Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147642) > Сторінка 2195 з 2461

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGP10G RGP10G ONSEMI ONSM-S-A0003589244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RGP10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192 ONSEMI ONSM-S-A0013307594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Q32M210F08ALNA ONSEMI ONSMS19418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - Q32M210F08ALNA - Q32M210F08ALNA, MICROCONTROLLERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G NSVBC848CLT1G ONSEMI 2907296.pdf Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXC3245DTG MC74LVXC3245DTG ONSEMI 1917345.pdf Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTG - Transceiver, nicht invertierend, 74LVXC3245, 2.3V bis 3.6V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 743245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXC3245DTRG MC74LVXC3245DTRG ONSEMI ONSMS20514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTRG - TRANSCEIVER, OCTAL, 3-STATE, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 743245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVXC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3278TMX FAN3278TMX ONSEMI 2298658.pdf Description: ONSEMI - FAN3278TMX - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 8V-27V Versorgung, 1.5Aout Spitze, 70ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 27V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1377PG NCP1377PG ONSEMI ONSM-S-A0013299514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1377PG - NCP1377PG, IC'S
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FNB34060T FNB34060T ONSEMI fnb34060t-d.pdf Description: ONSEMI - FNB34060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415000
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 40A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSB564AYTA ONSEMI FAIRS17856-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSB564AYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSB564ACYBU ONSEMI FAIRS17856-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 92534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSB564ACYTA ONSEMI FAIRS17856-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1624092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPS6651G ONSEMI ONSM-S-A0013298890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MPS6651G - MPS6651G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLT1G MMBZ27VCLT1G ONSEMI mmbz15vdlt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBZ27VCLT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 25.65V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 28.35V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 22V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38V
на замовлення 18060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA143TM3T5G ONSEMI ONSM-S-A0002809028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTA143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1011000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G ONSEMI 2571970.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G ONSEMI 2571970.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF45N45TTU ONSEMI FAIRS27788-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF45N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF30N30TDTU ONSEMI FAIRS25657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF50N30TTU ONSEMI FAIRS26080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF50N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF90N30 ONSEMI FAIRS24361-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF90N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF120N30TU ONSEMI FAIRS25256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF70N30TTU ONSEMI FAIRS24765-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF30N30 ONSEMI FAIRS24301-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF70N30TDTU ONSEMI FAIRS24841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF70N33BTTU ONSEMI FAIRS27484-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF70N33BTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60LSDTU ONSEMI FAIRS25183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF7N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF30N45TTU ONSEMI FAIRS27787-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF30N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF30N30TTU ONSEMI FAIRS25662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMT10002T3 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SMT10002T3 - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FLS2100A ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - FLS2100A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EM3T5G ONSEMI ONSM-S-A0005578147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4264-2CST33T3G NCV4264-2CST33T3G ONSEMI 2578400.pdf Description: ONSEMI - NCV4264-2CST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45V, 230mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4264-2ST33T3G NCV4264-2ST33T3G ONSEMI ncv4264-2-d.pdf Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 6842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4264-2ST33T3G NCV4264-2ST33T3G ONSEMI ncv4264-2-d.pdf Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 6842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD835LG MBRD835LG ONSEMI 2353974.pdf Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 75A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pins
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 510mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG LC709205FXE-01TBG ONSEMI 4015554.pdf Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG LC709205FXE-01TBG ONSEMI 4015554.pdf Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG NVMYS025N06CLTWG ONSEMI nvmys025n06cl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWG NVMYS021N06CLTWG ONSEMI 2850042.pdf Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CLTWG ONSEMI 4127833.pdf Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CLTWG ONSEMI 4127833.pdf Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG ONSEMI 2850037.pdf Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG NVMYS025N06CLTWG ONSEMI 2850043.pdf Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWG NVMYS021N06CLTWG ONSEMI 2850042.pdf Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWG NVMYS010N04CLTWG ONSEMI 2850039.pdf Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWG NVMYS010N04CLTWG ONSEMI 2850039.pdf Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG ONSEMI 2850037.pdf Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N458ATR 1N458ATR ONSEMI FAIRS30342-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 1N458ATR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 278843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS2MA NRVUS2MA ONSEMI 2907051.pdf Description: ONSEMI - NRVUS2MA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5661MN12T2G ONSEMI ONSM-S-A0013302598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP5661MN12T2G - IC, LDO, 1A 1.2V, SMD, DFN-6, 5661
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5661MNADJT2G ONSEMI ONSM-S-A0013302598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP5661MNADJT2G - IC, LDO, 1A ADJ, SMD, DFN-6, 5661
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ5245BLT1G SZMMBZ5245BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010595334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
на замовлення 85010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ5245BLT1G SZMMBZ5245BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010595334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
на замовлення 85010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013180166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74F240SC 74F240SC ONSEMI FAIRS24873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 74F240SC - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 712 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74F240SCX 74F240SCX ONSEMI FAIRS24873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 74F240SCX - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117G MJD117G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD117T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10G ONSM-S-A0003589244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RGP10G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RGP10G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192 ONSM-S-A0013307594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Q32M210F08ALNA ONSMS19418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - Q32M210F08ALNA - Q32M210F08ALNA, MICROCONTROLLERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBC848CLT1G 2907296.pdf
