Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142138) > Сторінка 1849 з 2369

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1844 1845 1846 1847 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1888 2124 2360 2369  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NJV4031NT1G NJV4031NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+61.18 грн
23+39.91 грн
100+27.25 грн
500+20.24 грн
1000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.40 грн
25+36.48 грн
100+27.78 грн
500+18.61 грн
1000+14.39 грн
5000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV47711PDAJR2G NCV47711PDAJR2G ONSEMI 2255389.pdf Description: ONSEMI - NCV47711PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.38 грн
10+100.21 грн
50+91.42 грн
100+71.83 грн
250+62.01 грн
500+59.68 грн
1000+57.79 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703BDR2G NCV5703BDR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV5703BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 1
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 59
Ausgabeverzögerung: 54
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1012AP065G. NCP1012AP065G. ONSEMI NCP1010-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1012AP065G. - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 FGD3040G2-F085 ONSEMI FGI3040G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.03 грн
10+126.59 грн
100+85.89 грн
500+63.59 грн
1000+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 FGD3040G2-F085 ONSEMI FGI3040G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 41A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.89 грн
500+63.59 грн
1000+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V ONSEMI FGD3040G2-F085V-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C FGD3040G2-F085C ONSEMI FGX3040G2-F085C-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085C - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3325G2-F085 FGD3325G2-F085 ONSEMI FGD3325G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3325G2-F085V FGD3325G2-F085V ONSEMI FGD3325G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ10L6X NC7SZ10L6X ONSEMI NC7SZ10-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZ10L6X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 3 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ10
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ10
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G S2SC4617G ONSEMI 2sc4617-d.pdf Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+25.14 грн
58+15.21 грн
114+7.72 грн
500+6.66 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G S2SC4617G ONSEMI 2sc4617-d.pdf Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.66 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT ONSEMI 3005710.pdf Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI 1911610.pdf Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+14.24 грн
93+9.49 грн
100+9.14 грн
500+8.16 грн
1000+7.24 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI 1911610.pdf Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.14 грн
500+8.16 грн
1000+7.24 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351HT1G SZESD8351HT1G ONSEMI esd8351-d.pdf Description: ONSEMI - SZESD8351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.20 грн
26+34.90 грн
100+23.73 грн
500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7272LT1G SZESD7272LT1G ONSEMI 2711342.pdf Description: ONSEMI - SZESD7272LT1G - ESD-Schutzbaustein, 34 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+24.35 грн
56+15.74 грн
107+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351XV2T1G SZESD8351XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0017602980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: SZESD8351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.62 грн
34+25.93 грн
100+10.81 грн
500+8.24 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080VI-GT3 CAT25080VI-GT3 ONSEMI cat25080-d.pdf Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+25.84 грн
50+22.94 грн
100+21.89 грн
500+19.92 грн
1500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-10-GT3 CAT5113VI-10-GT3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 10kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.35 грн
10+195.15 грн
25+181.09 грн
50+163.26 грн
100+135.63 грн
250+128.85 грн
500+125.08 грн
1000+121.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06C NVBLS0D7N06C ONSEMI nvbls0d7n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC709204FXE-01TBG LC709204FXE-01TBG ONSEMI 2913002.pdf Description: ONSEMI - LC709204FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen, Li-Pol, 2.5V-5V Versorgungsspannung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-10
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+277.79 грн
10+182.85 грн
50+169.66 грн
100+137.13 грн
250+118.30 грн
500+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LC709209FXE-01TBG LC709209FXE-01TBG ONSEMI 3791028.pdf Description: ONSEMI - LC709209FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen-/Li-Polymer-Akku, 2.5V-5V Versorgung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.62 грн
10+152.96 грн
50+139.77 грн
100+116.73 грн
250+96.45 грн
500+89.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP715SQ33T2G NCP715SQ33T2G ONSEMI ncp715-d.pdf Description: ONSEMI - NCP715SQ33T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24Vin, 230mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.47 грн
17+52.74 грн
100+34.02 грн
500+30.12 грн
1000+25.47 грн
2500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630 ONSEMI FQPF630-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF3860T FDPF3860T ONSEMI 2304643.pdf Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.98 грн
14+64.00 грн
100+58.46 грн
500+50.45 грн
1000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.85 грн
10+100.21 грн
100+88.79 грн
500+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N20FT FDPF18N20FT ONSEMI 2907322.pdf Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.20 грн
10+112.52 грн
100+87.03 грн
500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF190N15A FDPF190N15A ONSEMI ONSM-S-A0003585533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.88 грн
10+122.19 грн
100+119.55 грн
500+110.20 грн
1000+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10A FDPF045N10A ONSEMI 2859356.pdf Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+405.25 грн
10+218.01 грн
100+203.07 грн
500+170.60 грн
1000+154.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UT FDPF10N50UT ONSEMI ONSM-S-A0003584391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.70 грн
23+38.68 грн
100+31.73 грн
500+28.81 грн
3000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.73 грн
500+28.81 грн
3000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 CAT25080YI-GT3 ONSEMI cat25080-d.pdf Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.05 грн
