Продукція > PANJIT > Всі товари виробника PANJIT (23180) > Сторінка 384 з 387

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BZX84C2V4TW_R1_00001 BZX84C2V4TW_R1_00001 PanJit BZX84C2V4TW_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 2.4V; SMD; SOT363; triple independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT363
Semiconductor structure: triple independent
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V4W_R1_00001 BZX84C2V4W_R1_00001 PanJit BZX84C2V4W_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 2.4V; SMD; SOT323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE250A_AY_00001 PanJit Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 237÷263V; 4.5A; unidirectional; DO201AE; 1.5KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 214V
Breakdown voltage: 237...263V
Max. forward impulse current: 4.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201AE
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: 1.5KE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ54A-AU_R1_000A1 P4SMAJ54A-AU_R1_000A1 PanJit P4SMAJ-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ54A_R1_00001 P4SMAJ54A_R1_00001 PanJit Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA6.8A_R1_00001 P4SMA6.8A_R1_00001 PanJit Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 6.45÷7.14V; 40A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.45...7.14V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMA
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA6.8CA_R1_00001 P4SMA6.8CA_R1_00001 PanJit Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 6.45÷7.14V; 40A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.45...7.14V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 2mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMA
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB100A_R1_00001 P6SMB100A_R1_00001 PanJit P6SMB_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 95÷105V; 4.4A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 95...105V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6/5.4nC
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.31 грн
23+18.40 грн
100+13.97 грн
131+7.15 грн
360+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE16A_R2_00001 P4KE16A_R2_00001 PanJit P4KE_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 15.2÷16.8V; 19A; unidirectional; DO41; P4KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 13.6V
Breakdown voltage: 15.2...16.8V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO41
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P4KE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM608_R2_00301 PanJit Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 6A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPNTB6_S1_00701 BC847BPNTB6_S1_00701 PanJit Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT563
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPN-AU_R1_000A1 BC847BPN-AU_R1_000A1 PanJit BC847BPN-AU.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT363
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPNTB6_R1_00701 BC847BPNTB6_R1_00701 PanJit BC847BPNTB6 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT563
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPNTB6_R2_00701 BC847BPNTB6_R2_00701 PanJit Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT563
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQE070N08LS2_R2_00601 PanJit PSMQE070N08LS2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.8A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Drain current: 63.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C2V4-AU_R1_000A1 BZX584C2V4-AU_R1_000A1 PanJit BZX584C2V4-AU_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 2.4V; SMD; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD523
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C30-AU_R1_000A1 BZX84C30-AU_R1_000A1 PanJit BZX84C2V4-AU_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 410mW; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.41W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C30_R1_00501 BZX84C30_R1_00501 PanJit BZX84C2V4_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 410mW; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.41W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM808LL_R2_00301 PanJit Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 8A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM408_R2_00301 PanJit Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 4A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM410_R2_00301 PanJit Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 4A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM610_R2_00301 PanJit Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 6A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM808_R2_00301 PanJit Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 8A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ10A_R1_00001 P4SMAJ10A_R1_00001 PanJit Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 11.1÷12.3V; 23.5A; unidirectional; SMA; P4SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847C_R1_00001 BC847C_R1_00001 PanJit BC846X_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.73 грн
60+6.90 грн
130+3.17 грн
250+1.72 грн
500+1.54 грн
738+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW_R1_00001 BC847CW_R1_00001 PanJit BC846AW_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847C-AU_R1_000A1 BC847C-AU_R1_000A1 PanJit BC846X-AU_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; SOT23; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS417TM_R1_00001 1SS417TM_R1_00001 PanJit 1SS417TM.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD923; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 100mW
Case: SOD923
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 0.62V
Power dissipation: 0.1W
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 31926 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.13 грн
57+7.31 грн
129+3.20 грн
250+2.54 грн
471+2.00 грн
1294+1.89 грн
24000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZMM55-B24_R1_10001 ZMM55-B24_R1_10001 PanJit Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 24V; SMD; LL34,MiniMELF; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: LL34; MiniMELF
