Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NDC7003P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDP6060 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDP6060L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NDS0605 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -180mA On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NDS0610 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -120mA On-state resistance: 10Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2547 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NDS331N | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A On-state resistance: 210/160mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5/0.46W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3014 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NDS332P | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A On-state resistance: 0.74Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 335 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDS352AP | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NDS355AN | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.7A On-state resistance: 0.23Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2613 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NDS7002A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3779 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDS9945 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NDS9948 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1864 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDS9952A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH10170A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH25170A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH40120C-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH40120CDN | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH50120C | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDSH50120C-F155 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDT014 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDT014L | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2783 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDT3055 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NDT3055L | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDT451AN | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NDT452AP | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 3W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NDT456P | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NDUL03N150CG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 50W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NE5532D8R2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape Type of integrated circuit: operational amplifier Bandwidth: 10MHz Mounting: SMT Number of channels: 2 Case: SO8 Operating temperature: 0...70°C Voltage supply range: ± 3...20V DC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NE592D8R2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC Type of integrated circuit: video amplifier Bandwidth: 120MHz Number of channels: 2 Mounting: SMT Case: SO8 Operating temperature: 0...70°C Gain: 100V/V; 400V/V Voltage supply range: ± 8V DC Kind of package: reel; tape Input bias current: 40µA Input offset current: 6µA кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NFAM5065L4BT | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NGTB25N120FL2WG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 192W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NGTB40N120FL3WG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 212nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Power dissipation: 227W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJVMJD31CT4G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NJVMJD44H11RLG | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NJVNJD2873T4G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NJW0281G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P Application: automotive industry Case: TO3P Frequency: 30MHz Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 75...150 Collector current: 15A Type of transistor: NPN Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJW0302G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3P Current gain: 75...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NJW1302G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NJW21193G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 20...70 Collector current: 16A Type of transistor: PNP Application: automotive industry Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NJW21194G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Frequency: 4MHz Collector-emitter voltage: 250V Current gain: 20...70 Collector current: 16A Type of transistor: NPN Application: automotive industry Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NJW3281G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SG02DFT2G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NL17SG04P5T5G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SG07DFT2G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NL17SG08DFT2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NL17SG125DFT2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; 3-state,bus buffer; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; NL Type of integrated circuit: digital Kind of integrated circuit: 3-state; bus buffer Number of channels: 1 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SC88A Supply voltage: 0.9...3.6V DC Operating temperature: -55...125°C Kind of output: 3-state Kind of package: reel; tape Family: NL Manufacturer series: MiniGate Number of inputs: 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NL17SG14DFT2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NL17SG32DFT2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; MiniGate; -55÷125°C Type of integrated circuit: digital Kind of gate: OR Number of channels: 1 Number of inputs: 2 Technology: CMOS Mounting: SMD Case: SC88A Supply voltage: 0.9...3.6V DC Operating temperature: -55...125°C Kind of package: reel; tape Family: NL Manufacturer series: MiniGate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2987 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NL17SG32P5T5G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SV04XV5T2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SV08XV5T2G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3968 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NL17SV16XV5T2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SV32XV5T2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SZ00DFT2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SZ02DFT2G | ONSEMI |
