Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (105898) > Сторінка 791 з 1765

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 176 352 528 704 786 787 788 789 790 791 792 793 794 795 796 880 1056 1232 1408 1584 1760 1765  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RGT40TM65DGC9 RGT40TM65DGC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 17A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 39 W
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.48 грн
50+149.89 грн
100+136.04 грн
500+104.90 грн
1000+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 RGT50NS65DGC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.69 грн
50+162.90 грн
100+148.25 грн
500+115.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DGC9 RGT50TM65DGC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.82 грн
50+165.86 грн
100+150.76 грн
500+116.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9 RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT8NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.87 грн
50+47.31 грн
100+42.16 грн
500+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8TM65DGC9 RGT8TM65DGC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT8TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 5A TO-220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 16 W
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.20 грн
50+96.35 грн
100+86.78 грн
500+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65GC11 RGTH00TK65GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH00TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM
Power - Max: 72 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Active
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.04 грн
30+151.57 грн
120+123.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65DGC11 RGTH60TK65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH60TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM
Power - Max: 61 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.49 грн
30+148.11 грн
120+121.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65GC11 RGTH60TK65GC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH60TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Power - Max: 61 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.41 грн
30+258.08 грн
120+215.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TK65DGC11 RGTH80TK65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTH80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 66 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Part Status: Active
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.23 грн
30+216.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.76 грн
10+436.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V9LT116 BZX84C3V9LT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C3V9L&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 3.9V 250MW SSD3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Power - Max: 250 mW
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SSD3
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5.12%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V6LT116 BZX84C5V6LT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C5V6L&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SSD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.14%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SSD3
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V6LT116 BZX84C5V6LT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BZX84C5V6L&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SSD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.14%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SSD3
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
39+8.02 грн
100+4.99 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.14 грн
5000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.09 грн
10+133.78 грн
100+92.33 грн
500+70.00 грн
1000+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NL65DGTL RGT16NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NL65DGTL RGT16NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.36 грн
10+143.32 грн
100+99.74 грн
500+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL RGT30NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Power - Max: 133 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: LPDS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL RGT30NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: LPDS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 133 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTL RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTL RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.49 грн
10+178.14 грн
100+125.54 грн
500+106.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.31 грн
10+191.65 грн
100+135.65 грн
500+117.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTL RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT8NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTL RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT8NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.68 грн
10+120.18 грн
100+82.75 грн
500+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRD07MM4STR RRD07MM4STR Rohm Semiconductor datasheet?p=RRD07MM4S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 400V 700MA PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
6000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRD07MM4STR RRD07MM4STR Rohm Semiconductor datasheet?p=RRD07MM4S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 400V 700MA PMDU
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
13+23.90 грн
100+15.18 грн
500+10.71 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-001 BM2P0161-EVK-001 Rohm Semiconductor bm2p0x61-z-e Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
Power - Output: 7.5 W
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side
Utilized IC / Part: BM2P0161
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 65kHz
Contents: Board(s)
Current - Output: 500mA
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Voltage - Output: 15V
Packaging: Box
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7984.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-002 BM2P0161-EVK-002 Rohm Semiconductor bm2p0161-evk-002_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
Power - Output: 6 W
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side
Utilized IC / Part: BM2P0161
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 65kHz
Contents: Board(s)
Current - Output: 500mA
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Voltage - Output: 12V
Packaging: Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7984.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-003 BM2P0161-EVK-003 Rohm Semiconductor bm2p0161-evk-003_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9368.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD62120AEFJ-E2 BD62120AEFJ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD62120AEFJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: BUILT-IN 1 CHANNEL H-BRIDGE MOTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 2A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 28V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 33307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.96 грн