25+36.39 грн
100+33.23 грн
500+30.77 грн
1000+28.33 грн
2500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU FQPF8N80CYDTU ONSEMI ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4150 FDLL4150 ONSEMI fdll4150-d.pdf Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+20.04 грн
65+13.54 грн
100+10.90 грн
500+7.52 грн
1000+5.94 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C13LT1G BZX84C13LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf description Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+9.49 грн
165+5.34 грн
342+2.58 грн
1000+2.15 грн
15000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G SL15T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.79 грн
35+25.58 грн
100+19.78 грн
500+14.37 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G SL15T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.78 грн
500+14.37 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YBU KSA708YBU ONSEMI ksa708-d.pdf FAIRS18252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.33 грн
48+18.46 грн
100+12.31 грн
500+11.10 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YTA KSA708YTA ONSEMI KSA708-D.pdf Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E. 2SD1801S-E. ONSEMI EN2112-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-E. 2SD1802T-E. ONSEMI 2SB1202-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E 2SB1202T-TL-E ONSEMI Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E 2SB1202T-TL-E ONSEMI Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.23 грн
1500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 ONSEMI 2304015.pdf Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+79.91 грн
14+65.40 грн
100+52.74 грн
500+39.67 грн
1000+29.31 грн
5000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876 FDS8876 ONSEMI FDS8876-D.PDF Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G SA5534ADR2G ONSEMI NE5534-D.PDF Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQ FGAF40S65AQ ONSEMI 2711361.pdf Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.69 грн
10+168.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AP0200AT2L00XEGA0-DR1 AP0200AT2L00XEGA0-DR1 ONSEMI AP0200AT-D.PDF Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bilder pro Sekunde: 30
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Pixelgröße (H x B): -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+808.74 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8730ASNADJT1G NCV8730ASNADJT1G ONSEMI ncv8730-d.pdf Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.47 грн
18+51.34 грн
50+47.29 грн
100+40.08 грн
250+36.02 грн
500+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G NCP718BSNADJT1G ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.53 грн
21+42.55 грн
100+27.69 грн
500+23.02 грн
1000+19.06 грн
2500+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G NCP718BSNADJT1G ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.69 грн
500+23.02 грн
1000+19.06 грн
2500+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C11LT1G BZX84C11LT1G ONSEMI 3759375.pdf Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.19 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G NCV33202VDR2G ONSEMI mc33201-d.pdf Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.42 грн
500+17.06 грн
1000+15.07 грн
2500+14.01 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1G ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4031NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+61.18 грн
23+39.91 грн
100+27.25 грн
500+20.24 грн
1000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.40 грн
25+36.48 грн
100+27.78 грн
500+18.61 грн
1000+14.39 грн
5000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NCV47711PDAJR2G 2255389.pdf
NCV47711PDAJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47711PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 350mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.38 грн
10+100.21 грн
50+91.42 грн
100+71.83 грн
250+62.01 грн
500+59.68 грн
1000+57.79 грн
2500+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703BDR2G
NCV5703BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 1
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 59
Ausgabeverzögerung: 54
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1012AP065G. NCP1010-D.PDF
NCP1012AP065G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1012AP065G. - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 FGI3040G2_F085-D.PDF
FGD3040G2-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.03 грн
10+126.59 грн
100+85.89 грн
500+63.59 грн
1000+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085 FGI3040G2_F085-D.PDF
FGD3040G2-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15V
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Dauerkollektorstrom: 41A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 41A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.89 грн
500+63.59 грн
1000+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V-D.PDF
FGD3040G2-F085V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3040G2-F085C FGX3040G2-F085C-D.PDF
FGD3040G2-F085C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085C - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3325G2-F085 FGD3325G2_F085-D.PDF
FGD3325G2-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3325G2-F085V FGD3325G2_F085-D.PDF
FGD3325G2-F085V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ10L6X NC7SZ10-D.PDF
NC7SZ10L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ10L6X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 3 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ10
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ10
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G 2sc4617-d.pdf
S2SC4617G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.14 грн
58+15.21 грн
114+7.72 грн
500+6.66 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G 2sc4617-d.pdf
S2SC4617G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.66 грн
1000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT 3005710.pdf
FGHL50T65SQDT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G 1911610.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+14.24 грн
93+9.49 грн
100+9.14 грн
500+8.16 грн
1000+7.24 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G 1911610.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.14 грн
500+8.16 грн
1000+7.24 грн
5000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351HT1G esd8351-d.pdf
SZESD8351HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.20 грн
26+34.90 грн
100+23.73 грн
500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7272LT1G 2711342.pdf
SZESD7272LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7272LT1G - ESD-Schutzbaustein, 34 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+24.35 грн
56+15.74 грн
