Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD20P06LT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 65W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A On-state resistance: 0.13Ω Gate charge: 26nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NTD250N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD25P03LT4G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTD280N60S5Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD2955T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD3055-094T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD3055-150T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTD3055L104T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 0.104Ω Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 45A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 973 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTD3055L170T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD360N65S3H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 296mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD360N80S3Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4302T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4804NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4805NT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4808N-1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4858NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4860NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 50A; Idm: 130A; 50W; DPAK Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 130A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 8.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5802NT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5862NT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C434NT4G | ONSEMI | NTD5C434NT4G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C446NT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C632NLT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C648NLT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C688NLT4G | ONSEMI | NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD600N80S3Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD6414ANT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 117A; 100W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 117A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD6415ANLT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 80A; 83W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD6416ANLT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A On-state resistance: 74mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD6416ANT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTDS015N15MCT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTDV20N06T4G-VF01 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTDV20P06LT4G-VF01 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTE4151PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTE4153NT1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NTF2955T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTF3055-100T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTF3055L108T1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTF5P03T3G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGD1100LT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGD3148NT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGD4167CT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.9/-1.4A Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 90/170mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.9W Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3130NT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3136PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3433T1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: -12V Drain current: -2.35A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -14A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3441T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3443T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3446T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS3455T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTGS4111PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTGS4141NT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTGS5120PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH027N65S3F-F155 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L013N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L014N120M3P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L015N065SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 283nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 483A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTH4L020N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A Pulsed drain current: 408A Power dissipation: 255W Case: TO247-4 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NTH4L022N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L023N065M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTH4L025N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
NTD20P06LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.09 грн |
10+ | 74.43 грн |
29+ | 36.42 грн |
80+ | 34.44 грн |
2500+ | 33.10 грн |
NTD24N06LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD250N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD250N65S3H SMD N channel transistors
NTD250N65S3H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.89 грн |
18+ | 60.10 грн |
49+ | 56.51 грн |
NTD280N60S5Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD280N60S5Z SMD N channel transistors
NTD280N60S5Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD2955T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD2955T4G SMD P channel transistors
NTD2955T4G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD3055-150T4G SMD N channel transistors
NTD3055-150T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.104Ω
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.104Ω
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.29 грн |
10+ | 73.68 грн |
24+ | 44.85 грн |
65+ | 42.43 грн |
500+ | 40.81 грн |
NTD3055L170T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD3055L170T4G SMD N channel transistors
NTD3055L170T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD360N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD360N80S3Z SMD N channel transistors
NTD360N80S3Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4302T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4302T4G SMD N channel transistors
NTD4302T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4804NT4G |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4804NT4G SMD N channel transistors
NTD4804NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4805NT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4805NT4G SMD N channel transistors
NTD4805NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4808N-1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4808N-1G THT N channel transistors
NTD4808N-1G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4858NT4G |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4858NT4G SMD N channel transistors
NTD4858NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4860NT4G |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 50A; Idm: 130A; 50W; DPAK
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 50A; Idm: 130A; 50W; DPAK
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5802NT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5802NT4G SMD N channel transistors
NTD5802NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5862NT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5862NT4G SMD N channel transistors
NTD5862NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C434NT4G |
Виробник: ONSEMI
NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C446NT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C632NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C648NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C688NLT4G |
Виробник: ONSEMI
NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD600N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD6414ANT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 117A; 100W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 117A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 117A; 100W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 117A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD6415ANLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 80A; 83W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 80A; 83W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD6416ANLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
On-state resistance: 74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
On-state resistance: 74mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD6416ANT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
NTD6416ANT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTDS015N15MCT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
NTDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTDV20N06T4G-VF01 |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTDV20P06LT4G-VF01 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
NTDV20P06LT4G-VF01 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE4151PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTE4151PT1G SMD P channel transistors
NTE4151PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE4153NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
NTE4153NT1G SMD N channel transistors
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 32.55 грн |
146+ | 7.21 грн |
401+ | 6.82 грн |
6000+ | 6.80 грн |
NTF2955T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Case: SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.68 грн |
10+ | 80.57 грн |
24+ | 45.30 грн |
50+ | 45.21 грн |
64+ | 42.79 грн |
500+ | 42.25 грн |
1000+ | 41.17 грн |
NTF3055-100T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
NTF3055-100T1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTF3055L108T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTF3055L108T1G SMD N channel transistors
NTF3055L108T1G SMD N channel transistors
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.62 грн |
35+ | 30.80 грн |
94+ | 29.12 грн |
NTF5P03T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTF5P03T3G SMD P channel transistors
NTF5P03T3G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGD1100LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGD1100LT1G Multi channel transistors
NTGD1100LT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGD3148NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGD3148NT1G Multi channel transistors
NTGD3148NT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGD4167CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.9/-1.4A
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90/170mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3130NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
NTGS3130NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3136PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
NTGS3136PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3433T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -14A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.35A; Idm: -14A; 1W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.35A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -14A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3441T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3441T1G SMD P channel transistors
NTGS3441T1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3443T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3443T1G SMD P channel transistors
NTGS3443T1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3446T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3446T1G SMD N channel transistors
NTGS3446T1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS3455T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS3455T1G SMD P channel transistors
NTGS3455T1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS4111PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
NTGS4111PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTGS4141NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.33 грн |
11+ | 25.99 грн |
65+ | 16.15 грн |
179+ | 15.25 грн |
500+ | 14.71 грн |
NTGS5120PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
NTGS5120PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH027N65S3F-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L013N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L013N120M3S THT N channel transistors
NTH4L013N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L014N120M3P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L014N120M3P THT N channel transistors
NTH4L014N120M3P THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L020N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L022N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L023N065M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L025N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.