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AP0100AT2L00XUGA0-TR AP0100AT2L00XUGA0-TR ONSEMI AP0100AT-D.PDF Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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AP0100AT2L00XUGA0-DR AP0100AT2L00XUGA0-DR ONSEMI AP0100AT-D.PDF Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
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AP0100CS2L00SUGA0-DR AP0100CS2L00SUGA0-DR ONSEMI AP0100CS-D.PDF Description: ONSEMI - AP0100CS2L00SUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
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AP0102AT2L00XPGA0-TR AP0102AT2L00XPGA0-TR ONSEMI AP0102AT-D.PDF Description: ONSEMI - AP0102AT2L00XPGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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AP0101CS2L00SPGA0-DR AP0101CS2L00SPGA0-DR ONSEMI AP0101CS-D.PDF Description: ONSEMI - AP0101CS2L00SPGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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 Мінімальне замовлення: 3840 шт
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2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-E ONSEMI ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2039-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2SA2202-TD-E 2SA2202-TD-E ONSEMI 2sa2202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SA2016-TD-E 2SA2016-TD-E ONSEMI ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP711ASN330T1G NCP711ASN330T1G ONSEMI ncp711-d.pdf Description: ONSEMI - NCP711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP716BCSN500T1G NCP716BCSN500T1G ONSEMI 3213425.pdf Description: ONSEMI - NCP716BCSN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5-24Vin, 600mV Dropout, 5V/0.15Aout, TSOP-5, -40°C bis 125°C
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 600
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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BZX79C5V6.. BZX79C5V6.. ONSEMI 2288150.pdf Description: ONSEMI - BZX79C5V6.. - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 5.6
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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BZX79C5V6TR BZX79C5V6TR ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C5V6TR - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 5.6
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
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ADT7462ACPZ-REEL ADT7462ACPZ-REEL ONSEMI 2355451.pdf Description: ONSEMI - ADT7462ACPZ-REEL - Motortreiber/Motorsteuerung flexible Temperatur PWM 3-/4-Draht-Lüfter 3.3 & 5.5V 4 Ausgänge LFCSP-32
Ausgangsstrom: -
Motortyp: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Treiber: LFCSP
Anzahl der Pins: 32
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTBLS0D7N06C NTBLS0D7N06C ONSEMI 2913016.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SC6017-TL-E 2SC6017-TL-E ONSEMI EN8275-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SC6017-TL-E 2SC6017-TL-E ONSEMI EN8275-D.PDF Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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KSD560YTU KSD560YTU ONSEMI KSD560-D.pdf Description: ONSEMI - KSD560YTU - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
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KSD1692YS KSD1692YS ONSEMI KSD1692-D.pdf Description: ONSEMI - KSD1692YS - NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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 Мінімальне замовлення: 2000 шт
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KSD5041RTA KSD5041RTA ONSEMI KSD5041-D.pdf Description: ONSEMI - KSD5041RTA - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
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KSD526YTU KSD526YTU ONSEMI KSD526-D.pdf Description: ONSEMI - KSD526YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 990 шт
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SZESD5Z12T1G SZESD5Z12T1G ONSEMI ONSM-S-A0006325923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZESD5Z12T1G - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SOD-523, 2 Pin(s), 12 V, 500 mW, ESD5Z Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z Series
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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ESD5Z2.5T1G ESD5Z2.5T1G ONSEMI 1878252.pdf Description: ONSEMI - ESD5Z2.5T1G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-523
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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ESD5Z2.5T1G ESD5Z2.5T1G ONSEMI 1878252.pdf Description: ONSEMI - ESD5Z2.5T1G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-523
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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SZESD5Z12T5G SZESD5Z12T5G ONSEMI ESD5Z2.5T1-D.PDF Description: ONSEMI - SZESD5Z12T5G - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SOD-523, 2 Pin(s), 12 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25
Betriebsspannung: 12
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
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SZESD5Z3.3T1G SZESD5Z3.3T1G ONSEMI 2578379.pdf Description: ONSEMI - SZESD5Z3.3T1G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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ESD5Z2.5T5G ESD5Z2.5T5G ONSEMI ESD5Z2.5T1-D.PDF Description: ONSEMI - ESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
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NCP337FCT2G NCP337FCT2G ONSEMI NCP336-D.PDF Description: ONSEMI - NCP337FCT2G - LOAD SWITCH WITH DISCHARGE PATH, 3 A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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NCV47722PAAJR2G NCV47722PAAJR2G ONSEMI ONSM-S-A0013749985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 350mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV8460ADR2G NCV8460ADR2G ONSEMI 2578405.pdf Description: ONSEMI - NCV8460ADR2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side 1 Ausgang, 36V, 9A, 0.06 Ohm, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.06ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV8460ADR2G NCV8460ADR2G ONSEMI 2578405.pdf Description: ONSEMI - NCV8460ADR2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side 1 Ausgang, 36V, 9A, 0.06 Ohm, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.06ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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BAV70TT1G BAV70TT1G ONSEMI bav70tt1-d.pdf Description: ONSEMI - BAV70TT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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IRLS640A IRLS640A ONSEMI irls640a-d.pdf Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCL30170ADR2G NCL30170ADR2G ONSEMI ncl30170-d.pdf Description: ONSEMI - NCL30170ADR2G - LED-Treiber, AC/DC, Konstantstrom, 20.5V bis 560Vin, 5W bis 300Wout, 4 Ausgänge, SOIC-10
Schaltfrequenz: -
IC-Montage: SMD
Ausgangsspannung, max.: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 560
Bauform - Treiber: SOIC
Bausteintopologie: Konstantstrom