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ51CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ51CA-AU_R1_000A1 PanJit P6SMBJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 56.7÷62.7V; 7.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 7.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ51CA_R1_00001 P6SMBJ51CA_R1_00001 PanJit P6SMBJ_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 56.7÷62.7V; 7.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 7.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ22CA-AU_R1_000A1 3.0SMCJ22CA-AU_R1_000A1 PanJit 3.0SMCJ10A-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 24.4÷28V; 84.4A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 24.4...28V
Max. forward impulse current: 84.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ22CA-AU_R1_000A1 1.5SMCJ22CA-AU_R1_000A1 PanJit 1.5SMCJ-AU_SERIES.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 24.4÷28V; 42.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 24.4...28V
Max. forward impulse current: 42.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ210A_R1_00001 P4SMAJ210A_R1_00001 PanJit P4SMAJ_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 231÷268.8V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 210V
Breakdown voltage: 231...268.8V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS12L_R2_00001 SS12L_R2_00001 PanJit SS14L.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; subSMA; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 0.45V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: subSMA
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS12_R1_00001 SS12_R1_00001 PanJit SS12_SERIES.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 6mA
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MER3DMB_R2_00601 MER3DMB_R2_00601 PanJit MER3DMB.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 35ns; SMB; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 75A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.08 грн
23+18.40 грн
100+11.42 грн
500+8.30 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PanJit PBHV8110DA.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 100MHz
Collector current: 1A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.81 грн
46+9.04 грн
100+6.70 грн
195+4.84 грн
534+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3461-AU_R1_000A1 PJA3461-AU_R1_000A1 PanJit PJA3461-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ220CA_R1_00001 P4SMAJ220CA_R1_00001 PanJit Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 242÷272V; 1.1A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 220V
Breakdown voltage: 242...272V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PJL9850_R2_00001 PanJit PJL9850.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 4.4nC
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+55.74 грн
14+29.74 грн
50+19.55 грн
65+14.46 грн
179+13.64 грн
2500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 10nC
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.01 грн
26+15.86 грн
100+8.38 грн
151+6.24 грн
415+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit PJA3441-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit PJQ5544-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 41nC
Application: automotive industry
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.88 грн
10+73.62 грн
29+32.95 грн
79+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1G_R1_00001 US1G_R1_00001 PanJit US1A_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N04V-AU_R2_002A1 PanJit PJB120N04V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N04S-AU_R2_002A1 PanJit Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MER1DMB_R2_00601 MER1DMB_R2_00601 PanJit MER1DMB.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+15.93 грн
40+10.27 грн
50+8.22 грн
100+6.16 грн
250+5.50 грн
500+5.18 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit PJMF210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+209.71 грн
10+109.28 грн
11+91.20 грн
29+86.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC_T0_00601 PanJit PJMP210N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B_R1_00001 BC847B_R1_00001 PanJit BC846X_SERIES.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 0.2A
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.50 грн
61+6.74 грн
100+4.21 грн
500+2.97 грн
738+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA4744-AU_R1_000A1 1SMA4744-AU_R1_000A1 PanJit 1SMA4728-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 15V; SMD; SMA; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C_R1_00001 BC859C_R1_00001 PanJit BC856X_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00501 PJA3441_R1_00501 PanJit Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.31 грн
24+17.75 грн
100+13.56 грн
177+5.34 грн
486+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S43A-AU_R2_000A1 SM6S43A-AU_R2_000A1 PanJit SM6S14A-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 4.6kW; 47.8÷52.8V; 66A; unidirectional; DO218AB; SM6S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 4.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 66A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM6S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00601 PanJit Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ60A_R2_00001 1.5SMCJ60A_R2_00001 PanJit Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 66.7÷76.7V; 15.5A; unidirectional; SMC; 1.5SMCJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...76.7V
Max. forward impulse current: 15.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ60A_R2_00001 3.0SMCJ60A_R2_00001 PanJit Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 66.7÷76.7V; 31A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...76.7V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V4TW_R1_00001 BZX84C2V4TW_SER.pdf
BZX84C2V4TW_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 2.4V; SMD; SOT363; triple independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT363
Semiconductor structure: triple independent
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V4W_R1_00001 BZX84C2V4W_SER.pdf
BZX84C2V4W_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 2.4V; SMD; SOT323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE250A_AY_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 237÷263V; 4.5A; unidirectional; DO201AE; 1.5KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 214V
