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AGB2N0CS-GEVK AGB2N0CS-GEVK ONSEMI Description: ONSEMI - AGB2N0CS-GEVK - Evaluationsboard, Adapterplatine AGB2N0CS, Demo 2x-Headboard zu Demo 3-Basisplatine
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demo 3 Adapter-Board
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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AGB1N0CS-GEVK AGB1N0CS-GEVK ONSEMI Description: ONSEMI - AGB1N0CS-GEVK - Evaluationsboard, AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, Headboards zu PC-Schnittstelle, USB 3.0
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Demo 3-Evaluationsboard
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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LC03-6R2G LC03-6R2G ONSEMI ONSM-S-A0013297907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2kW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6.8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: LC03
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.33 грн
11+82.40 грн
100+58.20 грн
500+43.71 грн
1000+37.09 грн
5000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
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LC03-6R2G LC03-6R2G ONSEMI ONSM-S-A0013297907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2kW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6.8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: LC03
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.20 грн
500+43.71 грн
1000+37.09 грн
5000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NGTB40N60L2WG. NGTB40N60L2WG. ONSEMI 1858684.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NGTB40N120L3WG NGTB40N120L3WG ONSEMI 2118281.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.91 грн
5+343.54 грн
10+340.89 грн
50+306.70 грн
100+273.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI 2118280.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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NGTB40N120S3WG NGTB40N120S3WG ONSEMI 2236591.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+483.96 грн
10+407.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
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NB3N853531EDTR2G NB3N853531EDTR2G ONSEMI 2236841.pdf Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 266
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NB3N853531EDTR2G NB3N853531EDTR2G ONSEMI 2236841.pdf Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BAS31-D87Z BAS31-D87Z ONSEMI BAS31-D.PDF Description: ONSEMI - BAS31-D87Z - HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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LV88561RTXG LV88561RTXG ONSEMI LV88561-D.PDF Description: ONSEMI - LV88561RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°C
Ausgangsstrom: 50
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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LB11620GP-TE-L-H LB11620GP-TE-L-H ONSEMI LB11620GP-D.PDF Description: ONSEMI - LB11620GP-TE-L-H - Motortreiber, bürstenloser Drehstrommotor, 1 Ausgang, 4.5V-5.5V Versorgung, VCT-24, -30°C bis 100°C
Ausgangsstrom: 25
Motortyp: Bürstenloser Drehstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 17
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 100
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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LV88551RTXG LV88551RTXG ONSEMI LV88551-D.PDF Description: ONSEMI - LV88551RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°C
Ausgangsstrom: 50
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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GBPC2506W GBPC2506W ONSEMI 1771769.pdf Description: ONSEMI - GBPC2506W - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 600 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GBPC2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FQPF27N25 FQPF27N25 ONSEMI FQPF27N25-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FQP15P12 FQP15P12 ONSEMI FQP15P12-D.pdf Description: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQPF15P12 FQPF15P12 ONSEMI FQP15P12-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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ATP214-TL-H ATP214-TL-H ONSEMI ena1712-d.pdf Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FOD817BSD FOD817BSD ONSEMI 2299543.pdf Description: ONSEMI - FOD817BSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.54 грн
32+27.82 грн
50+23.84 грн
200+18.45 грн
500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 22
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FOD817CSD FOD817CSD ONSEMI 2299543.pdf Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+36.21 грн
36+24.55 грн
100+17.49 грн
500+13.37 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
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ES1JFL ES1JFL ONSEMI 2552620.pdf Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.55 грн
500+15.17 грн
1500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDC5661N-F085 FDC5661N-F085 ONSEMI 2673616.pdf Description: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.09 грн
19+48.13 грн
100+32.41 грн
500+23.21 грн
1000+19.30 грн
5000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.57 грн
50+69.15 грн
100+49.99 грн
500+39.77 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
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FGA6540WDF FGA6540WDF ONSEMI FGA6540WDF-D.pdf Description: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NCV213RSQT2G NCV213RSQT2G ONSEMI ncs210r-d.pdf Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 120dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 50V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.50 грн
11+80.45 грн
50+67.74 грн
100+51.01 грн
250+45.87 грн
500+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
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NCV213RSQT2G NCV213RSQT2G ONSEMI ncs210r-d.pdf Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 120dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 50V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.01 грн
250+45.87 грн
500+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
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LC88FC3J0AUTJ-2H LC88FC3J0AUTJ-2H ONSEMI LC88FC3J0A-D.PDF Description: ONSEMI - LC88FC3J0AUTJ-2H - 16-Bit-Mikrocontroller, LC88 Family LC88F Series Microcontrollers, Xstormy16, 16 bit, 10 MHz
Bausteinkern: Xstormy16
Datenbusbreite: 16
Anzahl der Bits: 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Programmspeichergröße: 640
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Betriebsfrequenz, max.: 10
