Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142640) > Сторінка 1839 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1844 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NC7SZ10L6X NC7SZ10L6X ONSEMI NC7SZ10-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZ10L6X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 3 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ10
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ10
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G S2SC4617G ONSEMI 2sc4617-d.pdf Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.91 грн
58+15.07 грн
114+7.65 грн
500+6.60 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G S2SC4617G ONSEMI 2sc4617-d.pdf Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.60 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT ONSEMI 3005710.pdf Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI 1911610.pdf Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+14.11 грн
93+9.41 грн
100+9.06 грн
500+8.09 грн
1000+7.17 грн
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI 1911610.pdf Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.06 грн
500+8.09 грн
1000+7.17 грн
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351HT1G SZESD8351HT1G ONSEMI esd8351-d.pdf Description: ONSEMI - SZESD8351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.80 грн
26+34.57 грн
100+23.51 грн
500+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7272LT1G SZESD7272LT1G ONSEMI 2711342.pdf Description: ONSEMI - SZESD7272LT1G - ESD-Schutzbaustein, 34 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+24.12 грн
56+15.59 грн
107+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351XV2T1G SZESD8351XV2T1G ONSEMI ONSM-S-A0017602980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: SZESD8351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.27 грн
34+25.69 грн
100+10.71 грн
500+8.17 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080VI-GT3 CAT25080VI-GT3 ONSEMI cat25080-d.pdf Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+25.60 грн
50+22.73 грн
100+21.68 грн
500+19.73 грн
1500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-10-GT3 CAT5113VI-10-GT3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 10kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.14 грн
10+193.34 грн
25+179.40 грн
50+161.74 грн
100+134.36 грн
250+127.65 грн
500+123.91 грн
1000+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06C NVBLS0D7N06C ONSEMI nvbls0d7n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC709204FXE-01TBG LC709204FXE-01TBG ONSEMI 2913002.pdf Description: ONSEMI - LC709204FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen, Li-Pol, 2.5V-5V Versorgungsspannung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-10
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+275.20 грн
10+181.14 грн
50+168.08 грн
100+135.86 грн
250+117.20 грн
500+105.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LC709209FXE-01TBG LC709209FXE-01TBG ONSEMI 3791028.pdf Description: ONSEMI - LC709209FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen-/Li-Polymer-Akku, 2.5V-5V Versorgung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.36 грн
10+151.53 грн
50+138.47 грн
100+115.64 грн
250+95.55 грн
500+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP715SQ33T2G NCP715SQ33T2G ONSEMI ncp715-d.pdf Description: ONSEMI - NCP715SQ33T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24Vin, 230mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.95 грн
17+52.25 грн
100+33.70 грн
500+29.84 грн
1000+25.23 грн
2500+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630 ONSEMI FQPF630-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF3860T FDPF3860T ONSEMI 2304643.pdf Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.76 грн
14+63.40 грн
100+57.91 грн
500+49.98 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Description: ONSEMI - FDPF390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.14 грн
10+99.28 грн
100+87.96 грн
500+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N20FT FDPF18N20FT ONSEMI 2907322.pdf Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.79 грн
10+111.47 грн
100+86.22 грн
500+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF190N15A FDPF190N15A ONSEMI ONSM-S-A0003585533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.11 грн
10+121.05 грн
100+118.44 грн
500+109.17 грн
1000+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10A FDPF045N10A ONSEMI 2859356.pdf Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.48 грн
10+215.98 грн
100+201.17 грн
500+169.01 грн
1000+153.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UT FDPF10N50UT ONSEMI ONSM-S-A0003584391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.25 грн
23+38.32 грн
100+31.44 грн
500+28.55 грн
3000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.44 грн
500+28.55 грн
3000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 CAT25080YI-GT3 ONSEMI cat25080-d.pdf Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.67 грн
25+36.05 грн
100+32.92 грн
500+30.49 грн
1000+28.07 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU FQPF8N80CYDTU ONSEMI ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4150 FDLL4150 ONSEMI fdll4150-d.pdf Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.86 грн
65+13.41 грн
100+10.80 грн
500+7.45 грн
1000+5.88 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C13LT1G BZX84C13LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf description Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+9.32 грн
165+5.29 грн
342+2.55 грн
1000+2.14 грн
15000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G SL15T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.48 грн
35+25.34 грн
100+19.59 грн
500+14.23 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G SL15T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.59 грн
500+14.23 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YBU KSA708YBU ONSEMI ksa708-d.pdf FAIRS18252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.05 грн