Breakdown voltage: 237...263V
Max. forward impulse current: 4.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201AE
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: Ammo Pack
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: 1.5KE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ54A-AU_R1_000A1 P4SMAJ-AU_SERIES.pdf
P4SMAJ54A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ54A_R1_00001
P4SMAJ54A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA6.8A_R1_00001
P4SMA6.8A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 6.45÷7.14V; 40A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.45...7.14V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMA
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMA6.8CA_R1_00001
P4SMA6.8CA_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 6.45÷7.14V; 40A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.45...7.14V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 2mA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMA
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB100A_R1_00001 P6SMB_SERIES.pdf
P6SMB100A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 95÷105V; 4.4A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 95...105V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMB
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.6/5.4nC
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.31 грн
23+18.40 грн
100+13.97 грн
131+7.15 грн
360+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4KE16A_R2_00001 P4KE_SERIES.pdf
P4KE16A_R2_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 15.2÷16.8V; 19A; unidirectional; DO41; P4KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 13.6V
Breakdown voltage: 15.2...16.8V
Max. forward impulse current: 19A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO41
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: P4KE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM608_R2_00301
Виробник: PanJit
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 6A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPNTB6_S1_00701
BC847BPNTB6_S1_00701
Виробник: PanJit
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT563
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPN-AU_R1_000A1 BC847BPN-AU.pdf
BC847BPN-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT363
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPNTB6_R1_00701 BC847BPNTB6
BC847BPNTB6_R1_00701
Виробник: PanJit
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT563
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BPNTB6_R2_00701
BC847BPNTB6_R2_00701
Виробник: PanJit
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT563
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMQE070N08LS2_R2_00601 PSMQE070N08LS2
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.8A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Drain current: 63.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX584C2V4-AU_R1_000A1 BZX584C2V4-AU_SER.pdf
BZX584C2V4-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 200mW; 2.4V; SMD; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.4V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD523
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C30-AU_R1_000A1 BZX84C2V4-AU_SER.pdf
BZX84C30-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 410mW; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.41W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C30_R1_00501 BZX84C2V4_SERIES.pdf
BZX84C30_R1_00501
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 410mW; 30V; SMD; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.41W
Zener voltage: 30V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM808LL_R2_00301
Виробник: PanJit
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 8A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM408_R2_00301
Виробник: PanJit
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 4A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM410_R2_00301
Виробник: PanJit
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 4A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM610_R2_00301
Виробник: PanJit
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 6A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM808_R2_00301
Виробник: PanJit
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 8A
Case: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ10A_R1_00001
P4SMAJ10A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 11.1÷12.3V; 23.5A; unidirectional; SMA; P4SMAJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 10V
Breakdown voltage: 11.1...12.3V
Max. forward impulse current: 23.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847C_R1_00001 BC846X_SERIES.pdf
BC847C_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.73 грн
60+6.90 грн
130+3.17 грн
250+1.72 грн
500+1.54 грн
738+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW_R1_00001 BC846AW_SERIES.pdf
BC847CW_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847C-AU_R1_000A1 BC846X-AU_SERIES.pdf
BC847C-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; SOT23; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS417TM_R1_00001 1SS417TM.pdf
1SS417TM_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD923; SMD; 45V; 0.1A; reel,tape; 100mW
Case: SOD923
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 0.62V
Power dissipation: 0.1W
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 31926 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.13 грн
57+7.31 грн
129+3.20 грн
250+2.54 грн
471+2.00 грн
1294+1.89 грн
24000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZMM55-B24_R1_10001
ZMM55-B24_R1_10001
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 24V; SMD; LL34,MiniMELF; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: LL34; MiniMELF
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ51CA-AU_R1_000A1 P6SMBJ-AU_SERIES.pdf
P6SMBJ51CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 56.7÷62.7V; 7.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 7.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ51CA_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ51CA_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 56.7÷62.7V; 7.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 7.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P6SMBJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ22CA-AU_R1_000A1 3.0SMCJ10A-AU_SERIES.pdf
