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Доступність |
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NCP139AFCT110T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP139AFCT110T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP139AFCT120T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP139AFCT120T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 158929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP139AFCT05ADJT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP139AFCT05ADJT2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 153829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP139AFCTC110T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP139AFCTC110T2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NCP139AFCT06ADJT2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP139AFCT06ADJT2G - LDO VOLTAGE REGULATORStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BVSS138LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 38943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRD1045T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD1045T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 840 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 840mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD1 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMB5927BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5927BT3G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 21190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMB5927BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5927BT3G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 12V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 22060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTK3142PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3142PT1G - NTK3142PT1G, SINGLE MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 20206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NTK3043NT1H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3043NT1H - NTK3043N - NFET SOT723 20V 285MA 3.5tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NTK3134NT1H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTK3134NT1H - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 47113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SN74LS11ML1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SN74LS11ML1 - 74LS11 - TRPL 3-I ANDtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NXH50M65L4C2SG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIPtariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: DIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 50A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: - productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURS360T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURS360T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.28 V, 75 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.28V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURS3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 19739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDU8870 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDU8870 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 65675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDU8896 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDU8896 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 116991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDU8880 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDU8880 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 339186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDU8876 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDU8876 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDU8878 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDU8878 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 48769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDU8874 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDU8874 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRA130LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRA130LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 410 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 410mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 42222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTD25P03LT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTD25P03LT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 9676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5257BT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMSZ5257BT1G - Zener-Diode, 33 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 33V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDG6306P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC79M05BDTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC79M05BDTG - LDO-Festspannungsregler, 7905, -35V bis -10V, 1.1V Dropout, -5Vout, 500mAout, TO-220-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TO-220 Nennausgangsspannung: -5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: -10V euEccn: NLR Polarität: Negativer Ausgang Eingangsspannung, min.: -35V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -5V 500mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: -5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC79L05ACDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC79L05ACDR2G - Linearer Festspannungsregler, 7905, -30V bis -10Vin, -5V und 0.1Aout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: -5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: 0°C Eingangsspannung, max.: -10V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Eingangsspannung, min.: -30V Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 7905 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: -5V productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD5Z5.0T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 200 mW, ESD5ZtariffCode: 85361010 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, max.: 6.2V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Sperrspannung: 5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 174W Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.6V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD5Z productTraceability: No Klemmspannung, max.: 11.6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 67997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD5Z5.0T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 200 mW, ESD5ZtariffCode: 85361010 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, max.: 6.2V isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Sperrspannung: 5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 174W Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.6V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD5Z productTraceability: No Klemmspannung, max.: 11.6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 67997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS9933BZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9933BZ - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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FDS9933 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9933 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDS9412 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9412 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 116238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMA5919BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5919BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5913BT3 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 29184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMA5919BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMA5919BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5913BT3 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 29184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74VHC273MTCX | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 74VHC273MTCX - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74VHC273, D, 7.3 ns, 165 MHz, 8 mA, TSSOPtariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 74273 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74VHC Bauform - Logikbaustein: TSSOP IC-Ausgang: Nicht invertiert hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 8mA Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz: 165MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74VHC273 euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 7.3ns Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5819G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5819G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 600 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5819 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5818RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5818RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 550 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5818 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDN336P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FAM65CR51ADZ2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 VtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTH4L075N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVHL075N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRFM210BTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRFM210BTF - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 7025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRFM220BTF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRFM220BTF - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 49910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD9101P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 37233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZESD9101P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD9101P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 