48+18.29 грн
100+12.19 грн
500+11.00 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YTA KSA708YTA ONSEMI KSA708-D.pdf Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E. 2SD1801S-E. ONSEMI EN2112-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-E. 2SD1802T-E. ONSEMI 2SB1202-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E 2SB1202T-TL-E ONSEMI Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E 2SB1202T-TL-E ONSEMI Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.19 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 FDD8451 ONSEMI 2304015.pdf Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+79.16 грн
14+64.79 грн
100+52.25 грн
500+39.30 грн
1000+29.04 грн
5000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876 FDS8876 ONSEMI FDS8876-D.PDF Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G SA5534ADR2G ONSEMI NE5534-D.PDF Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQ FGAF40S65AQ ONSEMI 2711361.pdf Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.30 грн
10+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AP0200AT2L00XEGA0-DR1 AP0200AT2L00XEGA0-DR1 ONSEMI AP0200AT-D.PDF Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bilder pro Sekunde: 30
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Pixelgröße (H x B): -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+801.21 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8730ASNADJT1G NCV8730ASNADJT1G ONSEMI ncv8730-d.pdf Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.95 грн
18+50.86 грн
50+46.85 грн
100+39.71 грн
250+35.68 грн
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G NCP718BSNADJT1G ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.74 грн
21+42.15 грн
100+27.43 грн
500+22.80 грн
1000+18.89 грн
2500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G NCP718BSNADJT1G ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.43 грн
500+22.80 грн
1000+18.89 грн
2500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C11LT1G BZX84C11LT1G ONSEMI 3759375.pdf Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.17 грн
1000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G NCV33202VDR2G ONSEMI mc33201-d.pdf Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.21 грн
500+16.90 грн
1000+14.93 грн
2500+13.88 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G NCV33202VDR2G ONSEMI mc33201-d.pdf Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.41 грн
31+28.56 грн
100+22.21 грн
500+16.90 грн
1000+14.93 грн
2500+13.88 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FSCQ1265RTYDTU FSCQ1265RTYDTU ONSEMI FSCQ1565RT-D.pdf description Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220
Nennleistung: 140
Anzahl der Pins: 5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -25
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P FDC6310P ONSEMI ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.56 грн
27+32.48 грн
100+23.17 грн
500+19.08 грн
1000+16.65 грн
5000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560BBDWR2G NCP51560BBDWR2G ONSEMI 3791036.pdf Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.71 грн
10+283.91 грн
25+268.23 грн
50+211.87 грн
100+160.49 грн
250+144.82 грн
500+138.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57530DWKR2G NCD57530DWKR2G ONSEMI 3791029.pdf Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.15 грн
10+330.94 грн
25+289.13 грн
50+241.79 грн
100+185.12 грн
250+164.97 грн
500+153.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57540DWKR2G NCV57540DWKR2G ONSEMI 3791029.pdf Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.90 грн
10+258.65 грн
25+223.82 грн
50+190.04 грн
100+158.25 грн
250+144.82 грн
500+141.08 грн
1000+138.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57530DWKR2G NCV57530DWKR2G ONSEMI 3791029.pdf Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+391.90 грн
10+258.65 грн
25+223.82 грн
50+190.04 грн
100+158.25 грн
250+144.82 грн
500+141.08 грн
1000+138.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG ONSEMI nxh450b100h4q2f2-d.pdf Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10763.24 грн
5+10548.13 грн
10+10333.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG ONSEMI nxh450b100h4q2f2-d.pdf Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12201.93 грн
5+11958.09 грн
10+11714.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G ONSEMI BCW30LT1-D.PDF Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215
DC-Stromverstärkung hFE: 215
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GBU6K ONSEMI 2914130.pdf Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.66 грн
14+66.01 грн
100+57.83 грн
500+44.07 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ10L6X NC7SZ10-D.PDF
NC7SZ10L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ10L6X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 3 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ10
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ10
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G 2sc4617-d.pdf
S2SC4617G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.91 грн
58+15.07 грн
114+7.65 грн
500+6.60 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
S2SC4617G 2sc4617-d.pdf
S2SC4617G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.60 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FGHL50T65SQDT 3005710.pdf
FGHL50T65SQDT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G 1911610.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+14.11 грн
93+9.41 грн
100+9.06 грн
500+8.09 грн
1000+7.17 грн
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NSVRB751V40T1G 1911610.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.06 грн
500+8.09 грн
1000+7.17 грн
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351HT1G esd8351-d.pdf
SZESD8351HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.80 грн
26+34.57 грн
100+23.51 грн
500+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7272LT1G 2711342.pdf