107+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351XV2T1G ONSM-S-A0017602980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZESD8351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: SZESD8351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.62 грн
34+25.93 грн
100+10.81 грн
500+8.24 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080VI-GT3 cat25080-d.pdf
CAT25080VI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.84 грн
50+22.94 грн
100+21.89 грн
500+19.92 грн
1500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-10-GT3 cat5113-d.pdf
CAT5113VI-10-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 10kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.35 грн
10+195.15 грн
25+181.09 грн
50+163.26 грн
100+135.63 грн
250+128.85 грн
500+125.08 грн
1000+121.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06C nvbls0d7n06c-d.pdf
NVBLS0D7N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC709204FXE-01TBG 2913002.pdf
LC709204FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709204FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen, Li-Pol, 2.5V-5V Versorgungsspannung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-10
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+277.79 грн
10+182.85 грн
50+169.66 грн
100+137.13 грн
250+118.30 грн
500+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LC709209FXE-01TBG 3791028.pdf
LC709209FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709209FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen-/Li-Polymer-Akku, 2.5V-5V Versorgung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.62 грн
10+152.96 грн
50+139.77 грн
100+116.73 грн
250+96.45 грн
500+89.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP715SQ33T2G ncp715-d.pdf
NCP715SQ33T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP715SQ33T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24Vin, 230mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.47 грн
17+52.74 грн
100+34.02 грн
500+30.12 грн
1000+25.47 грн
2500+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630-D.pdf
FQPF630
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF3860T 2304643.pdf
FDPF3860T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.98 грн
14+64.00 грн
100+58.46 грн
500+50.45 грн
1000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.85 грн
10+100.21 грн
100+88.79 грн
500+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N20FT 2907322.pdf
FDPF18N20FT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.20 грн
10+112.52 грн
100+87.03 грн
500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF190N15A ONSM-S-A0003585533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF190N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.88 грн
10+122.19 грн
100+119.55 грн
500+110.20 грн
1000+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10A 2859356.pdf
FDPF045N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+405.25 грн
10+218.01 грн
100+203.07 грн
500+170.60 грн
1000+154.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UT ONSM-S-A0003584391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF10N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+48.70 грн
23+38.68 грн
100+31.73 грн
500+28.81 грн
3000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.73 грн
500+28.81 грн
3000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 cat25080-d.pdf
CAT25080YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+41.05 грн
25+36.39 грн
100+33.23 грн
500+30.77 грн
1000+28.33 грн
2500+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF8N80CYDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4150 fdll4150-d.pdf
FDLL4150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+20.04 грн
65+13.54 грн
100+10.90 грн
500+7.52 грн
1000+5.94 грн
5000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C13LT1G description bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C13LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+9.49 грн
165+5.34 грн
342+2.58 грн
1000+2.15 грн
15000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G sl05t1-d.pdf
SL15T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.79 грн
35+25.58 грн
100+19.78 грн
500+14.37 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G sl05t1-d.pdf
SL15T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.78 грн
500+14.37 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YBU ksa708-d.pdf FAIRS18252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KSA708YBU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.33 грн
48+18.46 грн
100+12.31 грн
500+11.10 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YTA KSA708-D.pdf
KSA708YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E. EN2112-D.PDF
2SD1801S-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-E. 2SB1202-D.PDF
2SD1802T-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E
2SB1202T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E
2SB1202T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G 2355036.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.23 грн
1500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 2304015.pdf
FDD8451
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+79.91 грн
14+65.40 грн
100+52.74 грн
500+39.67 грн
1000+29.31 грн
5000+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876 FDS8876-D.PDF
FDS8876
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G NE5534-D.PDF
SA5534ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQ 2711361.pdf
FGAF40S65AQ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+256.69 грн
10+168.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AP0200AT2L00XEGA0-DR1 AP0200AT-D.PDF
AP0200AT2L00XEGA0-DR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bilder pro Sekunde: 30
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Pixelgröße (H x B): -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+808.74 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8730ASNADJT1G ncv8730-d.pdf
NCV8730ASNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.47 грн
18+51.34 грн
50+47.29 грн
100+40.08 грн
250+36.02 грн
500+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G 2711392.pdf
NCP718BSNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.53 грн
21+42.55 грн
100+27.69 грн
500+23.02 грн
1000+19.06 грн
2500+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G 2711392.pdf
NCP718BSNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.69 грн
500+23.02 грн
1000+19.06 грн
2500+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C11LT1G 3759375.pdf
BZX84C11LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.19 грн
1000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G mc33201-d.pdf
NCV33202VDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.42 грн
500+17.06 грн
1000+15.07 грн
2500+14.01 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 236 472 708 944 1180 1416 1652 1844 1845 1846 1847 1848 1849 1850 1851 1852 1853 1854 1888 2124 2360 2369  [ Наступна Сторінка >> ]