MCU-Familie: LC88
RAM-Speichergröße: 47.5
MCU-Baureihe: LC88F
CPU-Geschwindigkeit: 10
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 90
Anzahl der Pins: 100
Produktpalette: LC88 Family LC88F Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: I2C, UART
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Bauform - MCU: TQFP
Schnittstellen: I2C, UART
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.61 грн
500+39.03 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FQP70N10 FQP70N10 ONSEMI 2303843.pdf Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 57
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.20 грн
12+77.45 грн
100+63.14 грн
500+44.94 грн
1000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
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LV5725JA-AH. LV5725JA-AH. ONSEMI ENA2054-D.PDF Description: ONSEMI - LV5725JA-AH. - BUCK CONVERTER, DC-DC, 1-CHANNEL
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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N01S830HAT22I N01S830HAT22I ONSEMI N01S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N01S830HAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.09 грн
10+287.90 грн
25+277.31 грн
50+248.48 грн
100+220.28 грн
250+218.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
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N01S830BAT22I N01S830BAT22I ONSEMI N01S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N01S830BAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1MB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.18 грн
10+222.55 грн
25+218.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
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N01S830BAT22IT N01S830BAT22IT ONSEMI N01S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N01S830BAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N01S818HAT22I N01S818HAT22I ONSEMI N01S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N01S818HAT22I - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: N01S818HA
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N01S818HAT22IT N01S818HAT22IT ONSEMI N01S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N01S818HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: N01S818HA
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N01S830HAT22IT N01S830HAT22IT ONSEMI N01S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N01S830HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N25S830HAS22I N25S830HAS22I ONSEMI 1912632.pdf Description: ONSEMI - N25S830HAS22I - SRAM, Synchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOIC, 8 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+124.52 грн
10+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
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N25S830HAT22I N25S830HAT22I ONSEMI 1912632.pdf Description: ONSEMI - N25S830HAT22I - SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V bis 3.6V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N25S818HAT21I N25S818HAT21I ONSEMI N25S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N25S818HAT21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N25S818HAS21I N25S818HAS21I ONSEMI N25S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N25S818HAS21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S830HAS22I N64S830HAS22I ONSEMI N64S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N64S830HAS22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S830HAT22I N64S830HAT22I ONSEMI N64S830HA-D.PDF Description: ONSEMI - N64S830HAT22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N64S818HAT21I N64S818HAT21I ONSEMI N64S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N64S818HAT21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N64S818HAS21I N64S818HAS21I ONSEMI N64S818HA-D.PDF Description: ONSEMI - N64S818HAS21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NCV1413BDR2G NCV1413BDR2G ONSEMI mc1413-d.pdf Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.09 грн
18+50.60 грн
100+34.88 грн
500+28.70 грн
1000+24.22 грн
5000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
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AR0238CSSC12SHRA0-DP1 AR0238CSSC12SHRA0-DP1 ONSEMI AR0238-D.PDF Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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AR0237IRSH12SHRA0-DR AR0237IRSH12SHRA0-DR ONSEMI ar0237-rgb-ir?pdf=Y Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G ONSEMI NTLJF3117P-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.02 грн
28+31.70 грн
100+24.64 грн
500+18.45 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
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NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G ONSEMI NTLJF3117P-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.05 грн
500+18.45 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FQU10N20CTU FQU10N20CTU ONSEMI ONSM-S-A0003587794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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NB3H83905CDTG NB3H83905CDTG ONSEMI 2371154.pdf Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout Buffer
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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NCV8664DT50RKG NCV8664DT50RKG ONSEMI 665096.pdf Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+87.87 грн
14+63.85 грн
50+57.85 грн
100+47.56 грн
250+41.26 грн
500+39.67 грн
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
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NCS36000DG NCS36000DG ONSEMI NCS36000-D.PDF Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ruhestrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Sensor: SOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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UJ3D06530TS UJ3D06530TS ONSEMI DS_UJ3D06530TS.pdf Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+761.27 грн
5+593.47 грн
10+425.67 грн
50+392.81 грн
100+359.56 грн
250+352.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
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ATP304-TL-H ATP304-TL-H ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+251.69 грн
500+232.90 грн
1500+214.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCS20072DR2G NCS20072DR2G ONSEMI 2337856.pdf Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.93 грн
25+36.65 грн
100+28.70 грн
500+23.70 грн
1000+20.06 грн
2500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
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NCS20062DR2G NCS20062DR2G ONSEMI 2354956.pdf Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NUP4114UPXV6T1G NUP4114UPXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-563