SZESD7272LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7272LT1G - ESD-Schutzbaustein, 34 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+24.12 грн
56+15.59 грн
107+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD8351XV2T1G ONSM-S-A0017602980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZESD8351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: SZESD8351
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.27 грн
34+25.69 грн
100+10.71 грн
500+8.17 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080VI-GT3 cat25080-d.pdf
CAT25080VI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+25.60 грн
50+22.73 грн
100+21.68 грн
500+19.73 грн
1500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-10-GT3 cat5113-d.pdf
CAT5113VI-10-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 10kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Single 100-Tap Non-Volatile Digital Pots
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.14 грн
10+193.34 грн
25+179.40 грн
50+161.74 грн
100+134.36 грн
250+127.65 грн
500+123.91 грн
1000+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06C nvbls0d7n06c-d.pdf
NVBLS0D7N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LC709204FXE-01TBG 2913002.pdf
LC709204FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709204FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen, Li-Pol, 2.5V-5V Versorgungsspannung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-10
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+275.20 грн
10+181.14 грн
50+168.08 грн
100+135.86 грн
250+117.20 грн
500+105.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LC709209FXE-01TBG 3791028.pdf
LC709209FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709209FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen-/Li-Polymer-Akku, 2.5V-5V Versorgung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.36 грн
10+151.53 грн
50+138.47 грн
100+115.64 грн
250+95.55 грн
500+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCP715SQ33T2G ncp715-d.pdf
NCP715SQ33T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP715SQ33T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24Vin, 230mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.95 грн
17+52.25 грн
100+33.70 грн
500+29.84 грн
1000+25.23 грн
2500+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF630 FQPF630-D.pdf
FQPF630
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF3860T 2304643.pdf
FDPF3860T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.76 грн
14+63.40 грн
100+57.91 грн
500+49.98 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.14 грн
10+99.28 грн
100+87.96 грн
500+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF18N20FT 2907322.pdf
FDPF18N20FT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.79 грн
10+111.47 грн
100+86.22 грн
500+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF190N15A ONSM-S-A0003585533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF190N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.11 грн
10+121.05 грн
100+118.44 грн
500+109.17 грн
1000+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF045N10A 2859356.pdf
FDPF045N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 3700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.48 грн
10+215.98 грн
100+201.17 грн
500+169.01 грн
1000+153.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF10N50UT ONSM-S-A0003584391-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF10N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+48.25 грн
23+38.32 грн
100+31.44 грн
500+28.55 грн
3000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.44 грн
500+28.55 грн
3000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25080YI-GT3 cat25080-d.pdf
CAT25080YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.67 грн
25+36.05 грн
100+32.92 грн
500+30.49 грн
1000+28.07 грн
2500+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF8N80CYDTU ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF8N80CYDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL4150 fdll4150-d.pdf
FDLL4150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AC
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.86 грн
65+13.41 грн
100+10.80 грн
500+7.45 грн
1000+5.88 грн
5000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C13LT1G description bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C13LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+9.32 грн
165+5.29 грн
342+2.55 грн
1000+2.14 грн
15000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G sl05t1-d.pdf
SL15T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.48 грн
35+25.34 грн
100+19.59 грн
500+14.23 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SL15T1G sl05t1-d.pdf
SL15T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.59 грн
500+14.23 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YBU ksa708-d.pdf FAIRS18252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KSA708YBU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.05 грн
48+18.29 грн
100+12.19 грн
500+11.00 грн
1000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
KSA708YTA KSA708-D.pdf
KSA708YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1801S-E. EN2112-D.PDF
2SD1801S-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1802T-E. 2SB1202-D.PDF
2SD1802T-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E
2SB1202T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-E
2SB1202T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64LT1G 2355036.pdf
BSS64LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.19 грн
1500+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDD8451 2304015.pdf
FDD8451
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8451 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+79.16 грн
14+64.79 грн
100+52.25 грн
500+39.30 грн
1000+29.04 грн
5000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8876 FDS8876-D.PDF
FDS8876
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8876 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SA5534ADR2G NE5534-D.PDF
