Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTH4L022N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L023N065M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L025N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L027N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 259nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L028N170M1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L030N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L040N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
NTH4L040N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 41A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 160W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
NTH4L040N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 45A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
NTH4L045N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L060N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L060N090SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L067N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L070N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4L075N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
NTH4L080N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 21A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 28W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
NTH4L160N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: 12.3A On-state resistance: 224mΩ Power dissipation: 55.5W Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 34nC Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 69A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
NTH4LN040N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTH4LN067N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHC5513T1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHD3100CT1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
NTHD3101FT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHD3102CT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHD4102PT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHD4502NT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHD4508NT1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL015N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL017N60S5H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL019N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL020N090SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
NTHL020N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 412A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
NTHL022N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL023N065M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL025N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL027N65S3HF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 187.5A Power dissipation: 595W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 27.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL033N65S3HF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL040N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
NTHL040N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 42A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 174W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -15...25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 106nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
NTHL040N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 446W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 158nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 45A Drain-source voltage: 650V Technology: SuperFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 162.5A кількість в упаковці: 450 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL040N65S3HF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
NTHL041N60S5H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 329W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 108nC Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
NTHL045N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL050N65S3HF | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 378W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 125nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 145A Drain-source voltage: 650V Drain current: 37A On-state resistance: 41mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL060N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL060N090SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL065N65S3F | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL065N65S3HF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL067N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
NTHL075N065SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 74W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
NTHL080N120SC1A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 132A Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A On-state resistance: 114mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 178W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL082N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 313W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 82mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 450 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL082N65S3HF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL095N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL095N65S3HF | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL099N60S5 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL1000N170M1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL110N65S3F | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19.5A Power dissipation: 240W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC Pulsed drain current: 69A кількість в упаковці: 450 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
NTHL125N65S3H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
![]() |
NTHL160N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain current: 12A On-state resistance: 0.16Ω Power dissipation: 59W Case: TO247-3 Gate charge: 34nC Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 69A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
NTHL185N60S5H | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
NTH4L022N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
NTH4L022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L023N065M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
NTH4L023N065M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L025N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L025N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L027N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L028N170M1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
NTH4L028N170M1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L030N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L030N120M3S THT N channel transistors
NTH4L030N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L040N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L040N120M3S THT N channel transistors
NTH4L040N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L040N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L040N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1335.01 грн |
3+ | 1216.54 грн |
NTH4L045N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L045N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L045N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L060N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L060N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L060N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L060N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors
NTH4L060N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L067N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
NTH4L067N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L070N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
NTH4L070N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L075N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4L075N065SC1 THT N channel transistors
NTH4L075N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4L160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 224mΩ
Power dissipation: 55.5W
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 34nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 12.3A
On-state resistance: 224mΩ
Power dissipation: 55.5W
Case: TO247-4
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 34nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4LN040N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
NTH4LN040N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTH4LN067N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
NTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHC5513T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHC5513T1G Multi channel transistors
NTHC5513T1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD3100CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
NTHD3100CT1G Multi channel transistors
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.75 грн |
25+ | 43.59 грн |
67+ | 41.17 грн |
NTHD3101FT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
NTHD3101FT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD3102CT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD3102CT1G Multi channel transistors
NTHD3102CT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD4102PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
NTHD4102PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD4502NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD4502NT1G Multi channel transistors
NTHD4502NT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHD4508NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHD4508NT1G Multi channel transistors
NTHD4508NT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
NTHL015N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL017N60S5H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL017N60S5H THT N channel transistors
NTHL017N60S5H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL019N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL019N65S3H THT N channel transistors
NTHL019N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL020N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
NTHL020N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL020N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL022N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL022N120M3S THT N channel transistors
NTHL022N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL023N065M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL023N065M3S THT N channel transistors
NTHL023N065M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL025N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL025N065SC1 THT N channel transistors
NTHL025N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL027N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL033N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
NTHL033N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL040N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL040N120M3S THT N channel transistors
NTHL040N120M3S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL040N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL040N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 450 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 650V
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 162.5A
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL040N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
NTHL040N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL041N60S5H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 108nC
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 108nC
Pulsed drain current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 792.12 грн |
2+ | 665.09 грн |
5+ | 605.48 грн |
30+ | 582.15 грн |
NTHL045N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL045N065SC1 THT N channel transistors
NTHL045N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL050N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 145A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL060N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL060N065SC1 THT N channel transistors
NTHL060N065SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL060N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
NTHL060N090SC1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL065N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL065N65S3F THT N channel transistors
NTHL065N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL065N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
NTHL065N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL067N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL067N65S3H THT N channel transistors
NTHL067N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL075N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL080N120SC1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 132A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 114mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 132A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 114mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 178W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL082N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 450 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL082N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
NTHL082N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL095N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL095N65S3H THT N channel transistors
NTHL095N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL095N65S3HF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
NTHL095N65S3HF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL099N60S5 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL099N60S5 THT N channel transistors
NTHL099N60S5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL1000N170M1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
NTHL1000N170M1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL110N65S3F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 450 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 450 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL125N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL125N65S3H THT N channel transistors
NTHL125N65S3H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 59W
Case: TO247-3
Gate charge: 34nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 59W
Case: TO247-3
Gate charge: 34nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 69A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTHL185N60S5H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTHL185N60S5H THT N channel transistors
NTHL185N60S5H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.