Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142551) > Сторінка 1843 з 2376

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1844 1845 1846 1847 1848 1896 2133 2370 2376  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.22 грн
500+26.53 грн
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 CAT25080YI-GT3 ONSEMI ONSMS24982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.19 грн
19+44.20 грн
100+41.20 грн
500+36.31 грн
1000+32.68 грн
2500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU FQPF8N80CYDTU ONSEMI ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4150 FDLL4150 ONSEMI fdll4150-d.pdf Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+16.19 грн
76+10.69 грн
100+9.96 грн
500+6.93 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C13LT1G BZX84C13LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf description Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+8.74 грн
165+4.91 грн
342+2.37 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G SL15T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.75 грн
26+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G SL15T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.21 грн
500+13.23 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YBU KSA708YBU ONSEMI ksa708-d.pdf FAIRS18252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.93 грн
48+17.00 грн
100+11.33 грн
500+10.22 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YTA KSA708YTA ONSEMI KSA708-D.pdf Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E. 2SD1801S-E. ONSEMI EN2112-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-E. 2SD1802T-E. ONSEMI 2SB1202-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E 2SB1202T-TL-E ONSEMI Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E 2SB1202T-TL-E ONSEMI Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.47 грн
138+5.88 грн
500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 ONSEMI 2304015.pdf Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.58 грн
14+60.23 грн
100+48.57 грн
500+36.53 грн
1000+26.99 грн
5000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876 FDS8876 ONSEMI FDS8876-D.PDF Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G SA5534ADR2G ONSEMI NE5534-D.PDF Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQ FGAF40S65AQ ONSEMI 2711361.pdf Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.13 грн
10+128.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AP0200AT2L00XEGA0-DR1 AP0200AT2L00XEGA0-DR1 ONSEMI product.do?id=AP0200AT&pdf Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bilder pro Sekunde: 30
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Pixelgröße (H x B): -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+774.67 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8730ASNADJT1G NCV8730ASNADJT1G ONSEMI ncv8730-d.pdf Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.08 грн
18+47.27 грн
50+43.55 грн
100+36.91 грн
250+33.17 грн
500+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G NCP718BSNADJT1G ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.61 грн
30+27.20 грн
100+21.05 грн
500+17.29 грн
1000+15.20 грн
2500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G NCP718BSNADJT1G ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
isCanonical: N
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.05 грн
500+17.29 грн
1000+15.20 грн
2500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C11LT1G BZX84C11LT1G ONSEMI 3759375.pdf Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.11 грн
103+7.92 грн
167+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G NCV33202VDR2G ONSEMI ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.69 грн
500+18.57 грн
1000+16.65 грн
2500+14.22 грн
5000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G NCV33202VDR2G ONSEMI ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.96 грн
28+29.30 грн
100+21.69 грн
500+18.57 грн
1000+16.65 грн
2500+14.22 грн
5000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FSCQ1265RTYDTU FSCQ1265RTYDTU ONSEMI FSCQ1565RT-D.pdf description Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220
Nennleistung: 140
Anzahl der Pins: 5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -25
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ONSEMI fdc6310p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.67 грн
20+41.04 грн
100+31.00 грн
500+22.17 грн
1000+18.53 грн
5000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560BBDWR2G NCP51560BBDWR2G ONSEMI 3791036.pdf Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.84 грн
10+263.89 грн
25+249.32 грн
50+196.93 грн
100+149.18 грн
250+134.60 грн
500+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57530DWKR2G NCD57530DWKR2G ONSEMI 3791029.pdf Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.93 грн
10+307.60 грн
25+268.75 грн
50+224.75 грн
100+172.07 грн
250+153.34 грн
500+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57540DWKR2G NCV57540DWKR2G ONSEMI 3791029.pdf Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.26 грн
10+240.41 грн
25+208.04 грн
50+176.64 грн
100+147.09 грн
250+134.60 грн
500+131.14 грн
1000+128.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57530DWKR2G NCV57530DWKR2G ONSEMI 3791029.pdf Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.26 грн
10+240.41 грн
25+208.04 грн
50+176.64 грн
100+147.09 грн
250+134.60 грн
500+131.14 грн
1000+128.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG ONSEMI nxh450b100h4q2f2-d.pdf Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10004.32 грн
5+9804.38 грн
