Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145256) > Сторінка 1843 з 2421

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1844 1845 1846 1847 1848 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FOD4216V FOD4216V ONSEMI FOD4218-D.PDF Description: ONSEMI - FOD4216V - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Momentwert, 600 V, FOD4216
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Momentwert
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 600
Bauform - Optokoppler: DIP
Produktpalette: FOD4216
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 FDB2614 ONSEMI 2304598.pdf Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D44H8G D44H8G ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G BSP52T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T3G BSP52T3G ONSEMI BSP52T1-D.PDF Description: ONSEMI - BSP52T3G - Transistor, NPN, 80V, 1A, 150°C, 0.8W, SOT-223
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC81840 BC81840 ONSEMI 56957.pdf Description: ONSEMI - BC81840 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Verlustleistung: 310
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC81840 BC81840 ONSEMI 56957.pdf Description: ONSEMI - BC81840 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C ONSEMI 2907437.pdf Description: ONSEMI - FQPF11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220FP
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US2GA US2GA ONSEMI US2AA-D.PDF Description: ONSEMI - US2GA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.3 V, 75 ns, 50 A
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURG8060-F085 ONSEMI ONSM-S-A0003590367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RURG8060-F085 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 80 A, Einfach, 1.6 V, 90 ns, 240 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 240
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.6
Sperrverzögerungszeit: 90
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ FDC637BNZ ONSEMI 2304615.pdf Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P ONSEMI ONSM-S-A0015183132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ FDC638APZ ONSEMI ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 25231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P ONSEMI ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N ONSEMI ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P FDC638P ONSEMI ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N FDC6401N ONSEMI 2304305.pdf Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P FDC640P ONSEMI ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P FDC6312P ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P ONSEMI ONSM-S-A0003586698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2LT1G BZX84B6V2LT1G ONSEMI 1808429.pdf Description: ONSEMI - BZX84B6V2LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 6.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C11LT1G BZX84C11LT1G ONSEMI 3759375.pdf Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
на замовлення 38044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C30LT1G BZX84C30LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C30LT1G - Zener-Diode, 30 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C68LT1G BZX84C68LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 68V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8140T3G SBRS8140T3G ONSEMI 1911628.pdf Description: ONSEMI - SBRS8140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 600 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8140T3G SBRS8140T3G ONSEMI 1911628.pdf Description: ONSEMI - SBRS8140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 600 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8130LNT3G SBRS8130LNT3G ONSEMI MBRS130LT3-D.PDF Description: ONSEMI - SBRS8130LNT3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8140NT3G SBRS8140NT3G ONSEMI MBRS140T3-D.PDF Description: ONSEMI - SBRS8140NT3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8120NT3G SBRS8120NT3G ONSEMI MBRS120T3-D.PDF Description: ONSEMI - SBRS8120NT3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8130LT3G SBRS8130LT3G ONSEMI 1708275.pdf Description: ONSEMI - SBRS8130LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 445 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 445
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8130LT3G SBRS8130LT3G ONSEMI 1708275.pdf Description: ONSEMI - SBRS8130LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 445 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS81100T3G SBRS81100T3G ONSEMI 2578375.pdf Description: ONSEMI - SBRS81100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 750 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS81100T3G SBRS81100T3G ONSEMI 2578375.pdf Description: ONSEMI - SBRS81100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 750 mV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8320T3G SBRS8320T3G ONSEMI MBRS340T3-D.PDF Description: ONSEMI - SBRS8320T3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSH122TF KSH122TF ONSEMI 2284980.pdf Description: ONSEMI - KSH122TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSH122TF KSH122TF ONSEMI 2284980.pdf Description: ONSEMI - KSH122TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7608DQR2G NCV7608DQR2G ONSEMI 2354455.pdf Description: ONSEMI - NCV7608DQR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 3.15V-5.25V Versorgungsspannung, 350mAout, SSOP-36
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Quellstrom: -
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 36
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7608DQR2G NCV7608DQR2G ONSEMI 2354455.pdf Description: ONSEMI - NCV7608DQR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 3.15V-5.25V Versorgungsspannung, 350mAout, SSOP-36
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAX16TR BAX16TR ONSEMI 2304063.pdf Description: ONSEMI - BAX16TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1.3 V, 120 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAX16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 31419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS ONSEMI ONSM-S-A0013297970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP433FCT2G NCP433FCT2G ONSEMI ONSM-S-A0015820674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP433FCT2G - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 0.035 Ohm Durchlass, 3.6Vsupp, 1.4A, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.035ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 3.6V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: WLCSP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C15LT1G SZBZX84C15LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SZBZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA55N25 FQA55N25 ONSEMI 1851935.pdf Description: ONSEMI - FQA55N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 55 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V7LT3G BZX84C4V7LT3G ONSEMI BZX84C2V4LT1-D.PDF Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT3G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C7V5-T50A BZX79C7V5-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C7V5-T50A - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 7.5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C6V2-T50A BZX79C6V2-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C6V2-T50A - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C6V8-T50A BZX79C6V8-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C6V8-T50A - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.8
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C2V7-T50A BZX79C2V7-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C2V7-T50A - Zener-Diode, 2.7 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 2.7
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C11-T50A BZX79C11-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C11-T50A - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 11