37233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZESD9101P2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NDC631N | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC631N - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 13785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTD360N80S3Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTD360N80S3Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC74VHC1G00DBVT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74VHC1G00DBVT1G - GATES & INVERTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FQB3N30TM | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB3N30TM - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDB5690 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 21703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817-16LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 63035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TL431BIDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TL431BIDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.4% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MC74F85M | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74F85M - 4-BIT MAGNITUDE COMPtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MBRD340T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRD3 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MUR4100ERLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR4100ERLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 4 A, Einfach, 1.85 V, 75 ns, 70 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.85V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 24658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTS4101PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV euEccn: NLR Verlustleistung: 329mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCP139AFCT110T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP139AFCT110T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP139AFCT110T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.38 грн |
| NCP139AFCT120T2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP139AFCT120T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP139AFCT120T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 158929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.38 грн |
| NCP139AFCT05ADJT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP139AFCT05ADJT2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP139AFCT05ADJT2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 22.38 грн |
| NCP139AFCTC110T2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP139AFCTC110T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP139AFCTC110T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NCP139AFCT06ADJT2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP139AFCT06ADJT2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP139AFCT06ADJT2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BVSS138LT1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 23.78 грн |
| 65+ | 13.50 грн |
| 113+ | 7.74 грн |
| 500+ | 6.32 грн |
| 1000+ | 4.82 грн |
| 5000+ | 3.28 грн |
| MBRD1045T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD1045T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 840 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 840mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD1045T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 840 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 840mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 89.70 грн |
| 50+ | 59.66 грн |
| 100+ | 48.77 грн |
| 500+ | 36.47 грн |
| 1000+ | 30.68 грн |
| 1SMB5927BT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5927BT3G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SMB5927BT3G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 21190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.26 грн |
| 51+ | 17.16 грн |
| 100+ | 10.45 грн |
| 500+ | 8.90 грн |
| 1000+ | 7.84 грн |
| 1SMB5927BT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5927BT3G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SMB5927BT3G - Zener-Diode, Universal, 12 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.45 грн |
| 500+ | 8.90 грн |
| 1000+ | 7.84 грн |
| NTK3142PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3142PT1G - NTK3142PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTK3142PT1G - NTK3142PT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 8.97 грн |
| NTK3043NT1H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3043NT1H - NTK3043N - NFET SOT723 20V 285MA 3.5
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTK3043NT1H - NTK3043N - NFET SOT723 20V 285MA 3.5
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.97 грн |
| NTK3134NT1H |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3134NT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTK3134NT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 47113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 6.97 грн |
| SN74LS11ML1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SN74LS11ML1 - 74LS11 - TRPL 3-I AND
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SN74LS11ML1 - 74LS11 - TRPL 3-I AND
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 8.88 грн |
| NXH50M65L4C2SG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4818.59 грн |
| 5+ | 4721.92 грн |
| MURS360T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS360T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.28 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.28V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MURS360T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.28 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.28V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 19739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.00 грн |
| 500+ | 21.59 грн |
| 1000+ | 18.14 грн |
| FDU8870 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU8870 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDU8870 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 65675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 369+ | 78.81 грн |
| FDU8896 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU8896 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDU8896 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 116991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 501+ | 66.71 грн |
| FDU8880 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU8880 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDU8880 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 339186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 729+ | 40.23 грн |
| FDU8876 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU8876 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDU8876 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 605+ | 48.25 грн |
| FDU8878 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU8878 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDU8878 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 48769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1106+ | 26.56 грн |
| FDU8874 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU8874 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDU8874 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 439+ | 65.93 грн |
| MBRA130LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRA130LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 410 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 410mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRA130LT3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 410 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 410mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 42222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 29.78 грн |
| 50+ | 18.29 грн |
| 250+ | 16.20 грн |
| 1000+ | 8.98 грн |
| 3000+ | 8.14 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.57 грн |
| 50+ | 72.54 грн |
| 100+ | 50.60 грн |
| 500+ | 39.87 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.60 грн |
| 500+ | 39.87 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
| MMSZ5257BT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5257BT1G - Zener-Diode, 33 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMSZ5257BT1G - Zener-Diode, 33 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.26 грн |
| 1000+ | 1.57 грн |
| 5000+ | 1.34 грн |
| FDG6306P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 35.53 грн |
| 500+ | 24.75 грн |
| 3000+ | 12.91 грн |
| 9000+ | 12.09 грн |
| 24000+ | 12.02 грн |
| 45000+ | 11.94 грн |
| MC79M05BDTG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC79M05BDTG - LDO-Festspannungsregler, 7905, -35V bis -10V, 1.1V Dropout, -5Vout, 500mAout, TO-220-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -10V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -35V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC79M05BDTG - LDO-Festspannungsregler, 7905, -35V bis -10V, 1.1V Dropout, -5Vout, 500mAout, TO-220-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -10V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -35V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -5V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.1V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 48.51 грн |
| 26+ | 34.49 грн |
| 100+ | 24.91 грн |
| 500+ | 22.89 грн |
| 1000+ | 18.29 грн |
| MC79L05ACDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC79L05ACDR2G - Linearer Festspannungsregler, 7905, -30V bis -10Vin, -5V und 0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: -10V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -30V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7905 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC79L05ACDR2G - Linearer Festspannungsregler, 7905, -30V bis -10Vin, -5V und 0.1Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: -10V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: -30V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 7905 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.41 грн |