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+43.45 грн
24+38.06 грн
100+27.47 грн
500+15.34 грн
4000+13.78 грн
12000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 21
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NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ONSEMI ntzd3154n-d.pdf Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 141733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+35.24 грн
42+21.37 грн
100+11.83 грн
500+8.28 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 26
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AGB2N0CS-GEVK
AGB2N0CS-GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AGB2N0CS-GEVK - Evaluationsboard, Adapterplatine AGB2N0CS, Demo 2x-Headboard zu Demo 3-Basisplatine
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demo 3 Adapter-Board
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bildsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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AGB1N0CS-GEVK
AGB1N0CS-GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AGB1N0CS-GEVK - Evaluationsboard, AGB1N0CS Demo 3-Basisplatine, Headboards zu PC-Schnittstelle, USB 3.0
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Demo 3-Evaluationsboard
Unterart Anwendung: Bildsensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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LC03-6R2G ONSM-S-A0013297907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LC03-6R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2kW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6.8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: LC03
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.33 грн
11+82.40 грн
100+58.20 грн
500+43.71 грн
1000+37.09 грн
5000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
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LC03-6R2G ONSM-S-A0013297907-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LC03-6R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC03-6R2G - ESD-Schutzbaustein, Array, 20 V, SOIC, 8 Pin(s), 6.8 V, 2 kW, LC03
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2kW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 6.8V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: LC03
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.20 грн
500+43.71 грн
1000+37.09 грн
5000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NGTB40N60L2WG. 1858684.pdf
NGTB40N60L2WG.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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NGTB40N120L3WG 2118281.pdf
NGTB40N120L3WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120L3WG - IGBT, 160 A, 1.55 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+355.91 грн
5+343.54 грн
10+340.89 грн
50+306.70 грн
100+273.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
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NGTB40N120FL3WG 2118280.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120FL3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 454
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 160
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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NGTB40N120S3WG 2236591.pdf
NGTB40N120S3WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120S3WG - IGBT, 160 A, 1.7 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+483.96 грн
10+407.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
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NB3N853531EDTR2G 2236841.pdf
NB3N853531EDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 266
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout-Puffer
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NB3N853531EDTR2G 2236841.pdf
NB3N853531EDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3N853531EDTR2G - Fanout-Puffer, 266MHz, 4 Ausgänge, 3.135V bis 3.465V Versorgungsspannung, TSSOP-20
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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BAS31-D87Z BAS31-D.PDF
BAS31-D87Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS31-D87Z - HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE DIODE
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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LV88561RTXG LV88561-D.PDF
LV88561RTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88561RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°C
Ausgangsstrom: 50
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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LB11620GP-TE-L-H LB11620GP-D.PDF
LB11620GP-TE-L-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB11620GP-TE-L-H - Motortreiber, bürstenloser Drehstrommotor, 1 Ausgang, 4.5V-5.5V Versorgung, VCT-24, -30°C bis 100°C
Ausgangsstrom: 25
Motortyp: Bürstenloser Drehstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 17
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 100
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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LV88551RTXG LV88551-D.PDF
LV88551RTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88551RTXG - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, 1 Ausgang, 3.9V bis 16V Versorgung, VCT-20, -40°C bis 105°C
Ausgangsstrom: 50
Motortyp: Bürstenloser Gleichstrommotor
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 16
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.9
Bauform - Treiber: VCT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
Betriebstemperatur, max.: 105
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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GBPC2506W 1771769.pdf
GBPC2506W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC2506W - Brückengleichrichter, Miniatur, Eine Phase, 600 V, 25 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: GBPC2
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FQPF27N25 FQPF27N25-D.pdf
FQPF27N25
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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FQP15P12 FQP15P12-D.pdf
FQP15P12
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP15P12 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQPF15P12 FQP15P12-D.pdf
FQPF15P12
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 41
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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ATP214-TL-H ena1712-d.pdf
ATP214-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP214-TL-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0062 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