10+114.76 грн
25+104.73 грн
100+87.92 грн
250+82.97 грн
500+80.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD63130AFM-E2 BD63130AFM-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63130AFM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: H-BRIDGE MOTOR DRIVER FOR DC BRU
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-SOP (0.295", 7.50mm Width) + 2 Heat Tabs
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 36-HSOP-M
Technology: DMOS
Applications: Printer
Voltage - Supply: 8V ~ 46.2V
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Interface: On/Off
Current - Output: 3A
Function: Driver
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.03 грн
10+244.34 грн
25+225.25 грн
100+191.66 грн
250+182.25 грн
500+176.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD63565EFV-E2 BD63565EFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63565EFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DUAL H-BRIDGE MOTOR DRIVER WHICH
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Voltage - Load: 1.8V ~ 16V
Technology: DMOS
Applications: Appliance
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Current - Output: 1A
Function: Driver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PWM
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.34 грн
10+133.78 грн
25+122.41 грн
100+103.14 грн
250+97.54 грн
500+94.16 грн
1000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR QH8K51TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.15 грн
10+71.85 грн
100+47.98 грн
500+35.39 грн
1000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTL RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.49 грн
10+162.94 грн
100+114.06 грн
500+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.98 грн
10+55.66 грн
100+36.67 грн
500+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCR RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E060AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF6E065BNTCR RF6E065BNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF6E065BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.92 грн
10+43.98 грн
100+29.24 грн
500+21.31 грн
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.33 грн
10+271.14 грн
100+226.32 грн
500+184.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCR RQ1E075XNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1E075XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
на замовлення 26828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.88 грн
10+48.18 грн
100+33.35 грн
500+26.15 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTL RQ5E020SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.23 грн
10+38.25 грн
100+24.75 грн
500+17.78 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTL RQ5E025SNTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E025SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
10+34.28 грн
100+25.59 грн
500+18.87 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E025SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.06 грн
10+36.50 грн
100+23.66 грн
500+17.03 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035XNTCL RQ5E035XNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E035XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.30 грн
10+33.29 грн
100+21.56 грн
500+15.47 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040RPTL RQ5E040RPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E040RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.78 грн
10+42.00 грн
100+27.43 грн
500+19.86 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCL RQ5E050ATTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+43.68 грн
100+28.60 грн
500+20.74 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCL RQ5E065AJTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E065AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 6163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.91 грн
10+46.65 грн
100+30.60 грн
500+22.25 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTL RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 9744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
10+42.53 грн
100+27.82 грн
500+20.16 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCL RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L035GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.29 грн
10+47.72 грн
100+31.34 грн
500+22.81 грн
1000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6A050ZPTR RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6A050ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.70 грн
10+61.39 грн
100+40.63 грн
500+29.74 грн
1000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E040XNTCR RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E040XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+35.51 грн
100+23.69 грн
500+17.01 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E045TNTR RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E045TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
10+33.60 грн
100+25.93 грн
500+19.93 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.95 грн
10+43.68 грн
50+32.19 грн
100+26.71 грн
500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E301GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.23 грн
10+123.39 грн
50+94.16 грн
100+79.51 грн
500+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L120GNTB RS1L120GNTB Rohm Semiconductor rs1l120gntb-e Description: RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Rohm Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L045GNGZETB RS3L045GNGZETB Rohm Semiconductor rs3l045gngzetb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor rsh065n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RXH070N03TB1 RXH070N03TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RXH070N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+67.80 грн
50+50.52 грн
100+42.18 грн
500+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TM65DGC9 datasheet?p=RGT40TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT40TM65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 17A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 39 W
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+304.48 грн
50+149.89 грн
100+136.04 грн
500+104.90 грн
1000+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9 datasheet?p=RGT50NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NS65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.69 грн
50+162.90 грн
100+148.25 грн
500+115.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DGC9 datasheet?p=RGT50TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50TM65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+333.82 грн
50+165.86 грн
100+150.76 грн
500+116.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9 datasheet?p=RGT8NS65D(TO-262)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT8NS65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.87 грн
50+47.31 грн
100+42.16 грн