3.0SMCJ22CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 24.4÷28V; 84.4A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 24.4...28V
Max. forward impulse current: 84.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ22CA-AU_R1_000A1 1.5SMCJ-AU_SERIES.pdf
1.5SMCJ22CA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 24.4÷28V; 42.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 24.4...28V
Max. forward impulse current: 42.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ210A_R1_00001 P4SMAJ_SERIES.pdf
P4SMAJ210A_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 231÷268.8V; 1.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 210V
Breakdown voltage: 231...268.8V
Max. forward impulse current: 1.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS12L_R2_00001 SS14L.pdf
SS12L_R2_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; subSMA; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 0.45V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: subSMA
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS12_R1_00001 SS12_SERIES.pdf
SS12_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 20V; 1A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 0.5V
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 6mA
Case: SMA
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MER3DMB_R2_00601 MER3DMB.pdf
MER3DMB_R2_00601
Виробник: PanJit
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 35ns; SMB; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 75A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 50µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.08 грн
23+18.40 грн
100+11.42 грн
500+8.30 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 PBHV8110DA.pdf
PBHV8110DA-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 100V
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Current gain: 100...300
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 100MHz
Collector current: 1A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.81 грн
46+9.04 грн
100+6.70 грн
195+4.84 грн
534+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3461-AU_R1_000A1 PJA3461-AU.pdf
PJA3461-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ220CA_R1_00001
P4SMAJ220CA_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 242÷272V; 1.1A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 220V
Breakdown voltage: 242...272V
Max. forward impulse current: 1.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: P4SMAJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9850_R2_00001 PJL9850.pdf
PJL9850_R2_00001
Виробник: PanJit
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 4.4nC
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+55.74 грн
14+29.74 грн
50+19.55 грн
65+14.46 грн
179+13.64 грн
2500+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 10nC
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.01 грн
26+15.86 грн
100+8.38 грн
151+6.24 грн
415+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU.pdf
PJA3441-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 41nC
Application: automotive industry
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.88 грн
10+73.62 грн
29+32.95 грн
79+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1G_R1_00001 US1A_SERIES.pdf
US1G_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N04V-AU_R2_002A1 PJB120N04V-AU.pdf
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N04S-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MER1DMB_R2_00601 MER1DMB.pdf
MER1DMB_R2_00601
Виробник: PanJit
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMB; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 35A
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+15.93 грн
40+10.27 грн
50+8.22 грн
100+6.16 грн
250+5.50 грн
500+5.18 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC.pdf
PJMF210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+209.71 грн
10+109.28 грн
11+91.20 грн
29+86.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
PJMB210N65EC_R2_00601
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP210N65EC_T0_00601 PJMP210N65EC.pdf
PJMP210N65EC_T0_00601
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B_R1_00001 BC846X_SERIES.pdf
BC847B_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 0.2A
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.50 грн
61+6.74 грн
100+4.21 грн
500+2.97 грн
738+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA4744-AU_R1_000A1 1SMA4728-AU_SERIES.pdf
1SMA4744-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 15V; SMD; SMA; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 15V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C_R1_00001 BC856X_SERIES.pdf
BC859C_R1_00001
Виробник: PanJit
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441_R1_00501
PJA3441_R1_00501
Виробник: PanJit
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.31 грн
24+17.75 грн
100+13.56 грн
177+5.34 грн
486+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S43A-AU_R2_000A1 SM6S14A-AU_SERIES.pdf
SM6S43A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 4.6kW; 47.8÷52.8V; 66A; unidirectional; DO218AB; SM6S
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 4.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 66A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO218AB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SM6S
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00601
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMCJ60A_R2_00001
1.5SMCJ60A_R2_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 66.7÷76.7V; 15.5A; unidirectional; SMC; 1.5SMCJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...76.7V
Max. forward impulse current: 15.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 1.5SMCJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ60A_R2_00001
3.0SMCJ60A_R2_00001
Виробник: PanJit
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 66.7÷76.7V; 31A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...76.7V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 3µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: 3.0SMCJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.