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FUT1G DF3A6.8FUT1G ONSEMI 332533.pdf Description: ONSEMI - DF3A6.8FUT1G - TVS-Diode, DF3A6, Unidirektional, 16 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Spitzenimpulsverlustleistung: 150W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DF3A6
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
Klemmspannung, max.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS391SN2T1G TS391SN2T1G ONSEMI 2255322.pdf Description: ONSEMI - TS391SN2T1G - Analoger Komparator, Niederspannungskomparator, 1 Kanäle, 400 ns, 2V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Ansprechzeit: 400ns
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: Open-Collector
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Niederspannungskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 400ns
Anzahl der Komparatoren: 1 Komparator
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Komparator: TSOP
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C13 BZX85C13 ONSEMI ONSM-S-A0003584474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX85C13 - Zener-Diode, 13 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 13
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21AHT1G BAS21AHT1G ONSEMI 1912202.pdf Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV17SZ08DFT2G NLV17SZ08DFT2G ONSEMI 2907169.pdf Description: ONSEMI - NLV17SZ08DFT2G - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 17SZ08
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -888A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG ONSEMI ONSM-S-A0014426484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP29CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1665A FFSH1665A ONSEMI 2619969.pdf Description: ONSEMI - FFSH1665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA916YTA KSA916YTA ONSEMI ONSM-S-A0013296991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ321 FSQ321 ONSEMI FSQ321-D.pdf Description: ONSEMI - FSQ321 - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1HN04CH-TL-W 1HN04CH-TL-W ONSEMI 2255213.pdf Description: ONSEMI - 1HN04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 270 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 270
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1HP04CH-TL-W 1HP04CH-TL-W ONSEMI 2578316.pdf Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 57003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FOD4216V FOD4218-D.PDF
FOD4216V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD4216V - Optokoppler, DIP, 6 Pin(s), 5 kV, Momentwert, 600 V, FOD4216
Anzahl der Pins: 6
Isolationsspannung: 5
Triac-Betriebsart: Momentwert
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 600
Bauform - Optokoppler: DIP
Produktpalette: FOD4216
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2614 2304598.pdf
FDB2614
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D44H8G ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D44H8G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H8G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T1G description ONSM-S-A0013178617-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP52T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSP52T1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 1A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52T3G BSP52T1-D.PDF
BSP52T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSP52T3G - Transistor, NPN, 80V, 1A, 150°C, 0.8W, SOT-223
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 800
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC81840 56957.pdf
BC81840
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC81840 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Verlustleistung: 310
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC81840 56957.pdf
BC81840
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC81840 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF11N40C 2907437.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220FP
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 44
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US2GA US2AA-D.PDF
US2GA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - US2GA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1.5 A, Einfach, 1.3 V, 75 ns, 50 A
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 75
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURG8060-F085 ONSM-S-A0003590367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RURG8060-F085 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 80 A, Einfach, 1.6 V, 90 ns, 240 A
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 240
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.6
Sperrverzögerungszeit: 90
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC637BNZ 2304615.pdf
FDC637BNZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC637BNZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P ONSM-S-A0015183132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC604P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638APZ ONSM-S-A0013178412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638APZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638APZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 25231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P ONSM-S-A0003586420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 26788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N ONSM-S-A0014832239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6305N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6305N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 18695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC638P ONSM-S-A0013178715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC638P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC638P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.048 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6401N 2304305.pdf
FDC6401N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6401N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC640P ONSM-S-A0013178570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC640P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC640P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6312P 2304008.pdf
FDC6312P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P ONSM-S-A0003586698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC602P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2LT1G 1808429.pdf
BZX84B6V2LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84B6V2LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 6.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.2V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C11LT1G 3759375.pdf
BZX84C11LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
на замовлення 38044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C30LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C30LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C30LT1G - Zener-Diode, 30 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C68LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C68LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C68LT1G - Zener-Diode, 68 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 68V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8140T3G 1911628.pdf
SBRS8140T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 600 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8140T3G 1911628.pdf
SBRS8140T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 600 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8130LNT3G MBRS130LT3-D.PDF
SBRS8130LNT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8130LNT3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8140NT3G MBRS140T3-D.PDF
SBRS8140NT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8140NT3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8120NT3G MBRS120T3-D.PDF