| 500+ | 9.14 грн |
| 1000+ | 7.91 грн |
| 5000+ | 7.54 грн |
| ESD5Z5.0T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 200 mW, ESD5Z
tariffCode: 85361010
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, max.: 6.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 174W
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.6V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: 11.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 200 mW, ESD5Z
tariffCode: 85361010
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, max.: 6.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 174W
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.6V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: 11.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 67+ | 13.06 грн |
| 103+ | 8.53 грн |
| 165+ | 5.30 грн |
| 500+ | 4.61 грн |
| 1500+ | 3.43 грн |
| ESD5Z5.0T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 200 mW, ESD5Z
tariffCode: 85361010
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, max.: 6.2V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 174W
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.6V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: 11.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 200 mW, ESD5Z
tariffCode: 85361010
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, max.: 6.2V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 174W
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.6V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: 11.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 67997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.61 грн |
| 1500+ | 3.43 грн |
| FDS9933BZ |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9933BZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS9933BZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FDS9933 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9933 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS9933 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 916+ | 31.35 грн |
| FDS9412 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9412 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS9412 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 116238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1336+ | 21.68 грн |
| 1SMA5919BT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5919BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SMA5919BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 29184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.26 грн |
| 50+ | 22.73 грн |
| 250+ | 13.76 грн |
| 1000+ | 7.90 грн |
| 3000+ | 7.22 грн |
| 1SMA5919BT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5919BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SMA5919BT3G - Zener-Diode, Universal, 5.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 29184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.73 грн |
| 250+ | 13.76 грн |
| 1000+ | 7.90 грн |
| 3000+ | 7.22 грн |
| 74VHC273MTCX |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74VHC273MTCX - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74VHC273, D, 7.3 ns, 165 MHz, 8 mA, TSSOP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 165MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74VHC273
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 7.3ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 74VHC273MTCX - Flipflop, nicht invertiert, positive Taktflanke, 74VHC273, D, 7.3 ns, 165 MHz, 8 mA, TSSOP
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 74273
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
IC-Ausgang: Nicht invertiert
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz: 165MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74VHC273
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 7.3ns
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 36.49 грн |
| 500+ | 30.24 грн |
| 1N5819G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5819G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5819
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5819G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5819
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 19.25 грн |
| 59+ | 14.89 грн |
| 100+ | 13.24 грн |
| 500+ | 10.84 грн |
| 1000+ | 9.33 грн |
| 1N5818RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5818RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5818
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5818RLG - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5818
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 13.59 грн |
| 72+ | 12.11 грн |
| 100+ | 11.41 грн |
| 500+ | 9.06 грн |
| 1000+ | 7.46 грн |
| FDN336P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.97 грн |
| FAM65CR51ADZ2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FAM65CR51ADZ2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.044 ohm, 10 V, 5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2297.39 грн |
| 5+ | 2163.27 грн |
| 10+ | 2030.03 грн |
| 50+ | 1760.49 грн |
| NTH4L075N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTH4L075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 507.72 грн |
| 5+ | 432.83 грн |
| 10+ | 357.93 грн |
| 50+ | 325.90 грн |
| 100+ | 294.86 грн |
| NVHL075N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVHL075N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.085 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 990.19 грн |
| 5+ | 957.10 грн |
| 10+ | 923.14 грн |
| 50+ | 591.95 грн |
| 100+ | 524.77 грн |
| 250+ | 502.37 грн |
| IRFM210BTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFM210BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - IRFM210BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1233+ | 27.08 грн |
| IRFM220BTF |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFM220BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - IRFM220BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1145+ | 29.17 грн |
| ESD9101P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 37233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 18.99 грн |
| 68+ | 12.98 грн |
| 160+ | 5.44 грн |
| 500+ | 4.82 грн |
| 1000+ | 4.23 грн |
| 5000+ | 3.34 грн |
| SZESD9101P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 23.69 грн |
| 59+ | 14.89 грн |
| 123+ | 7.12 грн |
| 500+ | 6.37 грн |
| 1000+ | 5.53 грн |
| 5000+ | 5.02 грн |
| ESD9101P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - ESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 7 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 7V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 37233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.82 грн |
| 1000+ | 4.23 грн |
| 5000+ | 3.34 грн |
| SZESD9101P2T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - SZESD9101P2T5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 5 V, SOD-923, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.57 грн |
| 1000+ | 5.67 грн |
| 5000+ | 5.45 грн |
| NDC631N |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDC631N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NDC631N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2004+ | 14.46 грн |
| NTD360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 207.27 грн |
| 10+ | 143.70 грн |
| 100+ | 105.38 грн |
| 500+ | 93.81 грн |
| 1000+ | 78.38 грн |
| NTD360N80S3Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 105.38 грн |
| 500+ | 93.81 грн |
| 1000+ | 78.38 грн |
| MC74VHC1G00DBVT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC1G00DBVT1G - GATES & INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MC74VHC1G00DBVT1G - GATES & INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12000+ | 3.74 грн |
| FQB3N30TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB3N30TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FQB3N30TM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 822+ | 35.36 грн |
| FDB5690 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - FDB5690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 21703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 140.21 грн |
| BC817-16LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BC817-16LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.90 грн |
| 1500+ | 2.31 грн |
| TL431BIDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL431BIDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TL431BIDR2G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.495V bis 36V, 0.4% Ref, ± 50ppm/°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.4%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.79 грн |
| 40+ | 22.21 грн |
| 100+ | 17.24 грн |
| 500+ | 14.31 грн |
| 1000+ | 12.91 грн |
| MC74F85M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74F85M - 4-BIT MAGNITUDE COMP
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74F85M - 4-BIT MAGNITUDE COMP
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 526+ | 56.17 грн |
| MBRD340T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MBRD340T4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD3
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 70.89 грн |
| 50+ | 53.21 грн |
| 100+ | 42.67 грн |
| 500+ | 30.81 грн |
| 1000+ | 26.35 грн |
| MUR4100ERLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR4100ERLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 4 A, Einfach, 1.85 V, 75 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MUR4100ERLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 4 A, Einfach, 1.85 V, 75 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 77.33 грн |
| 18+ | 50.51 грн |
| 100+ | 42.41 грн |
| 500+ | 31.05 грн |
| 1000+ | 26.43 грн |
| 5000+ | 22.17 грн |
| NTS4101PT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.59 грн |

