SA5534ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 13
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40S65AQ 2711361.pdf
FGAF40S65AQ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGAF40S65AQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 94 W, 650 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.30 грн
10+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AP0200AT2L00XEGA0-DR1 AP0200AT-D.PDF
AP0200AT2L00XEGA0-DR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0200AT2L00XEGA0-DR1 - Bildsensor, 30, VFBGA, 100 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Bilder pro Sekunde: 30
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Pixelgröße (H x B): -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Bildfarbe: -
Betriebstemperatur, min.: -
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: VFBGA
Bauform - Sensor: VFBGA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
260+801.21 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8730ASNADJT1G ncv8730-d.pdf
NCV8730ASNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8730ASNADJT1G - LDO-REGLER EINST. 0.15A, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 290mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.95 грн
18+50.86 грн
50+46.85 грн
100+39.71 грн
250+35.68 грн
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G 2711392.pdf
NCP718BSNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+84.74 грн
21+42.15 грн
100+27.43 грн
500+22.80 грн
1000+18.89 грн
2500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BSNADJT1G 2711392.pdf
NCP718BSNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BSNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24V, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgang: Einstellbar
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 24V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TSOT-23
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Ausgangsspannung, max.: 5V
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Dropout-Spannung Vdo: -
Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.43 грн
500+22.80 грн
1000+18.89 грн
2500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C11LT1G 3759375.pdf
BZX84C11LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C11LT1G - Zener-Diode, BZX84C, 11 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.17 грн
1000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G mc33201-d.pdf
NCV33202VDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.21 грн
500+16.90 грн
1000+14.93 грн
2500+13.88 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33202VDR2G mc33201-d.pdf
NCV33202VDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33202VDR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail, 2 Kanäle, 2.2 MHz, 1 V/µs, 1.8V bis 12V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 8mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 80nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.41 грн
31+28.56 грн
100+22.21 грн
500+16.90 грн
1000+14.93 грн
2500+13.88 грн
5000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FSCQ1265RTYDTU description FSCQ1565RT-D.pdf
FSCQ1265RTYDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSCQ1265RTYDTU - AC/DC-Wandler, Flyback, 85V bis 265V AC Eingangsspannung, 140W, TO-220-5
Bauform - AC/DC-Wandler: TO-220
Nennleistung: 140
Anzahl der Pins: 5
AC-Eingangsspannung, max.: 265
Betriebstemperatur, min.: -25
AC-Eingangsspannung, min.: 85
Betriebstemperatur, max.: 85
Topologie: Flyback
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6310P ONSM-S-A0003586539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6310P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6310P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.2 A, 2.2 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.56 грн
27+32.48 грн
100+23.17 грн
500+19.08 грн
1000+16.65 грн
5000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51560BBDWR2G 3791036.pdf
NCP51560BBDWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+352.71 грн
10+283.91 грн
25+268.23 грн
50+211.87 грн
100+160.49 грн
250+144.82 грн
500+138.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57530DWKR2G 3791029.pdf
NCD57530DWKR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+471.15 грн
10+330.94 грн
25+289.13 грн
50+241.79 грн
100+185.12 грн
250+164.97 грн
500+153.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57540DWKR2G 3791029.pdf
NCV57540DWKR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57540DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+391.90 грн
10+258.65 грн
25+223.82 грн
50+190.04 грн
100+158.25 грн
250+144.82 грн
500+141.08 грн
1000+138.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCV57530DWKR2G 3791029.pdf
NCV57530DWKR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV57530DWKR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, IGBT, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6.5A
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+391.90 грн
10+258.65 грн
25+223.82 грн
50+190.04 грн
100+158.25 грн
250+144.82 грн
500+141.08 грн
1000+138.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10763.24 грн
5+10548.13 грн
10+10333.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12201.93 грн
5+11958.09 грн
10+11714.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1-D.PDF
BCW30LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215
DC-Stromverstärkung hFE: 215
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K 2914130.pdf
GBU6K
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBU6K - Brückengleichrichter, Eine Phase, 800 V, 6 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 175A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.66 грн
14+66.01 грн
100+57.83 грн
500+44.07 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1834 1835 1836 1837 1838 1839 1840 1841 1842 1843 1844 1896 2133 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]