50+1118.40 грн
100+1021.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3S 3750895.pdf
UF3C120080K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1406.48 грн
5+1169.60 грн
10+931.84 грн
50+848.30 грн
100+766.63 грн
250+750.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S 3750902.pdf
UF3SC120016K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4255.13 грн
5+3914.62 грн
10+2869.56 грн
50+2611.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HN1B01FDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+21.86 грн
67+13.15 грн
106+8.29 грн
500+5.22 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G ONSM-S-A0013297250-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.94 грн
73+11.93 грн
125+6.97 грн
500+5.95 грн
1000+5.17 грн
5000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C453NLTAG ONSM-S-A0013300775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C453NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K4S 3750903.pdf
UF3SC120016K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4636.58 грн
5+4472.85 грн
10+4308.26 грн
50+3848.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085-D.PDF
FFSP1065B-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 11 A, 25 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDA69N25 FDA69N25-D.PDF
FDA69N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA69N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.041 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+284.78 грн
10+195.95 грн
100+195.08 грн
500+180.33 грн
1000+163.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSR05T30XV2T5G 2339385.pdf
NSR05T30XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR05T30XV2T5G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 500 mA, Einfach, SOD-523, 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 3A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+16.81 грн
78+11.23 грн
112+7.84 грн
500+5.09 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3890 fds3890-d.pdf
FDS3890
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.50 грн
10+137.60 грн
100+94.06 грн
500+69.95 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA76429D3 HUFA76429D3ST-F085-D.PDF
HUFA76429D3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76429D3 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS 2304316.pdf
FDS6982AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NL27WZ02USG 1878616.pdf
NL27WZ02USG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ02USG - NOR-Gatter, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, VSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 27WZ
Bauform - Logikbaustein: VSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: VSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.89 грн
36+24.82 грн
100+14.20 грн
500+11.00 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1393BDR2G 2255259.pdf
NCP1393BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: -
Quellstrom: 500
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1393BDR2G 2255259.pdf
NCP1393BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1393BDR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-12V Versorgung, 1Aout, 16V Sperrspannung, 40ns/20ns Ein/Aus, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N090SC1 NTH4L060N090SC1-D.PDF
NTH4L060N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.71 грн
5+957.97 грн
10+928.36 грн
50+714.06 грн
100+639.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N090SC1 ONSM-S-A0017607183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHL020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2035.25 грн
5+1872.40 грн
10+1335.06 грн
50+1214.63 грн
100+1098.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQP2N90 ONSM-S-A0003585270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP2N90
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.86 грн
11+86.13 грн
100+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 2729317.pdf
FDB86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.36 грн
10+229.04 грн
100+204.66 грн
500+180.33 грн
1000+165.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86360-F085 FDB86360_F085-D.PDF
FDB86360-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085 2907356.pdf
FDB86566-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085 FDB86563_F085-D.PDF
FDB86563-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085 2907356.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86366-F085 FDB86366_F085-D.PDF
FDB86366-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 2265054.pdf
FDB86135
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86569-F085 FDB86569_F085-D.PDF
FDB86569-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4141 2303916.pdf
FDS4141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1839 1840 1841 1842 1843 1844 1845 1846 1847 1848 1849 1896 2133 2370 2377  [ Наступна Сторінка >> ]