SBRS8120NT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8120NT3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8130LT3G 1708275.pdf
SBRS8130LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8130LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 445 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 445
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8130LT3G 1708275.pdf
SBRS8130LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8130LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 445 mV
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS81100T3G 2578375.pdf
SBRS81100T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS81100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 750 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS81100T3G 2578375.pdf
SBRS81100T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS81100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 1 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 750 mV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRS8320T3G MBRS340T3-D.PDF
SBRS8320T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBRS8320T3G - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSH122TF 2284980.pdf
KSH122TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSH122TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSH122TF 2284980.pdf
KSH122TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSH122TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7608DQR2G 2354455.pdf
NCV7608DQR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7608DQR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 3.15V-5.25V Versorgungsspannung, 350mAout, SSOP-36
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 8
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.15
Quellstrom: -
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 36
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7608DQR2G 2354455.pdf
NCV7608DQR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7608DQR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 3.15V-5.25V Versorgungsspannung, 350mAout, SSOP-36
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAX16TR 2304063.pdf
BAX16TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAX16TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1.3 V, 120 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 120ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAX16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 31419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQT1N80TF-WS ONSM-S-A0013297970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQT1N80TF-WS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP433FCT2G ONSM-S-A0015820674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP433FCT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP433FCT2G - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 0.035 Ohm Durchlass, 3.6Vsupp, 1.4A, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.035ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 3.6V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: WLCSP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C15LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C15LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C15LT1G - Zener-Diode, 15 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZBZX
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA55N25 1851935.pdf
FQA55N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA55N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 55 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C4V7LT3G BZX84C2V4LT1-D.PDF
BZX84C4V7LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C4V7LT3G - Zener-Diode, 4.7 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 4.7
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT3G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C7V5-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C7V5-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C7V5-T50A - Zener-Diode, 7.5 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 7.5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C6V2-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C6V2-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C6V2-T50A - Zener-Diode, 6.2 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C6V8-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C6V8-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C6V8-T50A - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.8
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C2V7-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C2V7-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C2V7-T50A - Zener-Diode, 2.7 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 2.7
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C11-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C11-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C11-T50A - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 11
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A6.8FUT1G 332533.pdf
DF3A6.8FUT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF3A6.8FUT1G - TVS-Diode, DF3A6, Unidirektional, 16 V, SC-70, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Spitzenimpulsverlustleistung: 150W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DF3A6
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
Klemmspannung, max.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS391SN2T1G 2255322.pdf
TS391SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TS391SN2T1G - Analoger Komparator, Niederspannungskomparator, 1 Kanäle, 400 ns, 2V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Ansprechzeit: 400ns
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
IC-Ausgang: Open-Collector
Komparatorausgang: Open-Collector
Versorgungsspannung: 2V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Komparatortyp: Niederspannungskomparator
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Ansprechzeit / Ausbreitungsverzögerung: 400ns
Anzahl der Komparatoren: 1 Komparator
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Bauform - Komparator: TSOP
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C13 ONSM-S-A0003584474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX85C13
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85C13 - Zener-Diode, 13 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 13
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21AHT1G 1912202.pdf
BAS21AHT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 29562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV17SZ08DFT2G 2907169.pdf
NLV17SZ08DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV17SZ08DFT2G - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 17SZ08
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -888A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG ONSM-S-A0014426484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TIP29CG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP29CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1665A 2619969.pdf
FFSH1665A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH1665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA916YTA ONSM-S-A0013296991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSA916YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ321 FSQ321-D.pdf
FSQ321
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ321 - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1HN04CH-TL-W 2255213.pdf
1HN04CH-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HN04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 270 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 270
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1HP04CH-TL-W 2578316.pdf
1HP04CH-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 57003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1844 1845 1846 1847 1848 1936 2178 2420 2421  [ Наступна Сторінка >> ]