500+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8TM65DGC9 datasheet?p=RGT8TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT8TM65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 5A TO-220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 16 W
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+202.20 грн
50+96.35 грн
100+86.78 грн
500+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TK65GC11 datasheet?p=RGTH00TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH00TK65GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM
Power - Max: 72 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Part Status: Active
Gate Charge: 94 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/143ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.04 грн
30+151.57 грн
120+123.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65DGC11 datasheet?p=RGTH60TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH60TK65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM
Power - Max: 61 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.49 грн
30+148.11 грн
120+121.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TK65GC11 datasheet?p=RGTH60TK65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH60TK65GC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/105ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Power - Max: 61 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.41 грн
30+258.08 грн
120+215.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TK65DGC11 datasheet?p=RGTH80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH80TK65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 31A TO3PFM
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 66 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Part Status: Active
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.23 грн
30+216.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTVX6TS65DGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N
Power - Max: 404 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 144 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 171 nC
Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/201ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A
Reverse Recovery Time (trr): 109 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+632.76 грн
10+436.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V9LT116 datasheet?p=BZX84C3V9L&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C3V9LT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 250MW SSD3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Power - Max: 250 mW
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SSD3
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5.12%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V6LT116 datasheet?p=BZX84C5V6L&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C5V6LT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SSD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.14%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SSD3
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C5V6LT116 datasheet?p=BZX84C5V6L&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BZX84C5V6LT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 250MW SSD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.14%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SSD3
Part Status: Not For New Designs
Power - Max: 250 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.48 грн
39+8.02 грн
100+4.99 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+65.14 грн
5000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.09 грн
10+133.78 грн
100+92.33 грн
500+70.00 грн
1000+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NL65DGTL datasheet?p=RGT16NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NL65DGTL datasheet?p=RGT16NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.36 грн
10+143.32 грн
100+99.74 грн
500+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT30NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Power - Max: 133 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: LPDS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT30NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: LPDS
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 133 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTL datasheet?p=RGT40NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT40NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTL datasheet?p=RGT40NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT40NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+281.49 грн
10+178.14 грн
100+125.54 грн
500+106.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+108.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.31 грн
10+191.65 грн
100+135.65 грн
500+117.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTL datasheet?p=RGT8NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT8NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTL datasheet?p=RGT8NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT8NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+192.68 грн
10+120.18 грн
100+82.75 грн
500+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRD07MM4STR datasheet?p=RRD07MM4S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRD07MM4STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 400V 700MA PMDU
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.99 грн
6000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRD07MM4STR datasheet?p=RRD07MM4S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RRD07MM4STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 400V 700MA PMDU
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.44 грн
13+23.90 грн
100+15.18 грн
500+10.71 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-001 bm2p0x61-z-e
BM2P0161-EVK-001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
Power - Output: 7.5 W
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side
Utilized IC / Part: BM2P0161
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 65kHz
Contents: Board(s)
Current - Output: 500mA
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Voltage - Output: 15V
Packaging: Box
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7984.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-002 bm2p0161-evk-002_ug-e.pdf
BM2P0161-EVK-002
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
Power - Output: 6 W
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side
Utilized IC / Part: BM2P0161
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 65kHz
Contents: Board(s)
Current - Output: 500mA
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Voltage - Output: 12V
Packaging: Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7984.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-003 bm2p0161-evk-003_ug-e.pdf
BM2P0161-EVK-003
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9368.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD62120AEFJ-E2 datasheet?p=BD62120AEFJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD62120AEFJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BUILT-IN 1 CHANNEL H-BRIDGE MOTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 2A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 28V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 33307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.96 грн