Ausgangsstrom, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 20.5
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NCL30170ADR2G NCL30170ADR2G ONSEMI ncl30170-d.pdf Description: ONSEMI - NCL30170ADR2G - LED-Treiber, AC/DC, Konstantstrom, 20.5V bis 560Vin, 5W bis 300Wout, 4 Ausgänge, SOIC-10
Schaltfrequenz: -
IC-Montage: SMD
Ausgangsspannung, max.: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 560
Bauform - Treiber: SOIC
Bausteintopologie: Konstantstrom
Ausgangsstrom, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 20.5
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NCV4274ADT33RKG NCV4274ADT33RKG ONSEMI 1796569.pdf Description: ONSEMI - NCV4274ADT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 40V, 1.27V Dropout, 3.3Vout, 600mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 600mA
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 600mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 1.27V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV8445DR2G NCV8445DR2G ONSEMI NCV8445-D.PDF Description: ONSEMI - NCV8445DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 36
Eingabeverzögerung: 30
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NCS21874DTBR2G NCS21874DTBR2G ONSEMI 3213431.pdf Description: ONSEMI - NCS21874DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCS21874DTBR2G NCS21874DTBR2G ONSEMI 3213431.pdf Description: ONSEMI - NCS21874DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: WTSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
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NTBGS004N10G NTBGS004N10G ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTBGS004N10G NTBGS004N10G ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 ONSEMI nthl020n120sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ONSEMI 1916161.pdf Description: ONSEMI - NGTB40N120FL2WG - IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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BC847BPDW1T1G BC847BPDW1T1G ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC847BPDW1T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0013184428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 500mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 21520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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FPF2895VUCX FPF2895VUCX ONSEMI FPF2895V-D.PDF Description: ONSEMI - FPF2895VUCX - LEISTUNGSSCHALTER, 22V, -40 BIS 105°C
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.027ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 22V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FPF2895VUCX FPF2895VUCX ONSEMI FPF2895V-D.PDF Description: ONSEMI - FPF2895VUCX - LEISTUNGSSCHALTER, 22V, -40 BIS 105°C
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.027ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 22V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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DF02S. DF02S. ONSEMI 2299462.pdf Description: ONSEMI - DF02S. - DIODE, FULL REEL
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
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DF02S2 DF02S2 ONSEMI DF10S2-D.pdf Description: ONSEMI - DF02S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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DF02S2 DF02S2 ONSEMI DF10S2-D.pdf Description: ONSEMI - DF02S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDD5614P FDD5614P ONSEMI 2298242.pdf Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NGTB75N65FL2WG NGTB75N65FL2WG ONSEMI ngtb75n65fl2w-d.pdf Description: ONSEMI - NGTB75N65FL2WG - IGBT, 100 A, 1.75 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NSVDTA114EET1G NSVDTA114EET1G ONSEMI DTA114E-D.PDF Description: ONSEMI - NSVDTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114EE
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
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QSE159 QSE159 ONSEMI qse159-d.pdf Description: ONSEMI - QSE159 - Fotodiode, verstärkt, 880nm Spitzenempfindlichkeit, SIP-3
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: SIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OPTOLOGIC QSE15X
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Spektrale Empfindlichkeit bei Spitzenwert: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7SZ05P5X NC7SZ05P5X ONSEMI NC7SZ05-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZ05P5X - Inverter, NC7S05, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NC7SZ05L6X NC7SZ05L6X ONSEMI NC7SZ05-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZ05L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ05
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ05
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
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NC7SZ05FHX NC7SZ05FHX ONSEMI NC7SZ05-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZ05FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ05
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ05
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
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BC858BLT3G BC858BLT3G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC858BLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 290
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
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NCP1729SN35T1G NCP1729SN35T1G ONSEMI 2160752.pdf Description: ONSEMI - NCP1729SN35T1G - DC/DC-Spannungswandler, Ladungspumpe, Vout einstellbar, 1.15-5.5Vin, -5.5 bis -1.15V/50mAout, TSOP-6
Ausgang: Einstellbar
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TSOP
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 50
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -1.15
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -5.5
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 1.15
Topologie: Invertierend
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCP1729SN35T1G NCP1729SN35T1G ONSEMI 2160752.pdf Description: ONSEMI - NCP1729SN35T1G - DC/DC-Spannungswandler, Ladungspumpe, Vout einstellbar, 1.15-5.5Vin, -5.5 bis -1.15V/50mAout, TSOP-6
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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AP0100AT2L00XUGA0-TR AP0100AT-D.PDF
AP0100AT2L00XUGA0-TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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AP0100AT2L00XUGA0-DR AP0100AT-D.PDF
AP0100AT2L00XUGA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0100AT2L00XUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
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AP0100CS2L00SUGA0-DR AP0100CS-D.PDF
AP0100CS2L00SUGA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0100CS2L00SUGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
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AP0102AT2L00XPGA0-TR AP0102AT-D.PDF
AP0102AT2L00XPGA0-TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0102AT2L00XPGA0-TR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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AP0101CS2L00SPGA0-DR AP0101CS-D.PDF
