Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTBG028N170M1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG030N120M3S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A Pulsed drain current: 207A Power dissipation: 174W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 107nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...22V кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG040N120M3S | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 149A Power dissipation: 131W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -10...22V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG040N120SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG045N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG060N065SC1 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK-7 Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 85W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 74nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 130A Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG060N090SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG070N120M3S | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG080N120SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG1000N170M1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBG160N120SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBGS004N10G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBGS4D1N15MC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBGS6D5N15MC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBL045N065SC1 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBL050N65S3H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 305W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 132A Drain-source voltage: 650V Drain current: 49A On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBL070N65S3 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 312W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBLS001N06C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBLS0D8N08XTXG | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBLS1D1N08H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 311W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 166nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 900A Drain-source voltage: 80V Drain current: 351A On-state resistance: 1.05mΩ кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBLS1D5N08MC | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.9W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 111nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 4487A Drain-source voltage: 80V Drain current: 298A On-state resistance: 1.53mΩ кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 161W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 131nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2055A Drain-source voltage: 100V Drain current: 312A On-state resistance: 1.5mΩ кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBLS1D7N08H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 83W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1173A Drain-source voltage: 80V Drain current: 203A On-state resistance: 1.7mΩ кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBLS1D7N10MCTXG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 147W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2137A Drain-source voltage: 100V Drain current: 272A On-state resistance: 1.8mΩ кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBLS4D0N15MC | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBS2D7N06M7 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTBS9D0N10MC | ONSEMI | NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD14N03RT4G | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD18N06LT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD20N03L27T4G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 74W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD20N06T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTD20P06LT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -15.5A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NTD250N65S3H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 106W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 36A Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A On-state resistance: 0.25Ω Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD25P03LT4G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTD280N60S5Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 89W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 17.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD2955T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -18A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTD3055-094T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD3055-150T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NTD3055L104T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 0.104Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V Pulsed drain current: 45A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 963 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTD3055L170T4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3A Power dissipation: 28.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD360N65S3H | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 296mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD360N80S3Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.2A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32.5A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4302T4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4804NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4805NT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4808N-1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4858NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD4860NT4G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 50A; Idm: 130A; 50W; DPAK Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 130A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 25V Drain current: 50A On-state resistance: 8.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5802NT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5862NT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; Idm: 335A; 115W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A On-state resistance: 4.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 115W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 82nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 335A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C434NT4G | ONSEMI | NTD5C434NT4G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C446NT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C632NLT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C648NLT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD5C688NLT4G | ONSEMI | NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD600N80S3Z | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD6414ANT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD6415ANLT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NTD6416ANLT4G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
NTBG028N170M1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBG028N170M1 SMD N channel transistors
NTBG028N170M1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG030N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 207A
Power dissipation: 174W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 207A
Power dissipation: 174W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...22V
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG040N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG040N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG045N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBG045N065SC1 SMD N channel transistors
NTBG045N065SC1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG060N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 74nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK-7
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 74nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG060N090SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBG060N090SC1 SMD N channel transistors
NTBG060N090SC1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG070N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBG070N120M3S SMD N channel transistors
NTBG070N120M3S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBG080N120SC1 SMD N channel transistors
NTBG080N120SC1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG1000N170M1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBG1000N170M1 SMD N channel transistors
NTBG1000N170M1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBG160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBG160N120SC1 SMD N channel transistors
NTBG160N120SC1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBGS004N10G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBGS004N10G SMD N channel transistors
NTBGS004N10G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBGS4D1N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBGS4D1N15MC SMD N channel transistors
NTBGS4D1N15MC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBGS6D5N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBGS6D5N15MC SMD N channel transistors
NTBGS6D5N15MC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBL045N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBL045N065SC1 SMD N channel transistors
NTBL045N065SC1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBL050N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 49A; Idm: 132A; 305W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 305W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
On-state resistance: 50mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBL070N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; Idm: 110A; 312W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 312W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBLS001N06C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBLS001N06C SMD N channel transistors
NTBLS001N06C SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBLS0D8N08XTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors
NTBLS0D8N08XTXG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBLS1D1N08H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 311W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
On-state resistance: 1.05mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 311W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 166nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
On-state resistance: 1.05mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBLS1D5N08MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.9W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4487A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 298A
On-state resistance: 1.53mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.9W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 111nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4487A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 298A
On-state resistance: 1.53mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBLS1D5N10MCTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 131nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2055A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 312A
On-state resistance: 1.5mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 131nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2055A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 312A
On-state resistance: 1.5mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBLS1D7N08H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1173A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 203A
On-state resistance: 1.7mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1173A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 203A
On-state resistance: 1.7mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBLS1D7N10MCTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2137A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
On-state resistance: 1.8mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2137A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
On-state resistance: 1.8mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBLS4D0N15MC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBLS4D0N15MC SMD N channel transistors
NTBLS4D0N15MC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBS2D7N06M7 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTBS2D7N06M7 SMD N channel transistors
NTBS2D7N06M7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTBS9D0N10MC |
Виробник: ONSEMI
NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors
NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD14N03RT4G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD14N03RT4G SMD N channel transistors
NTD14N03RT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD18N06LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD18N06LT4G SMD N channel transistors
NTD18N06LT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD20N03L27T4G |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD20N06T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD20P06LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.48 грн |
10+ | 77.37 грн |
29+ | 37.86 грн |
80+ | 35.71 грн |
2500+ | 34.41 грн |
NTD24N06LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD250N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 36A; 106W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 106W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 36A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.50 грн |
18+ | 62.47 грн |
49+ | 58.74 грн |
NTD280N60S5Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 39A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD2955T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -18A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -18A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.19 грн |
10+ | 41.64 грн |
72+ | 39.16 грн |
100+ | 37.30 грн |
250+ | 35.43 грн |
500+ | 31.70 грн |
1000+ | 29.84 грн |
NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
NTD3055-094T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD3055-150T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD3055-150T4G SMD N channel transistors
NTD3055-150T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.104Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 45A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.45 грн |
10+ | 76.59 грн |
24+ | 46.62 грн |
65+ | 44.10 грн |
500+ | 42.42 грн |
NTD3055L170T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3A; 28.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 28.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD360N65S3H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 28A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 296mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4302T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4302T4G SMD N channel transistors
NTD4302T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4804NT4G |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4804NT4G SMD N channel transistors
NTD4804NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4805NT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4805NT4G SMD N channel transistors
NTD4805NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4808N-1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4808N-1G THT N channel transistors
NTD4808N-1G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4858NT4G |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD4858NT4G SMD N channel transistors
NTD4858NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD4860NT4G |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 50A; Idm: 130A; 50W; DPAK
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 50A; Idm: 130A; 50W; DPAK
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 130A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 50A
On-state resistance: 8.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5802NT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5802NT4G SMD N channel transistors
NTD5802NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5862NT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; Idm: 335A; 115W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; Idm: 335A; 115W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 82nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C434NT4G |
Виробник: ONSEMI
NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
NTD5C434NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C446NT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
NTD5C446NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C632NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C648NLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C648NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD5C688NLT4G |
Виробник: ONSEMI
NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
NTD5C688NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD600N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
NTD600N80S3Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD6414ANT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD6414ANT4G SMD N channel transistors
NTD6414ANT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD6415ANLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD6415ANLT4G SMD N channel transistors
NTD6415ANLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTD6416ANLT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NTD6416ANLT4G SMD N channel transistors
NTD6416ANLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.