![]() Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C Case: SC88A Number of inputs: 2 Supply voltage: 1.65...5.5V DC Type of integrated circuit: digital Number of channels: single; 1 Kind of package: reel; tape Operating temperature: -55...125°C Mounting: SMD Kind of gate: NOR кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SZ04DFT2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SZ04XV5T2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SZ06DFT2G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NL17SZ06XV5T2G | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
NDC7003P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDC7003P Multi channel transistors
NDC7003P Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDP6060 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDP6060 THT N channel transistors
NDP6060 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDP6060L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDP6060L THT N channel transistors
NDP6060L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDS0605 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -180mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -180mA
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.09 грн |
25+ | 11.91 грн |
50+ | 8.21 грн |
100+ | 7.09 грн |
266+ | 4.10 грн |
731+ | 3.88 грн |
3000+ | 3.73 грн |
NDS0610 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.12 грн |
13+ | 23.82 грн |
50+ | 18.28 грн |
75+ | 16.88 грн |
111+ | 9.88 грн |
304+ | 9.32 грн |
1500+ | 8.95 грн |
NDS331N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.17 грн |
11+ | 27.50 грн |
50+ | 21.45 грн |
75+ | 20.23 грн |
86+ | 12.87 грн |
235+ | 12.12 грн |
1500+ | 11.66 грн |
NDS332P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.74Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.74Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.19 грн |
10+ | 33.99 грн |
50+ | 26.57 грн |
69+ | 16.04 грн |
188+ | 15.11 грн |
1500+ | 14.55 грн |
NDS352AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDS352AP SMD P channel transistors
NDS352AP SMD P channel transistors
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.38 грн |
68+ | 16.13 грн |
187+ | 15.20 грн |
NDS355AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.23Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.22 грн |
10+ | 30.89 грн |
25+ | 25.36 грн |
50+ | 22.56 грн |
54+ | 20.70 грн |
100+ | 20.23 грн |
147+ | 19.58 грн |
NDS7002A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.08 грн |
24+ | 12.39 грн |
50+ | 8.56 грн |
100+ | 7.42 грн |
225+ | 4.88 грн |
618+ | 4.61 грн |
1500+ | 4.55 грн |
NDS9945 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDS9945 Multi channel transistors
NDS9945 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDS9948 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.31 грн |
10+ | 48.99 грн |
39+ | 28.25 грн |
107+ | 26.76 грн |
500+ | 25.92 грн |
1000+ | 25.73 грн |
NDS9952A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDS9952A Multi channel transistors
NDS9952A Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH10170A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH10170A THT Schottky diodes
NDSH10170A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH25170A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH25170A THT Schottky diodes
NDSH25170A THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH40120C-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH40120C-F155 THT Schottky diodes
NDSH40120C-F155 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH40120CDN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH40120CDN THT Schottky diodes
NDSH40120CDN THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH50120C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH50120C THT Schottky diodes
NDSH50120C THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDSH50120C-F155 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDSH50120C-F155 THT Schottky diodes
NDSH50120C-F155 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDT014 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT014 SMD N channel transistors
NDT014 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDT014L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT014L SMD N channel transistors
NDT014L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDT2955 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 73.30 грн |
10+ | 52.58 грн |
48+ | 23.12 грн |
50+ | 23.03 грн |
130+ | 21.82 грн |
4000+ | 20.98 грн |
NDT3055 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT3055 SMD N channel transistors
NDT3055 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDT3055L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.40 грн |
10+ | 64.39 грн |
27+ | 41.77 грн |
73+ | 39.53 грн |
250+ | 38.79 грн |
500+ | 35.06 грн |
1000+ | 32.73 грн |
NDT451AN |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT451AN SMD N channel transistors
NDT451AN SMD N channel transistors
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 159.66 грн |
19+ | 57.61 грн |
53+ | 54.47 грн |
NDT452AP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 3W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.55 грн |
5+ | 65.65 грн |
23+ | 48.34 грн |
63+ | 45.71 грн |
NDT456P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NDT456P SMD P channel transistors
NDT456P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NDUL03N150CG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NE5532D8R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 10MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 10MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NE592D8R2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC
Type of integrated circuit: video amplifier
Bandwidth: 120MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Gain: 100V/V; 400V/V
Voltage supply range: ± 8V DC
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 40µA
Input offset current: 6µA
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; ±8VDC
Type of integrated circuit: video amplifier
Bandwidth: 120MHz
Number of channels: 2
Mounting: SMT
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Gain: 100V/V; 400V/V
Voltage supply range: ± 8V DC