NSVBC848CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXC3245DTG 1917345.pdf
MC74LVXC3245DTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTG - Transceiver, nicht invertierend, 74LVXC3245, 2.3V bis 3.6V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 743245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC74LVXC3245DTRG ONSMS20514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74LVXC3245DTRG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74LVXC3245DTRG - TRANSCEIVER, OCTAL, 3-STATE, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 743245
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74LVXC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LVXC3245
euEccn: NLR
Logikbaustein: Transceiver
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FAN3278TMX 2298658.pdf
FAN3278TMX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN3278TMX - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 8V-27V Versorgung, 1.5Aout Spitze, 70ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 27V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1377PG ONSM-S-A0013299514-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1377PG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1377PG - NCP1377PG, IC'S
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FNB34060T fnb34060t-d.pdf
FNB34060T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB34060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2500 Vrms, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85415000
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2500Vrms
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 40A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSB564AYTA FAIRS17856-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB564AYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSB564ACYBU FAIRS17856-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 92534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSB564ACYTA FAIRS17856-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1624092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPS6651G ONSM-S-A0013298890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MPS6651G - MPS6651G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ27VCLT1G mmbz15vdlt1-d.pdf
MMBZ27VCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ27VCLT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 25.65V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 28.35V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 22V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38V
на замовлення 18060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA143TM3T5G ONSM-S-A0002809028-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1011000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G 2571970.pdf
NVMFS6H818NWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G 2571970.pdf
NVMFS6H818NWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF45N45TTU FAIRS27788-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF45N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF30N30TDTU FAIRS25657-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF50N30TTU FAIRS26080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF50N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF90N30 FAIRS24361-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF90N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF120N30TU FAIRS25256-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF70N30TTU FAIRS24765-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF30N30 FAIRS24301-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF70N30TDTU FAIRS24841-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF70N33BTTU FAIRS27484-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N33BTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF7N60LSDTU FAIRS25183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF7N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF30N45TTU FAIRS27787-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGPF30N30TTU FAIRS25662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMT10002T3 nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMT10002T3 - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FLS2100A nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FLS2100A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114EM3T5G ONSM-S-A0005578147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 16000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4264-2CST33T3G 2578400.pdf
NCV4264-2CST33T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2CST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45V, 230mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4264-2ST33T3G ncv4264-2-d.pdf
NCV4264-2ST33T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 6842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCV4264-2ST33T3G ncv4264-2-d.pdf
NCV4264-2ST33T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.266V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.266V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 6842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD835LG 2353974.pdf
MBRD835LG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 75A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pins
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 510mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG 4015554.pdf
LC709205FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG 4015554.pdf
LC709205FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG nvmys025n06cl-d.pdf
NVMYS025N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWG 2850042.pdf
NVMYS021N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS014N06CLTWG 4127833.pdf
NTMYS014N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS014N06CLTWG 4127833.pdf
NTMYS014N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG 2850037.pdf
NVMJS1D5N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG 2850043.pdf
NVMYS025N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWG 2850042.pdf
NVMYS021N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWG 2850039.pdf
NVMYS010N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS010N04CLTWG 2850039.pdf
NVMYS010N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG 2850037.pdf
NVMJS1D5N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N458ATR FAIRS30342-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1N458ATR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N458ATR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 278843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVUS2MA 2907051.pdf
NRVUS2MA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS2MA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5661MN12T2G ONSM-S-A0013302598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5661MN12T2G - IC, LDO, 1A 1.2V, SMD, DFN-6, 5661
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5661MNADJT2G ONSM-S-A0013302598-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5661MNADJT2G - IC, LDO, 1A ADJ, SMD, DFN-6, 5661
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ5245BLT1G ONSM-S-A0010595334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZMMBZ5245BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
на замовлення 85010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZMMBZ5245BLT1G ONSM-S-A0010595334-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZMMBZ5245BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
на замовлення 85010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652-F085 ONSM-S-A0013180166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74F240SC FAIRS24873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74F240SC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74F240SC - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 712 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74F240SCX FAIRS24873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74F240SCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74F240SCX - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 890 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117G MJD112-D.PDF
MJD117G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G MJD112-D.PDF
MJD117T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.