AP0101CS2L00SPGA0-DR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AP0101CS2L00SPGA0-DR - IMAGE SIGNAL PROCESSOR, 1 MP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3840 шт
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2SA2039-TL-E ONSMS36384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2039-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2039-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2SA2202-TD-E 2sa2202-d.pdf
2SA2202-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SA2016-TD-E ONSMS36374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2016-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2016-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP711ASN330T1G ncp711-d.pdf
NCP711ASN330T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP711ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.7V bis 18V, 215mV Dropout, 3.3 V/100mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 215mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 215mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP716BCSN500T1G 3213425.pdf
NCP716BCSN500T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP716BCSN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.5-24Vin, 600mV Dropout, 5V/0.15Aout, TSOP-5, -40°C bis 125°C
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 600
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BZX79C5V6.. 2288150.pdf
BZX79C5V6..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C5V6.. - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 5.6
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BZX79C5V6TR ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C5V6TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C5V6TR - Zener-Diode, 5.6 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 5.6
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
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ADT7462ACPZ-REEL 2355451.pdf
ADT7462ACPZ-REEL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ADT7462ACPZ-REEL - Motortreiber/Motorsteuerung flexible Temperatur PWM 3-/4-Draht-Lüfter 3.3 & 5.5V 4 Ausgänge LFCSP-32
Ausgangsstrom: -
Motortyp: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Bauform - Treiber: LFCSP
Anzahl der Pins: 32
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
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NTBLS0D7N06C 2913016.pdf
NTBLS0D7N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SC6017-TL-E EN8275-D.PDF
2SC6017-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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2SC6017-TL-E EN8275-D.PDF
2SC6017-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD560YTU KSD560-D.pdf
KSD560YTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD560YTU - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1692YS KSD1692-D.pdf
KSD1692YS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1692YS - NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
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KSD5041RTA KSD5041-D.pdf
KSD5041RTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD5041RTA - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
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KSD526YTU KSD526-D.pdf
KSD526YTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD526YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 990 шт
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SZESD5Z12T1G ONSM-S-A0006325923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZESD5Z12T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD5Z12T1G - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SOD-523, 2 Pin(s), 12 V, 500 mW, ESD5Z Series
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z Series
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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ESD5Z2.5T1G 1878252.pdf
ESD5Z2.5T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z2.5T1G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-523
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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ESD5Z2.5T1G 1878252.pdf
ESD5Z2.5T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z2.5T1G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOD-523
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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SZESD5Z12T5G ESD5Z2.5T1-D.PDF
SZESD5Z12T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD5Z12T5G - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SOD-523, 2 Pin(s), 12 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25
Betriebsspannung: 12
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
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SZESD5Z3.3T1G 2578379.pdf
SZESD5Z3.3T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD5Z3.3T1G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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ESD5Z2.5T5G ESD5Z2.5T1-D.PDF
ESD5Z2.5T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z2.5T5G - ESD-Schutzbaustein, 10.9 V, SOD-523, 2 Pin(s), 2.5 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10.9
Betriebsspannung: 2.5
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16000 шт
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NCP337FCT2G NCP336-D.PDF
NCP337FCT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP337FCT2G - LOAD SWITCH WITH DISCHARGE PATH, 3 A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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NCV47722PAAJR2G ONSM-S-A0013749985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCV47722PAAJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47722PAAJR2G - POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -40TO150DEG C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 350mA
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSSOP-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV8460ADR2G 2578405.pdf
NCV8460ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8460ADR2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side 1 Ausgang, 36V, 9A, 0.06 Ohm, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.06ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV8460ADR2G 2578405.pdf
NCV8460ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8460ADR2G - Leistungsverteilungsschalter, High-Side 1 Ausgang, 36V, 9A, 0.06 Ohm, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.06ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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BAV70TT1G bav70tt1-d.pdf
BAV70TT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70TT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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IRLS640A irls640a-d.pdf
IRLS640A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCL30170ADR2G ncl30170-d.pdf
NCL30170ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL30170ADR2G - LED-Treiber, AC/DC, Konstantstrom, 20.5V bis 560Vin, 5W bis 300Wout, 4 Ausgänge, SOIC-10
Schaltfrequenz: -
IC-Montage: SMD
Ausgangsspannung, max.: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 560
Bauform - Treiber: SOIC