10+9604.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG ONSEMI nxh450b100h4q2f2-d.pdf Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11341.58 грн
5+11114.93 грн
10+10888.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G ONSEMI BCW30LT1-D.PDF Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215
DC-Stromverstärkung hFE: 215
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GBU6K ONSEMI 2914130.pdf Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.85 грн
10+82.57 грн
100+64.11 грн
500+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCV84045DR2G NCV84045DR2G ONSEMI 3791038.pdf Description: ONSEMI - NCV84045DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, High-Side, MOSFET, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: CMOS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 60µs
Ausgabeverzögerung: 60µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.75 грн
10+199.94 грн
25+189.42 грн
100+129.28 грн
500+115.18 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP102SNT1G. NCP102SNT1G. ONSEMI 2255361.pdf Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
Bauform - Controller-IC: TSOP
Externes Pass-Element: n-Kanal-MOSFET
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 6
Ausgangsoption: Einstellbar
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP102SNT1G. NCP102SNT1G. ONSEMI 2255361.pdf Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1027P065G. NCP1027P065G. ONSEMI 2160892.pdf Description: ONSEMI - NCP1027P065G. - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 90V AC bis 265V AC, 65kHz, 25W, DIP-8
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Nennleistung: 25
Anzahl der Pins: 8
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -
AC-Eingangsspannung, min.: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1156YS KSA1156YS ONSEMI ksa1156-d.pdf Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.48 грн
20+42.50 грн
100+33.92 грн
500+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1281YTA KSA1281YTA ONSEMI ksa1281-d.pdf Description: ONSEMI - KSA1281YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33274ADR2G NCV33274ADR2G ONSEMI mc33272a-d.pdf Description: ONSEMI - NCV33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.67 грн
250+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113EET1G DTA113EET1G ONSEMI DTA113E-D.PDF Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51530ADR2G NCP51530ADR2G ONSEMI 2619996.pdf Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.75 грн
10+141.66 грн
25+133.56 грн
50+116.51 грн
100+100.61 грн
250+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5104DR2G NCP5104DR2G ONSEMI 2160815.pdf Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.94 грн
10+86.61 грн
50+72.04 грн
100+57.43 грн
250+46.70 грн
500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51530BDR2G NCP51530BDR2G ONSEMI 2619996.pdf Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 3
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 3.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 17
Eingabeverzögerung: 25
Ausgabeverzögerung: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.80 грн
10+189.42 грн
100+148.94 грн
500+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51561BBDWR2G NCP51561BBDWR2G ONSEMI 3672844.pdf Description: ONSEMI - NCP51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.75 грн
10+215.32 грн
25+197.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51561BADWR2G NCP51561BADWR2G ONSEMI 3672844.pdf Description: ONSEMI - NCP51561BADWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.98 грн
10+258.22 грн
100+191.04 грн
500+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5109ADR2G NCP5109ADR2G ONSEMI 2290239.pdf Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.90 грн
10+87.42 грн
100+63.30 грн
500+51.86 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5104DR2G NCP5104DR2G ONSEMI 1878375.pdf Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 85
Ausgabeverzögerung: 35
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51530BDR2G NCP51530BDR2G ONSEMI 2619996.pdf Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.94 грн
500+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51100ASNT1G NCP51100ASNT1G ONSEMI 3621459.pdf Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.36 грн
500+23.08 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51100ASNT1G NCP51100ASNT1G ONSEMI 3621459.pdf Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.75 грн
22+38.45 грн
100+30.36 грн
500+23.08 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51199PDR2G. NCP51199PDR2G. ONSEMI 2354740.pdf Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51199PDR2G. NCP51199PDR2G. ONSEMI 2354740.pdf Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN18T1G. NCP511SN18T1G. ONSEMI NCP511-D.PDF Description: ONSEMI - NCP511SN18T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN25T1G. NCP511SN25T1G. ONSEMI NCP511-D.PDF Description: ONSEMI - NCP511SN25T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN30T1G. NCP511SN30T1G. ONSEMI NCP511-D.PDF Description: ONSEMI - NCP511SN30T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.22 грн
500+26.53 грн
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 ONSMS24982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT25080YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.19 грн
19+44.20 грн
100+41.20 грн
500+36.31 грн
1000+32.68 грн
2500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF8N80CYDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4150 fdll4150-d.pdf
FDLL4150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.19 грн
76+10.69 грн
100+9.96 грн