10+114.76 грн
25+104.73 грн
100+87.92 грн
250+82.97 грн
500+80.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD63130AFM-E2 datasheet?p=BD63130AFM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63130AFM-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: H-BRIDGE MOTOR DRIVER FOR DC BRU
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-SOP (0.295", 7.50mm Width) + 2 Heat Tabs
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 36-HSOP-M
Technology: DMOS
Applications: Printer
Voltage - Supply: 8V ~ 46.2V
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Interface: On/Off
Current - Output: 3A
Function: Driver
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+333.03 грн
10+244.34 грн
25+225.25 грн
100+191.66 грн
250+182.25 грн
500+176.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD63565EFV-E2 datasheet?p=BD63565EFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63565EFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DUAL H-BRIDGE MOTOR DRIVER WHICH
Part Status: Active
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Voltage - Load: 1.8V ~ 16V
Technology: DMOS
Applications: Appliance
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Current - Output: 1A
Function: Driver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Interface: PWM
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.34 грн
10+133.78 грн
25+122.41 грн
100+103.14 грн
250+97.54 грн
500+94.16 грн
1000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR em6k7-e
EM6K7T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K51TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.15 грн
10+71.85 грн
100+47.98 грн
500+35.39 грн
1000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTL datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P08BBDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.49 грн
10+162.94 грн
100+114.06 грн
500+95.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4C100BCTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.98 грн
10+55.66 грн
100+36.67 грн
500+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCR datasheet?p=RF4E060AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E060AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF6E065BNTCR datasheet?p=RF6E065BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF6E065BNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.92 грн
10+43.98 грн
100+29.24 грн
500+21.31 грн
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJ1P12BBDTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+366.33 грн
10+271.14 грн
100+226.32 грн
500+184.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCR datasheet?p=RQ1E075XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1E075XNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
на замовлення 26828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.88 грн
10+48.18 грн
100+33.35 грн
500+26.15 грн
1000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTL datasheet?p=RQ5E020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E020SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.23 грн
10+38.25 грн
100+24.75 грн
500+17.78 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTL datasheet?p=RQ5E025SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E025SNTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.23 грн
10+34.28 грн
100+25.59 грн
500+18.87 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTL datasheet?p=RQ5E025SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E025SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.06 грн
10+36.50 грн
100+23.66 грн
500+17.03 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035XNTCL datasheet?p=RQ5E035XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E035XNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 5951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.30 грн
10+33.29 грн
100+21.56 грн
500+15.47 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040RPTL datasheet?p=RQ5E040RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E040RPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.78 грн
10+42.00 грн
100+27.43 грн
500+19.86 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCL datasheet?p=RQ5E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E050ATTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.16 грн
10+43.68 грн
100+28.60 грн
500+20.74 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCL datasheet?p=RQ5E065AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E065AJTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 6163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.91 грн
10+46.65 грн
100+30.60 грн
500+22.25 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTL datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5L030SNTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 9744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.57 грн
10+42.53 грн
100+27.82 грн
500+20.16 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCL datasheet?p=RQ5L035GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5L035GNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.29 грн
10+47.72 грн
100+31.34 грн
500+22.81 грн
1000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6A050ZPTR datasheet?p=RQ6A050ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6A050ZPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.70 грн
10+61.39 грн
100+40.63 грн
500+29.74 грн
1000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E040XNTCR datasheet?p=RQ6E040XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E040XNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.33 грн
10+35.51 грн
100+23.69 грн
500+17.01 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E045TNTR datasheet?p=RQ6E045TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E045TNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.40 грн
10+33.60 грн
100+25.93 грн
500+19.93 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.95 грн
10+43.68 грн
50+32.19 грн
100+26.71 грн
500+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 datasheet?p=RS1E301GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E301GNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.23 грн
10+123.39 грн
50+94.16 грн
100+79.51 грн
500+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L120GNTB rs1l120gntb-e
RS1L120GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB rs1l180gntb-e.pdf
RS1L180GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L045GNGZETB rs3l045gngzetb-e.pdf
RS3L045GNGZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB rsh065n06.pdf
RSH065N06GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RXH070N03TB1 datasheet?p=RXH070N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RXH070N03TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.80 грн
10+67.80 грн
50+50.52 грн
100+42.18 грн
500+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 176 352 528 704 786 787 788 789 790 791 792 793 794 795 796 880 1056 1232 1408 1584 1760 1765  [ Наступна Сторінка >> ]