Bausteintopologie: Konstantstrom
Ausgangsstrom, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 20.5
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NCL30170ADR2G ncl30170-d.pdf
NCL30170ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL30170ADR2G - LED-Treiber, AC/DC, Konstantstrom, 20.5V bis 560Vin, 5W bis 300Wout, 4 Ausgänge, SOIC-10
Schaltfrequenz: -
IC-Montage: SMD
Ausgangsspannung, max.: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 560
Bauform - Treiber: SOIC
Bausteintopologie: Konstantstrom
Ausgangsstrom, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsspannung, min.: 20.5
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NCV4274ADT33RKG 1796569.pdf
NCV4274ADT33RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4274ADT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 40V, 1.27V Dropout, 3.3Vout, 600mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 600mA
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 600mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 1.27V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV8445DR2G NCV8445-D.PDF
NCV8445DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8445DR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 36
Eingabeverzögerung: 30
Ausgabeverzögerung: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NCS21874DTBR2G 3213431.pdf
NCS21874DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCS21874DTBR2G 3213431.pdf
NCS21874DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21874DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.1 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: WTSSOP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.1V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 350kHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
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NTBGS004N10G ntbgs004n10g-d.pdf
NTBGS004N10G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTBGS004N10G ntbgs004n10g-d.pdf
NTBGS004N10G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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NTHL020N120SC1 nthl020n120sc1-d.pdf
NTHL020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFD4D0N04HLTWG nttfd4d0n04hl-d.pdf
NTTFD4D0N04HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NGTB40N120FL2WG 1916161.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N120FL2WG - IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 535
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
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BC847BPDW1T1G 2140520.pdf
BC847BPDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDW1T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BC847BPDXV6T1G ONSM-S-A0013184428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847BPDXV6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 500mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
на замовлення 21520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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FPF2895VUCX FPF2895V-D.PDF
FPF2895VUCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2895VUCX - LEISTUNGSSCHALTER, 22V, -40 BIS 105°C
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.027ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 22V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FPF2895VUCX FPF2895V-D.PDF
FPF2895VUCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPF2895VUCX - LEISTUNGSSCHALTER, 22V, -40 BIS 105°C
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.027ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 22V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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DF02S. 2299462.pdf
DF02S.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF02S. - DIODE, FULL REEL
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: DIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
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DF02S2 DF10S2-D.pdf
DF02S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF02S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Anzahl der Pins: 4
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchlassspannung, max.: 1.1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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DF02S2 DF10S2-D.pdf
DF02S2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF02S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDD5614P 2298242.pdf
FDD5614P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NGTB75N65FL2WG ngtb75n65fl2w-d.pdf
NGTB75N65FL2WG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB75N65FL2WG - IGBT, 100 A, 1.75 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NSVDTA114EET1G DTA114E-D.PDF
NSVDTA114EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVDTA114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA114EE
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
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QSE159 qse159-d.pdf
QSE159
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE159 - Fotodiode, verstärkt, 880nm Spitzenempfindlichkeit, SIP-3
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: SIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880nm
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OPTOLOGIC QSE15X
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Spektrale Empfindlichkeit bei Spitzenwert: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NC7SZ05P5X NC7SZ05-D.PDF
NC7SZ05P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ05P5X - Inverter, NC7S05, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ05L6X NC7SZ05-D.PDF
NC7SZ05L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ05L6X - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ05
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ05
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ05FHX NC7SZ05-D.PDF
NC7SZ05FHX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ05FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ05
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ05
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BLT3G BC856ALT1-D.PDF
BC858BLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 290
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1729SN35T1G 2160752.pdf
NCP1729SN35T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1729SN35T1G - DC/DC-Spannungswandler, Ladungspumpe, Vout einstellbar, 1.15-5.5Vin, -5.5 bis -1.15V/50mAout, TSOP-6
Ausgang: Einstellbar
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TSOP
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 50
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -1.15
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -5.5
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 1.15
Topologie: Invertierend
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCP1729SN35T1G 2160752.pdf
NCP1729SN35T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1729SN35T1G - DC/DC-Spannungswandler, Ladungspumpe, Vout einstellbar, 1.15-5.5Vin, -5.5 bis -1.15V/50mAout, TSOP-6
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
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