500+6.93 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C13LT1G description bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C13LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+8.74 грн
165+4.91 грн
342+2.37 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G sl05t1-d.pdf
SL15T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+50.75 грн
26+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G sl05t1-d.pdf
SL15T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.21 грн
500+13.23 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YBU ksa708-d.pdf FAIRS18252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KSA708YBU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+27.93 грн
48+17.00 грн
100+11.33 грн
500+10.22 грн
1000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YTA KSA708-D.pdf
KSA708YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E. EN2112-D.PDF
2SD1801S-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-E. 2SB1202-D.PDF
2SD1802T-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E
2SB1202T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E
2SB1202T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G 2355036.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.47 грн
138+5.88 грн
500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 2304015.pdf
FDD8451
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.58 грн
14+60.23 грн
100+48.57 грн
500+36.53 грн
1000+26.99 грн
5000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876 FDS8876-D.PDF
FDS8876
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G NE5534-D.PDF
SA5534ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQ 2711361.pdf
FGAF40S65AQ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.13 грн
10+128.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AP0200AT2L00XEGA0-DR1 product.do?id=AP0200AT&pdf
AP0200AT2L00XEGA0-DR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bilder pro Sekunde: 30
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Pixelgröße (H x B): -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+774.67 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8730ASNADJT1G ncv8730-d.pdf
NCV8730ASNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.08 грн
18+47.27 грн
50+43.55 грн
100+36.91 грн
250+33.17 грн
500+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G 2711392.pdf
NCP718BSNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.61 грн
30+27.20 грн
100+21.05 грн
500+17.29 грн
1000+15.20 грн
2500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G 2711392.pdf
NCP718BSNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
isCanonical: N
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.05 грн
500+17.29 грн
1000+15.20 грн
2500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C11LT1G 3759375.pdf
BZX84C11LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.11 грн
103+7.92 грн
167+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV33202VDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.69 грн
500+18.57 грн
1000+16.65 грн
2500+14.22 грн
5000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G ONSMS38323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV33202VDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.96 грн
28+29.30 грн
100+21.69 грн
500+18.57 грн
1000+16.65 грн
2500+14.22 грн
5000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FSCQ1265RTYDTU description FSCQ1565RT-D.pdf
FSCQ1265RTYDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220
Nennleistung: 140
Anzahl der Pins: 5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -25
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P fdc6310p-d.pdf
FDC6310P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+67.67 грн
20+41.04 грн
100+31.00 грн
500+22.17 грн
1000+18.53 грн
5000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560BBDWR2G 3791036.pdf
NCP51560BBDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.84 грн
10+263.89 грн
25+249.32 грн
50+196.93 грн
100+149.18 грн
250+134.60 грн
500+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57530DWKR2G 3791029.pdf
NCD57530DWKR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+437.93 грн
10+307.60 грн
25+268.75 грн
50+224.75 грн
100+172.07 грн
250+153.34 грн
500+142.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57540DWKR2G 3791029.pdf
NCV57540DWKR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.26 грн
10+240.41 грн
25+208.04 грн
50+176.64 грн
100+147.09 грн
250+134.60 грн
500+131.14 грн
1000+128.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57530DWKR2G 3791029.pdf
NCV57530DWKR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.26 грн
10+240.41 грн
25+208.04 грн
50+176.64 грн
100+147.09 грн
250+134.60 грн
500+131.14 грн
1000+128.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10004.32 грн
5+9804.38 грн
10+9604.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11341.58 грн
5+11114.93 грн
10+10888.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1-D.PDF
BCW30LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215
DC-Stromverstärkung hFE: 215
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K 2914130.pdf
GBU6K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.85 грн
10+82.57 грн
100+64.11 грн
500+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCV84045DR2G 3791038.pdf
NCV84045DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV84045DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, High-Side, MOSFET, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: CMOS
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 28V
Eingabeverzögerung: 60µs
Ausgabeverzögerung: 60µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.75 грн
10+199.94 грн