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FOD817BSD 2299543.pdf
FOD817BSD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817BSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 130 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 130%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.54 грн
32+27.82 грн
50+23.84 грн
200+18.45 грн
500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 22
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FOD817CSD 2299543.pdf
FOD817CSD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD817CSD - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 4 Pin(s), 50 mA, 5 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 5kV
Durchlassstrom If, max.: 50mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+36.21 грн
36+24.55 грн
100+17.49 грн
500+13.37 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
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ES1JFL 2552620.pdf
ES1JFL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1JFL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.55 грн
500+15.17 грн
1500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FDC5661N-F085 2673616.pdf
FDC5661N-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.09 грн
19+48.13 грн
100+32.41 грн
500+23.21 грн
1000+19.30 грн
5000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
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FDS6679AZ 2303867.pdf
FDS6679AZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.57 грн
50+69.15 грн
100+49.99 грн
500+39.77 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
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FGA6540WDF FGA6540WDF-D.pdf
FGA6540WDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA6540WDF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NCV213RSQT2G ncs210r-d.pdf
NCV213RSQT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 120dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 50V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.50 грн
11+80.45 грн
50+67.74 грн
100+51.01 грн
250+45.87 грн
500+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
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NCV213RSQT2G ncs210r-d.pdf
NCV213RSQT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV213RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 90 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 120dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 50V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 90kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.01 грн
250+45.87 грн
500+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
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LC88FC3J0AUTJ-2H LC88FC3J0A-D.PDF
LC88FC3J0AUTJ-2H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC88FC3J0AUTJ-2H - 16-Bit-Mikrocontroller, LC88 Family LC88F Series Microcontrollers, Xstormy16, 16 bit, 10 MHz
Bausteinkern: Xstormy16
Datenbusbreite: 16
Anzahl der Bits: 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Programmspeichergröße: 640
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Betriebsfrequenz, max.: 10
MCU-Familie: LC88
RAM-Speichergröße: 47.5
MCU-Baureihe: LC88F
CPU-Geschwindigkeit: 10
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 90
Anzahl der Pins: 100
Produktpalette: LC88 Family LC88F Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: I2C, UART
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Bauform - MCU: TQFP
Schnittstellen: I2C, UART
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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FDS4935BZ 2304012.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.61 грн
500+39.03 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FQP70N10 2303843.pdf
FQP70N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP70N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 57
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 160
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 160
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.20 грн
12+77.45 грн
100+63.14 грн
500+44.94 грн
1000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
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LV5725JA-AH. ENA2054-D.PDF
LV5725JA-AH.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV5725JA-AH. - BUCK CONVERTER, DC-DC, 1-CHANNEL
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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N01S830HAT22I N01S830HA-D.PDF
N01S830HAT22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830HAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.09 грн
10+287.90 грн
25+277.31 грн
50+248.48 грн
100+220.28 грн
250+218.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
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N01S830BAT22I N01S830HA-D.PDF
N01S830BAT22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830BAT22I - SRAM, Synchroner SRAM, 1 MB, 128K x 8 Bit, TSSOP, 8 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 1MB
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.18 грн
10+222.55 грн
25+218.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
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N01S830BAT22IT N01S830HA-D.PDF
N01S830BAT22IT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830BAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N01S818HAT22I N01S818HA-D.PDF
N01S818HAT22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S818HAT22I - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: N01S818HA
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N01S818HAT22IT N01S818HA-D.PDF
N01S818HAT22IT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S818HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 1.7V bis 2.2V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 2.2V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: N01S818HA
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N01S830HAT22IT N01S830HA-D.PDF
N01S830HAT22IT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N01S830HAT22IT - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.5V bis 5.5V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N25S830HAS22I 1912632.pdf
N25S830HAS22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S830HAS22I - SRAM, Synchroner SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, SOIC, 8 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Synchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+124.52 грн
10+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
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N25S830HAT22I 1912632.pdf