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 40µA
Input offset current: 6µA
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NFAM5065L4BT |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NFAM5065L4BT Motor and PWM drivers
NFAM5065L4BT Motor and PWM drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NGTB25N120FL2WG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NGTB40N120FL3WG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 212nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 212nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 775.19 грн |
3+ | 515.12 грн |
7+ | 469.00 грн |
NJVMJD31CT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NJVMJD44H11RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.40 грн |
10+ | 61.10 грн |
31+ | 35.90 грн |
84+ | 33.94 грн |
500+ | 32.63 грн |
NJVNJD2873T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.29 грн |
32+ | 34.31 грн |
88+ | 32.54 грн |
NJW0281G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Application: automotive industry
Case: TO3P
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 75...150
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Application: automotive industry
Case: TO3P
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 75...150
Collector current: 15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.01 грн |
7+ | 173.32 грн |
19+ | 157.58 грн |
120+ | 151.98 грн |
NJW0302G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.95 грн |
7+ | 162.67 грн |
20+ | 148.25 грн |
120+ | 142.66 грн |
NJW1302G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NJW1302G PNP THT transistors
NJW1302G PNP THT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 442.82 грн |
5+ | 268.54 грн |
12+ | 254.55 грн |
NJW21193G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO3P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 342.41 грн |
3+ | 291.45 грн |
5+ | 243.36 грн |
13+ | 230.31 грн |
NJW21194G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...70
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 384.58 грн |
5+ | 266.28 грн |
12+ | 242.43 грн |
30+ | 233.10 грн |
NJW3281G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NJW3281G NPN THT transistors
NJW3281G NPN THT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SG02DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG02DFT2G Gates, inverters
NL17SG02DFT2G Gates, inverters
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.54 грн |
219+ | 5.04 грн |
600+ | 4.76 грн |
NL17SG04P5T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG04P5T5G Gates, inverters
NL17SG04P5T5G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SG07DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG07DFT2G Buffers, transceivers, drivers
NL17SG07DFT2G Buffers, transceivers, drivers
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.84 грн |
225+ | 4.85 грн |
617+ | 4.57 грн |
NL17SG08DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG08DFT2G Gates, inverters
NL17SG08DFT2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SG125DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bus buffer; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; NL
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bus buffer
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Family: NL
Manufacturer series: MiniGate
Number of inputs: 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bus buffer; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; NL
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; bus buffer
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Family: NL
Manufacturer series: MiniGate
Number of inputs: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.12 грн |
12+ | 25.85 грн |
14+ | 20.98 грн |
25+ | 18.37 грн |
50+ | 14.64 грн |
100+ | 10.44 грн |
236+ | 4.66 грн |
NL17SG14DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG14DFT2G Gates, inverters
NL17SG14DFT2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SG32DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; MiniGate; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: NL
Manufacturer series: MiniGate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; MiniGate; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Family: NL
Manufacturer series: MiniGate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.12 грн |
19+ | 16.07 грн |
25+ | 12.49 грн |
50+ | 10.72 грн |
100+ | 9.12 грн |
236+ | 4.63 грн |
250+ | 4.62 грн |
NL17SG32P5T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SG32P5T5G Gates, inverters
NL17SG32P5T5G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SV04XV5T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SV04XV5T2G Gates, inverters
NL17SV04XV5T2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SV08XV5T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SV08XV5T2G Gates, inverters
NL17SV08XV5T2G Gates, inverters
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.36 грн |
189+ | 5.79 грн |
518+ | 5.48 грн |
NL17SV16XV5T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SV16XV5T2G Buffers, transceivers, drivers
NL17SV16XV5T2G Buffers, transceivers, drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SV32XV5T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SV32XV5T2G Gates, inverters
NL17SV32XV5T2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SZ00DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SZ00DFT2G Gates, inverters
NL17SZ00DFT2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SZ02DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Case: SC88A
Number of inputs: 2
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Kind of gate: NOR
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Case: SC88A
Number of inputs: 2
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Kind of gate: NOR
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SZ04DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SZ04DFT2G Gates, inverters
NL17SZ04DFT2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SZ04XV5T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SZ04XV5T2G Gates, inverters
NL17SZ04XV5T2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SZ06DFT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SZ06DFT2G Gates, inverters
NL17SZ06DFT2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NL17SZ06XV5T2G |
![]() ![]() |
Виробник: ONSEMI
NL17SZ06XV5T2G Gates, inverters
NL17SZ06XV5T2G Gates, inverters
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.