25+189.42 грн
100+129.28 грн
500+115.18 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP102SNT1G. 2255361.pdf
NCP102SNT1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
Bauform - Controller-IC: TSOP
Externes Pass-Element: n-Kanal-MOSFET
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 6
Ausgangsoption: Einstellbar
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP102SNT1G. 2255361.pdf
NCP102SNT1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP102SNT1G. - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 4.5V bis 13.5V Eingangsspannung, N-MOSFET extern, TSOP-6
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1027P065G. 2160892.pdf
NCP1027P065G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1027P065G. - IC, AC/DC-Offline-Schaltnetzteil, Flyback, 90V AC bis 265V AC, 65kHz, 25W, DIP-8
Bauform - AC/DC-Wandler: DIP
Nennleistung: 25
Anzahl der Pins: 8
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -
AC-Eingangsspannung, min.: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1156YS ksa1156-d.pdf
KSA1156YS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1156YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 500 mA, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.48 грн
20+42.50 грн
100+33.92 грн
500+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1281YTA ksa1281-d.pdf
KSA1281YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1281YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33274ADR2G mc33272a-d.pdf
NCV33274ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.67 грн
250+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DTA113EET1G DTA113E-D.PDF
DTA113EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA113EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51530ADR2G 2619996.pdf
NCP51530ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 3.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.75 грн
10+141.66 грн
25+133.56 грн
50+116.51 грн
100+100.61 грн
250+93.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5104DR2G 2160815.pdf
NCP5104DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.94 грн
10+86.61 грн
50+72.04 грн
100+57.43 грн
250+46.70 грн
500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51530BDR2G 2619996.pdf
NCP51530BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 3
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 3.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 17
Eingabeverzögerung: 25
Ausgabeverzögerung: 25
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.80 грн
10+189.42 грн
100+148.94 грн
500+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51561BBDWR2G 3672844.pdf
NCP51561BBDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51561BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+285.75 грн
10+215.32 грн
25+197.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51561BADWR2G 3672844.pdf
NCP51561BADWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51561BADWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, isoliert, MOSFET, 16 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: isoliert
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: NCP51561 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 39ns
Ausgabeverzögerung: 39ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.98 грн
10+258.22 грн
100+191.04 грн
500+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5109ADR2G 2290239.pdf
NCP5109ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5109ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.90 грн
10+87.42 грн
100+63.30 грн
500+51.86 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5104DR2G 1878375.pdf
NCP5104DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5104DR2G - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 85
Ausgabeverzögerung: 35
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51530BDR2G 2619996.pdf
NCP51530BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+148.94 грн
500+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51100ASNT1G 3621459.pdf
NCP51100ASNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.36 грн
500+23.08 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51100ASNT1G 3621459.pdf
NCP51100ASNT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51100ASNT1G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, Low-Side, IGBT, 5 Pin(s), SOT-23
tariffCode: 85429000
Sinkstrom: 2.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: TTL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.8A
Versorgungsspannung, min.: 11V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 14ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.75 грн
22+38.45 грн
100+30.36 грн
500+23.08 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51199PDR2G. 2354740.pdf
NCP51199PDR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51199PDR2G. 2354740.pdf
NCP51199PDR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51199PDR2G. - Linearer Festspannungsregler, 1.5V bis 5.5Vin, 2Aout, NSOIC-8
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Source- / Sink-Strom: 2
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN18T1G. NCP511-D.PDF
NCP511SN18T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP511SN18T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN25T1G. NCP511-D.PDF
NCP511SN25T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP511SN25T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP511SN30T1G. NCP511-D.PDF
NCP511SN30T1G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP511SN30T1G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1844 1845 1846 1847 1848 1896 2133 2370 2376  [ Наступна Сторінка >> ]