N25S830HAT22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S830HAT22I - SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 2.7V bis 3.6V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N25S818HAT21I N25S818HA-D.PDF
N25S818HAT21I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S818HAT21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N25S818HAS21I N25S818HA-D.PDF
N25S818HAS21I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N25S818HAS21I - SRAM, 256kB, 32K x 8 Bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 32K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N64S830HAS22I N64S830HA-D.PDF
N64S830HAS22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S830HAS22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, SOIC-8
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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N64S830HAT22I N64S830HA-D.PDF
N64S830HAT22I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S830HAT22I - SRAM, 64kB, 8K x 8 Bit, 2.5V bis 3.6V, TSSOP-8
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 2.5V bis 3.6V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S818HAT21I N64S818HA-D.PDF
N64S818HAT21I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S818HAT21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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N64S818HAS21I N64S818HA-D.PDF
N64S818HAS21I
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - N64S818HAS21I - SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 1.7V bis 1.95V, SOIC, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
Versorgungsspannung: 1.7V bis 1.95V
Speicherkonfiguration SRAM: 8K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 64
Produktpalette: N64S818
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NCV1413BDR2G mc1413-d.pdf
NCV1413BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1413BDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 500 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 1000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.09 грн
18+50.60 грн
100+34.88 грн
500+28.70 грн
1000+24.22 грн
5000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
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AR0238CSSC12SHRA0-DP1 AR0238-D.PDF
AR0238CSSC12SHRA0-DP1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0238CSSC12SHRA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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AR0237IRSH12SHRA0-DR ar0237-rgb-ir?pdf=Y
AR0237IRSH12SHRA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0237IRSH12SHRA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTLJF3117PT1G NTLJF3117P-D.PDF
NTLJF3117PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.02 грн
28+31.70 грн
100+24.64 грн
500+18.45 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
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NTLJF3117PT1G NTLJF3117P-D.PDF
NTLJF3117PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF3117PT1G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.05 грн
500+18.45 грн
1000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
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FQU10N20CTU ONSM-S-A0003587794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQU10N20CTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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NB3H83905CDTG 2371154.pdf
NB3H83905CDTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3H83905CDTG - CLOCK FANOUT BUFFER, 1:6, TSSOP-16
MSL: MSL 1 - Unlimited
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3.135
Takt-IC: Fanout Buffer
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.465
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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NCV8664DT50RKG 665096.pdf
NCV8664DT50RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8664DT50RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45Vin, 1.266V Dropout, 5Vout und 150mAout, TO-252-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+87.87 грн
14+63.85 грн
50+57.85 грн
100+47.56 грн
250+41.26 грн
500+39.67 грн
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
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NCS36000DG NCS36000-D.PDF
NCS36000DG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS36000DG - Stromsensor, SOIC, 14 Pin(s), 3 V, 5.75 V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ruhestrom: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Sensor: SOIC
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: -
Versorgungsspannung, max.: 5.75
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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UJ3D06530TS DS_UJ3D06530TS.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+761.27 грн
5+593.47 грн
10+425.67 грн
50+392.81 грн
100+359.56 грн
250+352.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
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ATP304-TL-H 2337917.pdf
ATP304-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+251.69 грн
500+232.90 грн
1500+214.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
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NCS20072DR2G 2337856.pdf
NCS20072DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20072DR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+51.93 грн
25+36.65 грн
100+28.70 грн
500+23.70 грн
1000+20.06 грн
2500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
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NCS20062DR2G 2354956.pdf
NCS20062DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20062DR2G - Operationsverstärker, 2 Verstärker, 3 MHz, 1.2 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 1.2
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NUP4114UPXV6T1G ONSM-S-A0014425831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUP4114UPXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UPXV6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOT-563, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-563
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: NUP4114
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+43.45 грн
24+38.06 грн
100+27.47 грн
500+15.34 грн
4000+13.78 грн
12000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 21
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NTZD3154NT1G ntzd3154n-d.pdf
NTZD3154NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 141733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+35.24 грн
42+21.37 грн
100+11.83 грн
500+8.28 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 26
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